(19)國家知識產權局(10)申請公布號CN120224844A(62)分案原申請數(shù)據(jù)(71)申請人晶科能源(海寧)有限公司地址314415浙江省嘉興市海寧市黃灣鎮(zhèn)安江路118號申請人浙江晶科能源有限公司(72)發(fā)明人金井升張彼克楊楠楠(74)專利代理機構上海晨皓知識產權代理事務(54)發(fā)明名稱太陽能電池及其制備方法、光伏組件本申請實施例涉及一種太陽能電池及其制第一表面包括交替排布的第一部分以及第二部分，第一部分相對于第二部分朝基底第二表面方向凹陷，第一部分具有多個間隔的凸起結構，凸起結構的頂面低于第二部分的頂面；第一隧穿第一隧穿層遠離基底的表面；第一電極，與第一摻雜導電層電接觸，部分第一電極位于第一部分相對于第二部分朝第二表面方向凹陷內；其中，第一電極在第一方向上的寬度小于第一摻雜導電層在第一方向上的寬度，第一方向平行于第一d2基底，具有相對的第一表面以及第二表面，所述第一表面包括交替排布的第一部分以及第二部分，所述第一部分相對于所述第二部分朝所述第二表面方向凹陷，所述第一部分具有多個間隔的凸起結構，所述凸起結構的頂面低于所述第二部分的頂面；第一隧穿層，覆蓋所述第一部分的表面；第一摻雜導電層，覆蓋所述第一隧穿層遠離所述基底的表面；第一電極，與所述第一摻雜導電層電接觸，部分所述第一電極位于所述第一部分相對于所述第二部分朝所述第二表面方向凹陷內；其中，所述第一電極在第一方向上的寬度小于所述第一摻雜導電層在所述第一方向上的寬度，所述第一方向平行于所述第一部分，且垂直于所述第一電極的延伸方向。2.根據(jù)權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一隧穿層朝向所述第一部分的表面具有第一紋理結構，所述第一隧穿層遠離所述第一部分的表面具有第二紋理結構，所述第二紋理結構的平整度大于所述第一紋理結構的平整度，所述第一紋理結構包括拋光面以及位于所述拋光面上的多個間隔的凸起結構，多個所述凸起結構在所述拋光面上的所占面積不大于所述拋光面的面積的1/2。3.根據(jù)權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述凸起結構包括第一金字塔結構或者第一平臺凸起結構中的任一者。4.根據(jù)權利要求2所述的太陽能電池，其特征在于，多個所述凸起結構在所述拋光面上的所占面積與所述拋光面的面積之比為1:11～1:2。5.根據(jù)權利要求2所述的太陽能電池，其特征在于，所述凸起結構為第一金字塔結構，所述第二紋理結構包括：第二平臺凸起結構。6.根據(jù)權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一部分的凹陷深度為1μm~57.根據(jù)權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一摻雜導電層在所述第一方向上的寬度與所述第一電極在所述第一方向上的寬度之比小于等于3。8.根據(jù)權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，還包括，第一鈍化層，所述第一鈍化層覆蓋所述第一摻雜導電層以及所述第一表面的第二部分，所述第一電極穿透所述第一鈍化層與所述第一摻雜導電層電接觸。9.根據(jù)權利要求8所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一表面的第二部分具有第三紋理結構，所述第三紋理結構包括第二金字塔結構。10.根據(jù)權利要求8所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一摻雜導電層的摻雜元素類型與所述基底的摻雜元素類型不同。11.根據(jù)權利要求10所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一摻雜導電層的材料包12.根據(jù)權利要求8或10所述的太陽能電池，其特征在于，還包括：發(fā)射極層，所述發(fā)射極層位于所述基底內，與所述第二部分正對，且所述基底露出所述發(fā)射極層頂面，所述發(fā)射極層頂面與所述第一鈍化層朝向所述基底的表面接觸，所述發(fā)射極層的摻雜元素類型與所述基底的摻雜元素類型不同。13.根據(jù)權利要求1或10所述的太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池還包括：3第二摻雜導電層，位于所述第二隧穿層遠離所述基底的表面。14.根據(jù)權利要求13所述的太陽能電池，其特征在于，所述第二摻雜導電層的摻雜元素類型與所述基底的摻雜元素類型相同。15.根據(jù)權利要求14所述的太陽能電池，其特征在于，所述第二摻雜導電層的材料包電池串，所述電池串由多個如權利要求1～15任一項所述的太陽能電池連接而成；封裝層，所述封裝層用于覆蓋所述電池串的表面；蓋板，所述蓋板用于覆蓋所述封裝層遠離所述電池串的表面。提供初始基底，具有相對的初始第一表面以及第二表面；自所述初始第一表面對所述初始基底進行刻蝕以將所述初始第一表面轉化為第一表面，所述第一表面具有交替排布的第一部分以及第二部分，所述第一部分相對于所述第二部分朝所述第二表面方向凹陷，所述第一部分具有多個間隔的凸起結構，所述凸起結構的頂面低于所述第二部分的頂面，剩余所述初始基底形成基底；形成第一隧穿層，所述第一隧穿層覆蓋所述第一部分；形成第一摻雜導電層，所述第一摻雜導電層覆蓋所述第一隧穿層遠離所述基底的表面；形成第一電極，所述第一電極與所述第一摻雜導電層電接觸，部分所述第一電極位于所述第一部分相對于所述第二部分朝所述第二表面方向凹陷內；其中，所述第一電極在第一方向上的寬度小于所述第一摻雜導電層在所述第一方向上的寬度，所述第一方向平行于所述第一部分，且垂直于所述第一電極的延伸方向。18.根據(jù)權利要求17所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，形成所述第一部分與所述第二部分的方法包括：在所述初始第一表面形成掩膜層，所述掩膜層具有第一開口，所述第一開口露出部分所述初始第一表面；沿所述第一開口刻蝕所述初始第一表面，以在所述初始基底內形成初始第一凹槽，并將所述初始第一表面轉化為所述第一表面；對所述初始第一凹槽側壁以及底壁進行拋光工藝，以使所述初始第一凹槽側壁以及底對所述初始第二凹槽底壁以及側壁進行制絨工藝，以形成凹槽，所述凹槽底壁以及側壁具有所述凸起結構；去除所述掩膜層，所述凹槽對應的所述第一表面為所述第一部分，除所述凹槽以外的部分為所述第二部分。19.根據(jù)權利要求18所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述對所述初始第二凹槽底壁以及側壁進行制絨工藝以形成所述凸起結構，方法包括：對所述初始第二凹槽底壁以及側壁進行清洗工藝；配置制絨添加劑母液，所述制絨添加劑母液包括十二烷基苯磺酸鈉以及聚乙烯吡咯烷酮，所述十二烷基苯磺酸鈉與所述聚乙烯吡咯烷酮的質量比為0.1～20;4提供去離子水，向所述去離子水中添加所述制絨添加劑母鈉與所述去離子水的質量比為0.03～0.1;采用所述刻蝕液對所述初始第二凹槽的底壁以及側壁進行清洗，以形成所述凸起結采用沉積工藝在所述凹槽側壁以及底壁形成初始第一隧穿層，對的兩個表面具有與所述凹槽側壁以及底壁對所述初始第一隧穿層遠離所述基底的表面進行拋光工藝，經(jīng)5[0001]相關申請的交叉引用[0002]本申請是申請日為2023年02月23日，申請?zhí)枮?023101842114,發(fā)明名稱為“太陽能電池及其制備方法、光伏組件”的中國發(fā)明專利申請的分案申請。技術領域[0003]本申請實施例涉及太陽能電池領域，特別涉及一種太陽能電池及其制備方法、光伏組件。背景技術[0004]太陽能電池具有較好的光電轉換能力，目前，在基底表面會制備隧穿層以及摻雜導電層，用于抑制太陽能電池中基底表面的載流子復合以及增強對基底的鈍化效果。其中，隧穿層具有較好的化學鈍化效果，摻雜導電層具有較好的場鈍化效果。此外，為了對太陽能電池產生的光生載流子進行傳輸并收集，還會制備與摻雜導電層電接觸的電極，用于對光生載流子進行收集。[0005]光生載流子的數(shù)量與基底對入射光線的吸收利用率有關，基底對入射光線的吸收利用率高，則產生光生載流子的數(shù)量越多，從而能夠提高太陽能電池的光電轉換性能。發(fā)明內容[0007]本申請實施例提供一種太陽能電池及其制備方法、光伏組件，至少有利于提高太陽能電池的光電轉換效率。[0008]本申請實施例提供一種太陽能電池，包括：基底，具有相對的第一表面以及第二表面，所述第一表面包括交替排布的第一部分以及第二部分，所述第一部分相對于所述第二部分朝所述第二表面方向凹陷，所述第一部分具有多個間隔的凸起結構，所述凸起結構的頂面低于所述第二部分的頂面；第一隧穿層，覆蓋所述第一部分的表面；第一摻雜導電層，覆蓋所述第一隧穿層遠離所述基底的表面；第一電極，與所述第一摻雜導電層電接觸，部分所述第一電極位于所述第一部分相對于所述第二部分朝所述第二表面方向凹陷內；其中，所述第一電極在第一方向上的寬度小于所述第一摻雜導電層在所述第一方向上的寬度，所述第一方向平行于所述第一部分，且垂直于所述第一電極的延伸方向。[0009]另外，所述第一隧穿層朝向所述第一部分的表面具有第一紋理結構，所述第一隧穿層遠離所述第一部分的表面具有第二紋理結構，所述第二紋理結構的平整度大于所述第一紋理結構的平整度，所述第一紋理結構包括拋光面以及位于所述拋光面上的多個間隔的凸起結構，多個所述凸起結構在所述拋光面上的所占面積不大于所述拋光面的面積的1/2。[0010]另外，凸起結構包括第一金字塔結構或者第一平臺凸起結構中的任一者。[0011]另外，多個所述凸起結構在所述拋光面上的所占面積與所述拋光面的面積之比為6[0014]另外，第一摻雜導電層在所述第一方向上的寬度與所述第一電極在所述第一方向上的寬度之比小于等于3。[0015]另外，還包括，第一鈍化層，所述第一鈍化層覆蓋所述第一摻雜導電層以及所述第一表面的第二部分，所述第一電極穿透所述第一鈍化層與所述第一摻雜導電層電接觸。[0016]另外，第一表面的第二部分具有第三紋理結構，所述第三紋理結構包括第二金字塔結構。[0017]另外，第一摻雜導電層的摻雜元素類型與所述基底的摻雜元素類型不同。[0019]另外，太陽能電池還包括：發(fā)射極層，所述發(fā)射極層位于所述基底內，與所述第二部分正對，且所述基底露出所述發(fā)射層頂面，所述發(fā)射極層頂面與所述第一鈍化層朝向所述基底的表面接觸，所述發(fā)射極層的摻雜元素類型與所述基底的摻雜元素類型不同。所述第二隧穿層遠離所述基底的表面。[0021]另外，第二摻雜導電層的摻雜元素類型與所述基底的摻雜元素類型相同。[0023]相應地，本申請實施例還提供一種光伏組件，包括電池串，電池串由多個上述任一項所述的太陽能電池連接而成；封裝層，封裝層用于覆蓋電池串的表面，蓋板用于覆蓋封裝層遠離電池串的表面。[0024]相應地，本申請實施例還提供一種太陽能電池的制備方法，包括：提供初始基底，具有相對的初始第一表面以及第二表面；自所述初始第一表面對所述初始基底進行刻蝕以將所述初始第一表面轉化為第一表面，所述第一表面具有交替排布的第一部分以及第二部分，所述第一部分相對于所述第二部分朝所述第二表面方向凹陷，所述第一部分具有多個間隔的凸起結構，所述凸起結構的頂面低于所述第二部分的頂面，剩余所述初始基底形成基底；形成第一隧穿層，所述第一隧穿層覆蓋所述第一部分；形成第一摻雜導電層，所述第一摻雜導電層覆蓋所述第一隧穿層遠離所述基底的表面；形成第一電極，所述第一電極與所述第一摻雜導電層電接觸，部分所述第一電極位于所述第一部分相對于所述第二部分朝所述第二表面方向凹陷內；其中，所述第一電極在第一方向上的寬度小于所述第一摻雜導電層在所述第一方向上的寬度，所述第一方向平行于所述第一部分，且垂直于所述第一電極的延伸方向。[0025]另外，形成所述第一部分與所述第二部分的方法包括：在所述初始第一表面形成掩膜層，所述掩膜層具有第一開口，所述第一開口露出部分所述初始第一表面；沿所述第一開口刻蝕所述初始第一表面，以在所述初始基底內形成初始第一凹槽，并將所述初始第一表面轉化為所述第一表面；對所述初始第一凹槽側壁以及底壁進行拋光工藝，以使所述初始第一凹槽側壁以及底壁具有拋光表面，形成初始第二凹槽；對所述初始第二凹槽底壁以及側壁進行制絨工藝，以形成凹槽，所述凹槽底壁以及側壁具有所述凸起結構；去除所述掩膜層，所述凹槽對應的所述第一表面為所述第一部分，除所述凹槽以外的部分為所述第二7[0026]另外，對所述初始第二凹槽底壁以及側壁進行制絨工藝以形成所述凸起結構，方法包括：對所述初始第二凹槽底壁以及側壁進行清洗工藝；配置制絨添加劑母液，所述制絨添加劑母液包括十二烷基苯磺酸鈉以及聚乙烯吡咯烷酮，所述十二烷基苯磺酸鈉與所述聚乙烯吡咯烷酮的質量比為0.1～20;提供去離子水，向所述去離子水中添加所述制絨添加劑母液與氫氧化鈉，以制備得到刻蝕液，其中，所述制絨添加劑母液與所述去離子水的體積比為0.002～0.003,所述氫氧化鈉與所述去離子水的質量比為0.03～0.1;采用所述刻蝕液對所述初始第二凹槽的底壁以及側壁進行清洗，以形成所述第一紋理結構。[0027]另外，形成所述第一隧穿層的方法包括：采用沉積工藝在所述凹槽側壁以及底壁形成初始第一隧穿層，所述初始第一隧穿層相對的兩個表面具有與所述凹槽側壁以及底壁形貌相同的第一紋理結構；對所述初始第一隧穿層遠離所述基底的表面進行拋光工藝，經(jīng)所述拋光工藝處理的所述初始第一隧穿層遠離所述基底的表面具有第二紋理結構，以形成所述第一隧穿層。[0028]本申請實施例提供的技術方案至少具有以下優(yōu)點：[0029]本申請實施例提供的太陽能電池的技術方案中，設置第一表面的第一部分相對于第二部分朝第二表面方向凹陷，即在基底第一表面形成一個凹槽。覆蓋于第一部分的第一隧穿層以及第一摻雜導電層相當于覆蓋在凹槽的側壁以及底壁。由于凹槽具有較大的表面積，從而可以增加形成的隧穿層以及摻雜導電層的表面積，第一電極與摻雜導電層電接觸，使得隧穿層以及摻雜導電層包圍第一電極，對第一電極與摻雜導電層相接觸而導致的高復合損失起到較好的鈍化作用，提升填充因子，進而能夠提升太陽能電池的光電轉換性能。而第二部分上未設置第一隧穿層以及第一摻雜導電層，能夠避免第一摻雜導電層在第二部分上對入射光線的寄生吸收，進一步提升了對入射光線的吸收利用率。[0030]此外，位于第一部分所形成的凹槽側壁的第一隧穿層以及第一摻雜導電層并不直接受到入射光線的直射，因而不會造成過多的寄生吸收，能夠在鈍化第一電極的高復合損失的同時，保證較高的入射光線的吸收利用率，提升載流子數(shù)量，進一步提升太陽能電池的光電轉換能力。[0031]此外，凸起結構的存在有利于增大隧穿層與基底的接觸面積，增大隧穿界面，有利于載流子的隧穿，拋光面的面積較大，能夠保證第一隧穿層與第一部分之間的界面較為平附圖說明[0032]一個或多個實施例通過與之對應的附圖中的圖片進行示例性說明，這些示例性說明并不構成對實施例的限定，除非有特別申明，附圖中的圖不構成比例限制。[0033]圖1為本申請一實施例提供的一種太陽能電池的剖面結構示意圖；[0034]圖2為本申請一實施例提供的一種太陽能電池中第一紋理結構的電鏡圖；[0035]圖3為本申請一實施例提供的另一種太陽能電池的剖面結構示意圖；[0036]圖4為本申請一實施例提供的又一種太陽能電池中載流子的傳輸示意圖；[0037]圖5為本申請另一實施例提供的一種光伏組件的剖面結構示意圖；[0038]圖6為本申請一實施例提供的一種太陽能電池的制備方法中提供基底的步驟對應的剖面結構示意圖；8[0039]圖7為本申請一實施例提供的一種太陽能電池的制備方法中形成發(fā)射極的步驟對應的剖面結構示意圖；[0040]圖8為本申請?zhí)峁┑囊环N太陽能電池的制備方法中形成掩膜層的步驟對應的剖面結構示意圖；[0041]圖9為本申請一實施例提供的一種太陽能電池的制備方法中形成初始第一凹槽的步驟對應的剖面結構示意圖；[0042]圖10為本申請一實施例提供的一種太陽能電池的制備方法中形成初始第二凹槽的步驟對應的剖面結構示意圖；[0043]圖11為本申請一實施例提供的一種太陽能電池的制備方法中形成凹槽的步驟對應的剖面結構示意圖；[0044]圖12為本申請一實施例提供的一種太陽能電池的制備方法中形成初始第一隧穿層的步驟對應的剖面結構示意圖；[0045]圖13為本申請一實施例提供的一種太陽能電池的制備方法中形成第一隧穿層的步驟對應的剖面結構示意圖；[0046]圖14為本申請一實施例提供的一種太陽能電池的制備方法中形成第一摻雜導電層的步驟對應的剖面結構示意圖；[0047]圖15為本申請一實施例提供的一種太陽能電池的制備方法中形成第二隧穿層以及第二摻雜導電層的步驟對應的剖面結構示意圖；[0048]圖16為本申請一實施例提供的另一種太陽能電池的制備方法中形成第一鈍化層的步驟對應的剖面結構示意圖；[0049]圖17為本申請一實施例提供的另一種太陽能電池的制備方法中形成第二鈍化層的步驟對應的剖面結構示意圖。具體實施方式[0050]由背景技術可知，目前的太陽能電池的光電轉換效率較低的問題。[0051]本申請實施例提供一種太陽能電池，設置第一表面的第一部分相對于第二部分朝第二表面方向凹陷，使得覆蓋于第一部分表面隧穿層以及摻雜導電層的表面積較大，第一電極與摻雜導電層電接觸，使得隧穿層以及摻雜導電層包圍第一電極，對第一電極與摻雜導電層相接觸而導致的高復合損失起到較好的鈍化作用。設置第一隧穿層遠離第一部分的表面的平整度大于第一隧穿層朝向第一部分的表面的平整度，使得第一摻雜導電層與第一隧穿層接觸界面較為平整，能夠提升第一摻雜導電層的場鈍化作用。而第一隧穿層朝向第一部分的表面為拋光面以及位于拋光面上的少量凸起結構的復合形貌，凸起結構的存在有利于增大隧穿層與基底的接觸面積，增大隧穿界面，有利于載流子的隧穿，拋光面的面積較大，能夠保證第一隧穿層與第一部分之間的界面較為平整，增強第一隧穿層的鈍化能力。[0052]下面將結合附圖對本申請的各實施例進行詳細的闡述。然而，本領域的普通技術人員可以理解，在本申請各實施例中，為了使讀者更好地理解本申請而提出了許多技術細節(jié)。但是，即使沒有這些技術細節(jié)和基于以下各實施例的種種變化和修改，也可以實現(xiàn)本申請所要求保護的技術方案。[0053]圖1為本申請一實施例提供的一種太陽能電池的剖面結構示意圖。9面包括交替排布的第一部分10以及第二部分11,第一部分10相對于第二部分11朝第二表面部分10的表面具有第一紋理結構，第一隧穿層110遠離第一部分10的表面具有第二紋理結于拋光面1上的多個間隔的凸起結構2,多個凸起結構2在拋光面1上的所占面積不大于拋光面1的面積的1/2.太陽能電池還包括：第一摻雜導電層120,覆蓋第一隧穿層110遠離基底基底100中產生的光生載流子由基底100傳輸至第一摻雜導電層120,再被傳輸至第一電極[0056]設置第一表面的第一部分10相對于第二部分11朝第二表面方向凹陷以形成凹覆蓋于第一部分10的第一隧穿層110以及第一摻雜導電層120相當于覆蓋在凹槽的側壁以極130,對第一電極130與摻雜導電層相接觸而導致的高復合損失起到較好的鈍化作用，提隧穿層110以及第一摻雜導電層120,能夠避免第一摻雜導電層120在第二部分11對入射光[0057]位于第一部分10所形成的凹槽的側壁以及底壁的第一隧穿層110以及第一摻雜導第一隧穿層110以及第一摻雜導電層120的表面積來改善第一電極130的高復合損失的同為第一紋理結構的形貌，第一隧穿層110遠離第一部分10的表面的形貌為第二紋理結構的第一隧穿層110遠離第一部分10的表面接觸，使得第一摻雜導電層120與第一隧穿層110的高；第二紋理結構的平整度是指，在第二隧穿層遠離第一部分10的表面上，相對凸起的結構的頂點到相對平整的表面之間的所差距離，所差距離越小，平整度越高。[0061]基底100用于接收入射光線并產生光生載流子，在一些實施例中，基底100可以為硅基底，硅基底的材料可以包括單晶硅、多晶硅、非晶硅或者微晶硅中的至少一種。在一些實施例中，基底100的材料還可以為碳化硅、有機材料或多元化合物。多元化合物可以包括[0062]在一些實施例中，第一表面與第二表面均可用于接收入射光線或反射光線。在一些實施例中，第二表面可以為受光面，第一表面可以為背光面。在一些實施例中，第一表面可以為受光面，第二表面可以為背光面。受光面指的是直接接收入射光線的表面。[0063]在一些實施例中，太陽能電池可以為TOPCON(Tunnel0xidePassivatedContact,隧穿氧化層鈍化接觸)電池。[0064]在一些實施例中，基底100內具有摻雜元素，摻雜元素類型為N型或者P型，N型元素可以為磷(P)元素、鉍(Bi)元素、銻(Sb)元素或砷(As)元素等V族元素，P型元素可以為硼(B)元素、鋁(Al)元素、鎵(Ga)元素或鎵(In)元素等Ⅲ族元素。例如，當基底100為P型基底[0065]參考圖2,圖2為本申請一實施例提供的太陽能電池中第一紋理結構的電鏡圖。在一些實施例中，多個凸起結構2在拋光面1上的所占面積與拋光面1的面積之比為1:11～1:者1:11～1:10。[0066]在上述范圍內，多個凸起結構2在拋光面1上所占的總面積較小，使得第一紋理結構的粗糙度不至于過大，進而使得第一隧穿層110朝向第一部分10的表面的平整度不至于過小，避免由于第一隧穿層110與第一部分10之間的接觸界面不平整而削弱第一隧穿層110對第一部分10的化學鈍化能力的問題。另一方面，在上述范圍內，使得多個凸起結構2在拋光面1上所占的總面積也不至于過小，可以適當增大第一隧穿層110朝向第一部分10的表面的比表面積，增大第一隧穿層110與第一部分10之間的接觸面積，增大載流子的隧穿界面，有利于增強第一電極130對載流子的收集能力。[0067]本申請實施例中的拋光面1指的是平坦的表面。[0068]參考圖1以及圖3,在一些實施例中，凸起結構2包括第一金字塔結構或者第一平臺凸起結構中的任一者。[0069]參考圖1以及圖2,在一些實施例中，凸起結構2包括第一金字塔結構，第一金字塔結構具有較大的比表面積，設置凸起結構2為第一金字塔結構，可以提升第一隧穿層110朝向第一部分10表面的比表面積，進而能夠增加第一隧穿層110與第一部分10之間的接觸面[0070]在一些實施例中，第一金字塔結構可以是四面體、近似四面體、五面體或者近似五面體等結構。[0071]參考圖3,在一些實施例中，凸起結構2為第一平臺凸起結構，第一平臺凸起結構為金字塔結構的塔基部分，即金字塔結構去掉了塔尖部分后，剩余的底部結構。如此，使得凸起結構2頂部較為平坦，既可以提高第一隧穿層110與第一部分10之間的接觸面積，又能夠保證第一隧穿層110與第一部分10之間的接觸界面較為平坦。11[0072]在一些實施例中，凸起結構2也可以是類平臺凸起結構，類平臺凸起結構的頂面可以為平面或者斜面，類平臺凸起結構的底面可以為多邊形平面，例如可以為四邊形平面或者五邊形平面。[0073]在一些實施例中，凸起結構2可以僅位于第一部分10形成的凹槽底壁，第一部分10形成的凹槽側壁可以為拋光面1。在一些實施例中，凸起結構2也可以位于第一部分10形成的凹槽底壁以及側壁。[0074]在一些實施例中，凸起結構2為第一金字塔結構，第二紋理結構包括：第二平臺凸起結構。第二平臺凸起結構可以為第一金字塔結構去掉塔尖部分后剩余的塔基結構，也就是說，相較于第一金字塔結構而言，第二平臺凸起結構的頂面相較于底面的相差距離較小，使得第二紋理結構的平坦度更高，且第二平臺凸起結構的底面一維尺寸大于凸起結構2的底面一維尺寸，使得第二平臺凸起結構的凸起程度不至于過高，有利于第二紋理結構形成較高的平坦度。[0075]可以理解的是，第二紋理結構中除第二平臺凸起結構以外的區(qū)域可以為拋光表面，且所有第二平臺凸起結構的底面的總面積不大于拋光表面的總面積，進一步增大第二紋理結構的平坦度。[0076]在一些實施例中，第二紋理結構也可以全部為拋光表面，即全為平坦的表面。[0077]參考圖1,在一些實施例中，第一部分10的凹陷深度d為1μm~5μm,例如可以為lμm4.5μm~5μm。第一部分10的凹陷深度d指的是，相較于第二部分11而言，第一部分10朝向第二表面的凹陷深度。在上述范圍內，使得第一部分10的凹陷深度較大，進而使得第一部分10具有較大的表面積，使得形成于第一部分10上的第一隧穿層110以及第一摻雜導電層120具有較大的面積，能夠在一定程度上提升鈍化第一電極130的高復合損失的作用。還能夠增大第一隧穿層110與基底100之間的隧穿界面。另外，在上述范圍內，使得第一部分10的凹陷深部也不至于過大，一方面能夠防止對基底100產生較大的損傷，避免基底100中產生過多的缺陷。另一方面，能夠防止由于第一部分10的凹陷深度過大而導致形成于第一部分10上的第一摻雜導電層120的厚度過大，使得第一摻雜導電層120對入射光線的寄生吸收過大的問[0078]第一部分10相對于第二部分11朝第二表面凹陷形成凹槽，凹槽具有遠離第二表面的開口。在一些實施例中，凹槽底壁可以為平面，凹槽的側壁相對于凹槽底壁垂直。在一些實施例中，凹槽的底部也可以具有弧度，即第一部分10可以為一個橢圓拋物面。[0079]在一些實施例中，第一電極130在第一方向X上的寬度小于第一摻雜導電層120在第一方向X上的寬度，第一方向X平行于第一部分10,且垂直于第一電極130的延伸方向。如此，可以保證第一電極130被第一摻雜導電層120包覆，增大第一電極130與第一摻雜導電層120之間的接觸面積，進而能夠減小第一電極130與第一摻雜導電層120之間的接觸電阻，提升載流子向第一電極130傳輸?shù)乃俾省0080]在一些實施例中，第一電極130的材料銅中的任一者。[0081]在一些實施例中，第一摻雜導電層120在第一方向X上的寬度與第一電極130在第上述范圍內，使得在沿第一方向X上，第一摻雜導電層120的寬度與第一電極130的寬度之比較大，能夠保證第一電極130被第一摻雜導電層120所包覆。并且，設置第一摻雜導電層120的寬度較大，使得在實際形成第一電極130的過程中，能夠避免由于工藝偏差而導致形成第一電極130的材料在燒穿至第一摻雜導電層120中時，在第一摻雜導電層120中沿第一方向X擴散，而導致形成的第一電極130的實際寬度大于第一摻雜導電層120的問題，增大形成第一電極130的工藝窗口。[0082]另外，在上述范圍內，使得在沿第一方向X上，第一摻雜導電層120的寬度與第一電極130相比不至于過大，能夠防止由于第一摻雜導電層120的寬度過大而使得第一摻雜導電層120接收過多的入射光線，進而導致第一摻雜導電層120的寄生吸收較大的問題。[0083]在一些實施例中，第一摻雜導電層120的摻雜元素類型與基底100的摻雜元素類型不同。也就是說，第一摻雜導電層120與基底100構成PN結。在一些實施例中元素類型為P型，則第一摻雜導電層120的摻雜元素類型為N型，N型摻雜元素可以是磷(P)元素、鉍(Bi)元素、銻(Sb)元素或砷素類型為N型，則第一摻雜導電層120的摻雜元素類型為P型，P型摻雜元素可以是硼(B)元[0084]在一些實施例中，第一摻雜導電層120少一者。[0085]參考圖1,在一些實施例中，還包括，第一鈍化層150,第一鈍化層150覆蓋第一摻雜導電層120以及第一表面的第二部分11,第一電極130穿透第一鈍化層150與第一摻雜導電層120電接觸。第一鈍化層150可以直接與第二部分11相接觸，第一鈍化層150可以對第一表面起到較好的鈍化效果，例如可以對第一表面的懸掛鍵進行較好的化學鈍化，降低第一表面的缺陷態(tài)密度，抑制第一表面的載流子復合。[0086]在一些實施例中，第一鈍化層150是單層結構，則第一鈍化層150的材料可以是氧化硅、氧化鋁、氮化硅或者氮氧化硅中的一者。在一些實施例中，第一鈍化層150是多層結構，則第一鈍化層150的材料可以為氧化硅、氧化鋁、氮化硅或者氮氧化硅中的至少一者。[0087]參考圖4,在一些實施例中，太陽能電池還包括：發(fā)射極層140,發(fā)射極層140位于基底100內，與第二部分11正對，且基底100露出發(fā)射層頂面，發(fā)射極層140頂面與第一鈍化層150朝向基底100的表面接觸，發(fā)射極層140的摻雜元素類型與基底100的摻雜元素類型不底100的摻雜元素類型為P型，發(fā)射極的摻雜元素類型為N型，N型摻雜元素可以為磷(P)元素、鉍(Bi)元素、銻(Sb)元素或砷素、鎵(Ga)元素或鎵(In)元素等Ⅲ族元素。[0088]在一些實施例中，發(fā)射極層140的材料可以與基底100的材料相同。例如，可以為硅基底，硅基底的材料可以包括單晶硅、多晶硅、非晶硅或者微晶硅中的至少一種，或者還可以為碳化硅、有機材料或多元化合物。多元化合物可以包括但不限于鈣鈦礦、砷化鎵、碲化[0089]在一些實施例中，第一摻雜導電層120的摻雜元素類型與基底100的摻雜元素類型入射光線轉化為光生載流子。[0090]在一些實施例中，第一表面的第二部分11具有第三紋理結構，第三紋理結構包括第二金字塔結構。第二金字塔結構可以是四面體、近似四面體、五面體或者近似五面體等結[0091]在一些實施例中，第二金字塔結構的數(shù)量為多個，多個第二金字塔結構之間間隔排布。第二金字塔結構使得第一表面的第二部分11具有絨面結構。第二金字塔結構為四面體結構或者五面體結構，這使得第二金字塔結構對入射光線具有較好的反射能力。光線照射至第二表面時，被第二金字塔結構反射的入射光線會在相鄰的兩個第二金字塔結構之間多次反射，最終，大部分被反射的光線會重新被基底100所吸收利用，從而增強基底100對入射光線的利用率。[0092]參考圖1、圖3以及圖4,在一些實施例中，太陽能電池還包括：第二隧穿層160,位于第二表面；第二摻雜導電層170,位于第二隧穿層160遠離基底100的表面。第二隧穿層160對第二表面起到化學鈍化效果，降低第二表面的缺陷態(tài)密度，抑制第二表面的載流子復合。[0093]在一些實施例中，第二隧穿層160的材料包括氧化硅、氧化鋁、氮非晶硅或者多晶硅中的至少一種。[0094]在一些實施例中，第二摻雜導電層170的摻雜元素類型與基底100的摻雜元素類型相同。在一些實施例中，第二摻雜導電層170的摻雜元素類型與基底100的摻雜元素類型均為P型，P型摻雜元素可以為硼(B)元素、鋁(Al)元素、鎵(Ga)元素或鎵(In)元素等Ⅲ族元素。在一些實施例中，第二摻雜導電層170的摻雜元素類型與基底100的摻雜元素類型均為N型，N型摻雜元素類型可以為磷(P)元素、鉍(Bi)元素、銻(Sb)元素或砷(As)元素等V族元素。[0095]在一些實施例中，第二摻雜導電層170的摻雜元素濃度大于基底100的摻雜元素濃度，能夠在第二摻雜導電層170與基底100之間形成高低結，且形成一個同種元素的濃度梯少一者。[0097]在一些實施例中，還包括：第二鈍化層180,第二鈍化層180位于第二摻雜導電層170遠離基底100的表面。第二鈍化層180用于對基底100的第二表面起到良好的鈍化效果，降低第二表面的缺陷態(tài)密度，較好地抑制基底100背面的載流子復合。第二鈍化層180還可以起到較好的減反射效果，有利于減少入射光線的反射，提高對入射光線的利用率。[0098]在一些實施例中，第二鈍化層180是單層結構，則第二鈍化層180的材料可以是氧化硅、氧化鋁、氮化硅或者氮氧化硅中的一者。在一些實施例中，第二鈍化層180是多層結構，則第二鈍化層180的材料可以為氧化硅、氧化鋁、氮化硅或者氮氧化硅中的至少一者。[0099]在一些實施例中，還包括：第二電極190,第二電極190位于基底100第二表面，第二電極190穿透第二鈍化層180與第二摻雜導電層170電接觸。[0101]上述實施例提供的太陽能電池中，第一部分10相對于第二部分11朝第二表面方向凹陷，使得覆蓋于第一部分10表面隧穿層以及摻雜導電層的表面積較大，隧穿層以及摻雜導電層可以包圍第一電極130,對第一電極130與摻雜導電層相接觸而導致的高復合損失起到較好的鈍化作用。第一隧穿層110遠離第一部分10的表面的平坦度大于第一隧穿層110朝向第一部分10的表面的平坦度，使得第一摻雜導電層120與第一隧穿層110接觸界面較為平坦，能夠提升第一摻雜導電層120的場鈍化作用。而第一隧穿層110朝向第一部分10的表面為拋光面1以及位于拋光面1上的少量凸起結構2的復合形貌，凸起結構2的存在有利于增大隧穿層與基底100的接觸面積，增大隧穿界面，有利于載流子的隧穿，拋光面1的面積較大，能夠保證第一隧穿層110與第一部分10之間的界面較為平坦，增強第一隧穿層110的鈍化能[0102]相應地，本申請實施例另一方面還提供一種光伏組件，參考圖5,光伏組件包括：電池串，電池串由多個上述實施例提供的太陽能電池101連接而成；封裝層102,封裝層102用于覆蓋電池串的表面；蓋板103,蓋板103用于覆蓋封裝層102遠離電池串的表面。太陽能電池101以整片或者多分片的形式電連接形成多個電池串，多個電池串以串聯(lián)和/或并聯(lián)的方式進行電連接。[0103]在一些實施例中，多個電池串之間可以通過導電帶104電連接。封裝層102覆蓋太陽能電池101的基底100表面以及背面，封裝層102可以為乙烯-乙酸乙烯共聚物(EVA)膠膜、聚乙烯辛烯共彈性體(POE)膠膜或者聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膠膜或聚乙烯醇縮丁醛酯(PVB)等有機封裝膠膜。在一些實施例中，蓋板103可以為玻璃蓋板、塑料蓋板等具有透光功能的蓋板103。蓋板103朝向封裝層102的表面可以為凹凸表面，從而增加入射光線的利用[0105]參考圖6,提供初始基底20,具有相對的初始第一表面3以及第二表面4。[0106]初始基底20用于接收入射光線并產生光生載流子。在一些實施例中，初始基底20可以為硅基底，初始基底20的材料可以包括單晶硅、多晶硅、非晶硅或者微晶硅中的至少一[0107]在一些實施例中，初始基底20可以為N型半導體基底，基底100的摻雜元素可以為磷元素、砷元素或者銻元素中的任意一者。[0108]在一些實施例中，初始基底20也可以為P型半導體基底，初始基底20的摻雜元素可以為硼元素、鎵元素或者銦元素中的任意一者。[0109]在一些實施例中，可以對初始基底20進行摻雜工藝，例如離子注入工藝以向初始基底20內擴散摻雜元素。[0110]在一些實施例中，可以對初始第一表面3進行制絨工藝，以在初始第一表面3形成絨面結構。在一些實施例中，初始第一表面3可以包括金字塔結構。在基底100的第一表面形成絨面結構，可以增強第一表面對入射光線的寄生吸收能力。[0112]參考圖7,在一些實施例中，太陽能電池的制備方法包括：在基底100中形成發(fā)射極層140,基底100露出發(fā)射極層140頂面，且發(fā)射極層140頂面與初始第一表面3重合。發(fā)射極層140的摻雜元素類型與基底100的摻雜元素類型相反，與基底100形成PN結。[0113]在一些實施例中，形成發(fā)射極層140的方法可以包括：在初始基底20的初始第一表面3進行擴散工藝，以將摻雜元素擴散至部分初始基底20中，形成發(fā)射極層140。在一些實施例中，擴散工藝可以是離子注入工藝。[0114]在一些實施例中，當初始基底20為N型基底時，可以對初始第一表面3進行硼擴散處理，當初始基底20為P型基底時，可以對初始第一表面3進行磷擴散處理。[0115]參考圖8至圖11,自初始第一表面3對初始基底20進行刻蝕以將初始第一表面3轉化為第一表面，第一表面具有交替排布的第一部分10以及第二部分11,第一部分10相對于第二部分11朝第二表面4方向凹陷，剩余初始基底20形成基底100。[0116]也就是說，對初始第一表面3進行刻蝕以去除部分初始基底20,剩余部分初始基底20形成基底100,經(jīng)刻蝕之后的初始第一表面3形成第一表面。[0117]在一些實施例中，形成第一部分10與第二部分11的方法包括：[0118]參考圖8,在初始第一表面3形成掩膜層30,掩膜層30具有第一開口31,第一開口31露出部分初始第一表面3。掩膜層30可以對不需要被刻蝕的初始第一表面3進行保護。[0119]在一些實施例中，形成掩膜層30的方法可以包括：采用沉積工藝在初始第一表面3形成初始掩膜層30,沉積工藝可以是原子層沉積或者化學氣相沉積中的任一者。在一些實施例中，初始掩膜層30的材料可以是氧化硅。[0120]在一些實施例中，可以采用光刻工藝刻蝕初始掩膜層30,以在初始掩膜層30中形成第一開口31。[0121]參考圖9,在形成第一開口31之后，沿第一開口31刻蝕初始第一表面3,以在初始基底20內形成初始第一凹槽21,并將初始第一表面3轉化為第一表面。在一些實施例中，可以采用機械刻蝕、化學刻蝕或者激光刻蝕的方法在初始基底20內形成初始第一凹槽21。[0122]在一些實施例中，可以采用化學刻蝕方法在初始基底20內形成初始第一凹槽21,化學刻蝕方法可以包括：用蝕液清洗第一開口31露出的初始第一表面3,自初始第一表面3開始腐蝕初始基底20。在一些實施例中，腐蝕液可以包括氫氟酸溶液，腐蝕時間控制在0.5min～5min之內。在一些實施例中，氫氟酸溶液的質量分數(shù)可以為2%～5%。[0123]在一些實施例中，在形成初始第一凹槽21之前，還在初始基底20中形成發(fā)射極層140。則在形成初始第一凹槽21的步驟中，還將第一開口31正對的發(fā)射極層140去除，與掩膜層30正對的發(fā)射極層140被保留。[0124]參考圖10,對初始第一凹槽21側壁以及底壁進行拋光工藝，以使初始第一凹槽21側壁以及底壁具有拋光表面，形成初始第二凹槽22。可以理解的是，沿第一開口31對初始第一表面3進行刻蝕形成的初始第一凹槽21底壁以及側壁會具有凹凸不平的形貌。為了后續(xù)在初始第一凹槽21底壁以及側壁形成拋光面1與凸起結構2的復合形貌，需要對初始第一凹槽21側壁以及底壁進行拋光工藝，以初步形成拋光表面，拋光表面為平坦表面。[0125]在一些實施例中，拋光工藝的方法為堿拋光工藝。在一些實施例中，堿拋光工藝可以包括：采用堿溶液清洗初始第一凹槽21側壁以及底壁；采用噴淋方式將堿溶液的微液滴至初始第一凹槽21側壁以及底壁進行粗糙化處理，再用氫氟酸進行預清洗；采用拋光液對初始第一凹槽21側壁以及底壁進行拋光處理。在一些實施例中，拋光液的濃度為0.5%~5%,拋光溫度為50℃~80℃,拋光時間20s～1000s。通過控制拋光時間與拋光溫度在上述范圍內，可以使得初始第二凹槽22側壁以及底壁的形貌符合預期。在一些實施例中，拋光液槽22側壁以及底壁進行水洗、烘干處理。[0126]參考圖11,在形成初始第二凹槽22之后，對初始第二凹槽22底壁以及側壁進行制絨工藝，以形成凹槽23,凹槽23底壁以及側壁具有第一紋理結構，第一紋理結構包括拋光面1以及位于拋光面1上的多個間隔的凸起結構2,多個凸起結構2在拋光面1上的所占面積不大于拋光面1的面積的1/2。[0127]在一些實施例中，初始第二凹槽22底壁以及側壁進行制絨工藝以形成第一紋理結[0128]首先，對初始第二凹槽22底壁以及側壁進行清洗工藝。在一些實施例中，可以將整個基底100浸入去離子水中，并采用超聲工藝處理2min～5min,以去除基底100表面的臟污。[0129]接著，配置制絨添加劑母液，制絨添加劑母液包括十二烷基苯磺酸鈉以及聚乙烯吡咯烷酮，十二烷基苯磺酸鈉與聚乙烯吡咯烷酮的質量比為0.1～20,例如可以為0.1~在一些實施例中，基于十二烷基苯磺酸鈉與聚乙烯吡咯烷酮的質量比，可以選擇使用0.2g~2g的十二烷基苯磺酸鈉以及0.1g~2g的聚乙烯吡咯烷酮加入1000ml的去離子水中，配置成制絨添加劑母液。[0130]接著，提供去離子水，向去離子水中添加制絨添加劑母液與氫氧化鈉，以制備得到刻蝕液，其中，制絨添加劑母液與去離子水的體積比為0.002～0.003,例如可以為0.002~0.0021、0.0021～0.0023、0.0023～0.00.0027、0.0027～0.0028、0.0028～0.0029或者0.0029～0.003;氫氧化鈉與去離子水的質量比為0.03～0.1,例如可以為0.03～0.04、0.04～0.05、0.05～0.06、0.06～0.07、0.07~0.08、0.08～0.09或者0.09～0.1。在一些實施例中，基于制絨添加劑母液與去離子水的體積比，可以選擇將1L～1.5L的制絨添加劑母液添加至500L的去離子水中。在一些實施例中，基于氫氧化鈉與去離子水的質量比，可以選擇將35kg的氫氧化鈉添加至500L的去離子水[0131]采用刻蝕液對初始第二凹槽22的底壁以及側壁進行清洗，以形成第一紋理結構，采用上述配比的刻蝕液刻蝕得到的第一紋理結構具有拋光面1以及位于拋光面1上的第一金字塔結構。[0132]在一些實施例中，通過采用上述配比配置的刻蝕液，能夠將初始第二凹槽22的拋光表面刻蝕成第一紋理結構。在一些實施例中，可以在75℃~90℃環(huán)境下，采用刻蝕液對初始第二凹槽22的底壁以及側壁清洗2min～50min,以保證形成的第一紋理結構復合預期。[0133]在一些實施例中，若凸起結構2為第一平臺凸起結構，則在上述采用刻蝕液對初始第二凹槽22的底壁以及側壁進行清洗的步驟形成第一金字塔結構之后，可以采用拋光工藝去除第一金字塔結構的塔尖，剩余的第一金字塔結構的塔基部分形成第一平臺凸起結構。在一些實施例中，采用拋光工藝去除第一金字塔結構的塔尖的方法可以包括：采用拋光液對凹槽23底壁以及側壁進行拋光處理。在一些實施例中，拋光液的濃度為0.5%～3%,拋光溫度為50℃~80℃,拋光時間10s～500s。通過控制拋光時間與拋光溫度在上述范圍內，可以去除第一金字塔結構的塔尖。在一些實施例中，拋光液可以為NaOH溶液，在一些實施例[0134]參考圖12至圖13,在一些實施例中，在形成凹槽23之后，形成第一隧穿層110,第一隧穿層110覆蓋第一部分10,第一隧穿層110朝向第一部分10的表面具有第一紋理結構，第一隧穿層110遠離第一部分10的表面具有第二紋理結構，第二紋理結構的平坦度大于第一紋理結構的平坦度。[0135]在一些實施例中，形成第一隧穿層110的方法包括：[0136]參考圖12,采用沉積工藝在凹槽23側壁以及底壁形成初始第一隧穿層32,初始第一隧穿層32相對的兩個表面具有與凹槽23側壁以及底壁形貌相同的第一紋理結構。[0137]在一些實施例中，在形成初始第一隧穿層32之前，可以不去除掩膜層30,能夠防止在第二部分11上形成初始第一隧穿層32。[0138]在一些實施例中，形成的初始第一隧穿層32還位于掩膜層30表面，后續(xù)步驟中，可以將位于掩膜層30表面的初始第一隧穿層32去除，僅在凹槽23中形成初始第一隧穿層32。在一些實施例中，可以采用沉積工藝，例如原子層沉積工藝或者化學氣相沉積工藝形成初始第一隧穿層32。由于采用沉積工藝形成初始第一隧穿層32,使得初始第一隧穿層32朝向第一部分10的表面以及遠離第一部分10的表面均具有與第一紋理結構相同的形貌。[0139]在一些實施例中，初始第一隧穿層32的材料包括氧化硅、氧化鋁、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅或者多晶硅中的至少一種。[0140]參考圖13,對初始第一隧穿層32遠離基底100的表面進行拋光工藝，經(jīng)拋光工藝處理的初始第一隧穿層32遠離基底100的表面具有第二紋理結構，形成第一隧穿層110。由于未對初始第一隧穿層32朝向基底100的表面進行拋光工藝，使得第一隧穿層110朝向基底100的表面具有與凹槽23底壁以及側壁相同的第一紋理結構。[0141]在一些實施例中，形成的第二紋理結構可以是第二平臺凸起結構，第二紋理結構中除第二平臺凸起結構以外的區(qū)域可以為拋光表面。在一些實施例中，形成第二凸起結構2的方法可以參考上述形成第一平臺凸起結構的工藝方法，以下不再贅述。[0142]在一些實施例中，形成的第二紋理結構也可以全部為拋光表面，即全為平坦的表面。在一些實施例中，形成第二紋理結構為拋光表面的方法可以參考上述采用拋光工藝形成初始第二凹槽22的工藝方法，以下不再贅述。[0143]參考圖14,形成第一隧穿層110之后，形成第一摻雜導電層120,第一摻雜導電層120覆蓋第一隧穿層110遠離基底100的表面。[0144]在一些實施例中，形成第一摻雜導電層120的步驟之前，不去除位于掩膜層30表面的第一隧穿層110,以使形成的第一摻雜導電層120不會位于第二部分11。[0145]在一些實施例中，形成第一摻雜導電層120的方法可以包括：采用沉積工藝在第一隧穿層110表面以及位于掩膜層30上的第一隧穿層110表面形成第一可摻雜層，并在進行沉積工藝期間，采用原位沉積工藝在第一可摻雜層中注入摻雜元素，形成原始第一摻雜導電層120。沉積工藝與注入摻雜元素的工藝[0146]在對第一可摻雜層注入摻雜元素之后，對原始第一摻雜導電層120進行退火工藝，以形成第一摻雜導電層120。經(jīng)過退火工藝，可以將原始第一摻雜導電層120中的摻雜元素[0147]在一些實施例中，在對第一可摻雜層注入摻雜元素的過程中，控制注入的摻雜元素的濃度為1×102?atom/cm3~1×1021atom/cm3。[0148]在一些實施例中，第一可摻雜層注入的摻雜元素類型與基底100的摻雜元素類型不同，以與基底100形成PN結。在一些實施例中，基底100的摻雜元素類型為P雜元素類型為N型，N型摻雜元素可以為磷(P)元素、鉍(Bi)元素、銻(Sb)元素或砷(As)元素等V族元素。在一些實施例中，基底100的摻雜元素類型為N型，發(fā)射極的摻雜元素類型為P型，P型摻雜元素樂行可以為硼(B)元素、鋁(Al)元素、鎵(Ga)元素或鎵(In)元素等Ⅲ族元[0149]在一些實施例中，第一可摻雜層的材料可以是非晶硅、多晶硅、微晶硅或者碳化硅中的任一者。[0150]不難發(fā)現(xiàn)，第一可摻雜層形成于第一隧穿層110遠離基底100的表面，而由于第一隧穿層110遠離基底100的表面具有第二紋理結構，第二紋理結構的平坦度較高，使得第一可摻雜層在較為平坦的表面形成，能夠提高形成的第一可摻雜層的均勻性，從而提高形成的第一摻雜導電層120的鈍化能力。[0151]值得注意的是，形成的第一摻雜導電層120還位于掩膜層30上的第一隧穿層110表面。在一些實施例中，形成第一摻雜導電層120之后，去除位于掩膜層30上的第一摻雜導電層120、位于掩膜層30上的第一隧穿層110以及掩膜層30,以使形成的第一隧穿層110以及第一摻雜導電層120進位于凹槽23中。在一些實施例中，可以采用酸洗工藝去除位于掩膜層30上的第一摻雜導電層120、位于掩膜層30上的第一隧穿層110以及掩膜層30,例如可以采用氫氟酸溶液或者鹽酸溶液對位于掩膜層30上的第一摻雜導電層120、位于掩膜層30上的第一隧穿層110以及掩膜層30進行清洗，去除位于掩膜層30上的第一摻雜導電層120、位于掩膜層30上的第一隧穿層110以及掩膜層30。[0152]參考圖15,在一些實施例中，太陽能電池的制備方法還包括：在基底100的第二表面4形成第二隧穿層160,在一些實施例中，可以采用沉積工藝在第二表面4形成第二隧穿層160,沉積工藝可以為原子層沉積工藝或者化學氣相沉積工藝中的任一者。在一些實施例中，第二隧穿層160的材料可以為氧化硅、氧化鋁、氮化硅、氮氧的至少一種。[0153]在一些實施例中，形成第二隧穿層160之后，在第二隧穿層160遠離基底100的表面形成第二摻雜導電層170,[0154]形成第二摻雜導電層170的方法可以包括：采用沉積工藝在第二隧穿層160表面形成第二可摻雜層，并在進行沉積工藝期間，采用原位沉積工藝在第二可摻雜層中注入摻雜元素，形成原始第二摻雜導電層170。[0155]在對第二可摻雜層注入摻雜元素之后，對原始第二摻雜導電層170進行退火工藝，以形成第二摻雜導電