國家標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體集成電路封裝術(shù)語》（征求意見稿）

編制說明

一、工作簡況

1、任務(wù)來源

根據(jù)《國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)關(guān)于下達(dá)2023年國家標(biāo)準(zhǔn)復(fù)審修訂計(jì)劃的通

知》（國標(biāo)委發(fā)【2023】64號），《半導(dǎo)體集成電路封裝術(shù)語》國家標(biāo)準(zhǔn)修訂項(xiàng)目

（計(jì)劃項(xiàng)目代號：20233861-T-339），由全國集成電路標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)

（SAC/TC599）歸口，主要承辦單位為中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所，副

主辦單位有中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院、江蘇長電科技股份有限公司和天水七四

九電子有限公司等。項(xiàng)目周期為16個(gè)月。

2、制定背景

隨著全球電子信息產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，全球半導(dǎo)體集成電路行業(yè)一直呈現(xiàn)持續(xù)

增長的勢頭，為滿足半導(dǎo)體集成電路技術(shù)的快速發(fā)展和應(yīng)用的要求，半導(dǎo)體集成

電路封裝技術(shù)也得到了快速發(fā)展，新的半導(dǎo)體集成電路封裝形式和種類不斷增

加，涌現(xiàn)了很多半導(dǎo)體集成電路封裝的新設(shè)計(jì)和新工藝。目前《半導(dǎo)體集成電路

封裝術(shù)語》的標(biāo)齡已有31年，標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容已不能滿足目前使用需求。急需制定本標(biāo)

準(zhǔn)，滿足行業(yè)發(fā)展和交流的需要。

3、工作過程

1）起草階段

2023年12月～2024年2月，收到國家標(biāo)準(zhǔn)制定任務(wù)，中國電子科技集團(tuán)公司

第十三研究所牽頭成立了標(biāo)準(zhǔn)編制組，并明確分工、各階段的時(shí)間節(jié)點(diǎn)以及各階

段的主要工作內(nèi)容。編制組首先收集GB/T14113-1993《半導(dǎo)體集成電路封裝術(shù)

語》、GB/T7092-2021《半導(dǎo)體集成電路外形尺寸》、GB/T9178-1988《集成電路

術(shù)語》及相關(guān)國軍標(biāo)的標(biāo)準(zhǔn)和資料，并對收集的標(biāo)準(zhǔn)資料進(jìn)行研究、分析，按照

GB/T1.1-2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)和編寫》，完成了《半導(dǎo)

體集成電路封裝術(shù)語》征求意見稿。

二、國家標(biāo)準(zhǔn)編制原則、主要內(nèi)容及其確定依據(jù)

1、編制原則

該標(biāo)準(zhǔn)為半導(dǎo)體器件的封裝標(biāo)準(zhǔn)，屬于基礎(chǔ)通用標(biāo)準(zhǔn)。為保證修改后的標(biāo)準(zhǔn)

能夠反映當(dāng)前最新的技術(shù)和工藝，并考慮當(dāng)前的技術(shù)水平、經(jīng)濟(jì)條件和社會(huì)環(huán)境，

確保標(biāo)準(zhǔn)的可行性，本標(biāo)準(zhǔn)采用國標(biāo)及國軍標(biāo)內(nèi)已有的術(shù)語及定義，在原標(biāo)準(zhǔn)的

基礎(chǔ)上進(jìn)行修訂。同時(shí)該標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1-2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：

標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)和編寫》的要求進(jìn)行編寫。

2、主要內(nèi)容及其確定依據(jù)

除編輯性修改外，標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)與GB/T14113-1993《半導(dǎo)體集成電路封裝術(shù)

語》保持一致，內(nèi)容在原標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)上，修改11項(xiàng)術(shù)語，刪除2項(xiàng)術(shù)語，位置調(diào)

整6項(xiàng)術(shù)語，增加30項(xiàng)術(shù)語。

本標(biāo)準(zhǔn)包含范圍、規(guī)范性引用文件、通用術(shù)語、結(jié)構(gòu)術(shù)語、技術(shù)和工藝術(shù)語

等五章內(nèi)容，具體說明如下：

1）范圍：半導(dǎo)體集成電路封裝在生產(chǎn)制造、工程應(yīng)用和產(chǎn)品交驗(yàn)等方面使

用的基本術(shù)語。本文件適用于與半導(dǎo)體集成電路封裝相關(guān)的生產(chǎn)、科研、教學(xué)和

貿(mào)易等方面的應(yīng)用。

2）規(guī)范性引用文件：本文件直接引用的文件主要有GB/T7092、GB/T9178、

GJB1420、GJB2440和GJB923。

3）通用術(shù)語：GB/T9178界定的術(shù)語和定義適用于本文件。主要修改如下：

①“上框”修改為“密封環(huán)”，“引線間距”修改為“引線節(jié)距”；

②對“跨度”術(shù)語重新定義；

③將原技術(shù)、工藝術(shù)語中“殼溫”、“安裝表面溫度”、“結(jié)溫”、“熱阻”術(shù)語

調(diào)整到通用術(shù)語中，其中“結(jié)溫（junctiontemperature）”英文縮寫“Tj”修

改為“Tj”，熱阻（thermalresistance）英文縮寫“RθJR”更改為“RθJc”；

④增加“焊料”術(shù)語；

⑤在3.6條描述中增加陶瓷封裝，同時(shí)圖1中增加了陶瓷封裝引線框架示意

圖。

4）結(jié)構(gòu)術(shù)語：GB/T9178界定的術(shù)語和定義適用于本文件。主要修改如下：

①對“關(guān)鍵密封區(qū)”、“非關(guān)鍵密封區(qū)”術(shù)語重新定義；

②刪除“指形焊點(diǎn)”、“平面度”術(shù)語；

③將圖6中b）的描述更改為“直插式封裝”；

④增加“關(guān)鍵連接區(qū)”、“印制線”、“關(guān)鍵芯片粘接區(qū)”、“關(guān)鍵鍵合區(qū)”、“熱

沉”、“絕緣子”、“電極”、“彎月區(qū)”8項(xiàng)術(shù)語。

5）技術(shù)和工藝術(shù)語：GB/T7092和GB/T9178界定的術(shù)語和定義適用于本

文件。主要修改如下：

①將“凸起”的原英文翻譯“projection”修改為“protrusion”；

②將原結(jié)構(gòu)術(shù)語中“支座”、“共面性”術(shù)語調(diào)整到技術(shù)、工藝術(shù)語中，其中

“支座”修改為“支撐高度”；

③增加“上翻”、“孔洞”、“金屬化延伸”、“表面氣泡”、“內(nèi)部氣泡”、“圓弧

狀裂紋”、“彎月區(qū)裂紋”、“徑向裂紋”、“玻璃缺損”、“玻璃爬高”、“玻璃外溢”、

“玻璃飛濺物”、“封裝高度”、“封裝體厚度”、“封裝長度”、“封裝直徑”、“引出

端寬度”、“引出端直徑”、“引出端厚度”、“引出端長度”、“焊接長度”21項(xiàng)術(shù)

語。

3、編制過程中解決的主要問題（做出的貢獻(xiàn)）

現(xiàn)行的GB/T14113-1993《半導(dǎo)體集成電路封裝術(shù)語》的標(biāo)齡已有31年，標(biāo)

準(zhǔn)內(nèi)容已不能滿足目前使用需求，除需要補(bǔ)充新的半導(dǎo)體集成電路封裝相關(guān)的術(shù)

語定義外，標(biāo)準(zhǔn)中個(gè)別術(shù)語也需要重新進(jìn)行定義。

通過修訂本標(biāo)準(zhǔn)，一方面可以保證標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容與現(xiàn)有半導(dǎo)體集成電路封裝技術(shù)

相適應(yīng)，滿足半導(dǎo)體集成電路封裝研制生產(chǎn)和使用的要求。另一方面可以進(jìn)一步

規(guī)范統(tǒng)一半導(dǎo)體集成電路封裝在研制、生產(chǎn)、使用和銷售等領(lǐng)域的術(shù)語，同時(shí)對

促進(jìn)半導(dǎo)體集成電路封裝的溝通和技術(shù)交流具有非常重要的意義。

三、試驗(yàn)驗(yàn)證的分析、綜述報(bào)告，技術(shù)經(jīng)濟(jì)論證，預(yù)期的經(jīng)濟(jì)效益、社會(huì)

效益和生態(tài)效益

1）試驗(yàn)驗(yàn)證的分析、綜述報(bào)告

按照本標(biāo)準(zhǔn)，對參研單位的陶瓷封裝從設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、檢驗(yàn)環(huán)節(jié)分析，均可用

本標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行描述。以某CSOP32線產(chǎn)品為例，其結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)可用本標(biāo)準(zhǔn)的術(shù)語，如密

封環(huán)、連接區(qū)、引線等進(jìn)行描述；其技術(shù)工藝可用本標(biāo)準(zhǔn)的術(shù)語，如引出端節(jié)距、

支撐高度、封裝長度等進(jìn)行描述。能夠滿足目前半導(dǎo)體集成電路封裝在生產(chǎn)制造、

工程應(yīng)用和產(chǎn)品交驗(yàn)等方面的需求。

與同級別封裝相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)對比評估，術(shù)語定義內(nèi)容與GB/T7092-2021、GB/T

9178-1988均協(xié)調(diào)一致。

連接區(qū)

引線

引線節(jié)距引出端寬度

密封環(huán)

金屬化

封裝高度

封裝體厚度

支撐高度

引出端厚度

鍵合區(qū)

跨度

芯片粘接區(qū)

引線框架

引出端薄層

引出端識別標(biāo)志基面

封裝長度安裝面

圖1某CSOP32線產(chǎn)品外形圖

通過制定本標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)范、統(tǒng)一了半導(dǎo)體集成電路的基本封裝術(shù)語。在經(jīng)濟(jì)效

益方面，本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的半導(dǎo)體集成電路封裝術(shù)語在國內(nèi)具有通用性，對于促進(jìn)貿(mào)

易具有非常重要的意義；在社會(huì)效益方面，本標(biāo)準(zhǔn)可廣泛應(yīng)用于研制生產(chǎn)和使用

單位，對于促進(jìn)貿(mào)易和技術(shù)交流具有非常重要的意義；在生態(tài)效益方面，與行業(yè)

內(nèi)現(xiàn)行有效的半導(dǎo)體集成電路封裝相關(guān)國家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)協(xié)調(diào)一致，規(guī)范和統(tǒng)

一了國內(nèi)半導(dǎo)體集成電路研制生產(chǎn)單位對基本封裝術(shù)語的應(yīng)用，推動(dòng)半導(dǎo)體集成

電路封裝產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

四、與國際、國外同類標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)內(nèi)容的對比情況，或者與測試的國外樣品、

樣機(jī)的有關(guān)數(shù)據(jù)對比情況

在JEDEC中的JESD27-1993,CeramicPackageSpecificationfor

MicroelectronicPackages標(biāo)準(zhǔn)中，與附錄A的內(nèi)容協(xié)調(diào)一致。

在JEDEC中的JESD9C-2017,InspectionCriteriaforMicroelectronic

PackagesandCovers標(biāo)準(zhǔn)中，與第三章的內(nèi)容協(xié)調(diào)一致。

五、以國際標(biāo)準(zhǔn)為基礎(chǔ)的起草情況，以及是否合規(guī)引用或者采用國際國外

標(biāo)準(zhǔn)，并說明未采用國際標(biāo)準(zhǔn)的原因

不涉及。

六、與有關(guān)法律、行政法規(guī)及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)系

本標(biāo)準(zhǔn)與現(xiàn)行的法律、法規(guī)及國家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)相協(xié)調(diào)。目前在現(xiàn)行有效

的國家標(biāo)準(zhǔn)中，半導(dǎo)體集成電路封裝有關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)如下：

1）GB/T7092-2021半導(dǎo)體集成電路外形尺寸

2）GB/T9178-1988集成電路術(shù)語

3）GB/T14113-1993半導(dǎo)體集成電路封裝術(shù)語

本標(biāo)準(zhǔn)為GB/T14113-1993的修訂，其中所涉及到的相關(guān)術(shù)語定義，均為以

上國家標(biāo)準(zhǔn)中所涉及到的相關(guān)術(shù)語定義。

七、重大分歧意見的處理經(jīng)過和依據(jù)

本標(biāo)準(zhǔn)為半導(dǎo)體器件的封裝標(biāo)準(zhǔn)，屬于基礎(chǔ)通用標(biāo)準(zhǔn)，是GB/T14113-1993

《半導(dǎo)體集成電路封裝術(shù)語》的修訂，無重大的分歧意見。

八、涉及專利的有關(guān)說明

本標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)內(nèi)容不涉及相關(guān)專利。

九、實(shí)施國家標(biāo)準(zhǔn)的要求，以及組織措施、技術(shù)措施、過渡期和實(shí)施日期

的建議等措施建議

本標(biāo)準(zhǔn)為半導(dǎo)體器件的封裝標(biāo)準(zhǔn)化標(biāo)準(zhǔn)之一，規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路封裝在

研制生產(chǎn)、工程應(yīng)用和產(chǎn)品交驗(yàn)等方面使用的基本術(shù)語，適用于與半導(dǎo)體集成電

路封裝相關(guān)的生產(chǎn)、科研、教學(xué)和貿(mào)易等方面的應(yīng)用。

建議由國家標(biāo)準(zhǔn)管理機(jī)構(gòu)組織貫徹本標(biāo)準(zhǔn)的相關(guān)活動(dòng)，利用各種條件（如標(biāo)

委會(huì)的管理和活動(dòng)、專家培訓(xùn)、技術(shù)交流、標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)刊物、網(wǎng)上信息等）宣貫

本標(biāo)準(zhǔn)。建議本標(biāo)準(zhǔn)于2025年發(fā)布實(shí)施。

十、其他應(yīng)當(dāng)說明的事項(xiàng)

無。

國家標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體集成電路封裝術(shù)語》編制工作組

2024-03-18

國家標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體集成電路封裝術(shù)語》（征求意見稿）

編制說明

一、工作簡況

1、任務(wù)來源

根據(jù)《國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)關(guān)于下達(dá)2023年國家標(biāo)準(zhǔn)復(fù)審修訂計(jì)劃的通

知》（國標(biāo)委發(fā)【2023】64號），《半導(dǎo)體集成電路封裝術(shù)語》國家標(biāo)準(zhǔn)修訂項(xiàng)目

（計(jì)劃項(xiàng)目代號：20233861-T-339），由全國集成電路標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)

（SAC/TC599）歸口，主要承辦單位為中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所，副

主辦單位有中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院、江蘇長電科技股份有限公司和天水七四

九電子有限公司等。項(xiàng)目周期為16個(gè)月。

2、制定背景

隨著全球電子信息產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，全球半導(dǎo)體集成電路行業(yè)一直呈現(xiàn)持續(xù)

增長的勢頭，為滿足半導(dǎo)體集成電路技術(shù)的快速發(fā)展和應(yīng)用的要求，半導(dǎo)體集成

電路封裝技術(shù)也得到了快速發(fā)展，新的半導(dǎo)體集成電路封裝形式和種類不斷增

加，涌現(xiàn)了很多半導(dǎo)體集成電路封裝的新設(shè)計(jì)和新工藝。目前《半導(dǎo)體集成電路

封裝術(shù)語》的標(biāo)齡已有31年，標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容已不能滿足目前使用需求。急需制定本標(biāo)

準(zhǔn)，滿足行業(yè)發(fā)展和交流的需要。

3、工作過程

1）起草階段

2023年12月～2024年2月，收到國家標(biāo)準(zhǔn)制定任務(wù)，中國電子科技集團(tuán)公司

第十三研究所牽頭成立了標(biāo)準(zhǔn)編制組，并明確分工、各階段的時(shí)間節(jié)點(diǎn)以及各階

段的主要工作內(nèi)容。編制組首先收集GB/T14113-1993《半導(dǎo)體集成電路封裝術(shù)

語》、GB/T7092-2021《半導(dǎo)體集成電路外形尺寸》、GB/T9178-1988《集成電路

術(shù)語》及相關(guān)國軍標(biāo)的標(biāo)準(zhǔn)和資料，并對收集的標(biāo)準(zhǔn)資料進(jìn)行研究、分析，按照

GB/T1.1-2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)和編寫》，完成了《半導(dǎo)

體集成電路封裝術(shù)語》征求意見稿。

二、國家標(biāo)準(zhǔn)編制原則、主要內(nèi)容及其確定依據(jù)

1、編制原則

該標(biāo)準(zhǔn)為半導(dǎo)體器件的封裝標(biāo)準(zhǔn)，屬于基礎(chǔ)通用標(biāo)準(zhǔn)。為保證修改后的標(biāo)準(zhǔn)

能夠反映當(dāng)前最新的技術(shù)和工藝，并考慮當(dāng)前的技術(shù)水平、經(jīng)濟(jì)條件和社會(huì)環(huán)境，

確保標(biāo)準(zhǔn)的可行性，本標(biāo)準(zhǔn)采用國標(biāo)及國軍標(biāo)內(nèi)已有的術(shù)語及定義，在原標(biāo)準(zhǔn)的

基礎(chǔ)上進(jìn)行修訂。同時(shí)該標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1-2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：

標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)和編寫》的要求進(jìn)行編寫。

2、主要內(nèi)容及其確定依據(jù)

除編輯性修改外，標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)與GB/T14113-1993《半導(dǎo)體集成電路封裝術(shù)

語》保持一致，內(nèi)容在原標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)上，修改11項(xiàng)術(shù)語，刪除2項(xiàng)術(shù)語，位置調(diào)

整6項(xiàng)術(shù)語，增加30項(xiàng)術(shù)語。

本標(biāo)準(zhǔn)包含范圍、規(guī)范性引用文件、通用術(shù)語、結(jié)構(gòu)術(shù)語、技術(shù)和工藝術(shù)語

等五章內(nèi)容，具體說明如下：

1）范圍：半導(dǎo)體集成電路封裝在生產(chǎn)制造、工程應(yīng)用和產(chǎn)品交驗(yàn)等方面使

用的基本術(shù)語。本文件適用于與半導(dǎo)體集成電路封裝相關(guān)的生產(chǎn)、科研、教學(xué)和

貿(mào)易等方面的應(yīng)用。

2）規(guī)范性引用文件：本文件直接引用的文件主要有GB/T7092、GB/T9178、

GJB1420、GJB2440和GJB923。

3）通用術(shù)語：GB/T9178界定的術(shù)語和定義適用于本文件。主要修改如下：

①“上框”修改為“密封環(huán)”，“引線間距”修改為“引線節(jié)距”；

②對“跨度”術(shù)語重新定義；

③將原技術(shù)、工藝術(shù)語中“殼溫”、“安裝表面溫度”、“結(jié)溫”、“熱阻”術(shù)語

調(diào)整到通用術(shù)語中，其中“結(jié)溫（junctiontemperature）”英文縮寫“Tj”修

改為“Tj”，熱阻（thermalresistance）英文縮寫“RθJR”更改為“RθJc”；

④增加“焊料”術(shù)語；

⑤在3.6條描述中增加陶瓷封裝，同時(shí)圖1中增加了陶瓷封裝引線框架示意

圖。

4）結(jié)構(gòu)術(shù)語：GB/T9178界定的術(shù)語和定義適用于本文件。主要修改如下：

①對“關(guān)鍵密封區(qū)”、“非關(guān)鍵密封區(qū)”術(shù)語重新定義；

②刪除“指形焊點(diǎn)”、“平面度”術(shù)語；

③將圖6中b）的描述更改為“直插式封裝”；

④增加“關(guān)鍵連接區(qū)”、“印制線”、“關(guān)鍵芯片粘接區(qū)”、“關(guān)鍵鍵合區(qū)”、“熱

沉”、“絕緣子”、“電極”、“彎月區(qū)”8項(xiàng)術(shù)語。

5）技術(shù)和工藝術(shù)語：GB/T7092和GB/T9178界定的術(shù)語和定義適用于本

文件。主要修改如下：

①將“凸起”的原英文翻譯“projection”修改為“protrusion”；