1+X集成電路理論模擬練習(xí)題(附參考答案)_第1頁
1+X集成電路理論模擬練習(xí)題(附參考答案)_第2頁
1+X集成電路理論模擬練習(xí)題(附參考答案)_第3頁
1+X集成電路理論模擬練習(xí)題(附參考答案)_第4頁
1+X集成電路理論模擬練習(xí)題(附參考答案)_第5頁
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1+X集成電路理論模擬練習(xí)題(附參考答案)一、單選題(共39題,每題1分,共39分)1.請根據(jù)下列圖片判斷哪幅圖片是合格針跡?()A、圖片B、圖片C、圖片D、圖片正確答案:D2.以下函數(shù)的功能是()。A、無限循環(huán)B、防抖C、延時D、計數(shù)正確答案:C3.銅電鍍之前,需要沿著側(cè)壁和底部,淀積一層連續(xù)的薄種子層,若種子層不連續(xù)可能導(dǎo)致電鍍的銅產(chǎn)生。A、空洞B、尖刺C、電遷移D、肖特基現(xiàn)象正確答案:A答案解析:如果種子層不連續(xù),就可能在電鍍的銅中產(chǎn)生空洞4.當(dāng)芯片移動到氣軌()時,旋轉(zhuǎn)臺吸嘴吸取芯片。A、首端B、中端C、末端D、任意位置正確答案:C答案解析:當(dāng)芯片移動到氣軌末端時,旋轉(zhuǎn)臺吸嘴的升降電機(jī)到達(dá)芯片正上方,吸嘴產(chǎn)生一定負(fù)壓將該芯片吸起,升降電機(jī)上移并后退進(jìn)入旋轉(zhuǎn)臺,上料完成。5.下列關(guān)于平移式分選機(jī)描述錯誤的是()。A、傳送帶將料架上層的料盤輸送至待測區(qū)料盤放置的指定區(qū)域B、料盤輸送到待測區(qū)的指定位置后,吸嘴從料盤上真空吸取芯片,然后轉(zhuǎn)移至“中轉(zhuǎn)站”C、等待芯片傳輸裝置移動到“中轉(zhuǎn)站”接收芯片并將芯片轉(zhuǎn)移至測試區(qū)D、當(dāng)待測區(qū)料盤上的芯片全部轉(zhuǎn)移后,需要更換料盤,繼續(xù)進(jìn)行上料正確答案:A6.在淀積時,反應(yīng)氣體的多少會影響淀積的速率及均勻性,因此需嚴(yán)格控制氣體流量,通常采用()來實(shí)現(xiàn)精確控制。A、質(zhì)量流量計B、液體流量計C、氣體流量計D、電磁流量計正確答案:A7.LK32T102單片機(jī)工作頻率最高支持()。A、18MHzB、72MHzC、144MHzD、36MHz正確答案:B8.使用測編一體的轉(zhuǎn)塔式分選設(shè)備進(jìn)行芯片測試時,如果遇到需要編帶的芯片,在測試完成后的操作是()。A、外觀檢查B、測試C、編帶D、上料正確答案:C9.晶向?yàn)?lt;111>、8英寸P型半導(dǎo)體材料的定位方式是沿著硅錠長度方向研磨出()。A、一個基準(zhǔn)面B、兩個基準(zhǔn)面且呈45度角C、兩個基準(zhǔn)面且呈90度角D、定位槽正確答案:D答案解析:8英寸的晶圓直徑為200mm,當(dāng)硅片直徑等于或大于200mm時,往往不再研磨基準(zhǔn)面,而是沿著晶錠長度方向磨出一小溝作為定位槽。10.重力分選機(jī)自動裝料步驟中將待測料管放在篩選機(jī)的入料區(qū)內(nèi),料管隨傳送帶上升到()。A、顯示區(qū)B、入料區(qū)C、廢料區(qū)D、激光檢測區(qū)正確答案:D11.清洗是晶圓制程中不可缺少的環(huán)節(jié),使用SC-1清洗液進(jìn)行清洗時,可以去除的物質(zhì)是()。A、光刻膠B、顆粒C、金屬D、自然氧化物正確答案:B12.在cadence軟件中可以按先后次序保存()個命令在系統(tǒng)中,一旦超出將不會執(zhí)行。A、7B、10C、3D、5正確答案:D13.料盤外觀檢查的步驟正確的是()。A、查詢零頭(若有)→零頭檢查→檢查外觀→電路拼零→零頭儲存B、檢查外觀→查詢零頭(若有)→零頭檢查→電路拼零→零頭儲存C、查詢零頭(若有)→零頭檢查→電路拼零→零頭儲存→檢查外觀D、檢查外觀→零頭儲存→查詢零頭(若有)→零頭檢查→電路拼零正確答案:B答案解析:料盤外觀檢查的步驟:檢查外觀→查詢零頭(若有)→零頭檢查→電路拼零→零頭儲存。14.平移式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行芯片檢測的第三個環(huán)節(jié)是()。A、分選B、上料C、測試D、外觀檢查正確答案:A答案解析:平移式分選機(jī)設(shè)備芯片檢測工藝的操作步驟一般為:上料→測試→分選→外觀檢查→真空包裝。15.在進(jìn)行料盤真空包裝時,需要在()上進(jìn)行。A、平移式分選機(jī)B、真空包裝機(jī)C、測試機(jī)D、高溫烘箱正確答案:B答案解析:在進(jìn)行料盤真空包裝時,需要在真空包裝機(jī)上進(jìn)行。16.料盤進(jìn)行真空包裝時,一般會在內(nèi)盒側(cè)面的空白處貼()個標(biāo)簽。A、1B、3C、4D、2正確答案:A17.“對刀”操作時,點(diǎn)擊顯示屏上主菜單的()按鈕,使承載盤真空從關(guān)閉狀態(tài)轉(zhuǎn)為開啟狀態(tài)。A、θ角度調(diào)整B、開始C、WorkSetD、ManualAlign正確答案:C答案解析:點(diǎn)擊顯示屏上主菜單的“WorkSet”(設(shè)置)按鈕,使承載盤真空從關(guān)閉狀態(tài)轉(zhuǎn)為開啟狀態(tài)。點(diǎn)擊顯示屏上的“ManualAlign”(手動對位)按鈕,界面跳轉(zhuǎn)到“切割道調(diào)整界面”。點(diǎn)擊“18.以下不屬于模擬集成電路的是()。A、鎖相環(huán)B、穩(wěn)壓器C、功率放大器D、運(yùn)算放大器正確答案:A19.下列說法錯誤的是()。A、在cadence軟件界面上,單擊Tools菜單,選擇LibraryManager命令,出現(xiàn)“庫文件管理器”B、用戶可以在庫文件里新建單元,但不能在新建的單元下新建視圖C、選擇Tool選項(xiàng)中的Composer-Schematic選項(xiàng),表示在單元下建立電路圖視圖D、在電路編輯窗口中,利用圖標(biāo)欄可以快速建立、編輯電路圖正確答案:B20.晶圓檢測工藝中,在進(jìn)行打點(diǎn)工序以后,需要進(jìn)行的工序是()。A、真空入庫B、扎針測試C、打點(diǎn)D、外觀檢查正確答案:D答案解析:導(dǎo)片→上片→加溫、扎針調(diào)試→扎針測試→打點(diǎn)→烘烤→外檢→真空入庫21.下列描述錯誤的是()。A、重力式分選機(jī)可分為并行測試和串行測試B、并行測試一般是進(jìn)行單項(xiàng)測試(可根據(jù)測試卡的數(shù)量進(jìn)行1site/2sites/4sites測試),適用于普通DIP/SOP封裝的芯片C、串行測試一般是進(jìn)行多項(xiàng)測試,適用于DIP24/DIP27等模塊電路D、并行測試時模塊電路依次進(jìn)行不同電特性參數(shù)的測試正確答案:D22.單晶硅生長完成后,需要進(jìn)行質(zhì)量檢驗(yàn),其中四探針法可以測量單晶硅的()參數(shù)。A、電阻率B、直徑C、少數(shù)載流子壽命D、導(dǎo)電類型正確答案:A23.一般情況下,制造晶圓的原材料是()。A、硼B(yǎng)、鍺C、硅D、硒正確答案:C答案解析:晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓。24.重力式外觀檢查是在()環(huán)節(jié)之前進(jìn)行的。A、編帶B、測試C、分選D、真空包裝正確答案:D答案解析:重力式分選機(jī)設(shè)備芯片檢測工藝流程:上料→測試→分選→編帶(SOP)→外觀檢查→真空包裝。25.下列選項(xiàng)中不屬于“5s”管理要求的是()。A、培訓(xùn)B、清掃C、整理D、素養(yǎng)正確答案:A答案解析:"5S管理起源于日本,是指在生產(chǎn)現(xiàn)場對人員、機(jī)器、材料、方法等生產(chǎn)要素進(jìn)行有效管理的一種管理方式。5S即整理(SEIRI)、整頓(SEITON)、清掃(SEISO)、清潔(SEIKETSU)、素養(yǎng)(SHITSUKE),因?yàn)檫@5個詞日語中羅馬拼音的第一個字母都是"S",所以簡稱為"5S"。"26.平移式分選機(jī)進(jìn)行芯片分選時,吸嘴從()上吸取芯片。A、收料盤B、待測料盤C、入料梭D、出料梭正確答案:D答案解析:平移式分選機(jī)進(jìn)行芯片分選時,吸嘴從出料梭上吸取芯片。27.工作臺整理干凈后,根據(jù)物流提供的()到待檢查品貨架上領(lǐng)取待外檢的芯片。A、芯片測試隨件單B、晶圓測試隨件單C、中轉(zhuǎn)箱號D、芯片名稱正確答案:C答案解析:工作臺整理干凈后,根據(jù)物流提供的中轉(zhuǎn)箱號到待檢查品貨架上領(lǐng)取待外檢的芯片。28.通常情況下,一個內(nèi)盒中裝入的DIP管裝芯片()顆。A、3000B、1000C、5000D、2000正確答案:D答案解析:一般情況下,一個內(nèi)盒中裝入的DIP管裝芯片2000顆。29.8英寸的晶圓直徑大小為:()。A、125mmB、150mmC、200mmD、300mm正確答案:C答案解析:5英寸:125mm,6英寸:150mm,8英寸:200mm,12英寸:300mm。30.打開安裝好的keil軟件,點(diǎn)擊工具欄“魔術(shù)棒”按鈕,點(diǎn)擊()選項(xiàng),選擇目標(biāo)芯片。A、TargetB、C/C++C、DebugD、Device正確答案:D31.載入元件庫:AltiumDesigner系統(tǒng)默認(rèn)打開的元件庫有兩個:常用分立元器件庫();常用接插庫()。A、Devices.IntLib;MiscellaneousConnectors.IntLibB、Devices.IntLib;Connectors.IntLibC、MiscellaneousDevices.IntLib;Connectors.IntLibD、MiscellaneousDevices.IntLib;MiscellaneousConnectors.IntLib正確答案:D32.下列語句的含義是()。A、->OUT&=0X00FF;B、->OUT|=0X0F00;C、GPIOB低八位端口,高四位為低,低四位為高D、GPIOB低八位端口,高四位為高,低四位為低E、GPIOB高八位端口,高四位為低,低四位為高F、GPIOB高八位端口,高四位為高,低四位為低正確答案:C33.晶圓檢測工藝對環(huán)境的其中一項(xiàng)——溫度的要求范圍是()℃。A、22±3B、20±5C、25±3D、20±3正確答案:A答案解析:晶圓檢測工藝對環(huán)境的要求:測試車間符合10萬級潔凈區(qū)標(biāo)準(zhǔn),溫度常年保持在22±3℃,濕度保持在45±15%。34.以下語句表示最后啟動定時器,等待中斷的是()。A、TIM6->CTC0_b.Freerun=1;B、TIM6->CTC0_b.COUNT0INT_EN=1;C、TIM6->CTC0_b.COUNTEN=1;D、TIM6->CTC0_b.COUNTFW==0正確答案:C35.常用的干法去膠方法有()。A、溶劑去膠B、氧化劑去膠C、等離子去膠D、介質(zhì)去膠正確答案:C答案解析:常用的去膠方法有溶劑去膠、氧化劑去膠、等離子去膠,其中干法去膠的方法為等離子去膠。36.在集成電路中,將掩膜版上的圖形位置及幾何尺寸轉(zhuǎn)移到光刻膠上的工藝是()。A、薄膜制備B、光刻C、刻蝕D、金屬化正確答案:B答案解析:在集成電路中,將掩膜版上的圖形位置及幾何尺寸轉(zhuǎn)移到光刻膠上的工藝是光刻。37.用編帶機(jī)進(jìn)行編帶前預(yù)留空載帶的原因是()。A、比較美觀B、防止芯片散落C、確認(rèn)編帶機(jī)正常運(yùn)行D、節(jié)省人工檢查時間正確答案:B答案解析:空余載帶預(yù)留設(shè)置是為了防止卷盤上編帶的兩端在操作過程中可能會出現(xiàn)封口分離的情況,導(dǎo)致端口的芯片散落。38.重力式分選機(jī)進(jìn)行芯片檢測時,如果出現(xiàn)上料槽無料管,應(yīng)采取()的處理方式。A、人工加待測料管B、人工換料管C、人工加空料管D、人工將卡料取出正確答案:A答案解析:重力式分選機(jī)進(jìn)行芯片檢測時,如果出現(xiàn)上料槽無料,需要人工加待測料管。39.元器件的引線直徑與印刷焊盤孔徑應(yīng)有()的合理間隙。A、0.2~0.4mmB、0.1~0.4mmC、0.1~0.3mmD、0.2~0.3mm正確答案:A二、多選題(共26題,每題1分,共26分)1.AltiumDesigner系統(tǒng)默認(rèn)打開的元件庫有兩個,分別是()。A、MiscellaneousDevices.IntLibB、MotorolaAnalogTimerCircuit.IntLibC、MiscellaneousConnectors.IntLibD、MotorolaAmplifierOperationalAmplifier.IntLib正確答案:AC2.在薄膜制備的過程中,需要檢驗(yàn)薄膜的質(zhì)量,以下屬于氧化層表面缺陷的是()。A、層錯B、針孔C、白霧D、斑點(diǎn)正確答案:CD3.下列對芯片電源電流測試描述正確的是()。A、集成電路電源電流測試包括靜態(tài)電源電流測試和動態(tài)電源電流測試B、靜態(tài)電源電流測試是芯片處于不使能ABCD或靜態(tài)時的電源電流C、動態(tài)電源電流測試是芯片處于正常工作時的電源電流D、靜態(tài)電源電流通常給芯片電源端施加規(guī)定電壓,并將芯片輸入引腳都接0V電壓,輸出引腳都懸空,測量流經(jīng)電源端的電流,正確答案:ABCD4.在全自動探針臺上進(jìn)行扎針調(diào)試時,需要根據(jù)晶圓測試隨件單在探針臺輸入界面輸入的信息有()。A、晶圓產(chǎn)品名稱B、晶圓印章批號C、晶圓片號D、晶圓尺寸E、X軸步距尺寸F、Y軸步距尺寸正確答案:ABCDEF答案解析:在全自動探針臺上進(jìn)行扎針調(diào)試時,根據(jù)晶圓測試隨件單,在探針臺操作界面輸入晶圓產(chǎn)品名稱、印章批號、片號等信息,同時設(shè)定晶圓尺寸、X軸和Y軸等步進(jìn)參數(shù)。5.下列對平移式分選機(jī)描述錯誤的是()。A、吸嘴,負(fù)責(zé)吸取并轉(zhuǎn)移芯片B、出料梭,負(fù)責(zé)測試完成后芯片的分檔C、收料架,用來存放待測芯片D、料盤,用來存放芯片正確答案:BC6.電鍍的生產(chǎn)線結(jié)構(gòu)主要有由()、循環(huán)系統(tǒng)、()和控制系統(tǒng)幾部分組成。A、渡槽B、包裝系統(tǒng)C、通訊系統(tǒng)D、傳送系統(tǒng)正確答案:AD7.轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)的上料機(jī)構(gòu)主要由()和()組成。A、振動料斗B、吸嘴C、氣軌D、主轉(zhuǎn)塔正確答案:AC答案解析:轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)的上料機(jī)構(gòu)主要由振動料斗和氣軌組成。8.在設(shè)計限流電阻版圖時要考慮以下方面:()。A、電阻兩頭的接觸孔一定要離金屬的邊緣遠(yuǎn)一些B、電阻兩頭的接觸孔一定要離金屬的邊緣近一些C、電阻盡量做的寬一些D、電阻盡量做的窄一些正確答案:AC9.在LED燈閃爍的任務(wù)中,不是點(diǎn)亮8個燈的程序語句是()。A、PB->OUTEN=0xff00;B、PB->OUTEN=0x00ff;C、PB->OUT=0xff00;D、PB->OUT=0x00ff;正確答案:ABD10.屬于絕緣介質(zhì)膜的是()。A、砷化鎵B、二氧化硅C、氮化硅D、多晶硅正確答案:BC答案解析:二氧化硅和氮化硅屬于絕緣介質(zhì)膜,砷化鎵和多晶硅屬于半導(dǎo)體膜。11.OUTEN是單片機(jī)GPIO接口的輸出使能寄存器,它的功能是()。A、1:將GPIO引腳配置為輸入B、0:將GPIO引腳配置為輸入C、0:將GPIO引腳配置為輸出D、1:將GPIO引腳配置為輸出正確答案:BD12.晶圓檢測過程中,若其車間內(nèi)潔凈度不達(dá)標(biāo),則可能會導(dǎo)致()。A、測試良率降低B、探針測試卡上出現(xiàn)異物C、探針測試卡報廢D、晶圓報廢正確答案:ABCD答案解析:當(dāng)車間潔凈度不達(dá)標(biāo)時生產(chǎn)中電路質(zhì)量和設(shè)備將受到影響。比如在晶圓檢測過程中,可能會使探針測試卡上出現(xiàn)異物,嚴(yán)重時會導(dǎo)致探針測試卡損毀、晶圓報廢,因此導(dǎo)致測試良率降低、測試不穩(wěn)定,帶來巨大損失,故A、B、C、D均正確。13.輔助運(yùn)放測試法的注意事項(xiàng)包括以下哪些()。A、測量時被測運(yùn)放應(yīng)在指定條件(依據(jù)芯片數(shù)據(jù)手冊要求)下工作B、與的精度決定測試精度C、電阻為的平衡電阻(減少輸入電流對測量的影響),所以和需精密配對D、被測芯片的失調(diào)電壓不超過幾毫伏正確答案:ABC14.切片是拋光片制備中一道重要的工序,因?yàn)檫@一工序基本上決定了硅片的四個重要參數(shù),即晶向、()、()、()。A、平行度B、直徑C、翹度D、厚度正確答案:ACD答案解析:切片是拋光片制備中一道重要的工序,因?yàn)檫@一工序基本上決定了硅片的四個重要參數(shù),即晶向、厚度、平行度、翹度。直徑是在外形整理中的徑向研磨環(huán)節(jié)確定的。15.以下說法正確的是()。A、外觀檢查中發(fā)現(xiàn)有不良芯片,要對有缺陷的芯片進(jìn)行修復(fù),若不能修復(fù)則作為外觀不良進(jìn)行處理B、不合格的芯片需要用鑷子取出,用合格零頭進(jìn)行替換C、當(dāng)載帶設(shè)置數(shù)量到達(dá)極限,無法包裝一卷或觀察載帶沒有足夠多的數(shù)量,不足包裝一盤時,可以包裝完載帶,再更換新的載帶D、中有不良品或放反芯片,右手先戴上手套,再用刀片將編帶槽的上、左、右各割開三分之一蓋帶,用鑷子將該芯片取出并放入不良品收料袋中,然后用零頭盒內(nèi)的合格芯片替換,并用透明粘膠帶從替換芯片的右側(cè),貼至替換芯片的左側(cè)正確答案:AD16.裝片機(jī)主要由()系統(tǒng)和()系統(tǒng)組成。A、視覺識別B、通信C、光敏D、控制正確答案:AD答案解析:裝片機(jī)主要由控制系統(tǒng)和視覺識別系統(tǒng)組成。17.扎針測試時,在MAP圖上可能會看到()區(qū)域。A、沿邊直接剔除區(qū)域B、故障區(qū)域C、待測區(qū)域D、測試合格區(qū)域正確答案:ABCD答案解析:扎針測試過程中,在MAP圖上會出現(xiàn)不同的標(biāo)記,含有沿邊直接剔除區(qū)域、測試區(qū)域、待測扎針、故障區(qū)域、待測區(qū)域。18.平移式分選機(jī)在進(jìn)行參數(shù)設(shè)置時,需要設(shè)置:()。A、吸嘴的真空值B、測壓手臂C、分選區(qū)的分選情況D、空余載帶的預(yù)留長度正確答案:ABC答案解析:平移式分選機(jī)設(shè)備測試前的參數(shù)設(shè)置包含了吸嘴的真空值、測壓手臂的設(shè)置,分選模塊的設(shè)置,確保測試可以順利進(jìn)行。19.相較于高溫銅質(zhì)花籃,高溫實(shí)心花籃有()等特點(diǎn)。A、花籃本身較重B、制造成本高C、制造成本低D、質(zhì)輕正確答案:CD20.在某些特殊情況下,不適用集成電路比如()。A、高電流B、低頻C、高電壓D、寬屏帶正確答案:ACD21.5mil的墨管常用于()的晶圓。A、5英寸B、6英寸C、8英寸D、12英寸正確答案:AB答案解析:5mil的墨管常用于5英寸、6英寸的晶圓,30mil的墨管常用于8英寸、12英寸的晶圓。22.塑封工序需要的設(shè)備有()。A、裝片機(jī)B、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)C、顯微鏡D、排片機(jī)E、高頻預(yù)熱機(jī)F、注塑機(jī)正確答案:DEF答案解析:裝片機(jī)-芯片粘接工序;轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)-芯片檢測工藝;顯微鏡-第二道光檢和第三道光檢;排片機(jī)、高頻預(yù)熱機(jī)、注塑機(jī)-塑封工藝。23.下列屬于電子產(chǎn)品設(shè)計項(xiàng)目的是()。A、PCB項(xiàng)目B、CAD項(xiàng)目C、嵌入式項(xiàng)目D、內(nèi)核項(xiàng)目正確答案:ACD24.封裝工藝中,晶圓劃片機(jī)顯示區(qū)可以進(jìn)行()、()等操作。A、給其他操作人員發(fā)送消息B、設(shè)置參數(shù)C、切割道對位D、操作過程中做筆記正確答案:BC25.引線鍵合時的鍵合壓力、時間、溫度等參數(shù)時根據(jù)()和()進(jìn)行設(shè)定的。A、劈刀材料B、車間溫度C、引線材料D、焊盤材料正確答案:CD答案解析:根據(jù)引線材料和焊盤材料,在顯示區(qū)設(shè)置鍵合的壓力、時間、溫度以及超聲功率等參數(shù),參數(shù)是否合適決定著鍵合質(zhì)量的好壞。26.以下屬于產(chǎn)生靜電而造成的危害有()。A、干擾飛機(jī)無線電設(shè)備的正常工作B、造成集成電路和半導(dǎo)體元件的污染C、因靜電火花點(diǎn)燃某些易燃物體而發(fā)生爆炸D、電火花會引起爆炸正確答案:ABCD三、判斷題(共35題,每題1分,共35分)1.激光打字時激光聚焦后的面積較大,可以在部件表面打印出清晰的標(biāo)識A、正確B、錯誤正確答案:B答案解析:激光聚焦后的尺寸很小,所以熱影響區(qū)域小,加工精細(xì)。2.軟烘又叫前烘,該工序僅可在烘箱中進(jìn)行。A、正確B、錯誤正確答案:B答案解析:軟烘又叫前烘,軟烘可在烘箱、紅外線加熱器、真空熱板下進(jìn)行。3.編帶完成后,將編帶機(jī)上的卷盤取下并放入對應(yīng)的中轉(zhuǎn)箱即可。A、正確B、錯誤正確答案:B答案解析:詳解:一盤編帶完成后,需要在卷盤上貼標(biāo)簽,便于后期識別,整批芯片全部完成編帶后,還需要核對芯片數(shù)量,核對一致后放入中轉(zhuǎn)箱中。4.儀器設(shè)備應(yīng)按規(guī)定定期檢定合格,并在有效的計量檢定周期內(nèi)使用。A、正確B、錯誤正確答案:A5.芯片檢測工藝中,由于芯片上有印章且蓋帶透明,所以在編帶完成后不需要在編帶盤上貼小標(biāo)簽。A、正確B、錯誤正確答案:B6.在設(shè)計帶隙基準(zhǔn)源版圖時,必須采用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)PNP雙極型晶體管。A、正確B、錯誤正確答案:A7.數(shù)模混合集成電路產(chǎn)品以Bi-CMOS產(chǎn)品居多。A、正確B、錯誤正確答案:A8.若遇到需要高溫加熱的晶圓,需要根據(jù)晶圓測試隨件單上的加溫條件進(jìn)行加溫后再調(diào)整打點(diǎn)器墨點(diǎn)的位置。A、正確B、錯誤正確答案:A9.在寫方波發(fā)生器程序時PWM0->TBPRD=200;PWM0->CMPA=400;決定了PWM的占空比為200/400=50%。A、正確B、錯誤正確答案:B10.在外檢過程中,使用油墨筆進(jìn)行剔除時,直接用桌上的油墨筆在晶圓臟污的位置進(jìn)行標(biāo)記。A、正確B、錯誤正確答案:B答案解析:使用油墨筆進(jìn)行剔除時,需要在白紙上劃幾筆,去除筆尖上的油墨,防止沾污。11.在Composer里,晶體管長度和寬度的單位默認(rèn)為毫米。A、正確B、錯誤正確答案:B12.KOH水溶液可作為正膠顯影液。A、正確B、錯誤正確答案:A答案解析:正膠顯影液常用堿性溶劑,如KOH水溶液。13.不同特征尺寸、不同芯片制造廠商的技術(shù)文件是不同的。A、正確B、錯誤正確答案:A14.從反向設(shè)計和版圖識別考慮,還需要清楚實(shí)際的版圖。A、正確B、錯誤正確答案:A15.編帶工藝操作時,用蓋帶進(jìn)行熱封,是為了防止載帶中的芯片掉落。()A、正確B、錯誤正確答案:A16.電路符號可以告訴我們電路功能和特性,不能說明內(nèi)部結(jié)構(gòu)。A、正確B、錯誤正確答案:A17.內(nèi)圓切割過程中,硅片的厚度是由刀片的厚度決定的。A、正確B、錯誤正確答案:B18.解決鋁互連中肖特基接觸的方法是在電極引出部分進(jìn)行輕摻雜。A、正確B、錯誤正確答案:B答案解析:采用高摻雜來形成歐姆接觸,從而消除鋁硅接觸中的肖特基現(xiàn)象。19.編帶外觀檢查采用抽檢的方式。A、正確B、錯誤正確答案:A20.切筋成型工藝,在裝料前先對框架條進(jìn)行檢驗(yàn),把不合格的芯片進(jìn)行剔除,把合格的鍍錫框架條裝盒并放置于切筋機(jī)的上料區(qū)。A、正確B、錯誤正確答案:A21.在晶圓檢測工藝中,如果遇到需要高溫加熱的晶圓,需要根據(jù)晶圓測試隨件單上的加溫條件進(jìn)行加溫后再調(diào)整打點(diǎn)器墨點(diǎn)的位置。A、正確B、錯誤正確答案:A22.編帶機(jī)的上料方式與轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)相似,都是將待裝有測芯片料管推出,上料夾具夾起料管,芯片根據(jù)自身重力沿軌道下滑。()A、正確B、錯誤正確答案:B23.比色法常用于精確測量淀積后的

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