標(biāo)準(zhǔn)解讀

《DB32/T 4378-2022 襯底表面納米、亞微米尺度薄膜 方塊電阻的無損測試 四探針法》是一項(xiàng)地方標(biāo)準(zhǔn),由江蘇省發(fā)布,旨在為納米及亞微米級(jí)別薄膜材料的方塊電阻測量提供一套標(biāo)準(zhǔn)化的操作流程。該標(biāo)準(zhǔn)主要針對(duì)使用四探針技術(shù)進(jìn)行測量的方法進(jìn)行了詳細(xì)規(guī)定,適用于科學(xué)研究、工業(yè)生產(chǎn)等多個(gè)領(lǐng)域中對(duì)薄膜材料電性能的評(píng)估。

在本標(biāo)準(zhǔn)中,首先定義了適用范圍,明確指出其適用于厚度在納米至亞微米級(jí)別的導(dǎo)電或半導(dǎo)體薄膜材料的方塊電阻測量。接著,介紹了四探針法的基本原理:通過四個(gè)等間距排列的探針接觸樣品表面,并施加一定的電流,根據(jù)電壓降來計(jì)算出薄膜的方塊電阻值。這種方法能夠有效地避免由于接觸電阻帶來的誤差,提高測量精度。

對(duì)于實(shí)驗(yàn)條件,標(biāo)準(zhǔn)給出了具體要求,包括但不限于環(huán)境溫度、濕度控制以及探針的選擇與維護(hù)等。同時(shí),還強(qiáng)調(diào)了樣品制備的重要性,指出了如何正確處理待測樣品以確保數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性。此外,關(guān)于數(shù)據(jù)處理部分,提供了詳細(xì)的計(jì)算公式和步驟指導(dǎo),幫助使用者準(zhǔn)確地從原始讀數(shù)轉(zhuǎn)換得到最終結(jié)果。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2022-10-23 頒布
  • 2022-11-23 實(shí)施
?正版授權(quán)
DB32/T 4378-2022襯底表面納米、亞微米尺度薄膜方塊電阻的無損測試四探針法_第1頁
DB32/T 4378-2022襯底表面納米、亞微米尺度薄膜方塊電阻的無損測試四探針法_第2頁
DB32/T 4378-2022襯底表面納米、亞微米尺度薄膜方塊電阻的無損測試四探針法_第3頁
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DB32/T 4378-2022襯底表面納米、亞微米尺度薄膜方塊電阻的無損測試四探針法-免費(fèi)下載試讀頁

文檔簡介

ICS6502040

CCSB.61.

江蘇省地方標(biāo)準(zhǔn)

DB32/T4378—2022

襯底表面納米亞微米尺度薄膜

、

方塊電阻的無損測試四探針法

Nanosub-micronscalefilmonsubstrate—Non-destructivetest

,

methodofsheetresistance—Fourprobemethod

2022-10-23發(fā)布2022-11-23實(shí)施

江蘇省市場監(jiān)督管理局發(fā)布

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版

DB32/T4378—2022

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由江蘇省石墨烯檢測標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

。

本文件起草單位江蘇省特種設(shè)備安全監(jiān)督檢驗(yàn)研究院國家石墨烯產(chǎn)品質(zhì)量檢驗(yàn)檢測中心江

:[(

蘇蘇州晶格電子有限公司河南煜和科技集團(tuán)有限公司江蘇華永烯科技有限公司江南大學(xué)無錫

)]、、、、、

華鑫檢測技術(shù)有限公司中國礦業(yè)大學(xué)烯源科技無錫有限公司

、、。

本文件主要起草人楊永強(qiáng)丁海龍區(qū)炳顯謝一麟陳武魁劉禹魏寧呼志躍王云超王勤生

:、、、、、、、、、、

馬龍李璐屈曉蘭陳輝秦繼恩

、、、、。

DB32/T4378—2022

襯底表面納米亞微米尺度薄膜

、

方塊電阻的無損測試四探針法

1范圍

本文件規(guī)定了采用導(dǎo)電橡膠探頭進(jìn)行襯底表面納米亞微米尺度薄膜方塊電阻四探針無損測試的

方法

。

本文件適用于目測平坦且表面存在納米亞微米尺度薄膜樣品的方塊電阻測定方塊電阻測試范圍

、,

為-44

1×10Ω~1×10Ω。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本

,;,()

文件

。

硅單晶電阻率測定直排四探針法和直流兩探針

GB/T1551—2021

硅外延層擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測定直排四探針

GB/T14141—2009、

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264—2009

光學(xué)功能薄膜術(shù)語及其定義

GB/T33376—2016

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

31

.

薄膜film

同長度與寬度相比厚度極小可隨意限定最大厚度的薄而平的制品

,。

來源有修改

[:GB/T33376—2016,2.1.5,]

32

.

四探針fourpointprobe

測量材料電阻率的一種點(diǎn)探針裝置其中一對(duì)探針用來通過流經(jīng)樣品的電流另一對(duì)探針測量因電

/,

流引起的電勢差

。

來源

[:GB/T14264—2009,3.97]

33

.

方塊電阻sheetresistance

R

s

半導(dǎo)體或薄金屬膜的薄層電阻與電流平行的電勢梯度對(duì)電流密度和厚度乘積的比

,

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