標(biāo)準(zhǔn)解讀
《DB31/T 1156-2019 電氣火災(zāi)熔痕技術(shù)鑒定 電子背散射衍射法》是一項地方標(biāo)準(zhǔn),由上海市市場監(jiān)督管理局發(fā)布,旨在規(guī)范利用電子背散射衍射(EBSD)技術(shù)對電氣火災(zāi)中產(chǎn)生的熔痕進(jìn)行分析和鑒定的方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于需要通過微觀結(jié)構(gòu)分析來確定材料性質(zhì)變化情況下的電氣火災(zāi)事故調(diào)查。
標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了使用電子背散射衍射方法進(jìn)行熔痕鑒定的操作流程、設(shè)備要求以及結(jié)果評價準(zhǔn)則。首先,在樣品準(zhǔn)備階段,要求選取具有代表性的熔痕樣本,并對其進(jìn)行適當(dāng)?shù)奶幚硪员阌诤罄m(xù)觀察;其次,對于測試設(shè)備的選擇與校準(zhǔn)也提出了明確的要求,確保實驗數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性和可靠性;再次,標(biāo)準(zhǔn)還描述了如何正確設(shè)置掃描電鏡及EBSD附件的工作參數(shù),以獲得清晰的衍射花樣圖像;最后,根據(jù)獲得的數(shù)據(jù),按照一定的原則對比分析正常狀態(tài)下的材料與火災(zāi)后熔化區(qū)域的晶粒取向、大小等特征差異,從而判斷熔痕形成的原因是否為過熱導(dǎo)致的電氣故障。
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....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2019-05-21 頒布
- 2019-07-01 實施




文檔簡介
ICS1322099
C80..
上海市地方標(biāo)準(zhǔn)
DB31/T1156—2019
電氣火災(zāi)熔痕技術(shù)鑒定電子背散射衍射法
Theidentificationofelectricalfiremeltedmark—
Electronicbackscatteringdiffractionmethod
2019-05-21發(fā)布2019-07-01實施
上海市市場監(jiān)督管理局發(fā)布
DB31/T1156—2019
目次
前言
…………………………Ⅰ
范圍
1………………………1
規(guī)范性引用文件
2…………………………1
術(shù)語和定義
3………………1
儀器設(shè)備
4…………………1
樣品制備
5…………………2
分析步驟
6…………………2
熔痕判定
7…………………3
附錄資料性附錄銅導(dǎo)線熔痕
A()EBSD………………4
DB31/T1156—2019
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標(biāo)準(zhǔn)由上海市公安局提出并組織實施
。
本標(biāo)準(zhǔn)由上海市安全生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口
。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位應(yīng)急管理部上海消防研究所中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所上海市公安局物證
:、、
鑒定中心
。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人張永豐劉紫微丁敏菊黃昊姜彩芬顧海欣呂小寶曾毅
:、、、、、、、。
Ⅰ
DB31/T1156—2019
電氣火災(zāi)熔痕技術(shù)鑒定電子背散射衍射法
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了儀器設(shè)備樣品制備分析步驟熔痕判定的方法
、、、。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于電氣火災(zāi)銅導(dǎo)線熔痕技術(shù)鑒定
。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
電氣火災(zāi)原因技術(shù)鑒定方法第部分金相法
GB/T16840.44:
消防詞匯第部分火災(zāi)調(diào)查
GB/T5907.44:
3術(shù)語和定義
界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件
GB/T16840.4、GB/T5907.4。
31
.
電子背散射衍射electronicbackscatteringdiffractionEBSD
;
使用掃描電子顯微鏡的電子束與晶體樣品表層原子相互作用并發(fā)生背散射從而能獲得樣
(SEM),
品晶體學(xué)信息的技術(shù)
。
32
.
平均角偏差meanangulardeviationMAD
;
表示電子背散射衍射菊池帶花樣標(biāo)定的擬合程度數(shù)值越小表示探測的菊池帶花樣與模
。MAD,
擬花樣之間的匹配度越高
。
33
.
長徑比aspectratio
經(jīng)過晶粒內(nèi)部的最長徑和與它相垂直的最長徑之比
,。
4儀器設(shè)備
41EBSD設(shè)備
.
設(shè)備包括掃描電子顯微鏡與附件系統(tǒng)
EBSDEBSD。
42氬離子刻蝕儀
.
氬離子刻蝕儀包括氬離子源離子槍樣品臺以及真空系統(tǒng)真空度小于-3
、、
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