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文檔簡介

MOS場效應(yīng)晶體管

用來推導(dǎo)ID-VD關(guān)系的MOSFET示意圖MOS場效應(yīng)晶體管理想假設(shè)：（1）忽略源區(qū)和漏區(qū)體電阻和電極接觸電阻；（2）溝道內(nèi)摻雜均勻；（3）載流子在反型層內(nèi)的遷移率為常數(shù)；（4）長溝道近似和緩變溝道近似，即Ex為一常數(shù)（5）溝道中的電流主要是由漂移產(chǎn)生的（4）VD繼續(xù)增加，直到漏端附近反型層電子消失，稱作溝道夾斷，對應(yīng)于B點(diǎn)，此時(shí)的VD=VDS定義為夾斷電壓VG>VT的導(dǎo)通情況下，VD對電流ID的影響VG>VT的導(dǎo)通情況下，VD對電流ID的影響(5)VD>VDS時(shí)，溝道夾斷部分ΔL增寬，夾斷區(qū)載流子很少，電導(dǎo)率減小，VD超過VDS的部分主要降落在ΔL夾斷區(qū)。對于長溝道MOS,

ΔL<<L），當(dāng)VD>VDS，ID基本保持不變;對于短溝道MOS（ΔL~L），當(dāng)VD>VDS，ID隨VD的增加略有增加VGS>VT的導(dǎo)通情況下，VDS對電流ID的影響（6）VG>VTH,VG越大，反型層電子越多，對應(yīng)夾斷的VDS越大；ID-VD特性曲線起始斜率隨VG增大而增大。（7）MOS管輸出電流受柵電壓控制，VG<VTH,截止；VG>VTH導(dǎo)通，導(dǎo)通情況下，VD<VDS，MOS工作在線性區(qū)VD>VDS,MOS工作在飽和區(qū)。VG>VT的導(dǎo)通情況下，VD對電流ID的影響MOS場效應(yīng)晶體管平方律理論假設(shè)柵上電荷的變化僅由反型電荷QI變化來平衡，即耗盡層寬度不變.在MOSFET溝道中，漂移占主導(dǎo)作用MOS場效應(yīng)晶體管MOS場效應(yīng)晶體管線性區(qū)感應(yīng)溝道電荷漂移電子電流

（6-70）式稱為薩支唐（C.T.Sah）方程。MOSFET的半導(dǎo)體的電勢從S端的0升到D端的VD，平板電容器在源端的電勢差VG-VTH-0，漏端VG-VTH-VD，中間任一點(diǎn)為VG-VTH-V(y）6.5MOS場效應(yīng)晶體管6.5MOS場效應(yīng)晶體管

飽和區(qū)

假設(shè)在L點(diǎn)發(fā)生夾斷，

方法二：總結(jié)MOSFET的平方律理論

NMOS：VTH>0VG<VTHMOSFET截止，ID=0

VD<VDs

VG>VTHMOSFET導(dǎo)通

V

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