半導(dǎo)體二極管的特性及主要參數(shù)第1頁/共12頁一、半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)構(gòu)成：PN結(jié)+引線+管殼=二極管符號(hào)：VD分類：按材料分硅二極管鍺二極管按結(jié)構(gòu)分點(diǎn)接觸型面接觸型點(diǎn)接觸型正極引線觸絲N型鍺片外殼負(fù)極引線負(fù)極引線

面接觸型N型鍺PN結(jié)

正極引線鋁合金小球底座金銻合金平面型正極

引線負(fù)極

引線集成電路中平面型PNP型支持襯底第一章半導(dǎo)體二極管第2頁/共12頁第3頁/共12頁二、二極管的伏安特性O(shè)uV/ViV/mA正向特性Uth死區(qū)電壓iV

=0Uth=

0.5V

0.1V(硅管)(鍺管)UUthiV急劇上升0U

Uth

Uth

=(0.60.8)V硅管0.7V(0.10.3)V鍺管0.2V反向特性IRUBR反向擊穿UBR

U0iV=IR<0.1A(硅)

幾十A

(鍺)U<

UBR反向電流急劇增大(反向擊穿)第一章半導(dǎo)體二極管第4頁/共12頁反向擊穿類型：電擊穿熱擊穿特別注意：

溫度對(duì)二極管的特性有顯著影響。當(dāng)溫度升高時(shí)，正向特性曲線向左移，反向特性曲線向下移。變化規(guī)律是：在室溫附近，溫度每升高1℃，正向壓降約減小2～2.5mV，溫度每升高10℃，反向電流約增大一倍?！狿N結(jié)未損壞，斷電即恢復(fù)?！狿N結(jié)燒毀。第一章半導(dǎo)體二極管第5頁/共12頁溫度對(duì)二極管特性的影響604020–0.0200.4–25–50IV

/mAUV/V20C80CT

升高時(shí)，UV(th)以(22.5)mV/C下降第一章半導(dǎo)體二極管第6頁/共12頁硅管的伏安特性鍺管的伏安特性604020–0.02–0.0400.40.8–25–50IV

/mAUV/VIV

/mAUV

/V0.20.4–25–5051015–0.01–0.020第一章半導(dǎo)體二極管第7頁/共12頁三、二極管的主要參數(shù)1.

IF—

最大整流電流(最大正向平均電流)2.

URM—

最高反向工作電壓，為UBR/23.

IR

—

反向飽和電流(越小單向?qū)щ娦栽胶?IVUVU(BR)IFURMO4.

fM—

最高工作頻率(超過時(shí)單向?qū)щ娦宰儾?第一章半導(dǎo)體二極管第8頁/共12頁影響工作頻率的原因—PN結(jié)的電容效應(yīng)

結(jié)論：1.低頻時(shí)，因結(jié)電容很小，對(duì)PN結(jié)影響很小。高頻時(shí)，因容抗減小，使結(jié)電容分流，導(dǎo)致單向?qū)щ娦宰儾睢?.結(jié)面積小時(shí)結(jié)電容小，工作頻率高。第一章半導(dǎo)體二極管第9頁/共12頁四、二極管電路的分析方法1、理想模型特性u(píng)ViV符號(hào)及等效模型SS2、恒壓降模型uViVUthuv=Uth0.7V(Si)0.2V(Ge)Uth3、二極管的折線近似模型uvivUthUI斜率1/rDrvUth第一章半導(dǎo)體二極管第10頁/共12頁4、小信號(hào)模型如果二極管在它的伏安特性的某一小范圍內(nèi)工作，例如靜態(tài)工作點(diǎn)Q（此時(shí)有。

如果二極管在它的伏安特性的某一小范圍內(nèi)工作，例如靜態(tài)工作點(diǎn)Q附近工作，則可把伏安特性看成一條直線，其斜率