ICS31.030L90中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T5597—1999固體電介質(zhì)微波復(fù)介電常數(shù)的測(cè)試方法Testmethodforcomplexpermittivityofsoliddielectricmaterialsatmicrowavefreguencies1999-05-19發(fā)布1999-12-01實(shí)施國(guó)家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T5597-1999本標(biāo)準(zhǔn)是對(duì)GB/T5597—1985《固體電介質(zhì)微波復(fù)介電常數(shù)的測(cè)試方法》的修訂。本標(biāo)準(zhǔn)對(duì)原標(biāo)準(zhǔn)GB/T5597-—1985做了如下修訂：信號(hào)源由掃頻信號(hào)源改為頻綜信號(hào)源，使測(cè)試系統(tǒng)大為簡(jiǎn)化由于改窄帶反射速調(diào)管掃頻工作點(diǎn)，指示器用4六位普通數(shù)字電壓表代替原采用的雙綜示波器;測(cè)試誤益分析由原來采用各誤差源的“貢獻(xiàn)”絕對(duì)值求和改為方和根的誤差綜合，因而測(cè)試誤差大幅下降,e/由原來的1.5%降至1.0%，Atan8.由原來15%tan8.十1.0×10-降至3%tan8.十3.0×10-;并將tane,的測(cè)試范圍下限由2×10-4改為1×10-。本標(biāo)準(zhǔn)自實(shí)施之日起同時(shí)代替GB/T5597一1985.本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A、附錄B、附錄C都是提示的附錄。本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)電子工業(yè)部提出。本標(biāo)準(zhǔn)由電子工業(yè)部標(biāo)準(zhǔn)化研究所歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所、電子科技大學(xué)。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：張其、王玉功、李曉英。

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)固體電介質(zhì)微波復(fù)介電常數(shù)的GB/T5597-1999測(cè)方代替GB/T5597-1985Testmethodforcomplexpermittivityofsoliddielectricmaterialsatmicrowavefrequencies1范園本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了均勻的、各向同性的固體電介質(zhì)材料微波復(fù)介電常數(shù)的測(cè)試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于頻率范圍為2GH2～18GHz內(nèi)復(fù)介電常數(shù)的測(cè)定。推薦測(cè)試頻率為9.5GH2。其測(cè)定范圍：相對(duì)介電常數(shù)實(shí)部為2～20，介質(zhì)電損耗角正切tano.為1×10～5×10-。2定義復(fù)數(shù)介電常數(shù)為：式中：6一一復(fù)數(shù)相對(duì)介電常數(shù)：-真空介電常數(shù)，其值為8.854×10-F/m。本標(biāo)準(zhǔn)所述及的復(fù)數(shù)介電常數(shù)實(shí)際上均指相對(duì)介電常數(shù)，并以相對(duì)介電常數(shù)的實(shí)部。和介電損耗角正切tane.一e"/e表征之。3測(cè)試原理在一確定頻率下圓柱型了E。模式高品質(zhì)因數(shù)測(cè)試腔的諧振長(zhǎng)度為。,固有品質(zhì)因數(shù)為Q。，如圖1（a)所示。當(dāng)此測(cè)試腔中放入厚度為的盤狀試樣后，如圖1<b)所示,將發(fā)生兩方面的變化：1）由于介質(zhì)試樣的介電常數(shù)大于1,因此填充有試樣介質(zhì)的那段波導(dǎo)的相位常數(shù)將增大，在原頻率上產(chǎn)生諧振的腔體長(zhǎng)度將縮短為；2）由于介質(zhì)試樣將引入附加的介質(zhì)損耗，導(dǎo)致測(cè)試腔的固有品質(zhì)因數(shù)下降為圖1根據(jù)測(cè)試腔在放入介質(zhì)試樣前后，其譜振長(zhǎng)度變化量S（S－。一.)和品質(zhì)因數(shù)的改變量，可以