標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 5594.1-1985 電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測試方法 氣密性測試方法》是中國國家標(biāo)準(zhǔn)之一,旨在規(guī)范電子元器件中使用的結(jié)構(gòu)陶瓷材料進(jìn)行氣密性檢測的具體操作流程和技術(shù)要求。該標(biāo)準(zhǔn)適用于評估陶瓷材料或由其制成的密封件在特定條件下防止氣體滲透的能力。

根據(jù)該標(biāo)準(zhǔn),氣密性測試主要通過將待測樣品置于一定壓力差下的環(huán)境中來實(shí)施,觀察一段時(shí)間內(nèi)是否有氣體泄漏現(xiàn)象發(fā)生。具體來說,它包括了準(zhǔn)備階段、加壓過程以及泄漏檢測等步驟。其中,準(zhǔn)備階段涉及選擇合適的測試設(shè)備和確保被測樣品表面清潔無損;加壓過程中需按照規(guī)定設(shè)置內(nèi)部與外部之間的壓力差異,并保持穩(wěn)定狀態(tài)足夠長的時(shí)間以便準(zhǔn)確測量;最后,在泄漏檢測環(huán)節(jié),則是利用精密儀器如氦質(zhì)譜儀等工具對可能存在的微小泄露路徑進(jìn)行定位與定量分析。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 1985-11-27 頒布
  • 1986-12-01 實(shí)施
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GB/T 5594.1-1985電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測試方法氣密性測試方法_第1頁
GB/T 5594.1-1985電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測試方法氣密性測試方法_第2頁
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GB/T 5594.1-1985電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測試方法氣密性測試方法-免費(fèi)下載試讀頁

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UDC621.315.612:621.382/.387:620.1中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB5594.1-85電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測試方法氣密性測試方法TestmethodsforpropertiesofstructureceramicusedinelectroniccomponentsTestmethodforgas-tightness1985-11-27發(fā)布1986-12-01實(shí)施標(biāo)國淮同家批準(zhǔn)

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)UDC621.315.612電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料621.307.387:620.1氣密性測試方法性能測試方法GB5594.1-85TestmethodsforpropertiesofstructureceramicusedinelectroniccomponentsTestmethodforgas-tightness本標(biāo)準(zhǔn)適用于電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷室溫下氣密性的測試。1測試原理氮?dú)饨?jīng)陶瓷片滲透到氫質(zhì)譜檢漏儀的回旋室中,電離后形成離子流。根據(jù)此離子流值,,可確定漏氨速率和判斷陶瓷的氣密性。2測試設(shè)備2.1氨質(zhì)譜檢漏儀,靈敏度6.0×10Pa.1/s2.2通用馬弗爐,0~1000℃。3測試試樣3.1將陶瓷片兩面進(jìn)行研磨,研磨尺寸按GB5593—85《電子元器件結(jié)構(gòu)陶寬材料》規(guī)定,經(jīng)透液性檢驗(yàn)、燈光或十倍放大鏡觀索后無裂紋時(shí)方可使用。3.2清洗上述試樣,放人馬弗爐中加熱,以450℃/h的速度升溫到900℃,,并保溫30min3.3試樣冷至室溫后取出,放人干燥器中,待測。4測試方法《.1用鏢子將試樣從干燥器中取出,放在周定的夾具上,用真空泥將試樣和夾具密封。4.22接通電源,相繼開動機(jī)械泵和擴(kuò)散泵,待測試系統(tǒng)真空度至1.33×10"Pa時(shí)即可測試。4.3氮槍對準(zhǔn)密片進(jìn)行噴吹,噴吹15·后,記錄檢漏儀上檢流計(jì)讀數(shù),并查出對應(yīng)漏氫速率值。5結(jié)果評定漏氨速率用10"Pa·1/s數(shù)量級表示,報(bào)告數(shù)據(jù)準(zhǔn)確至小數(shù)點(diǎn)后一位,,平行試樣誤差小于0.5×10Pa·1/s,最后結(jié)果是三個(gè)試樣的平均值。若漏氫速率小于或等于10.0×10Pa·1/s時(shí),則陶瓷是氣密的,否則是不氣密的。附加說明:本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國電子工業(yè)部提出。本標(biāo)準(zhǔn)由電子工業(yè)部

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