ICS3108001

L40..

中華人民共和國國家標準

GB/T49374—2012/IEC60749-42002

.:

半導體器件

機械和氣候試驗方法

第4部分強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗HAST

:()

Semiconductordevices—

Mechanicalandclimatictestmethods—

Part4DamheatsteadstatehihlacceleratedstresstestHAST

:p,y,gy()

(IEC60749-4:2002,IDT)

2012-11-05發(fā)布2013-02-15實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

中華人民共和國

國家標準

半導體器件

機械和氣候試驗方法

第4部分強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗HAST

:()

GB/T4937.4—2012/IEC60749-4:2002

*

中國標準出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100013)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務熱線

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年月第一版

20132

*

書號

:155066·1-46248

版權專有侵權必究

GB/T49374—2012/IEC60749-42002

.:

前言

半導體器件機械和氣候試驗方法由以下部分組成

GB/T4937《》:

第部分總則

———1:;

第部分低氣壓

———2:;

第部分外部目檢

———3:;

第部分強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗

———4:(HAST);

第部分穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗

———5:;

第部分高溫貯存

———6:;

第部分內(nèi)部水汽含量測試和其他殘余氣體分析

———7:;

第部分密封

———8:;

第部分標志耐久性

———9:;

第部分機械沖擊

———10:;

第部分快速溫度變化雙液槽法

———11:;

第部分變頻振動

———12:;

第部分鹽氣

———13:;

第部分引線牢固性引線強度

———14:();

第部分通孔安裝器件的耐焊接熱

———15:;

第部分粒子碰撞噪聲檢測

———16:(PIND);

第部分中子輻射

———17:;

第部分電離輻射總劑量

———18:();

第部分芯片剪切強度

———19:;

第部分塑封表面安裝器件的耐濕和耐焊接熱

———20:;

第部分可焊性

———21:;

第部分鍵合強度

———22:;

第部分高溫工作壽命

———23:;

第部分加速耐濕無偏置強加速應力試驗

———24:;

第部分溫度循環(huán)

———25:;

第部分靜電放電敏感度試驗人體模式

———26:(ESD)(HBM);

第部分靜電放電敏感度試驗機械模式

———27:(ESD)(MM);

第部分靜電放電敏感度試驗器件帶電模式考慮中

———28:(ESD)(CDM)();

第部分門鎖試驗

———29:;

第部分非密封表面安裝器件在可靠性試驗前的預處理

———30:;

第部分塑封器件的易燃性內(nèi)部引起的

———31:();

第部分塑封器件的易燃性外部引起的

———32:();

第部分加速耐濕無偏置高壓蒸煮

———33:;

第部分功率循環(huán)

———34:;

第部分塑封電子元器件的聲學掃描

———35:;

第部分恒定加速度

———36:;

第部分手持電子產(chǎn)品用元器件桌面跌落試驗方法

———37:;

Ⅰ

GB/T49374—2012/IEC60749-42002

.:

第部分半導體器件的軟錯誤試驗方法

———38:;

第部分半導體元器件原材料的潮氣擴散率和水溶解率測量

———39:。

本部分是的第部分

GB/T49374。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分使用翻譯法等同采用半導體器件機械和氣候試驗方法第部分強

IEC60749-4:2002《4:

加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗

(HAST)》。

為便于使用本部分做了下列編輯性修改和勘誤

,:

用小數(shù)點代替作為小數(shù)點的逗號

a)“.”“,”;

刪除國際標準的前言

b);

將第章中見改為見

c)8e)“3.1”“4.2”。

本部分由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本部分由全國半導體器件標準化技術委員會歸口

(SAC/TC78)。

本部分起草單位中國電子科技集團公司第十三研究所

:。

本部分主要起草人李麗霞陳海蓉崔波

:、、。

Ⅱ

GB/T49374—2012/IEC60749-42002

.:

半導體器件

機械和氣候試驗方法

第4部分強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗HAST

:()

1范圍

的本部分規(guī)定了強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗方法用于評價非氣密封裝半導體器件

GB/T4937(HAST),

在潮濕的環(huán)境下的可靠性

。

2強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗HAST—一般說明

()

強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗通過施加嚴酷的溫度濕度和偏置條件來加速潮氣穿透外部保護材料灌封或

、(

密封或外部保護材料和金屬導體的交接面此試驗應力產(chǎn)生的失效機理通常與穩(wěn)態(tài)溫濕度偏

)?！?5/85”

置壽命試驗見相同試驗方法可以從穩(wěn)態(tài)壽命試驗或本試驗方法中選

(IEC60749-5)。85℃/85%RH

擇在執(zhí)行兩種試驗方法時穩(wěn)態(tài)壽命試驗的結(jié)果優(yōu)先于強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗

。,85℃/85%RH

(HAST)。

本試驗方法應被視為破壞性試驗

。

3試驗設備

試驗需要一臺能連續(xù)保持規(guī)定的溫度和相對濕度的壓力容器同時提供電連接試驗時給器件施加

,,

規(guī)定的偏置條件

。

31受控條件

.

在上升到規(guī)定的試驗環(huán)境和從規(guī)定的試驗環(huán)境下降過程中壓力容器應能夠提供受控的壓力溫度