ICS31.080L40中華人民共和國國家標準GB/T4937-1995idtIEc749:1995半導體器件機械和氣候試驗方法Mechanicalandclimatictestmethodsforsemiconductordevices1995-12-22發(fā)布1996-08-01實施國家技術監(jiān)督局發(fā)布

GB/T4937-1995前言IEC前言第I篇總則……·范圍和用途1目的oooooooo3術語、定義和文字符號4標準大氣條件……外觀檢查和尺寸檢驗6電測量···················第I篇機械試驗方法·1引出端強度2錫焊3正弦振動………4恒定加速度…鍵合強度試驗…7芯片剪切強度試驗……第亞篇氣候試驗方法溫度變化····.·····.·.·….··財存(在高溫下）34循環(huán)濕熱………5穩(wěn)態(tài)濕熱…………6溫度/濕度組合循環(huán)試驗789熱間斷試驗·10質(zhì)譜法測量內(nèi)部水汽含量第W篇其他試驗方法1塑料封裝器件的易燃性試驗29標志的耐久性………

CB/T4937-1995本標準是根據(jù)電工委員會IC749:1984《半導體器件機械和氣候試驗方法》IEC749:1991-11和IEC749:1993-09修改單對GB4937一85進行修訂。修訂的標準與IC749標準等同。該標準內(nèi)容較多，因此在標準文本前面增加了目次，便于查閱。本標準中章、條、圖號和表格與IC標準等同，便于和國際標準接軌。本標準由中華人民共和國電子工業(yè)部提出。本標準由全國半導體器件標準化技術委員會歸口。本標準起草單位：上海市電子儀表標準計量測試所、中國電子技術標準化研究所.本標準主要起草人：倪月琴、王長福。

CB/T4937-1995IC前IEC749:1991修改單由IECTC47半導體器件技術委員會和TC47A集成電路分會制定本修改單的文本以下列文件為依據(jù)：二月法表決報告六月法表決報省47（C0)105447（C0)118247（C0113547（C0)121847/47A（CO）47/47A（CO）1169/2241289/20147（C0)117047（C0)128347（C0）118647（C0)1272本修改單認可的所有表決資料可在上裘所列的表決報告中找到。IEC749：1993修改單由IEC中TC47：半導體器件技術委員會制定刪除表決報告47（C0)125247（C0）133347（C0)131447（C0)134347（C0)131647（C01348本修改單認可的所有表決資料可在上表所列的表決報告中找到

中華人民共和國國家標準GB/T4937-1995半導體器件機械和氣候試驗方法idtIEC749:1984代替GB4937-86Mechanicalandclimatictestmethodsforsemiconductordevices第1篇總范圍和用途本標準列出了適用于半導體器件(分立器件和集成電路)的試驗方法。使用時可從中進行選擇。對于非空腔器件，可以要求補充的試驗方法。住：非空腔器件是指器件結構中封裝材料與管芯的所有暴露表面緊密接觸且沒有任何空間的器件。本標準已盡可能考慮了IEC68《基本環(huán)境試驗規(guī)程》。2日的確定統(tǒng)一的優(yōu)選試驗方法及應力等級的優(yōu)選值，以便評價半導體器件的環(huán)境性能。如本標準與有關規(guī)范相抵觸時，應以有關規(guī)范為準。3術語、定義和文字符號引用下列標準GB2421一89電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程美總則GB2423電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程！試驗方法GB2424電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程導則GB5169.5—82電工電子產(chǎn)品著火危險試驗針焰試驗方法IEC747半導體器件分立器件和集成電路IEC748半導體器件：集成電路標準大氣條件引用：GB2421電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程總則：除非另有規(guī)定，所有試驗和恢復應在GB2421一89中5.3和5.4規(guī)定的標準大氣條件下進行。其條件是：溫度：15℃～35℃相對濕度：45%～75%(適用時)；氣壓：86kPa～106kP