ICS31200

L56.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T35007—2018

半導(dǎo)體集成電路

低電壓差分信號(hào)電路測(cè)試方法

Semiconductorintegratedcircuits—

Measuringmethodoflowvoltagedifferentialsignalingcircuitry

2018-03-15發(fā)布2018-08-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T35007—2018

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

總則

4………………………2

測(cè)試環(huán)境要求

4.1………………………2

測(cè)試注意事項(xiàng)

4.2………………………2

靜態(tài)參數(shù)測(cè)試

5……………2

單端數(shù)字接口參數(shù)

5.1…………………2

輸入高電平閾值電壓V

5.2(TH)…………2

輸入低電平閾值電壓V

5.3(TL)…………3

輸入電流I

5.4(IN)………………………4

電源關(guān)斷輸入漏電流I

5.5(IN-OFF)……………………5

輸出高電壓V

5.6LVDS(OHL)…………6

輸出低電壓V

5.7LVDS(OLL)…………7

共模輸出電壓V

5.8(OS)…………………8

互補(bǔ)態(tài)共模輸出電壓變化V

5.9(ΔOS)…………………8

差分輸出電壓V

5.10(OD)………………9

互補(bǔ)態(tài)差分輸出電壓變化V

5.11(ΔOD)………………9

輸出短路電流I

5.12LVDS(OSL)………………………10

電源關(guān)斷輸出漏電流I

5.13(O-OFF)…………………11

輸出高阻態(tài)電流I

5.14LVDS(OZL)……………………12

內(nèi)置差分輸入電阻R

5.15(IT)…………13

內(nèi)置差分輸出電阻R

5.16(OT)………………………13

靜態(tài)電源電流I

5.17(DD)………………14

關(guān)斷電源電流I

5.18(DDZ)……………15

動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試

6……………16

輸入電容C和輸出電容C

6.1(I)(O)…………………16

動(dòng)態(tài)電源電流I

6.2(DDA)………………18

最高工作頻率f

6.3(MAX)………………18

最低工作頻率f

6.4(MIN)………………19

最大數(shù)據(jù)率DR

6.5(MAX)………………20

輸出由低電平到高電平傳輸延遲時(shí)間t

6.6(PLH)……………………20

輸出由高電平到低電平傳輸延遲時(shí)間t

6.7(PHL)……………………22

輸出由高阻態(tài)到高電平傳輸延遲時(shí)間t

6.8(PZH)……………………22

輸出由高阻態(tài)到低電平傳輸延遲時(shí)間t

6.9(PZL)……………………24

輸出由高電平到高阻態(tài)傳輸延遲時(shí)間t

6.10(PHZ)……………………24

Ⅰ

GB/T35007—2018

輸出由低電平到高阻態(tài)傳輸延遲時(shí)間t

6.11(PLZ)……………………25

輸出由低電平到高電平轉(zhuǎn)換時(shí)間t

6.12(TLH)………25

輸出由高電平到低電平轉(zhuǎn)換時(shí)間t

6.13(THL)………27

脈沖時(shí)滯t

6.14(SKP)……………………27

通道間時(shí)滯t

6.15(SKO)…………………28

眼圖高度e

6.16(H)……………………28

眼圖寬度e

6.17(W)……………………29

確定性抖動(dòng)Dj

6.18()…………………30

隨機(jī)抖動(dòng)Rj

6.19()……………………30

總抖動(dòng)J

6.20(t)………………………31

附錄資料性附錄眼圖測(cè)試對(duì)儀器的要求

A()…………32

Ⅱ

GB/T35007—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)定起草

GB/T1.1—2009。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位成都振芯科技股份有限公司工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化研究院工業(yè)和信

:、、

息化部電子第五研究所深圳市國(guó)微電子有限公司深圳市眾志聯(lián)合電子有限公司中國(guó)電子科技集團(tuán)

、、、

公司第二十九研究所

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人陳雁羅彬郭超王會(huì)影李錕蔡志剛鄔海忠鐘科

:、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T35007—2018

半導(dǎo)體集成電路

低電壓差分信號(hào)電路測(cè)試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路低電壓差分信號(hào)電路以

(LVDS,lowvoltagedifferentialsignaling)(

下稱為器件靜態(tài)參數(shù)動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試方法的基本原理

“”)、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于低電壓差分信號(hào)電路靜態(tài)參數(shù)動(dòng)態(tài)參數(shù)的測(cè)試

、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體器件集成電路第部分?jǐn)?shù)字集成電路

GB/T17574—19982:

3術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

。

31

.

脈沖時(shí)滯pulseskew

同一通道內(nèi)輸出由低電平到高電平的傳輸延遲時(shí)間與輸出由高電平到低電平傳輸延遲時(shí)間的