ICS77040

H21.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T32278—2015

碳化硅單晶片平整度測(cè)試方法

Testmethodforflatnessofmonocrystallinesiliconcarbidewafers

2015-12-10發(fā)布2017-01-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T32278—2015

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司中國(guó)科學(xué)院物理研究所

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人陳小龍鄭紅軍張瑋郭鈺

:、、、。

Ⅰ

GB/T32278—2015

碳化硅單晶片平整度測(cè)試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了碳化硅單晶拋光片的平整度即總厚度變化局部厚度變化彎曲度

,(TTV)、(LTV)、

翹曲度的測(cè)試方法

(Bow)、(Warp)。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于直徑為厚度碳化硅單晶拋光片平整

50.8mm、76.2mm、100mm,0.13mm~1mm

度的測(cè)試

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范

GB50073

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

局部厚度變化localthicknessvariationLTV

;

以晶片的底平面為參考面晶片表面特定面積區(qū)域內(nèi)厚度最高點(diǎn)最大值和最低點(diǎn)最小值之

,()()()

間的差晶片的指整片上所有測(cè)試區(qū)域的最大值示意圖見圖

。LTVLTV,1。

圖1局部厚度變化LTV示意圖

()

4方法提要

一束平行光被分光鏡棱鏡分為兩束光其中一束經(jīng)過(guò)固定的反射鏡形成參考光另一束經(jīng)過(guò)移動(dòng)

(),,

的反射鏡形成測(cè)量光參考光和測(cè)量光經(jīng)過(guò)分光鏡棱鏡后匯合如果兩束光相位相同光波疊加增