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文檔簡(jiǎn)介
第四章放大電路的頻率響應(yīng)第四章放大電路的頻率響應(yīng)4.1頻率響應(yīng)的概念4.2晶體管的高頻等效模型4.4單管放大電路的頻率響應(yīng)4.5多級(jí)放大電路的頻率響應(yīng)4.3場(chǎng)效應(yīng)管的高頻等效模型4.6放大電路的階躍響應(yīng)本章重點(diǎn)和考點(diǎn):2、單管共射放大電路混合π模型等效電路圖、頻率響應(yīng)的表達(dá)式及波特圖繪制。1、晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管的混合π模型。本章討論的問題:1.為什么要討論頻率響應(yīng)?如何制定一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò)的頻率響應(yīng)?如何畫出頻率響應(yīng)曲線?2.晶體管與場(chǎng)效應(yīng)管的h參數(shù)等效模型在高頻下還適應(yīng)嗎?為什么?3.什么是放大電路的通頻帶?哪些因素影響通頻帶?如何確定放大電路的通頻帶?4.對(duì)于放大電路,通頻帶愈寬愈好嗎?4.1頻率響應(yīng)的概念研究放大電路頻率響應(yīng)的必要性
由于放大電路中存在電抗性元件及晶體管極間電容,所以電路的放大倍數(shù)為頻率的函數(shù),這種關(guān)系稱為頻率響應(yīng)或頻率特性。
小信號(hào)等效模型只適用于低頻信號(hào)的分析。本章將引入高頻等效模型,并闡明放大電路的上限頻率、下限頻率和通頻帶的求解方法,以及頻率響應(yīng)的描述方法。頻率響應(yīng)的概念1.頻率響應(yīng)與通頻帶
放大電路的電壓放大倍數(shù)Au是頻率的函數(shù),這種函數(shù)關(guān)系稱為放大電路的頻率響應(yīng)或頻率特性。Au(f)表示電壓放大倍數(shù)的模與頻率f的關(guān)系,稱為幅頻響應(yīng)
φ(f)表示放大電路輸出電壓與輸入電壓之間的相位差與頻率f的關(guān)系,稱為相頻響應(yīng)
放大電路的對(duì)數(shù)頻率特性稱為波特圖。2.通頻帶
在中頻區(qū)各種電容的影響均可以忽略不計(jì),電壓放大倍數(shù)Au基本上不隨信號(hào)頻率而變化,保持常數(shù)。
在低頻區(qū),放大電路的耦合電容和發(fā)射極旁路電容的影響不可忽略,會(huì)使放大倍數(shù)下降;
在高頻區(qū),此時(shí)三極管的極間電容和接線電容的影響不可忽略,也會(huì)使放大倍數(shù)下降。2.通頻帶在繪制頻率響應(yīng)曲線時(shí),常常采用對(duì)數(shù)坐標(biāo),即幅頻響應(yīng)和相頻響應(yīng)可分別繪在兩張半對(duì)數(shù)坐標(biāo)紙上。這種半對(duì)數(shù)坐標(biāo)圖,就是橫坐標(biāo)的頻率采用對(duì)數(shù)分度(即用lgf),幅頻特性的縱坐標(biāo)為,單位為分貝(dB),放大倍數(shù)用分貝作單位時(shí),常稱為增益。相頻特性的縱坐標(biāo)仍為φ,不取對(duì)數(shù)。這時(shí)得到的頻率響應(yīng)曲線稱為對(duì)數(shù)頻率響應(yīng)或波特圖。2.通頻帶
如果采用對(duì)數(shù)坐標(biāo)繪制頻率響應(yīng)曲線,那么在波特圖中,放大器的下限頻率fL和上限頻率fH也就是中頻電壓增益下降3dB時(shí)所對(duì)應(yīng)的兩個(gè)頻率。在實(shí)際當(dāng)中,繪制波特圖一般不需要用逐點(diǎn)描繪的方法來繪制曲線的,而是采用折線近似的方法,這是工程上一種既簡(jiǎn)便又實(shí)用的方法。后面我們會(huì)結(jié)合繪制RC電路的頻率響應(yīng)(波特圖)進(jìn)行介紹。3.幅頻失真和相頻失真
放大器不能使不同頻率的信號(hào)得到同樣的放大,使輸出波形產(chǎn)生失真,這種失真稱為頻率失真,又稱為線性失真。頻率失真又包括幅度失真和相位失真。
幅度失真:是由于放大器對(duì)不同頻率信號(hào)的放大倍數(shù)不同
而引起輸出波形產(chǎn)生的失真。相位失真:是由于放大器對(duì)不同頻率信號(hào)的相位移不同而
引起輸出波形產(chǎn)生的失真。3.幅頻失真和相頻失真(a)幅度失真(b)相位失真4.1.2RC電路的頻率響應(yīng)1.RC低通電路時(shí)間常數(shù)τH=R1C1,令幅頻響應(yīng):相頻響應(yīng):
(1)幅頻響應(yīng):當(dāng)f<<fH
時(shí),
當(dāng)f>>fH
時(shí),
隨著f的上升,越來越小兩條直線的交點(diǎn)fH稱為轉(zhuǎn)折頻率。
當(dāng)f<<fH
時(shí),
當(dāng)f>>fH
時(shí),
(2)相頻響應(yīng):
當(dāng)f=fH
時(shí),
隨著f的上升,越來越小可以利用RC低通電路來模擬放大電路的高頻響應(yīng)。
則有:放大電路的對(duì)數(shù)頻率特性稱為波特圖。(3)低通電路的波特圖對(duì)數(shù)幅頻特性:0.1fHfH
10fHf0-20-403dB-20dB/十倍頻對(duì)數(shù)相頻特性:fH
10fH-45o5.71o5.71o-45o/十倍頻-90o0.1fH0f在高頻段,低通電路產(chǎn)生0~90°的滯后相移。(3)低通電路的波特圖2.RC高通電路時(shí)間常數(shù)τL=R2C2,令幅頻響應(yīng):相頻響應(yīng):
(1)幅頻響應(yīng):當(dāng)f<<fL
時(shí),
當(dāng)f>>fL
時(shí),
隨著f的下降,越來越小當(dāng)f<<fH
時(shí),
當(dāng)f>>fH
時(shí),
(2)相頻響應(yīng):
當(dāng)f=fH
時(shí),
隨著f的下降,越來越小可以利用RC高通電路來模擬放大電路的低頻響應(yīng)。則有:放大電路的對(duì)數(shù)頻率特性稱為波特圖。(3)高通電路的波特圖對(duì)數(shù)幅頻特性:
實(shí)際幅頻特性曲線:幅頻特性當(dāng)f≥
fL(高頻),當(dāng)f<fL(低頻),高通特性:且頻率愈低,的值愈小,低頻信號(hào)不能通過。0.1fLfL
10fLf0-20-403dB最大誤差為3dB,發(fā)生在f=fL處20dB/十倍頻對(duì)數(shù)相頻特性圖5.1.3(a)相頻特性5.71o-45o/十倍頻fL0.1fL
10fL45o90o0f誤差
在低頻段,高通電路產(chǎn)生0~90°的超前相移。5.71o【小結(jié)】(1)電路的截止頻率決定于電容所在回路的時(shí)間常數(shù)τ,即決定了fL和fH。(2)當(dāng)信號(hào)頻率等于fL或fH放大電路的增益下降3dB,且產(chǎn)生+450或-450相移。(3)近似分析中,可以用折線化的近似波特圖表示放大電路的頻率特性。4.2晶體三極管的高頻等效模型4.2.1高頻混合π型等效模型的引出
通常情況下,rce遠(yuǎn)大于c--e間所接的負(fù)載電阻,而rb’c也遠(yuǎn)大于Cμ的容抗,因而可認(rèn)為rce和rb’c開路。1.完整的混合
模型高頻時(shí)由于結(jié)電容的影響和,已不能保持正比關(guān)系,所以用放射結(jié)上的電壓來控制集電極電流Ic,用電流源來表示基極回路對(duì)集電極回路的控制作用。
gm為低頻互導(dǎo):2.簡(jiǎn)化的混合模型4.2.2混合π型等效模型參數(shù)的獲得【結(jié)論】
這樣,混合π型等效模型中,除Cπ和Cμ外的全部參數(shù)都可以通過H參數(shù)求出,Cμ的數(shù)值可以從手冊(cè)中查到,手冊(cè)中提供的Cob值近似為Cμ。而Cπ值不能直接從手冊(cè)中查到,可按下列公式計(jì)算式中fT是三極管的特征頻率,可由手冊(cè)直接給出。通常,例如,一個(gè)三極管的Cπ=100pF,而Cμ=3pF。三極管的高頻響應(yīng)取決于混合π型等效模型的參數(shù)gm、rb’c
、rb’e、Cπ和Cμ。而這些參數(shù)又可用β、rbe、fT和Cob來表示。因此,我們可以用β、rbe、fT和Cob來衡量三極管的高頻性能。同時(shí),通過上述分析可知,混合π型等效模型的參數(shù)不僅與靜態(tài)工作點(diǎn)有關(guān),還與溫度有關(guān)。4.2.3三極管的頻率參數(shù)1.共射極截止頻率fβ
三極管的頻率參數(shù)是用來描述管子對(duì)不同頻率信號(hào)的放大能力。常用的頻率參數(shù)有共射極截止頻率fβ、特征頻率fT、共基極截止頻率fα等。4.2.3三極管的頻率參數(shù)1.共射極截止頻率fβ(截止頻率)其模值為共射接法交流短路電流放大系數(shù)ββ的對(duì)數(shù)幅頻特性與對(duì)數(shù)相頻特性對(duì)數(shù)幅頻特性fTfOf20lg0-20dB/十倍頻f0對(duì)數(shù)相頻特性10f0.1f-45o-90o2.特征頻率fT一般,故fT的典型數(shù)據(jù)約在100~1000MHz之間。3.共基極截止頻率
fα利用β與α的關(guān)系可得:令可得:
1.共射截止頻率f
值下降到0.7070
(即)時(shí)的頻率。當(dāng)
f=f
時(shí),值下降到中頻時(shí)的70%左右。或?qū)?shù)幅頻特性下降了3dB。【幾個(gè)頻率的分析】2.特征頻率fT
值降為1時(shí)的頻率。f>fT
時(shí),,三極管失去放大作用;
f
=
fT
時(shí),由式得:3.共基截止頻率f
值下降為低頻0時(shí)
的0.707時(shí)的頻率?!緁
與f
、
fT
之間關(guān)系】:因?yàn)榭傻谩菊f明:】所以:1.f
比f
高很多,等于f
的(1+0)倍;2.f
<fT<
f
3.低頻小功率管f
值約為幾十至幾百千赫,高頻小功率管的
fT約為幾十至幾百兆赫。4.3場(chǎng)效應(yīng)管的高頻等效模型
與晶體管一樣,場(chǎng)效應(yīng)管的各電極之間也會(huì)存在極間電容,根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu),可得出它的高頻等效模型如圖(a)所示。由于一般情況下rgs和rds都比外接電阻大得多,因此可以忽略,認(rèn)為它們開路。這樣就可以得到圖(b)所示的簡(jiǎn)化高頻等效模型。
4.4單管共發(fā)射極放大電路的頻率響應(yīng)利用晶體管混合π型等效模型就可以分析放大電路的頻率響應(yīng)單管共射放大電路的頻率響應(yīng)C1Rb+VCCC2Rc+++Rs+~+圖5.4.1單管共射放大電路
中頻段:各種電抗影響忽略,Au
與f無關(guān);低頻段:隔直電容壓降增大,Au降低。與電路中電阻構(gòu)成RC高通電路;高頻段:三極管極間電容并聯(lián)在電路中,Au
降低。而且,構(gòu)成RC低通電路。4.4單管共發(fā)射極放大電路的頻率響應(yīng)密勒定理
折合到b’-e之間為:折合到c-e之間為1中頻電壓放大倍數(shù)式中
2低頻電壓放大倍數(shù)并令由上面的推導(dǎo)可以看出,fL1與C1所在回路的時(shí)間常數(shù)成反比。同理,當(dāng)只考慮C2的影響時(shí),可以得出其下限截止頻率fL2為分壓式偏置放大電路來說,還應(yīng)考慮射極旁路電容Ce的影響分壓式偏置放大電路來說,還應(yīng)考慮射極旁路電容Ce的影響在回路中其時(shí)間常數(shù)為則下限截止頻率fL3為3高頻電壓放大倍數(shù)在高頻區(qū),由于容抗變小,則耦合電容和旁路電容可忽略不計(jì),視為短路,但并聯(lián)的極間電容的影響應(yīng)予以考慮,其等效電路如圖(a)所示。由于所在回路的時(shí)間常數(shù)比輸入回路C’π的時(shí)間常數(shù)小得多,所以將C’μ忽略不計(jì),如圖(b)所示。3高頻電壓放大倍數(shù)并令4完整的頻率響應(yīng)放大倍數(shù)在全部頻率范圍內(nèi)的表達(dá)式:四、波特圖繪制波特圖步驟:1.根據(jù)電路參數(shù)計(jì)算、fL
和
fH
;2.由三段直線構(gòu)成幅頻特性。中頻段:對(duì)數(shù)幅值=20lg
低頻段:
f=fL開始減小,作斜率為20dB/十倍頻直線;
高頻段:f=fH開始增加,作斜率為–20dB/十倍頻直線。3.由五段直線構(gòu)成相頻特性。圖5.4.5幅頻特性fOfL-20dB/十倍頻fH20dB/十倍頻-270o-225o-135o-180o相頻特性-90o10fL0.1fL0.1fH10fHfO通頻帶f|Au
|0.707|Auo|fLfH|Auo|幅頻特性下限截止頻率上限截止頻率耦合、旁路電容造成。三極管結(jié)電容、
造成f–270°–180°–90°相頻特性O(shè)放大電路頻率響應(yīng)的改善和增益帶寬積1.為了改善放大電路頻率響應(yīng),應(yīng)降低下限頻率,放大電路可采用直接耦合方式,使得fL
=02.為了改善單管放大電路的高頻特性,應(yīng)增大上限頻率fH。3.增益帶寬積中頻電壓放大倍數(shù)與通頻帶的乘積。Ri=Rb//rbe假設(shè)Rb>>Rs,Rb>>rbe;(1+gmRc)Cbc>>Cbe說明:式不很嚴(yán)格,但從中可以看出一個(gè)大概的趨勢(shì),即選定放大三極管后,rbb和Cbc
的值即被確定,增益帶寬積就基本上確定,此時(shí),若將放大倍數(shù)提高若干倍,則通頻帶也將幾乎變窄同樣的倍數(shù)。如愈得到一個(gè)通頻帶既寬,電壓放大倍數(shù)又高的放大電路,首要的問題是選用rbb
和Cbc
均小的高頻三極管。復(fù)習(xí):1.晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管的混合
模型2.單管共射放大電路的頻率響應(yīng)表達(dá)式:波特圖的繪制:三段直線構(gòu)成幅頻特性五段直線構(gòu)成相頻特性4.5多級(jí)放大電路的頻率響應(yīng)4.5.1多級(jí)放大電路頻率特性的定性分析多級(jí)放大電路的電壓放大倍數(shù):對(duì)數(shù)幅頻特性為:
在多級(jí)放大電路中含有多個(gè)放大管,因而在高頻等效電路中有多個(gè)低通電路。在阻容耦合放大電路中,如有多個(gè)耦合電容或旁路電容,則在低頻等效電路中就含有多個(gè)高通電路。多級(jí)放大電路的總相位移為:兩級(jí)放大電路的波特圖圖5.5.1fHfL幅頻特性fOfL1fH16dB3dB3dBfBW1fBW2一級(jí)二級(jí)-20dB/十倍頻-40dB/十倍頻圖5.5.1相頻特性-270o-360ofL1fH1fO-540o-180o-450o-90o一級(jí)二級(jí)多級(jí)放大電路的通頻帶,總是比組成它的每一級(jí)的通頻帶窄。為簡(jiǎn)單起見,我們以兩級(jí)放大電路為例進(jìn)行分析,設(shè)且fL1=fL2,fH1=fH2??偟碾妷悍糯蟊稊?shù)為在中頻區(qū)在上、下限頻率處,即在f=fL1=fL2;f=fH1=fH2處,各級(jí)的電壓放大倍數(shù)均下降到中頻區(qū)電壓放大倍數(shù)的0.707倍,即而此時(shí)總的電壓放大倍數(shù)為根據(jù)定義,放大器的截止頻率應(yīng)是放大倍數(shù)下降至中頻區(qū)放大倍數(shù)的0.707倍時(shí)的頻率。所以,fL>fL1=fL2,fH<fH1=fH2。即兩級(jí)放大電路的通頻帶變窄了。同理,多級(jí)放大電路的通頻帶小于單級(jí)放大電路的通頻帶;多級(jí)放大電路的上限頻率小于單級(jí)放大電路的上限頻率;多級(jí)放大電路的下限頻率大于單級(jí)放大電路的下限頻率。4.5.2多級(jí)放大電路的上限頻率和下限頻率的估算在實(shí)際的多級(jí)放大電路中,當(dāng)各放大級(jí)的時(shí)間常數(shù)相差懸殊時(shí),可取其主要作用的那一級(jí)作為估算的依據(jù)即:若某級(jí)的下限頻率遠(yuǎn)高于其它各級(jí)的下限頻率,則可認(rèn)為整個(gè)電路的下限頻率就是該級(jí)的下限頻率。同理若某級(jí)的上限頻率遠(yuǎn)低于其它各級(jí)的上限頻率,則可認(rèn)為整個(gè)電路的上限頻率就是該級(jí)的上限頻率。例4.5.1已知某電路的各級(jí)均為共射放大電路,其對(duì)數(shù)幅頻特性如圖所示。求下限頻率、上限頻率和電壓放大倍數(shù)。(2)高頻段只有一個(gè)拐點(diǎn),斜率為-60dB/十倍頻程,電路中應(yīng)有三個(gè)電容,為三級(jí)放大電路。解:(1)低頻段只有一個(gè)拐點(diǎn),說明影響低頻特性的只有一個(gè)電容,故電路的下限頻率為10Hz。fH≈0.52fH1=(0.52×2×105)Hz=106KHz(3)電壓放大倍數(shù)例4.5.2分別求出如圖所示Q點(diǎn)穩(wěn)定電路中C1C2和Ce所確定的下限頻率的表達(dá)式及電路上限頻率表達(dá)式。C1RcRb2+VCCC2RL+++++CeuoRb1Reui
圖2.4.2阻容耦合的靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定電路b解:交流等效電路圖5.5.3(a)Q點(diǎn)穩(wěn)定電路的交流等效電路1.考慮C1對(duì)低頻特性的影響(b)C1所在回路的等效電路2.考慮C2對(duì)低頻特性的影響(c)C2所在回路的等效電路3.考慮Ce對(duì)低頻特性的影響(d)Ce所在回路的等效電路4.考慮結(jié)電容對(duì)高頻特性的影響(e)結(jié)電容所在回路的等效電路比較C1、C2、Ce所在回路的時(shí)間常數(shù)τ1、τ2、τe,當(dāng)取C1=C2=Ce時(shí),τe將遠(yuǎn)小于τ1,τ2,即fLe遠(yuǎn)大于fL1和fL2因此,fLe就約為電路的下限頻率。4.6放大電路的階躍響應(yīng)
研究放大電路
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