ICS77040

H17.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T24578—2015

代替

GB/T24578—2009

硅片表面金屬沾污的全反射

X光熒光光譜測(cè)試方法

Testmethodformeasuringsurfacemetalcontaminationonsiliconwafers

bytotalreflectionX-Rayfluorescencespectroscopy

2015-12-10發(fā)布2017-01-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T24578—2015

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替硅片表面金屬沾污的全反射光熒光光譜測(cè)試方法

GB/T24578—2009《X》。

本標(biāo)準(zhǔn)與相比主要變化如下

GB/T24578—2009,:

擴(kuò)大了標(biāo)準(zhǔn)適用范圍除適用于硅拋光片外延片外同樣適用于測(cè)定砷化鎵碳化硅等

———,、,、、SOI

材料鏡面拋光晶片表面的金屬沾污見第章

(1);

干擾因素中增加了晶片表面對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響見第章

———(6)。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位有研新材料股份有限公司萬(wàn)向硅峰電子股份有限公司浙江省硅材料質(zhì)量檢驗(yàn)

:、、

中心

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人孫燕李俊峰樓春蘭潘紫龍朱興萍

:、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T24578—2009。

Ⅰ

GB/T24578—2015

硅片表面金屬沾污的全反射

X光熒光光譜測(cè)試方法

1范圍

11本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了使用全反射光熒光光譜定量測(cè)定硅拋光襯底表面層的元素面密度的方法本標(biāo)

.X,。

準(zhǔn)適用于硅單晶拋光片外延片以下稱硅片尤其適用于硅片清洗后自然氧化層或經(jīng)化學(xué)方法生長(zhǎng)

、(),,

的氧化層中沾污元素面密度的測(cè)定測(cè)定范圍為92152本標(biāo)準(zhǔn)同樣適用于

,10atoms/cm~10atoms/cm。

其他半導(dǎo)體材料如砷化鎵碳化硅等鏡面拋光晶片表面金屬沾污的測(cè)定

,、、SOI。

12對(duì)良好的鏡面拋光表面可探測(cè)深度約分析深度隨表面粗糙度的改善而增大

.,5nm,。

13本方法可檢測(cè)元素周期表中原子序數(shù)的元素尤其適用于測(cè)定以下元素鉀鈣

.16(S)~92(U),:、、

鈦釩鉻錳鐵鈷鎳銅鋅砷鉬鈀銀錫鉭鎢鉑金汞和鉛

、、、、、、、、、、、、、、、、、、。

14本方法的檢測(cè)限取決于原子序數(shù)激勵(lì)能激勵(lì)射線的光通量設(shè)備的本底積分時(shí)間以及空白

.、、X、

值對(duì)恒定的設(shè)備參數(shù)無(wú)干擾檢測(cè)限是元素原子序數(shù)的函數(shù)其變化超過(guò)兩個(gè)數(shù)量級(jí)重復(fù)性和檢測(cè)

。,,。

限的關(guān)系見附錄

A。

15本方法是非破壞性的是對(duì)其他測(cè)試方法的補(bǔ)充與不同表面金屬測(cè)試方法的比較及校準(zhǔn)樣品的

.,,

標(biāo)定參見附錄

B。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范

GB50073—2013

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

掠射角glancingangle

全反射光熒光光譜測(cè)試方法中射線的入射角度

XX。

32

.

角掃描anglescan

作為掠射角函數(shù)對(duì)發(fā)射的熒光信號(hào)的測(cè)量

,。

33

.

臨界角criticalangle

能產(chǎn)生全反射的最大角度當(dāng)掠射角低于這一角度時(shí)被測(cè)表面發(fā)生對(duì)入射