ICS7104099

CCSN.53.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T20724—2021

代替GB/T20724—2006

微束分析薄晶體厚度的

會(huì)聚束電子衍射測(cè)定方法

Microbeamanalysis—Methodofthicknessmeasurementforthincrystals

byconvergentbeamelectrondiffraction

2021-12-31發(fā)布2022-07-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T20724—2021

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

方法概述

4…………………3

儀器設(shè)備

5…………………4

主要設(shè)備

5.1……………4

數(shù)據(jù)的記錄與測(cè)量方式

5.2……………4

試樣

6………………………4

一般要求

6.1……………4

薄晶體試樣

6.2…………………………4

萃取復(fù)型或粉末試樣

6.3………………4

實(shí)驗(yàn)步驟

7…………………4

儀器準(zhǔn)備

7.1……………4

獲取雙束會(huì)聚束電子衍射花樣

7.2……………………5

數(shù)據(jù)測(cè)量與計(jì)算

7.3……………………6

測(cè)定結(jié)果的不確定度

8……………………7

實(shí)驗(yàn)報(bào)告

9…………………8

附錄資料性硅薄晶體厚度的會(huì)聚束電子衍射技術(shù)測(cè)定示例

A()……9

試樣

A.1…………………9

實(shí)驗(yàn)條件及參數(shù)

A.2……………………9

實(shí)驗(yàn)結(jié)果與數(shù)據(jù)分析

A.3………………9

測(cè)量結(jié)果

A.4…………………………15

參考文獻(xiàn)

……………………16

Ⅰ

GB/T20724—2021

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替薄晶體厚度的會(huì)聚束電子衍射測(cè)定方法與

GB/T20724—2006《》,GB/T20724—2006

相比除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯性改動(dòng)外主要技術(shù)變化如下

,,:

增加了部分術(shù)語(yǔ)和定義見(jiàn)第章

a)(3);

增加了儀器準(zhǔn)備要求見(jiàn)

b)(7.1);

更改了用模式進(jìn)行實(shí)驗(yàn)測(cè)定的步驟見(jiàn)年版的

c)TEM(7.2.1,20067.2);

增加了選區(qū)電子衍射花樣及其指數(shù)標(biāo)定的示例圖見(jiàn)圖

d)(7.2.12);

增加了獲取會(huì)聚束衍射花樣的模式見(jiàn)

e)STEM(7.2.2);

更改了數(shù)據(jù)測(cè)量與計(jì)算的方法見(jiàn)年版的

f)(7.3,20067.6);

更改了用線性擬合法求薄晶體厚度的方法見(jiàn)年版的第章

g)(7.3.3、7.3.4,20068);

刪除了實(shí)驗(yàn)報(bào)告格式的要求見(jiàn)年版的第章

h)(20069);

增加了不確定度分析見(jiàn)第章

i)(8);

更改了實(shí)驗(yàn)報(bào)告內(nèi)容的要求見(jiàn)第章年版的第章

j)(9,20069)。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專(zhuān)利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專(zhuān)利的責(zé)任

。。

本文件由全國(guó)微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC38)。

本文件起草單位北京科技大學(xué)中國(guó)航發(fā)北京航空材料研究院

:、。

本文件主要起草人柳得櫓婁艷芝

:、。

本文件于年首次發(fā)布為本次為第一次修訂

2006GB/T20724—2006,。

Ⅲ

GB/T20724—2021

引言

大量新材料的研制開(kāi)發(fā)以及性能特征評(píng)估和控制等都需要在微米納米尺度上對(duì)其顯微組織特征

、

進(jìn)行分析測(cè)定特別是薄晶體試樣或納米尺度粉體顆粒等材料厚度的測(cè)定薄晶體厚度的測(cè)定方法有

,、。

若干種目前會(huì)聚束電子衍射方法在適當(dāng)工作條件下測(cè)定薄晶體厚度的相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差可以達(dá)

,(CBED)

到約是材料分析中非常重要的方法現(xiàn)在我國(guó)在科研院所高等院校大型企業(yè)和各省市分析測(cè)

2%,。、、

試中心等處的實(shí)驗(yàn)室都裝備了許多透射電子顯微鏡掃描透射電子顯微鏡電子衍射技

/(TEM/STEM),

術(shù)廣泛應(yīng)用于對(duì)各種材料尤其是新材料和納米材料的分析研究中

。

為了規(guī)范應(yīng)用會(huì)聚束電子衍射技術(shù)測(cè)定材料薄晶體厚度的方法年發(fā)布了

,2006GB/T20724—

該標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)實(shí)施十幾年在此期間材料研究水平以及分析技術(shù)和儀器設(shè)備均有很大發(fā)展與進(jìn)步

2006,,,,

尤其是新材料的開(kāi)發(fā)應(yīng)用對(duì)微束分析方法提出了更高的要求為了適應(yīng)我國(guó)科學(xué)技術(shù)以及工業(yè)化發(fā)展

。

趨勢(shì)對(duì)材料科學(xué)與微觀分析的需求對(duì)進(jìn)行了修訂

,GB/T20724—2006。

Ⅳ

GB/T20724—2021

微束分析薄晶體厚度的

會(huì)聚束電子衍射測(cè)定方法

1范圍

本文件描述了用透射電子顯微鏡掃描透射電子顯微鏡測(cè)定薄晶體試樣厚度的會(huì)聚束電子衍射

/

方法

。

本文件適用于測(cè)定線度為幾十納米至幾百微米厚度在幾十納米至幾百納米范圍內(nèi)的薄晶體試樣

、

厚度

。

注由于透射電子顯微鏡薄試樣的厚度往往不均勻用會(huì)聚束衍射方法測(cè)定的是試樣被電子束照明區(qū)的局域厚度

:,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

微束分析分析電子顯微術(shù)透射電鏡選區(qū)電子衍射分析方法

GB/T18907—2013

測(cè)量不確定度評(píng)定和表示

GB/T27418—2017

微束分析分析電子顯微術(shù)術(shù)語(yǔ)

ISO15932:2013(Microbeamanalysis—Analyticalelectron

microscopy—Vocabulary)

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

ISO15932:2013。

31

.

會(huì)聚束電子衍射convergentbeamelectrondiffractionCBED

;

應(yīng)用會(huì)聚的電子束獲得衍射花樣的技術(shù)

。

注由于入射電子束的孔徑角較大