犐犆犛２９．１２０．５０

犓３１

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜１３５３９．４—２００９／犐犈犆６０２６９４：２００６

代替ＧＢ／Ｔ１３５３９．４—２００５、ＧＢ／Ｔ１３５３９．７—２００５

低壓熔斷器第４部分：

半導體設備保護用熔斷體的補充要求

犔狅狑狏狅犾狋犪犵犲犳狌狊犲狊—犘犪狉狋４：犛狌狆狆犾犲犿犲狀狋犪狉狔

狉犲狇狌犻狉犲犿犲狀狋狊犳狅狉犳狌狊犲犾犻狀犽狊犳狅狉狋犺犲狆狉狅狋犲犮狋犻狅狀狅犳狊犲犿犻犮狅狀犱狌犮狋狅狉犱犲狏犻犮犲狊

（ＩＥＣ６０２６９４：２００６，ＩＤＴ）

２００９０４２１發(fā)布２００９１１０１實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

書

犌犅／犜１３５３９．４—２００９／犐犈犆６０２６９４：２００６

目次

前言!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!Ⅰ

１總則!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１

２術語和定義!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!２

３正常工作條件!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!２

４分類!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!３

５熔斷器特性!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!３

６標志!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!５

７設計的標準條件!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!６

８試驗!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!６

附錄Ａ（資料性附錄）熔斷體和半導體設備的配合導則!!!!!!!!!!!!!!!!!!１６

附錄Ｂ（規(guī)范性附錄）制造廠應在產(chǎn)品使用說明書（樣本）中列出的半導體設備保護用熔斷體

的資料!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!２０

附錄Ｃ（規(guī)范性附錄）半導體設備保護用標準化熔斷體示例!!!!!!!!!!!!!!!!２１

書

犌犅／犜１３５３９．４—２００９／犐犈犆６０２６９４：２００６

前言

ＧＢ１３５３９《低壓熔斷器》預計分為五個部分：

———第１部分：基本要求；

———第２部分：專職人員使用的熔斷器的補充要求（主要用于工業(yè)的熔斷器）標準化熔斷器系統(tǒng)示

例Ａ至Ｉ；

———第３部分：非熟練人員使用的熔斷器的補充要求（主要用于家用和類似用途的熔斷器）標準化

熔斷器系統(tǒng)示例Ａ至Ｆ；

———第４部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求；

———第５部分：低壓熔斷器應用指南。

本部分為ＧＢ１３５３９的第４部分，本部分等同采用ＩＥＣ６０２６９４：２００６《低壓熔斷器第４部分：半導

體設備保護用熔斷體的補充要求》（英文版）。

為便于使用，本部分作了下列編輯性修改：

———刪除國際標準的前言和引言；

———刪除原表、圖及部分條款下的編輯性注釋；

———原７．４中倒數(shù)第二行“熔體不應熔化”疑有誤，改為“熔斷體不應熔斷”；

———原圖１０２“約定試驗裝置舉例”中右圖上標③疑有誤，改為②。

本部分與ＧＢ１３５３９．１—２００８一起使用。本部分的條款號與ＧＢ１３５３９．１相對應。

本部分代替ＧＢ／Ｔ１３５３９．４—２００５《低壓熔斷器第４部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求》

和ＧＢ／Ｔ１３５３９．７—２００５《低壓熔斷器第４部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求第１至３篇：

標準化熔斷體示例》。本部分主要由原ＧＢ／Ｔ１３５３９．４及ＧＢ／Ｔ１３５３９．７全部內(nèi)容合并而成。

本部分與ＧＢ／Ｔ１３５３９．４—２００５和ＧＢ／Ｔ１３５３９．７—２００５相比主要變化如下：

———原ＧＢ／Ｔ１３５３９．４—２００５中附錄Ａ規(guī)范性附錄改為資料性附錄，原附錄Ｂ資料性附錄改為規(guī)

范性附錄；原ＧＢ／Ｔ１３５３９．７—２００５內(nèi)容改為本部分附錄Ｃ內(nèi)容；

———圖Ｃ．２表中原“Ｆ最大值”改為“Ｆ名義值”；

———圖Ｃ．７表中最后一欄Ｈ最大值倒數(shù)第６行，原為“０．４”，現(xiàn)改為“３３．４”。

本部分的附錄Ｂ、附錄Ｃ為規(guī)范性附錄，附錄Ａ為資料性附錄。

本部分由中國電器工業(yè)協(xié)會提出。

本部分由全國熔斷器標準化技術委員會（ＳＡＣ／ＴＣ３４０）歸口。

本部分負責起草單位：上海電器科學研究所（集團）有限公司。

本部分參加起草單位：上海電器陶瓷廠有限公司、西安西整熔斷器廠、浙江西熔電氣有限公司、人民

電器集團有限公司、樂清市滬熔特種熔斷器有限公司。

本部分主要起草人：季慧玉、吳慶云。

本部分參加起草人：林海鷗、劉雙庫、李全安、郎建才、黃章武、鄭愛國。

本部分所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ１３５３９．４—１９９２、ＧＢ／Ｔ１３５３９．４—２００５；

———ＧＢ／Ｔ１３５３９．７—２００５。

Ⅰ

犌犅／犜１３５３９．４—２００９／犐犈犆６０２６９４：２００６

低壓熔斷器第４部分：

半導體設備保護用熔斷體的補充要求

１總則

除ＧＢ１３５３９．１—２００８規(guī)定外，補充下列要求。

半導體設備保護用的熔斷體應符合ＧＢ１３５３９．１—２００８的所有要求，下文中沒有另外指明的，也應

符合本部分規(guī)定的補充要求。

１．１范圍和目的

本部分的補充要求適用于安裝在具有半導體裝置的設備上的熔斷體，該熔斷體適用于標稱電壓不

超過交流１０００Ｖ或直流１５００Ｖ的電路。如適用，還可用于更高的標稱電壓的電路。

注１：此類熔斷體通常稱為“半導體熔斷體”。

注２：在多數(shù)情況下，組合設備的一部分可用作熔斷器底座。由于設備的多樣性，難以作出一般的規(guī)定；組合設備是

否適合作熔斷器底座，應由用戶與制造廠協(xié)商。但是，如果采用獨立的熔斷器底座或熔斷器支持件，他們應符

合ＧＢ１３５３９．１—２００８的相關要求。

本部分的目的是確定半導體熔斷體的特性，從而在相同尺寸的前提下，可以用具有相同特性的其他

型式的熔斷體替換半導體熔斷體。因此，本部分中特別規(guī)定了：

ａ）熔斷體的下列特性：

１）額定值；

２）正常工作時的溫升；

３）耗散功率；

４）時間電流特性；

５）分斷能力；

６）截斷電流特性和犐２狋特性；

７）電弧電壓極限值。

ｂ）驗證熔斷體特性的型式試驗；

ｃ）熔斷體標志；

ｄ）應提