標準解讀

《GB/T 11071-1989 區(qū)熔鍺錠》是中國一項關(guān)于區(qū)熔鍺錠的質(zhì)量標準，該標準詳細規(guī)定了區(qū)熔鍺錠的技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及標志、包裝、運輸和儲存要求。以下是標準內(nèi)容的具體展開：

  1. 范圍：本標準適用于以金屬鍺為原料，通過區(qū)域熔煉法生產(chǎn)的鍺錠。它明確了標準的適用對象，即區(qū)熔法制備的鍺錠產(chǎn)品。

  2. 引用標準：列出了實施本標準時所依據(jù)或參考的其他相關(guān)國家標準和行業(yè)標準，確保各項測試和評判有據(jù)可依。

  3. 定義：對“區(qū)熔鍺錠”等專業(yè)術(shù)語進行明確界定，幫助讀者理解標準中涉及的概念。

  4. 技術(shù)要求：

    • 化學成分：規(guī)定了鍺錠中鍺的純度要求以及其他雜質(zhì)元素的最大允許含量，確保材料的高質(zhì)量。
    • 外觀：描述了鍺錠應(yīng)具備的外觀特征，如表面應(yīng)平整、無裂紋、夾雜物等缺陷。
    • 尺寸、重量和形狀：規(guī)定了鍺錠的標準尺寸、允許的重量范圍及形狀要求，便于統(tǒng)一生產(chǎn)和使用。

  5. 試驗方法：

    • 化學分析：提供了測定鍺錠中各種元素含量的具體分析方法，確保檢測結(jié)果的準確性和可重復(fù)性。
    • 物理性能測試：包括但不限于密度、晶體結(jié)構(gòu)等的測試方法，用以評估鍺錠的物理特性是否符合標準。

  6. 檢驗規(guī)則：

    • 抽樣：說明了如何進行產(chǎn)品抽樣，以確保檢驗的代表性。
    • 合格判定：依據(jù)試驗結(jié)果，制定了產(chǎn)品合格與否的判定準則。

  7. 標志、包裝、運輸和儲存：

    • 標志：要求在鍺錠或包裝上清晰標注產(chǎn)品信息，如生產(chǎn)廠名、批號、凈重、執(zhí)行標準等。
    • 包裝：規(guī)定了包裝材料、方式及標識要求，以保護產(chǎn)品在運輸和儲存過程中的安全和質(zhì)量。
    • 運輸：提出了運輸過程中應(yīng)避免的條件和操作要求，以防產(chǎn)品損壞。
    • 儲存：說明了適宜的儲存環(huán)境條件，以維持鍺錠的原有品質(zhì)。

該標準旨在統(tǒng)一區(qū)熔鍺錠的產(chǎn)品質(zhì)量和檢驗流程，為生產(chǎn)、交易及應(yīng)用提供技術(shù)依據(jù)，保障市場秩序和產(chǎn)品質(zhì)量安全。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替
  • 1989-03-31 頒布
  • 1990-02-01 實施
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文檔簡介

UDC669.783H81中華人民共和國國家標準GB11071-89熔錯鏡區(qū)Zone-refinedgermaniumingot1989-03-31發(fā)布1990-02-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標準區(qū)GB11071-89Zone-retinedgermaniumingot主題內(nèi)客與適用范圍本標準規(guī)定了區(qū)熔錯的產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗方法及檢驗規(guī)則等。本標準適用于以還原錯鍵及錯單品返料為原料，經(jīng)區(qū)熔提純而制得的錯鍵。產(chǎn)品供制備半導體錯單晶、光學用錯晶體和錯合金等用。引用標準GB4326非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法GB5253鋪單品電阻率直流兩探針測量方法GB11070還原錯徒3產(chǎn)品分類3.1牌號表示為：ZGe表示區(qū)熔錯鏡阿拉伯數(shù)字表示產(chǎn)品等級。3.2錯鏡的橫截面為梯形，其外形尺寸如表1.同一根籠的最大與最小截面之差不大于平均截面的15%。mm請笠的梯形橫截面尺寸上寬不小于下寬，不小于商不小手262123100~5003.3對錯鍵尺寸和形狀有特殊要求時，供需雙方可另行商定。3.4產(chǎn)品按物理參數(shù)分為ZGe-1和ZGe-2兩個牌號。4.技術(shù)要求41產(chǎn)品的牌號、電阻率和檢測單品的載流子濃度和載流子遷移率應(yīng)符合表2的規(guī)定中國有色金層工

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