ICS7715099

CCSH.62.

中華人民共和國國家標準

GB/T10117—2021

代替GB/T10117—2009

高純銻

Highpurityantimonium

2021-12-31發(fā)布2022-07-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T10117—2021

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替高純銻與相比除結構調整和編輯性改動

GB/T10117—2009《》,GB/T10117—2009,

外主要技術變化如下

,:

更改了適用范圍見第章年版的第章

a)(1,20091);

更改了化學成分中雜質元素的要求增加了雜質含量的要求

b)As、Au、Pb,B、Na、Al、Ca、Ga、Sn

見年版的

(5.1,20093.2);

增加了關于含量雜質含量總和的說明見表

c)Sb、(1);

更改了外觀質量的要求見年版的

d)(5.2,20093.3);

更改了試驗方法的內容見第章年版的第章

e)(6,20094);

更改了檢查和驗收的內容見年版的

f)(7.1,20095.1);

更改了組批的規(guī)定見年版的

g)(7.2,20095.2);

增加了檢驗項目的內容見

h)(7.3);

更改了取樣制樣的要求見年版的

i)、(7.4,20095.3);

增加了化學成分檢驗結果數值修約與判定的要求見

j)(7.5.1);

更改了外觀質量的檢驗結果判定見年版的

k)(7.5.3,20095.4);

更改了標志的內容見年版的

l)(8.1,20096.2);

刪除了具體包裝規(guī)格的要求見年版的

m)(20096.1.1);

刪除了說明事項見年版的

n)(20096.5);

更改了隨行文件的內容見年版的

o)(8.5,20096.6)。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位峨眉山市峨半高純材料有限公司峨嵋半導體材料研究所廣東先導稀材股份有

:、、

限公司有研國晶輝新材料有限公司云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司江蘇秦烯新材料有限公司

、、、。

本文件主要起草人張程朱君黎亞文雷聰曾洪肖偉微李強張勝樂衛(wèi)華黃文文柴晨

:、、、、、、、、、、、

普世坤何建軍

、。

本文件及其所代替文件的歷次版本發(fā)布情況為

:

年首次發(fā)布為年第一次修訂

———1988GB/T10117—1988,2009;

本次為第二次修訂

———。

Ⅰ

GB/T10117—2021

高純銻

1范圍

本文件規(guī)定了高純銻的分類技術要求試驗方法檢驗規(guī)則標志包裝運輸貯存隨行文件及訂

、、、、、、、、

貨單內容

。

本文件適用于以工業(yè)銻為原料經氯化精餾氫氣還原真空蒸餾區(qū)域熔煉或直拉提純生產工藝

,、、、、

制備的高純銻

。

注高純銻主要用于制備族化合物半導體材料高純合金熱電致冷元件以及用作硅鍺單晶的摻雜劑

:Ⅲ-Ⅴ、、,、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

數值修約規(guī)則與極限數值的表示和判定

GB/T8170

高純銻化學分析方法鎂鋅鎳銅銀鎘鐵硫砷金錳鉛鉍硅硒含量的測

YS/T35、、、、、、、、、、、、、、

定高質量分辨率輝光放電質譜法

3術語和定義

本文件沒有需要界定的術語和定義

。

4分類

高純銻按照化學成分分為兩個牌號

Sb-05、Sb-06。

5技術要求

51化學成分

.

高純銻的化學成分應符合表的規(guī)定

1。

表1化學成分