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文檔簡介

1、電鍍硬鉻理論知識一、銘鍍層的特征1、銘鍍層的物理性能及化學(xué)性能銘鍍層的顏色為略帶淺藍(lán)色的銀白色。銘鍍層有優(yōu)秀的特征,比如,硬度高、耐熱、耐酸、耐堿、耐 硫化物、耐有機(jī)酸、順磁、不變色;銘鍍層的摩擦系數(shù)低,特別是干摩擦系數(shù)在所有金屬中是最低的,所 以,銘鍍層擁有很好的耐磨性;銘鍍層與橡膠、膠木、塑料等非金屬資料黏附力差。所以,這種資料的模 具采納電鍍銘后簡單脫模,且模具表面粗拙值越小,壓制產(chǎn)品的亮度越高、越雅觀,模具使用壽命也可提 升。2、銘鍍層的硬度和應(yīng)力在正常鍍銘工藝條件下,銘鍍層硬度為HRC55HRC65和HV750HV1200。電鍍銘比由高溫冶金法獲 取的金屬銘硬度高得多,最硬的銘鍍層可

2、達(dá)到剛玉的硬度,比其余的現(xiàn)有電鍍層硬度都高。比如,它是 鐵、鉆和鎳硬度的2倍左右。它的硬度比經(jīng)過滲碳、滲氮、碳氮共滲、硬化辦理的鋼以及經(jīng)過熱辦理的合金 構(gòu)造鋼的硬度都高。電鍍時的氫、外來離子的性質(zhì)、內(nèi)應(yīng)力增添是銘鍍層擁有高硬度的主要要素。資料抵擋硬物壓入表面的能力叫做硬度。在測定鍍層硬度時,常使用維氏硬度計(jì),可依據(jù)鍍層厚度只 要5200gf的小壓荷使壓痕深度達(dá)到鍍層厚度的1/71/10,在鍍層斷面上測定硬度時,能夠針對鍍層厚 度選擇適合的壓荷,測度方法相同,測出的硬度偏差較小。加厚銘鍍層假如大于100 mm時可采納洛氏硬度計(jì), 在非工作面長進(jìn)行測定銘鍍層硬度。這種方法測準(zhǔn)時能夠直接看出銘鍍層的

3、硬度,使用較方便。在電鍍過程中,因?yàn)楦鞣N原由惹起鍍層晶體構(gòu)造的變化,常會使鍍層有伸長或縮短的趨向,但因鍍層已 被固定在基體上,促進(jìn)鍍層處于受力狀態(tài),這種作用于鍍層單位面積的力稱為內(nèi)應(yīng)力。在鍍銘過程中應(yīng) 力的產(chǎn)生,主假如電析應(yīng)力。銘鍍層結(jié)協(xié)力很好,而在早期電析應(yīng)力特別大,能夠察看到2940Mpa以上的張應(yīng)力,同時跟著鍍層的增厚其實(shí)不會轉(zhuǎn)變?yōu)閴簯?yīng)力,但這些都不影響銘鍍層的結(jié)協(xié)力。所以銘鍍層結(jié)協(xié) 力差,主假如因?yàn)榛w表面潔凈工作沒有做好,而電析應(yīng)力不是致使結(jié)協(xié)力差的原由。3、銘鍍層的耐磨性銘鍍層因?yàn)橛衅涮貏e的構(gòu)造而形成很高的硬度,因?yàn)橛捕雀?,使耐磨性也提升。但銘鍍層的耐磨性?害,不只是是硬度,還有

4、金屬的延展性和彈性等也是耐磨性的決定要素。經(jīng)過試驗(yàn)以為銘鍍層的維氏硬度 為HV750HV800時擁有較大的耐磨性。鍍銘層厚度與耐磨性有必定關(guān)系,同時對使用壽命也有直接的影響。使用壽命與厚度固然不完整成比例關(guān)系,可是厚度減小,使用壽命就會大大縮短。假如考慮表面耐磨性,則要示銘鍍層厚度大于7.5 umo受沖擊的部件,銘鍍層厚度不該小于15 山。關(guān)于鋁合金的熱沖模,鍍銘后能降低黏附性,以上壓模銘鍍層厚度往常為1020 mm。橡膠模具和塑料模具銘鍍層厚度只需求35 mm即可,橡膠模具和塑料模具經(jīng)鍍銘后,使用壽命將延伸 510倍。銘鍍層擁有較低的摩擦系數(shù),尢其銘的干性摩擦系數(shù)與所有電鍍金屬層 對比是最低

5、的。銘鍍層與鋼鐵資料的摩擦系數(shù)為二、鍍銘溶液的構(gòu)成1、銘酐(CrO3)(分子量:76 )銘酐的水溶液是銘酸,它是電解液的主要成分。因鍍銘工藝采納不溶性陽極,所以它是銘層的獨(dú)一來源。鍍硬銘所用的電解液含銘酐量一般在200g/L300g/L之間,在標(biāo)準(zhǔn)鍍銘電解液中含銘酐為250g/L,此中大概 含銘 125g/L。2、硫酸(H SO )(分子量:66 )24Cr4242蘭離子能在陰極Cr4242蘭離子能在陰極CrO 4 Cr(OH)CrO4的薄膜溶解,使+ Cr(OH)CrO4的薄膜溶解,使當(dāng)鍍銘溶液的酸度為pH值為3時,能有堿式銘酸銘Cr(OH) 3 Cr(OH)CrO 4的薄膜存在,沒有硫酸鹽

6、時,該堿式銘酸銘的薄膜轉(zhuǎn)向陰極,并給它包上能透過氫離子的膠體薄膜。硫酸鹽的作用就是利用它的吸附作用,減低膠體的電流密度,防止在陰極上形成堅(jiān)固附著的膠體層。所以,在陰極表面上,其余離子就有了復(fù)原的可能。假如純真考慮到負(fù)電荷的SO42-與陰極表面互相作用,則難以相信SO42-離子能抵達(dá)陰極表面。因?yàn)榱蛩岣⊿O42-)離子的尺寸不而電荷高,所以簡單被正電荷的膠體所汲取,并馬上與三價銘生成綠色的而無反響能力的陽離子團(tuán)Cr4O(SO 4)4 (H2O)42+,這種離子團(tuán)能經(jīng)過薄膜而不發(fā)生明顯變化,抵達(dá)陰極表 面以后,離子放電,而硫酸根離子變?yōu)橛坞x狀態(tài)。生產(chǎn)實(shí)踐證明,為了獲取高質(zhì)量的銘鍍層應(yīng)十分注意鍍液

7、中的銘酐與催化劑的濃度比,而關(guān)于催化劑絕對含量相對而言其實(shí)不那么重要。當(dāng)CrO3/SO42-為100 : 1時,電流效率最大。當(dāng)CrO 3/SO 42-小于100 : 1時,鍍層的光明性和致密性有所提升。但鍍液的電流效率和分別能力下降。當(dāng)CrO 3 /SO42-小于或等于50 : 1時,因?yàn)榇呋瘎┖科?,使陰極膠體膜的溶解速度大于生成速度,陰極電勢達(dá)不到銘的析出電勢,致使局部以致所有沒有銘的堆積,鍍液的電流效率降低,分別能力明顯惡化,并且鍍液顏色變暗,陰極鄰近產(chǎn)生渺小的氫氣泡;當(dāng)CrO2-大于100 : 1時,SO42-含量不足,/SO鍍層的光明性鍍液的電流效率降低;若比值超出200 : 1

8、,SO42-含量嚴(yán)重不足,在鍍層上會產(chǎn)生黑色條紋,銘鍍層表面會出現(xiàn)粗拙的小顆粒,光彩性差,鍍液顏色也會變淡,陰極鄰近將產(chǎn)生大批氫氣泡,并會產(chǎn)生剝落現(xiàn)象。因?yàn)镾O42 -含量太低,陰極表面上只有極少部位的膜被溶解,即成膜的速度大于溶解的速度,銘的析出受阻或在局部地域放電長大,所以獲取的鍍層粗拙。3、氟硅酸鈉(Na 2SiF6)(分子量:188 )氟硅酸根離子在電鍍過程中起著與硫酸根離子相像的作用,但氟硅酸根離子還有其獨(dú)到長處。比如,銘 鍍層簡單鈍化,常常在鍍銘過程中電流中止或進(jìn)行二次鍍銘時,所獲取的鍍層為乳白色而無光彩;而有氟硅 酸根離子存在時,所獲取的銘鍍是光明的,因?yàn)樗鼡碛惺广戝儗颖砻婊罨?/p>

9、作用。采納含氟硅酸根離子的鍍液比標(biāo)準(zhǔn)鍍銘溶液優(yōu)勝,當(dāng)鍍液溫度在土 5 C時,相同能獲取光彩仔細(xì)的銘鍍層,并且比標(biāo)準(zhǔn)鍍銘溶液 所獲取銘鍍層光彩雅觀,為帶有淺藍(lán)銀白色的光明銘鍍層。三、鍍銘工藝過程與原理(一)鍍銘工藝的主要特色從常用的銘酸電解液中電鍍銘,其工藝特色以下:1、鍍銘電解液的主要成分不是金屬銘鹽,而是銘酸。2、鍍銘電解液中一定加入少許擁有催化作用的陰離子,如硫酸根、氟硅酸根離子等,才能使電鍍過 程正常進(jìn)行。3、電解液的分別能力很低,不易獲取平均的鍍層。要想等到厚度平均的鍍層,一定采納適合的夾具、 象形陽極、協(xié)助陰極或絕緣障蔽等舉措。4、 鍍銘使用的電流密度很高,電流密度常在20A/dm

10、2以上;鍍銘槽電壓較高,往常 612V。5、 鍍銘電解液的電流效率較低,一般鍍銘電解液的電流效率在20%左右。6、陽極采納鉛、鉛一銻合金或鉛一錫合金等做不溶性陽極,不可以用金屬銘作陽極。7、工藝參數(shù)對鍍銘層性質(zhì)有影響,采納不一樣的電流密度和溫度,可獲取不一樣性質(zhì)的鍍銘層。鍍銘過程還有三個特別現(xiàn)象:陰極電流效率隨銘酸濃度的高升而降落,降溫度高升而降落,隨陰極電 流密度的高升而高升。鍍銘工藝尚存在的問題:1、銘酸有較高的毒性,對人的身體危害甚大,廢氣和廢液一定經(jīng)過辦理,因此耗費(fèi)許多。2、因?yàn)殡娏餍屎艿停垭妷河指?,所以電能耗費(fèi)較大。3、因?yàn)槭褂酶唠娏髅芏?,所以電源設(shè)施投資增添。4、因?yàn)椴杉{不溶

11、性陽極,耗費(fèi)的金屬銘需常常增補(bǔ)銘酐,才能保持電解液中各成分的相對穩(wěn)固。5、因?yàn)殛帢O大批析氫,鍍層和基體金屬產(chǎn)生氫脆。6、鍍層孔隙率高,鍍層裂紋通基層。(二)鍍銘的電極過程銘酸酐中的銘是以六價形式存在,銘酸酐易溶于水成為銘酸,該水溶液是一種強(qiáng)酸。跟著銘酸酐濃度的不一樣,溶液中的六價銘能夠以多種形式存在。一般狀況下(CrO3200400g/L ),溶液中的六價銘主假如以銘酸(H 2CrO4 )和重銘酸(H 2Cr2O7)的形式存在:2CrO3+H2O - H2Cr2O7CrO3 +H2O H2CrO4銘酸在水溶液中分二步電離:H2CrO4 HCrO4 _+H +4 -42-+田-6HCrOCrOK

12、=10當(dāng)鍍液的pH值當(dāng)鍍液的pH值V 1, 列均衡:Cr2O72-為主要存在形式;當(dāng)pH值為26時,Cr 2O72-與HCrO 4 -之間存在著下增添CrO3或降低pH值Cr2O72-+H2O =2HCrO4-i 2CrO42- +2H+加水稀釋或高升pH值當(dāng)pH值6時,CrO42-為主要存在形式。1、鍍銘過程的陰極反響鍍銘過程的陰極極化曲線如圖1所示。曲線的門路存在著三個以上以上的折點(diǎn),即極化曲線出現(xiàn)回行程,這是因?yàn)殄円褐胁灰粯与x子放電的結(jié)果。圖1中曲線1:第一段曲線(ab段),當(dāng)陰極電位比較正時,陰極上沒有金屬銘析出,也看不到氫氣泡的產(chǎn)生,此時陰極表面鄰近的 pH值V 1,所以陰極區(qū)中的離

13、子以Cr2O72為主。所進(jìn)行的電極反響是 Cr2O; -中的Cr(W )復(fù)原為。其反響式為Cr2O72-+14H+6e 2Cr3+ +7H2O因?yàn)樯鲜龇错懀?所以在陰極表面鄰近及鍍液中存在著Cr3 +,跟著陰極電位向負(fù)方向挪動,該反響的速度加速,達(dá)到b點(diǎn)便到了最大值。CEPE蕓;洛堪嘗豪CEPE蕓;洛堪嘗豪0.4 0.2 0 -0.2 -0.4 -0.6T0 陰極電極電位(-R四圖1鍍銘過程的陰極極化曲線圖1中曲線2:第二段曲線(bc段),當(dāng)達(dá)到b點(diǎn)此后,跟著陰極電位持續(xù)變負(fù),除六價銘復(fù)原為三價 銘外,在陰極上發(fā)現(xiàn)還有氫氣析出,其反響式為2H + +2e2 因?yàn)槲鰵涞漠a(chǎn)生,陰極鍍液pH值增至2

14、2.6,這切合重銘酸轉(zhuǎn)變?yōu)殂懰岬姆错憲l件,使更多的 Cr2O7-向CrO42 -轉(zhuǎn)變,從曲線上能夠明顯地察看到,跟著陰極電位變負(fù),表征反響電極反響速度的電流密度卻 跟著電極電位的變負(fù)而降低,明顯有物質(zhì)阻滯了電化學(xué)反響速度,這是因?yàn)殛帢O膠體膜的形成阻擋電極反 響速度。陰極膠體膜理論:在陰極極化曲線b點(diǎn)此后,因?yàn)镠2的析出,致使近陰極區(qū)pH值增高,當(dāng)pH值達(dá)到3左右時,近陰極區(qū)的Cr 生成了 Cr(OH) 3膠體沉淀,并與Cr( W )組成了堿式銘酸鉻Cr(OH) 3 Cr(OH)CrO 4,這是一種橘黃色的堿式黏膜物質(zhì),稱為膠體膜或陰極膜。這種膠體膜致密而平均地吸附在陰極表面,它只同意半徑較小的

15、H+經(jīng)過膠體膜放電,而的HCrO 4 -放電遇到阻擋,使陰極極化顯著增添,電流密度明顯降低。假如電解液中沒有硫酸存在,pH值較高,沒有Cr(W )復(fù)原為Cr3 +的過程,H2的析出阻擋了的Cr析出。當(dāng)鍍液中有硫酸存在時,硫酸對陰極膠體有必定的溶解作用。所以,近陰極 區(qū)膠體膜處于不停形成與不停溶解的動向過程。圖1中曲線3 :第三段曲線(cd段),跟著陰極電極電位進(jìn)一步提升,pH值持續(xù)高升,并且Cr2向CrO42-方向轉(zhuǎn)移更多。當(dāng)達(dá)到c點(diǎn)此后,起初吸附的Cr2 72完整被CrO42-代替。在陰極除了發(fā)生上述O兩種反響外,開始堆積銘,其反響式為4役+4改+CrOO 6e f Cr 8OH此時,在陰極

16、上三個反響同時進(jìn)行,跟著陰極電極電位的負(fù)移,陰極電流快速上長,反響速度加速, 生成金屬銘的反響占的比重漸漸增大,即跟著陰極電流密度的增大,陰極電流效率增添。因?yàn)樵阱冦懭芤褐校帢O上銘的實(shí)質(zhì)析出電位(一1.1V )比氫的實(shí)質(zhì)析出電位(一0.6V )和Cr( W ) fCr3 +的復(fù)原反響電位(一0.1V )負(fù)得多。這就決定了鍍銘過程中必定有氫的析出和Cr3+的復(fù)原反響存在。正因?yàn)殂懙膶?shí)質(zhì)析出電位很負(fù),銘表面上的析氫過電壓較低,所以大批地放出氫氣,有 60%70%電流耗費(fèi)在放出氫氣的過程中,10%20%的電流耗費(fèi)在生成三價銘的過程中,只有百分之幾到百分之十幾才用于鍍出 的銘上。這就是鍍銘電流效率低

17、的根來源因。2、鍍銘過程的陽極反響鉛與鉛合金陽極會與鍍銘溶液互相作用,生成溶解度很小、導(dǎo)電性很差的黃色銘酸鉛(PbCrO 4)膜,這種陽極膜會影響鍍銘過程的正常進(jìn)行,所以一定常常洗漱陽極。不鍍銘時,應(yīng)將陽極拿出,不然將遭到 銘酸浸蝕而在其表面形成黃色銘酸鉛(PbCrO 4 )膜,使槽電壓高升,嚴(yán)重時造成陽極不導(dǎo)電。在陽極長進(jìn)行的反響有:4OH-f2H4OH-f2H?O +。2 f+ 4e2Cr3-+7H2Of Cr2O72 - +14H + + 6ePb +2H2O f PbO 2+4H+4e由上述反響可知,鍍銘過程中陽極不停放出氧氣,并且生成暗褐色的二氧化鉛膜,以及三價銘氧化成六價 銘。生成

18、氧氣是陽極過程的主要反響,當(dāng)電流密度較低時,有益于三價銘氧化成六價銘反響的進(jìn)行。所以,當(dāng)鍍液中三價銘含量過高時,可采納大面積陽極和小面積陰極的方法進(jìn)行電解辦理,以此來降低鍍液 中的三價銘的含量。在平時生產(chǎn)中,控制必定的陽極面積和陰極面積之比,使在陰極上產(chǎn)生過度三價銘基本 上都在陽極被氧化掉,進(jìn)而使鍍液中的三價銘含量保持在必定的范圍內(nèi)。實(shí)踐經(jīng)考證明,陽極面積與陰極面積之比保持在2 : 1或3 : 2較為適合。還需指出,陽極表面覆蓋的一層暗褐色二氧化鉛膜是一種正常 現(xiàn)象。這層膜不一樣于黃色銘酸鉛膜,它可導(dǎo)電并保護(hù)陽極表面免遭銘酸浸蝕而形成難以導(dǎo)電的銘酸鉛黃膜。三、鍍銘工藝過程與原理(一)鍍銘工藝的

19、主要特色從常用的銘酸電解液中電鍍銘,其工藝特色以下:1、鍍銘電解液的主要成分不是金屬銘鹽,而是銘酸。2、鍍銘電解液中一定加入少許擁有催化作用的陰離子,如硫酸根、氟硅酸根離子等,才能使電鍍過 程正常進(jìn)行。3、電解液的分別能力很低,不易獲取平均的鍍層。要想等到厚度平均的鍍層,一定采納適合的夾具、 象形陽極、協(xié)助陰極或絕緣障蔽等舉措。4、 鍍銘使用的電流密度很高,電流密度常在20A/dm 2以上;鍍銘槽電壓較高,往常 612V。5、 鍍銘電解液的電流效率較低,一般鍍銘電解液的電流效率在20%左右。6、陽極采納鉛、鉛一銻合金或鉛一錫合金等做不溶性陽極,不可以用金屬銘作陽極。7、工藝參數(shù)對鍍銘層性質(zhì)有影

20、響,采納不一樣的電流密度和溫度,可獲取不一樣性質(zhì)的鍍銘層。鍍銘過程還有三個特別現(xiàn)象:陰極電流效率隨銘酸濃度的高升而降落,降溫度高升而降落,隨陰極電 流密度的高升而高升。鍍銘工藝尚存在的問題:1、銘酸有較高的毒性,對人的身體危害甚大,廢氣和廢液一定經(jīng)過辦理,因此耗費(fèi)許多。2、因?yàn)殡娏餍屎艿?,而槽電壓又高,所以電能耗費(fèi)較大。3、因?yàn)槭褂酶唠娏髅芏?,所以電源設(shè)施投資增添。4、因?yàn)椴杉{不溶性陽極,耗費(fèi)的金屬銘需常常增補(bǔ)銘酐,才能保持電解液中各成分的相對穩(wěn)固。5、因?yàn)殛帢O大批析氫,鍍層和基體金屬產(chǎn)生氫脆。6、鍍層孔隙率高,鍍層裂紋通基層。(二)鍍銘的電極過程銘酸酐中的銘是以六價形式存在,銘酸酐易溶于水

21、成為銘酸,該水溶液是一種強(qiáng)酸。跟著銘酸酐濃度的不一樣,溶液中的六價銘能夠以多種形式存在。一般狀況下(CrO3200400g/L ),溶液中的六價銘主假如以銘酸(H 2CrO4 )和重銘酸(H 2Cr2O7)的形式存在:2CrO3+H2O H2Cr2O7CrO3 +H2O H2CrO4銘酸在水溶液中分二步電離:iH2CrO4HCrO4 _+H+HCrO4CrO42 + H+ K=10 -6當(dāng)鍍液的pH值V 1,Cr2O7 2-為主要存在形式;當(dāng) pH值為26時,Cr 2O72-與HCrO 4 -之間存在著下 列均衡:增添CrO3或降低pH值、/Cr2O72-+H2O稀-或 2HCrO4-2CrO

22、42-+2H+當(dāng)pH值6時,CrO42-為主要存在形式。1、鍍銘過程的陰極反響鍍銘過程的陰極極化曲線如圖1所示。曲線的門路存在著三個以上以上的折點(diǎn),即極化曲線出現(xiàn)回行程,這是因?yàn)殄円褐胁灰粯与x子放電的結(jié)果。圖1中曲線1:第一段曲線(ab段),當(dāng)陰極電位比較正時,陰極上沒有金屬銘析出,也看不到氫氣22泡的產(chǎn)生,此時陰極表面鄰近的 pH值V1,所以陰極區(qū)中的離子以 Cr2O7 為主。所進(jìn)行的電極反響是Cr2O7 -中的Cr(W )復(fù)原為。其反響式為Cr2O72-+14H+6e 2Cr3 + +7H2OCr3 +,跟著陰極電位向負(fù)方向挪動,該反響的速Cr3 +,跟著陰極電位向負(fù)方向挪動,該反響的速圖

23、1鍍銘過程的陰極極化曲線圖1中曲線2:第二段曲線(bc段),當(dāng)達(dá)到b點(diǎn)此后,跟著陰極電位持續(xù)變負(fù),除六價銘復(fù)原為三價 銘外,在陰極上發(fā)現(xiàn)還有氫氣析出,其反響式為2H + +2e2 因?yàn)槲鰵涞漠a(chǎn)生,陰極鍍液pH值增至22.6,這切合重銘酸轉(zhuǎn)變?yōu)殂懰岬姆错憲l件,使更多的 Cr2O7-向CrO42 -轉(zhuǎn)變,從曲線上能夠明顯地察看到,跟著陰極電位變負(fù),表征反響電極反響速度的電流密度卻 跟著電極電位的變負(fù)而降低,明顯有物質(zhì)阻滯了電化學(xué)反響速度,這是因?yàn)殛帢O膠體膜的形成阻擋電極反 響速度。陰極膠體膜理論:在陰極極化曲線 b點(diǎn)此后,因?yàn)镠2的析出,致使近陰極區(qū)pH值增高,當(dāng)pH值達(dá) 到3左右時,近陰極區(qū)的C

24、r3 +生成了 Cr(OH) 3膠體沉淀,并與Cr( W )組成了堿式銘酸鉻 Cr(OH) 3 Cr(OH)CrO 4,這是一種橘黃色的堿式黏膜物質(zhì),稱為膠體膜或陰極膜。這種膠體膜致密而平均 地吸附在陰極表面,它只同意半徑較小的H+經(jīng)過膠體膜放電,而的HCrO 4 -放電遇到阻擋,使陰極極化顯著增添,電流密度明顯降低。假如電解液中沒有硫酸存在,pH值較高,沒有Cr(W )復(fù)原為Cr3 +的過程,H2的析出阻擋了的Cr析出。當(dāng)鍍液中有硫酸存在時,硫酸對陰極膠體有必定的溶解作用。所以,近陰極 區(qū)膠體膜處于不停形成與不停溶解的動向過程。圖1中曲線3 :第三段曲線(cd段),跟著陰極電極電位進(jìn)一步提升, pH值持續(xù)高升,并且Cr? 72 -O 向CrO42-方向轉(zhuǎn)移更多。當(dāng)達(dá)到 c點(diǎn)此后,起初吸附的 Cr2O72-完整被CrO4 2-代替。在陰極除了發(fā)生上述 兩種反響外,開始堆積銘,其反響式為2-+ 4H+CrO42O 6e - Cr 8OH-此時,在陰極上三個反響同時進(jìn)行,跟著陰極電極電位的負(fù)移,陰極電流快速上長,反響速度加速, 生成金屬銘的反響占的比重漸

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