(71)申請(qǐng)人無(wú)錫極電光能科技有限公司地址214000江蘇省無(wú)錫市錫山經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)東部園大成路1066號(hào)(72)發(fā)明人鎖真陽(yáng)王雪戈邵君(74)專利代理機(jī)構(gòu)北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11201專利代理師徐章偉HO1L51/48(2006.01)狹縫涂布設(shè)備及其使用方法本發(fā)明公開(kāi)了一種狹縫涂布設(shè)備及其使用方法，狹縫涂布設(shè)備包括：基臺(tái)；基片傳送裝置，所述基片設(shè)置在所述基臺(tái)上；多個(gè)涂布單元，所述涂布單元的數(shù)量大于兩個(gè)，所述涂布單元包括涂布刀頭和至少一個(gè)后處理單元；控制裝置，所述控制裝置與多個(gè)所述涂布單元相連，以獨(dú)立控制所述涂布單元的高度；其中，所述后處理單元包括風(fēng)刀處理和加熱處理。通過(guò)多個(gè)涂布單元以及后處理單元相結(jié)合，該涂布設(shè)備可以兼容更多制備多膜層結(jié)構(gòu)組件，如鈣鈦礦太陽(yáng)能組件的各第一方向第二方向2基片傳送裝置，所述基片設(shè)置在所述基臺(tái)上；多個(gè)涂布單元，所述涂布單元的數(shù)量大于兩個(gè)，所述涂布單元包括涂布刀頭和至少一個(gè)后處理單元；控制裝置，所述控制裝置與多個(gè)所述涂布單元相連，以獨(dú)立控制所述涂布單元的高度；其中，所述后處理單元包括風(fēng)刀處理和加熱處理。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的狹縫涂布設(shè)備，其特征在于，所述基臺(tái)包括基臺(tái)控制裝置和多個(gè)基臺(tái)加熱單元，所述多個(gè)基臺(tái)加熱單元的溫度獨(dú)立控制，所述基臺(tái)控制裝置獨(dú)立控制所述基臺(tái)加熱單元沿所述基片運(yùn)動(dòng)方向移動(dòng)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的狹縫涂布設(shè)備，其特征在于，所述加熱處理包括熱結(jié)晶處理和高溫退火處理中的至少之一。4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的狹縫涂布設(shè)備，其特征在于，所述多個(gè)涂布單元包括沿所述基片運(yùn)動(dòng)方向依次設(shè)置的第一涂布單元、第二涂布單元、第三涂布單元以及第四涂布單元。5.一種使用權(quán)利要求4所述的狹縫涂布設(shè)備制備鈣鈦礦光伏組件的方法，其特征在于，包括以下步驟：將預(yù)制有底電極層的基片放置于傳送裝置上；使所述基片依次通過(guò)第一涂布單元、第二涂布單元、第三涂布單元以及第四涂布單元，其中，所述第一涂布單元在所述底電極層上形成第一電荷傳輸層，所述第二涂布單元在所述第一電荷傳輸層上形成第一電荷傳輸鈍化層，所述第三涂布單元在所述第一電荷傳輸鈍化層上形成鈣鈦礦骨架層，所述第四涂布單元在所述鈣鈦礦骨架層上形成鈣鈦礦有機(jī)層，所述鈣鈦礦骨架層與所述鈣鈦礦有機(jī)層反應(yīng)形成鈣鈦礦層。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括：在所述鈣鈦礦層遠(yuǎn)離所述基片的一側(cè)依次形成鈣鈦礦鈍化層、第二電荷傳輸層以及頂電極層。7.一種使用權(quán)利要求4所述的狹縫涂布設(shè)備制備鈣鈦礦光伏組件的方法，其特征在于，包括以下步驟：將預(yù)制有依次設(shè)置的底電極層和第一電荷傳輸層的基片放置于傳送裝置上；使所述基片依次通過(guò)第一涂布單元、第二涂布單元、第三涂布單元以及第四涂布單元，其中，所述第一涂布單元在所述第一電荷傳輸層上形成第一電荷傳輸鈍化層，所述第二涂布單元在所述第一電荷傳輸鈍化層上形成鈣鈦礦骨架層，所述第三涂布單元在所述鈣鈦礦骨架層上形成鈣鈦礦有機(jī)層，所述第四涂布單元在所述鈣鈦礦有機(jī)層上形成鈣鈦礦鈍化層，所述鈣鈦礦骨架層與所述鈣鈦礦有機(jī)層反應(yīng)形成鈣鈦礦層。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括：在所述鈣鈦礦鈍化層遠(yuǎn)離所述基片的一側(cè)依次形成第二電荷傳輸層以及頂電極層。9.一種使用權(quán)利要求4所述的狹縫涂布設(shè)備制備鈣鈦礦光伏組件的方法，其特征在于，包括以下步驟：將預(yù)制有依次設(shè)置的底電極層和第一電荷傳輸層的基片放置于傳送裝置上；使所述基片依次通過(guò)第一涂布單元、第二涂布單元、第三涂布單元以及第四涂布單元，3其中，所述第一涂布單元在所述第一電荷傳輸鈍化層上形成鈣鈦礦骨架層，所述第二涂布單元在所述鈣鈦礦骨架層上形成鈣鈦礦有機(jī)層，所述第三涂布單元在所述鈣鈦礦有機(jī)層上形成鈣鈦礦鈍化層，所述第四涂布單元在所述鈣鈦礦鈍化層上形成第二電荷傳輸層，所述鈣鈦礦骨架層與所述鈣鈦礦有機(jī)層反應(yīng)形成鈣鈦礦層。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括：在所述第二電荷傳輸層遠(yuǎn)離所述基片的一側(cè)形成頂電極層。4技術(shù)領(lǐng)域[0001]本發(fā)明涉及涂布領(lǐng)域，具體地，涉及狹縫涂布設(shè)備和使用狹縫涂布設(shè)備制備鈣鈦礦光伏組件的方法。背景技術(shù)[0002]目前太陽(yáng)能光伏技術(shù)正在急速發(fā)展，光伏技術(shù)為國(guó)家以及世界的節(jié)能減排提供有效的技術(shù)保證，目前光伏技術(shù)主要經(jīng)歷了三代技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展，第一代主要是晶硅太陽(yáng)能電池技術(shù)，晶硅電池的成本較高，并且晶硅電池的實(shí)驗(yàn)室效率已經(jīng)接近理論計(jì)算的極限。從第二代太陽(yáng)電池技術(shù)開(kāi)始演變?yōu)楸∧ぬ?yáng)能電池，主要體現(xiàn)為一些多晶硅和非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池；第三代光伏技術(shù)又有了一定的技術(shù)的革新，主要是一些新型的太陽(yáng)能電池，新型的太陽(yáng)能電池具有發(fā)電效率高，制備成本低廉，較低的重金屬含量等優(yōu)勢(shì)。[0003]近年以來(lái)，鈣鈦礦憑借其優(yōu)異的各項(xiàng)參數(shù)逐漸得到光伏行業(yè)的青睞，它具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率，較低的工藝成本，以及豐富多彩的技術(shù)路線，較低的重金屬含量等優(yōu)勢(shì)。經(jīng)過(guò)測(cè)算，鈣鈦礦太陽(yáng)能組件中每平米鉛的含量?jī)H為晶硅組件的三分之一。并且鈣鈦礦目前的實(shí)驗(yàn)室效率已經(jīng)達(dá)到了25.5%,與晶硅相比差距不大。但是目前的鈣鈦礦光伏組件制備工藝主要為小面積的電池，通常需要反溶劑或者兩步旋涂工藝，這些工藝很難放大到產(chǎn)業(yè)化級(jí)別。[0004]因此，目前的狹縫涂布設(shè)備以及使用狹縫涂布設(shè)備制備鈣鈦礦光伏組件的方法仍有待改進(jìn)。發(fā)明內(nèi)容[0005]本發(fā)明是基于發(fā)明人對(duì)于以下事實(shí)和問(wèn)題的發(fā)現(xiàn)和認(rèn)識(shí)作出的：[0006]目前鈣鈦礦光伏組件的大面積工藝主要可分為兩大類，一類為采用各種溶液式的涂布方式制備鈣鈦礦薄膜，另一類主要表現(xiàn)為真空法制備鈣鈦礦薄膜。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過(guò)將涂布法和真空法相結(jié)合，形成一些干法和濕法的技術(shù)疊加，可以有效提高鈣鈦礦光伏組件的制備效率和制備效果。發(fā)明人進(jìn)一步地發(fā)現(xiàn)，就目前的涂布設(shè)備而言，這些設(shè)備大部分僅有一套涂布刀頭，部分設(shè)備會(huì)提供第二套涂布刀頭，對(duì)于具有多層結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦光伏組件而言，其涂布工藝需要多次多步驟涂布，若使用上述僅具有一套涂布刀頭或兩套涂布刀頭的設(shè)備，每次涂布時(shí)僅能形成一個(gè)或兩個(gè)層結(jié)構(gòu)，需要進(jìn)行多次涂布時(shí)或者增加涂布設(shè)備才能完成鈣鈦礦光伏組件的制備，不利于高效、高產(chǎn)能地進(jìn)行電池的制備，并且增加涂布設(shè)備的數(shù)量或更換涂布設(shè)備的涂布刀頭也會(huì)顯著增加工藝成本以及產(chǎn)線空間等。[0007]本發(fā)明旨在至少一定程度上緩解或解決上述提及問(wèn)題中至少一個(gè)。[0008]在本發(fā)明的一個(gè)方面，本發(fā)明提出了一種狹縫涂布設(shè)備，包括：基臺(tái)；基片傳送裝置，所述基片設(shè)置在所述基臺(tái)上；多個(gè)涂布單元，所述涂布單元的數(shù)量大于兩個(gè)，所述涂布單元包括涂布刀頭和至少一個(gè)后處理單元；控制裝置，所述控制裝置與多個(gè)所述涂布單元相連，以獨(dú)立控制所述涂布單元的高度；其中，所述后處理單元包括風(fēng)刀處理和加熱處理。5[0009]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述基臺(tái)包括基臺(tái)控制裝置和多個(gè)基臺(tái)加熱單元，所述多個(gè)基臺(tái)加熱單元的溫度獨(dú)立控制，所述基臺(tái)控制裝置獨(dú)立控制所述基臺(tái)加熱單元沿所述基片運(yùn)動(dòng)方向移動(dòng)。[0010]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述加熱處理包括熱結(jié)晶處理和高溫退火處理中的至少之[0011]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述多個(gè)涂布單元包括沿所述基片運(yùn)動(dòng)方向依次設(shè)置的第一涂布單元、第二涂布單元、第三涂布單元以及第四涂布單元。[0012]在本發(fā)明的又一個(gè)方面，本發(fā)明提出了一種使用前述的狹縫涂布設(shè)備制備鈣鈦礦光伏組件的方法，包括以下步驟：將預(yù)制有底電極層的基片放置于傳送裝置上；使所述基片依次通過(guò)第一涂布單元、第二涂布單元、第三涂布單元以及第四涂布單元，其中，所述第一涂布單元在所述底電極層上形成第一電荷傳輸層，所述第二涂布單元在所述第一電荷傳輸層上形成第一電荷傳輸鈍化層，所述第三涂布單元在所述第一電荷傳輸鈍化層上形成鈣鈦礦骨架層，所述第四涂布單元在所述鈣鈦礦骨架層上形成鈣鈦礦有機(jī)層，所述鈣鈦礦骨架層與所述鈣鈦礦有機(jī)層反應(yīng)形成鈣鈦礦層。[0013]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，進(jìn)一步包括：在所述鈣鈦礦層遠(yuǎn)離所述基片的一側(cè)依次形成鈣鈦礦鈍化層、第二電荷傳輸層以及頂電極層。[0014]在本發(fā)明的又一個(gè)方面，本發(fā)明提出了一種使用前述的狹縫涂布設(shè)備制備鈣鈦礦光伏組件的方法，包括以下步驟：將預(yù)制有依次設(shè)置的底電極層和第一電荷傳輸層的基片放置于傳送裝置上；使所述基片依次通過(guò)第一涂布單元、第二涂布單元、第三涂布單元以及第四涂布單元，其中，所述第一涂布單元在所述第一電荷傳輸層上形成第一電荷傳輸鈍化層，所述第二涂布單元在所述第一電荷傳輸鈍化層上形成鈣鈦礦骨架層，所述第三涂布單元在所述鈣鈦礦骨架層上形成鈣鈦礦有機(jī)層，所述第四涂布單元在所述鈣鈦礦有機(jī)層上形成鈣鈦礦鈍化層，所述鈣鈦礦骨架層與所述鈣鈦礦有機(jī)層反應(yīng)形成鈣鈦礦層。[0015]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，進(jìn)一步包括：在所述鈣鈦礦鈍化層遠(yuǎn)離所述基片的一側(cè)依次形成第二電荷傳輸層以及頂電極層。[0016]在本發(fā)明的又一個(gè)方面，本發(fā)明提出了一種使用前述的狹縫涂布設(shè)備制備鈣鈦礦光伏組件的方法，包括以下步驟：將預(yù)制有依次設(shè)置的底電極層和第一電荷傳輸層的基片放置于傳送裝置上；使所述基片依次通過(guò)第一涂布單元、第二涂布單元、第三涂布單元以及第四涂布單元，其中，所述第一涂布單元在所述第一電荷傳輸鈍化層上形成鈣鈦礦骨架層，所述第二涂布單元在所述鈣鈦礦骨架層上形成鈣鈦礦有機(jī)層，所述第三涂布單元在所述鈣鈦礦有機(jī)層上形成鈣鈦礦鈍化層，所述第四涂布單元在所述鈣鈦礦鈍化層上形成第二電荷傳輸層，所述鈣鈦礦骨架層與所述鈣鈦礦有機(jī)層反應(yīng)形成鈣鈦礦層。[0017]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，進(jìn)一步包括：在所述第二電荷傳輸層遠(yuǎn)離所述基片的一側(cè)形成頂電極層。[0018]本發(fā)明提出了一種具有多個(gè)涂布單元的狹縫涂布設(shè)備，解決了現(xiàn)有涂布設(shè)備中僅有一至兩套涂布系統(tǒng)不能一次性多步驟涂布的問(wèn)題，同時(shí)通過(guò)后處理單元的加入，減少了單獨(dú)的后處理工藝，有效提高了工藝效率。以涂布法制備鈣鈦礦光伏組件為例，本申請(qǐng)中的狹縫涂布設(shè)備合理地整合了一套完整的涂布工藝設(shè)備，可以一次性多步驟涂布鈣鈦礦光伏組件各膜層，解決了鈣鈦礦薄膜制備的工藝窗口時(shí)間短，不能快速有效對(duì)薄膜進(jìn)行處理的6問(wèn)題，并且同時(shí)能夠加快產(chǎn)線的產(chǎn)能，同等狀態(tài)下能夠節(jié)省工藝設(shè)備成本。附圖說(shuō)明[0019]本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得[0020]圖1顯示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的狹縫涂布設(shè)備的部分結(jié)構(gòu)示意圖；[0021]圖2顯示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的涂布單元的結(jié)構(gòu)示意圖；[0022]圖3顯示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的基臺(tái)的結(jié)構(gòu)示意圖；[0023]圖4顯示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的鈣鈦礦光伏組件的結(jié)構(gòu)示意圖。[0024]圖5顯示了實(shí)施例1中的鈣鈦礦光伏組件的鈣鈦礦層的掃描電鏡圖；[0025]圖6顯示了對(duì)比例1中的鈣鈦礦光伏組件的鈣鈦礦層的掃描電鏡圖。具體實(shí)施方式[0026]下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。[0027]在本發(fā)明的一個(gè)方面，本發(fā)明提出了一種狹縫涂布設(shè)備，參考圖1和圖4,包括：基臺(tái)100;基片傳送裝置200,基片210設(shè)置在基臺(tái)100上；多個(gè)涂布單元，涂布單元的數(shù)量大于兩個(gè)，涂布單元包括涂布刀頭310和至少一個(gè)后處理單元410;控制裝置(圖中未示出),控制裝置與多個(gè)涂布單元相連，以獨(dú)立控制涂布單元的高度；其中，后處理單元410包括風(fēng)刀處理411和加熱處理412中的至少之一。本發(fā)明通過(guò)整合設(shè)計(jì)具有多級(jí)涂布單元的涂布設(shè)備，可以一次涂布形成具有多層結(jié)構(gòu)的薄膜組件，并且通過(guò)針對(duì)涂布單元的結(jié)構(gòu)和功能進(jìn)行設(shè)置，可以將涂布過(guò)程進(jìn)行有效分離，實(shí)現(xiàn)在每層結(jié)構(gòu)的精準(zhǔn)調(diào)控工藝。采用本申請(qǐng)中的狹縫涂布設(shè)置制備薄膜組件時(shí)，以鈣鈦礦薄膜組件為例，可以將鈣鈦礦薄膜的涂布過(guò)程進(jìn)行有效分離，高質(zhì)量的制備鈣鈦礦光伏組件中的鈣鈦礦吸光層、鈍化層以及電荷傳輸層等膜層結(jié)構(gòu)，合理地降低鈣鈦礦光伏組件制備工藝中的產(chǎn)線設(shè)備成本，加快工藝制程。[0028]本發(fā)明提出的狹縫涂布設(shè)備不僅可用于制備鈣鈦礦光伏組件，還可以用于涂布薄膜太陽(yáng)能電池中的各種溶液法制備的薄膜前驅(qū)液的墨水，同時(shí)也可以用于涂布平板顯示以兼容集成電路的各種封裝膜，傳感器等各種需要使用涂布設(shè)備的應(yīng)用領(lǐng)域。[0029]為了便于理解，下面對(duì)本申請(qǐng)中的涂布設(shè)備具有前述有益效果的原理進(jìn)行說(shuō)明：[0030]目前的工業(yè)設(shè)備中通常為單涂布單元或者雙涂布單元的涂布設(shè)備，類設(shè)備的涂布工藝相對(duì)單一。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，針對(duì)多步驟的涂布工藝而言，采用單涂布單元或者雙涂布單元的涂布設(shè)備無(wú)法通過(guò)一次涂布工藝形成完整的層結(jié)構(gòu)，需要額外增加涂布設(shè)備基數(shù)，導(dǎo)致工藝產(chǎn)線成本顯著提高，降低了工藝產(chǎn)線產(chǎn)能。以鈣鈦礦光伏組件的制備為例，采用單涂布單元或者雙涂布單元的涂布設(shè)備制備組件時(shí)，受限于涂布設(shè)備的涂布單元數(shù)量較少，需要將多層結(jié)構(gòu)通過(guò)一個(gè)涂布單元形成，在工藝中還不能更有效地兼容鈣鈦礦的工藝窗口，如包括鈣鈦礦骨架層和鈣鈦礦有機(jī)層的鈣鈦礦吸光層需要將鈣鈦礦骨架層和鈣鈦礦有機(jī)層預(yù)混后，通過(guò)一個(gè)涂布刀頭進(jìn)行涂布，后處理步驟也較為簡(jiǎn)單，無(wú)法將鈣鈦礦骨架層和鈣鈦7礦有機(jī)層分別進(jìn)行涂布，形成的鈣鈦礦吸光層吸光性能較差。[0031]在本申請(qǐng)中，參考圖1,本發(fā)明提出了一種具有多個(gè)涂布單元的涂布設(shè)備，如具有四個(gè)涂布單元的涂布設(shè)備，每個(gè)涂布單元都具有獨(dú)立的供液系統(tǒng)，且每個(gè)涂布單元都分別與控制裝置相連，并可以通過(guò)控制裝置獨(dú)立控制每個(gè)涂布單元的高度。設(shè)備運(yùn)行方向如第一方向所示。參考圖2,每一套涂布單元均可以獨(dú)立傳動(dòng)使用，其中不同時(shí)使用的涂布單元可以通過(guò)控制裝置300(例如步進(jìn)電機(jī)控制軸承),將涂布單元沿第二方向上升至安全高度后關(guān)閉不使用，從而在進(jìn)行涂布時(shí)可以根據(jù)工藝設(shè)計(jì)選擇工作的涂布單元的數(shù)量，其余的涂布單元可升高后關(guān)閉。具體地，以第一涂布單元為例，每個(gè)涂布單元都可以包含涂布刀頭310以及后處理單元410,具有工藝窗口兼容更寬的特點(diǎn)。[0032]總言之，本發(fā)明提出的設(shè)備能夠解決現(xiàn)有的鈣鈦礦光伏組件制備工藝中的不能在一個(gè)涂布設(shè)備上實(shí)現(xiàn)多步驟涂布的問(wèn)題，并且能夠?qū)⑩}鈦礦吸光層的制備工藝進(jìn)行有效地整合，將鈣鈦礦吸光層的涂布過(guò)程進(jìn)行合理的分離涂布，可以有效解決一步涂布或者兩步涂布所帶來(lái)的鈣鈦礦薄膜質(zhì)量較差等各種問(wèn)題。[0033]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，基臺(tái)的結(jié)構(gòu)不受特別限制，例如，參考圖3,基臺(tái)100可以包括基臺(tái)控制裝置(圖中未示出)和多個(gè)基臺(tái)加熱單元(如圖3所示出的第一基臺(tái)加熱單元110、第二基臺(tái)加熱單元120和第三基臺(tái)加熱單元130),多個(gè)基臺(tái)加熱單元的溫度獨(dú)立控制，基臺(tái)控制裝置可以獨(dú)立控制每個(gè)基臺(tái)加熱單元沿基片運(yùn)動(dòng)方向的移動(dòng)。相關(guān)技術(shù)中的涂布設(shè)備中的基臺(tái)通常未設(shè)置加熱裝置，或者整個(gè)基臺(tái)僅能區(qū)域固定溫度加熱，不適用于需要不同加熱溫度的多步驟涂布工藝。本申請(qǐng)中基臺(tái)具有多個(gè)不同溫度的基臺(tái)加熱單元，并且基臺(tái)上的加熱單元可以左右移動(dòng)，從而可以實(shí)現(xiàn)不同區(qū)域的多溫度加熱。[0034]需要特別說(shuō)明的是，圖3所示出的第一基臺(tái)加熱單元110、第二基臺(tái)加熱單元120和第三基臺(tái)加熱單元130僅為示例，基臺(tái)所包括的基臺(tái)加熱單元的數(shù)量不受特別限制，例如，當(dāng)多個(gè)涂布工藝所需要的加熱溫度一致時(shí)，基臺(tái)可以僅包括一個(gè)加熱單元，當(dāng)多個(gè)涂布工藝所需要的加熱溫度不一致時(shí)，基臺(tái)也可以包括多個(gè)加熱單元。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況對(duì)于加熱單元的具體數(shù)量進(jìn)行選擇。[0035]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，后處理單元的結(jié)構(gòu)不受特別限制，例如，參考圖2,以第一涂布單元為例，后處理單元410可以包括風(fēng)刀處理411和加熱處理412,其中，加熱處理可以包括熱結(jié)晶處理和高溫退火處理中的至少之一，進(jìn)一步地，可以通過(guò)紅外微波加熱或通過(guò)激光處理工藝進(jìn)行熱結(jié)晶處理和高溫退火處理。根據(jù)本發(fā)明的另一些實(shí)施例，激光處理工藝可以包括可見(jiàn)光、紅外或者紫外的激光處理工藝，紅外微波加熱可以采用紅外微波燈帶等加熱設(shè)備。以鈣鈦礦光伏組件的制備工藝為例，本申請(qǐng)中的后處理單元可以在風(fēng)刀處理后，對(duì)薄膜進(jìn)行紅外微波加熱處理或者激光處理等工藝，能夠有效控制鈍化層的涂布成膜工藝，紅外微波加熱或激光處理后能夠有效控制鈣鈦礦的結(jié)晶過(guò)程，制備結(jié)晶取向更好的鈣鈦礦薄膜。[0036]需要特別說(shuō)明的是，圖2中所示出的后處理單元包括一個(gè)風(fēng)刀處理411和一個(gè)加熱處理412僅為示例，對(duì)于每個(gè)涂布單元的后處理單元而言，風(fēng)刀處理和加熱處理的數(shù)量均不受特別限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行選擇。[0037]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，基片傳送裝置的傳動(dòng)方式不受特別限制，例如，基片傳送裝置可以采用氣動(dòng)傳動(dòng)、軸承傳動(dòng)以及鏈條傳動(dòng)中的至少一種。優(yōu)選地，基片傳送裝置可8以采用氣動(dòng)傳動(dòng)。[0038]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，涂布單元的數(shù)量不受特別限制，例如，參考圖1,多個(gè)涂布單元包括沿基片運(yùn)動(dòng)方向(即第一方向)依次設(shè)置的第一涂布單元、第二涂布單元、第三涂布單元以及第四涂布單元。[0039]為了便于理解，下面以鈣鈦礦光伏組件為例，簡(jiǎn)單說(shuō)明前述狹縫涂布設(shè)備的使用[0040]需要特別說(shuō)明的是，鈣鈦礦光伏組件可以分別PIN類型電池以及NIP類型的電池。參考圖4,當(dāng)?shù)谝浑姾蓚鬏攲?30為P型的空穴傳輸層時(shí)，第二電荷傳輸層270應(yīng)為N型的電子傳輸層；當(dāng)?shù)谝浑姾蓚鬏攲?30為N型的電子傳輸層時(shí)，此時(shí)第二電荷傳輸層270應(yīng)為P型的空穴傳輸層。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況對(duì)于第一電荷傳輸層230和第二電荷傳輸層270的功能進(jìn)行選擇。下面以第一電荷傳輸層230空穴傳輸層，第二電荷傳輸層270為電子傳輸層進(jìn)行說(shuō)明。[0041]在本發(fā)明的又一個(gè)方面，參考圖4,本發(fā)明提出了一種使用前述的狹縫涂布設(shè)備制備鈣鈦礦光伏組件的方法，包括以下步驟：將預(yù)制有底電極層220的基片210放置于傳送裝置上；使基片210依次通過(guò)第一涂布單元、第二涂布單元、第三涂布單元以及第四涂布單元，其中，第一涂布單元在底電極層220上形成第一電荷傳輸層230,第二涂布單元在第一電荷傳輸層230上形成第一電荷傳輸鈍化層240,第三涂布單元在第一電荷傳輸鈍化層240上形成鈣鈦礦骨架層，第四涂布單元在鈣鈦礦骨架層上形成鈣鈦礦有機(jī)層，鈣鈦礦骨架層與鈣鈦礦有機(jī)層反應(yīng)形成鈣鈦礦層250。[0042]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，當(dāng)采用第一涂布單元的第一涂布刀頭310涂布第一電荷傳輸層的溶液時(shí)，此時(shí)可以采用第一涂布單元的第一后處理單元410對(duì)于預(yù)制有底電極層220的基片210進(jìn)行除屑處理，并采用第二涂布單元的第二后處理單元420對(duì)第一電荷傳輸層進(jìn)行后處理；隨后采用第二涂布單元的第二涂布刀頭320涂布第一電荷傳輸鈍化層的溶液，并采用第三涂布單元的第三后處理單元430對(duì)第一電荷傳輸鈍化層進(jìn)行后處理；隨后采用第三涂布單元的第三涂布刀頭330涂布鈣鈦礦骨架層的溶液，并采用第四涂布單元的第四后處理單元440對(duì)鈣鈦礦骨架層進(jìn)行后處理；隨后采用第四涂布單元的第四涂布刀頭430涂布鈣鈦礦有機(jī)層的溶液，鈣鈦礦骨架層與鈣鈦礦有機(jī)層反應(yīng)形成鈣鈦礦層250。[0043]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，當(dāng)采用第三涂布單元的第三后處理單元430對(duì)第一電荷傳輸鈍化層進(jìn)行后處理時(shí)，第三后處理單元430可以包括風(fēng)刀處理，紅外微波熱處理以及激光處理等結(jié)晶或干燥工藝。[0044]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，當(dāng)采用第四涂布單元的第四后處理單元440對(duì)鈣鈦礦骨架層進(jìn)行后處理時(shí)，第四后處理單元440可以包括風(fēng)刀吹涂工藝，紅外微波熱處理工以及激光熱處理等工藝。[0045]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，為了獲得完整的鈣鈦礦光伏組件，制備鈣鈦礦光伏組件可以進(jìn)一步包括：在鈣鈦礦層250遠(yuǎn)離基片210的一側(cè)依次形成鈣鈦礦鈍化層260、第二電荷傳輸層270以及頂電極層280。[0046]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，形成鈣鈦礦鈍化層的方法不受特別限制，例如，可以采用涂布的方法在鈣鈦礦層250遠(yuǎn)離基片210的一側(cè)依次形成鈣鈦礦鈍化層260,此時(shí)涂布設(shè)備可以包括第五涂布單元，第五涂布單元位于第四涂布單元遠(yuǎn)離第一涂布單元的一側(cè)；也9可以將具有鈣鈦礦層的基片設(shè)置在另外的具有單一刀頭的涂布設(shè)備上進(jìn)行鈣鈦礦鈍化層溶液的涂布。[0047]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，形成第二電荷傳輸層270的方法不受特別限制，例如，可以采用真空法在鈣鈦礦鈍化層遠(yuǎn)離基片210的一側(cè)形成第二電荷傳輸層270,具體地，形成第二電荷傳輸層270的方法可以包括蒸發(fā)法、濺射法、化學(xué)浴沉積法、前驅(qū)溶液旋涂法和前驅(qū)溶液刮涂法中的至少一種，也可以采用狹縫擠出式涂布法在鈣鈦礦鈍化層遠(yuǎn)離基片210的一側(cè)形成第二電荷傳輸層270。[0048]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，形成頂電極層280的方法不受特別限制，例如，可以采用蒸發(fā)法或者濺射法在第二電荷傳輸層270遠(yuǎn)離基片210的一側(cè)形成頂電極層280。[0049]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，形成底電極層的材料不受特別限制，只要其可以形成[0050]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，形成第一電荷傳輸層的材料不受特別限制，例如，形成第一電荷傳輸層的材料可以包括硫氰酸亞銅(CuSCN)、碘化亞銅(CuI)、氧化亞銅(Cu0)、氧的至少之一。根據(jù)本發(fā)明的另一些實(shí)施例，第一電荷傳輸層的厚度為0.1-50nm。[0051]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，形成第一電荷傳輸鈍化層的材料不受特別限制，例如，形成第一電荷傳輸鈍化層的材料可以包括銫鹽和銣鹽等無(wú)機(jī)物鈍化材料以及PEAI等有機(jī)鈍化材料，具體地，無(wú)機(jī)鈍化材料可以包括氯化鉀、碘化鉀以及溴化銫等材料。根據(jù)本發(fā)明的另一些實(shí)施例，第一電荷傳輸鈍化層的厚度不大于5nm。[0052]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，形成鈣鈦礦骨架層的材料不受特別限制，例如，形成鈣[0053]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，形成鈣鈦礦有機(jī)層的材料不受特別限制，例如，形成鈣鈦礦有機(jī)層的材料可以包括碘甲胺(MAI),碘甲脒(FAI),溴甲胺(MABr),溴甲脒(FABr),氯甲胺(MACl)和氯甲脒(FAC1)中的一種或其中任意兩種及以上并按任意比例配置的混合物。根據(jù)本發(fā)明的另一些實(shí)施例，鈣鈦礦骨架層與鈣鈦礦有機(jī)層反應(yīng)形成的鈣鈦礦層的厚度為[0054]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，形成第二電荷傳輸層的材料不受特別限制，例如，形成第二電荷傳輸層的材料可以包括二氧化鈦(TiO?)、二氧化錫(SnO?)、富勒烯(C?0)、氧化鋅(ZnO)和PCBM中的至少之一。根據(jù)本發(fā)明的另一些實(shí)施例，第二電荷傳輸層的厚度為5-[0055]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，形成頂電極層的材料不受特別限制，例如，形成頂電極一。根據(jù)本發(fā)明的另一些實(shí)施例，頂電極層的厚度為40-100nm,優(yōu)選地，厚[0056]在本發(fā)明的又一個(gè)方面，本發(fā)明提出了一種使用前述的狹縫涂布設(shè)備制備鈣鈦礦光伏組件的方法，包括以下步驟：將預(yù)制有依次設(shè)置的底電極層220和第一電荷傳輸層230的基片210放置于傳送裝置上；使基片210依次通過(guò)第一涂布單元、第二涂布單元、第三涂布單元以及第四涂布單元，其中，第一涂布單元在第一電荷傳輸層230上形成第一電荷傳輸鈍化層240,第二涂布單元在第一電荷傳輸鈍化層240上形成鈣鈦礦骨架層，第三涂布單元在鈣鈦礦骨架層上形成鈣鈦礦有機(jī)層，第四涂布單元在鈣鈦礦有機(jī)層上形成鈣鈦礦鈍化層260,鈣鈦礦骨架層與鈣鈦礦有機(jī)層反應(yīng)形成鈣鈦礦層250。[0057]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，當(dāng)采用第一涂布單元的第一涂布刀頭310涂布第一電荷傳輸鈍化層240的溶液時(shí)，此時(shí)可以采用第一涂布單元的第一后處理單元410對(duì)于預(yù)制有第一電荷傳輸層230的基片210進(jìn)行除屑處理，并采用第二涂布單元的第二后處理單元420對(duì)第一電荷傳輸鈍化層240進(jìn)行后處理；隨后采用第二涂布單元的第二涂布刀頭320涂布鈣鈦礦骨架層的溶液，并采用第三涂布單元的第三后處理單元430對(duì)鈣鈦礦骨架層進(jìn)行后處理；隨后采用第三涂布單元的第三涂布刀頭330涂布鈣鈦礦有機(jī)層的溶液，并采用第四涂布單元的第四后處理單元440對(duì)鈣鈦礦有機(jī)層進(jìn)行后處理；隨后采用第四涂布單元的第四涂布刀頭340涂布鈣鈦礦鈍化層的溶液，鈣鈦礦骨架層與鈣鈦礦有機(jī)層反應(yīng)形成鈣鈦礦層[0058]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，當(dāng)采用第二涂布單元的第二后處理單元420對(duì)第一電荷傳輸鈍化層進(jìn)行后處理時(shí)，第二后處理單元420可以包括風(fēng)刀處理，紅外微波熱處理以及激光處理等結(jié)晶或干燥工藝。[0059]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，當(dāng)采用第三涂布單元的第三后處理單元430對(duì)鈣鈦礦骨架層進(jìn)行后處理時(shí)，第三后處理單元430可以包括風(fēng)刀吹涂工藝，紅外微波熱處理工以及激光熱處理等工藝。[0060]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，當(dāng)采用第四涂布單元的第四后處理單元440對(duì)鈣鈦礦有機(jī)層進(jìn)行后處理時(shí)，第四后處理單元440可以包括風(fēng)刀吹涂工藝，紅外微波熱處理工以及激光熱處理等工藝，此外還可以采用前述的基底加熱單元進(jìn)行加熱處理，以便于提高鈣鈦礦層的結(jié)晶質(zhì)量。[0061]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，為了獲得完整的鈣鈦礦光伏組件，制備鈣鈦礦光伏組件可以進(jìn)一步包括：在鈣鈦礦鈍化層260遠(yuǎn)離基片210的一側(cè)依次形成第二電荷傳輸層270以及頂電極層280。[0062]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，形成第一電荷傳輸層230的方法不受特別限制，例如，可以采用真空法在底電極層220遠(yuǎn)離基片210的一側(cè)形成第一電荷傳輸層230,具體地，形成第一電荷傳輸層230的方法可以包括蒸發(fā)法、濺射法、化學(xué)浴沉積法、前驅(qū)溶液旋涂法和前驅(qū)溶液刮涂法中的至少一種，也可以采用狹縫擠出式涂布法在底電極層220遠(yuǎn)離基片210的一側(cè)形成第一電荷傳輸層230。[0063]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，形成第二電荷傳輸層270的方法不受特別限制，例如，可以采用真空法在鈣鈦礦鈍化層遠(yuǎn)離基片210的一側(cè)形成第二電荷傳輸層270,具體地，形成第二電荷傳輸層270的方法可以包括蒸發(fā)法、濺射法、化學(xué)浴沉積法、前驅(qū)溶液旋涂法和前驅(qū)溶液刮涂法中的至少一種；也可以采用狹縫擠出式涂布法在鈣鈦礦鈍化層遠(yuǎn)離基片210的一側(cè)形成第二電荷傳輸層270,此時(shí)涂布設(shè)備可以包括第五涂布單元，第五涂布單元位于第四涂布單元遠(yuǎn)離第一涂布單元的一側(cè)，從而可以通過(guò)第五涂布單元在鈣鈦礦鈍化層遠(yuǎn)離基片210的一側(cè)涂布形成第二電荷傳輸層270。[0064]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，形成頂電極層280的方法不受特別限制，例如，可以采用蒸發(fā)法或者濺射法在第二電荷傳輸層270遠(yuǎn)離基片210的一側(cè)形成頂電極層280。[0065]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，形成底電極層的材料不受特別限制，只要其可以形成透明導(dǎo)電層即可。例如，形成底電極層的材料可以為FTO、ITO以及AZ0中的至少之一。[0066]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，形成第一電荷傳輸層的材料不受特別限制，例如，形成第一電荷傳輸層的材料可以包括硫氰酸亞銅(CuSCN)、碘化亞銅(CuI)、氧化亞銅(Cu0)、氧的至少之一。根據(jù)本發(fā)明的另一些實(shí)施例，第一電荷傳輸層的厚度為0.1-50nm。[0067]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，形成第一電荷傳輸鈍化層的材料不受特別限制，例如，形成第一電荷傳輸鈍化層的材料可以包括銫鹽和銣鹽等無(wú)機(jī)物鈍化材料以及PEAI等有機(jī)鈍化材料，具體地，無(wú)機(jī)鈍化材料可以包括氯化鉀、碘化鉀以及溴化銫等材料。根據(jù)本發(fā)明的另一些實(shí)施例，第一電荷傳輸鈍化層的厚度不大于5nm。[0068]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，形成鈣鈦礦骨架層的材料不受特別限制，例如，形成鈣[0069]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，形成鈣鈦礦有機(jī)層的材料不受特別限制，例如，形成鈣鈦礦有機(jī)層的材料可以包括碘甲胺(MAI),碘甲脒(FAI),溴甲胺(MABr),溴甲脒(FABr),氯甲胺(MAC1)和氯甲脒(FAC1)中的一種或其中任意兩種及以上并按任意比例配置的混合物。根據(jù)本發(fā)明的另一些實(shí)施例，鈣鈦礦骨架層與鈣鈦礦有機(jī)層反應(yīng)形成的鈣鈦礦層的厚度為[0070]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，形成第二電荷傳輸層的材料不受特別限制，例如，形成第二電荷傳輸層的材料可以包括二氧化鈦(TiO?)、二氧化錫(SnO?)、富勒烯(C?0)、氧化鋅(ZnO)和PCBM中的至少之一。根據(jù)本發(fā)明的另一些實(shí)施例，第二電荷傳輸層的厚度為5-[0071]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，形成頂電極層的材料不受特別限制，例如，形成頂電極一。根據(jù)本發(fā)明的另一些實(shí)施例，頂電極層的厚度為40-100nm,優(yōu)選地，厚[0072]在本發(fā)明的又一個(gè)方面，本發(fā)明提出了一種使用前述的狹縫涂布設(shè)備制備鈣鈦礦光伏組件的方法，包括以下步驟：將預(yù)制有依次設(shè)置的底電極層220和第一電荷傳輸層230基片210放置于傳送裝置上；使基片210依次通過(guò)第一涂布單元、第二涂布單元、第三涂布單元以及第四涂布單元，其中，第一涂布單元在第一電荷傳輸鈍化層上240形成鈣鈦礦骨架層，第二涂布單元在鈣鈦礦骨架層上形成鈣鈦礦有機(jī)層，第三涂布單元在鈣鈦礦有機(jī)層上形成鈣鈦礦鈍化層260,第四涂布單元在鈣鈦礦鈍化層260上形成第二電荷傳輸層270,鈣鈦礦骨架層與鈣鈦礦有機(jī)層反應(yīng)形成鈣鈦礦層250。[0073]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，當(dāng)采用第一涂布單元的第一涂布刀頭310涂布鈣鈦礦骨架層的溶液時(shí)，此時(shí)可以采用第一涂布單元的第一后處理單元410對(duì)于預(yù)制有第一電荷傳輸鈍化層240的基片210進(jìn)行除屑處理，并采用第二涂布單元的第二后處理單元420對(duì)鈣鈦礦骨架層進(jìn)行后處理；隨后采用第二涂布單元的第二涂布刀頭320涂布鈣鈦礦有機(jī)層的溶液，并采用第三涂布單元的第三后處理單元430對(duì)鈣鈦礦有機(jī)層進(jìn)行后處理；隨后采用第三涂布單元的第三涂布刀頭330涂布鈣鈦礦鈍化層的溶液，并采用第四涂布單元的第四后處理單元440對(duì)鈣鈦礦鈍化層進(jìn)行后處理；隨后采用第四涂布單元的第四涂布刀頭430涂布第二電荷傳輸層的溶液，鈣鈦礦骨架層與鈣鈦礦有機(jī)層反應(yīng)形成鈣鈦礦層250。[0074]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，當(dāng)采用第二涂布單元的第二后處理單元420對(duì)鈣鈦礦骨架層進(jìn)行后處理時(shí)，第二后處理單元420可以包括風(fēng)刀吹涂工藝，紅外微波熱處理工以及激光熱處理等工藝。[0075]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，當(dāng)采用第三涂布單元的第三后處理單元430對(duì)鈣鈦礦有機(jī)層進(jìn)行后處理時(shí)，第三后處理單元430可以包括風(fēng)刀吹涂工藝，紅外微波熱處理工以及激光熱處理等工藝，此外還可以采用前述的基底加熱單元進(jìn)行加熱處理，以便于提高鈣鈦礦層的結(jié)晶質(zhì)量。[0076]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，為了獲得完整的鈣鈦礦光伏組件，制備鈣鈦礦光伏組件可以進(jìn)一步包括：在第二電荷傳輸層270遠(yuǎn)離基片的一側(cè)形成頂電極層280。[0077]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，形成第一電荷傳輸層230的方法不受特別限制，例如，可以采用真空法在底電極層220遠(yuǎn)離基片210的一側(cè)形成第一電荷傳輸層230,具體地，形成第一電荷傳輸層230的方法可以包括蒸發(fā)法、濺射法、化學(xué)浴沉積法、前驅(qū)溶液旋涂法和前驅(qū)溶液刮涂法中的至少一種，也可以采用狹縫擠出式涂布法在底電極層220遠(yuǎn)離基片210的一側(cè)形成第一電荷傳輸層230。[0078]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，形成頂電極層280的方法不受特別限制，例如，可以采用蒸發(fā)法或者濺射法在第二電荷傳輸層270遠(yuǎn)離基片210的一側(cè)形成頂電極層280。[0079]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，形成頂電極層280的方法不受特別限制，例如，可以采用蒸發(fā)法或者濺射法在第二電荷傳輸層270遠(yuǎn)離基片210的一側(cè)形成頂電極層280。[0080]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，形成底電極層的材料不受特別限制，只要其可以形成透明導(dǎo)電層即可。例如，形成底電極層的材料可以為FTO、ITO以及AZ0中的至少之一。[0081]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，形成第一電荷傳輸層的材料不受特別限制，例如，形成第一電荷傳輸層的材料可以包括硫氰酸亞銅(CuSCN)、碘化亞銅(CuI)、氧化亞銅(Cu0)、氧的至少之一。根據(jù)本發(fā)明的另一些實(shí)施例，第一電荷傳輸層的厚度為0.1-50nm。[0082]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，形成第一電荷傳輸鈍化層的材料不受特別限制，例如，形成第一電荷傳輸鈍化層的材料可以包括銫鹽和銣鹽等無(wú)機(jī)物鈍化材料以及PEAI等有機(jī)鈍化材料，具體地，無(wú)機(jī)鈍化材料可以包括氯化鉀、碘化鉀以及溴化銫等材料。根據(jù)本發(fā)明的另一些實(shí)施例，第一電荷傳輸鈍化層的厚度不大于5nm。[0083]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，形成鈣鈦礦骨架層的材料不受特別限制，例如，形成鈣[0084]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，形成鈣鈦礦有機(jī)層的材料不受特別限制，例如，形成鈣鈦礦有機(jī)層的材料可以包括碘甲胺(MAI),碘甲脒(FAI),溴甲胺(MABr),溴甲脒(FABr),氯甲胺(MAC1)和氯甲脒(FAC1)中的一種或其中任意兩種及以上并按任意比例配置的混合物。根據(jù)本發(fā)明的另一些實(shí)施例，鈣鈦礦骨架層與鈣鈦礦有機(jī)層反應(yīng)形成的鈣鈦礦層的厚度為[0085]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，形成第二電荷傳輸層的材料不受特別限制，例如，形成第二電荷傳輸層的材料可以包括二氧化鈦(TiO?)、二氧化錫(SnO?)、富勒烯(C?0)、氧化鋅(ZnO)和PCBM中的至少之一。根據(jù)本發(fā)明的另一些實(shí)施例，第二電荷傳輸層的厚度為5-[0086]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，形成頂電極層的材料不受特別限制，例如，形成頂電極[0087]總言之，本申請(qǐng)?zhí)岢隽艘环N多涂布單元的狹縫涂布設(shè)備，通過(guò)將涂布設(shè)備中的涂布單元與多種后處理單元相結(jié)合，有效解決了一步法或者兩步法涂布過(guò)程中各化學(xué)組分的相互影響的問(wèn)題。因?yàn)殁}鈦礦光伏組件具有多化學(xué)組分，將一些化學(xué)物質(zhì)的涂布過(guò)程(如鈣鈦礦骨架層與鈣鈦礦有機(jī)層反應(yīng)生成鈣鈦礦層的涂布過(guò)程)進(jìn)行有效地分離，對(duì)工藝的控制有顯著的優(yōu)勢(shì)，有效避免多種組分物質(zhì)的相互影響等原因。在鈣鈦礦薄膜的制備過(guò)程中，多涂布單元的涂布設(shè)備也能夠在涂布工藝中引入鈣鈦礦的前端鈍化工藝(如第一電荷傳輸鈍化層)或者后端的鈍化工藝(如鈣鈦礦鈍化層),合理有效地提升鈣鈦礦光伏組件的各項(xiàng)參數(shù)，簡(jiǎn)化制備的產(chǎn)線工藝，減短工藝制程，節(jié)省工藝設(shè)備成本。本申請(qǐng)中的后處理單元以及相對(duì)應(yīng)的處理工藝，可以在風(fēng)刀處理后，對(duì)薄膜進(jìn)行紅外微波熱處理或者激光熱處理等工藝，有效控制第一電荷傳輸鈍化層和鈣鈦礦鈍化層的涂布成膜工藝以及鈣鈦礦的結(jié)晶過(guò)程，從而獲得結(jié)晶取向更好的鈣鈦礦薄膜。[0088]下面通過(guò)具體的實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)的方案進(jìn)行說(shuō)明，需要說(shuō)明的是，下面的實(shí)施例僅用于說(shuō)明本申請(qǐng)，而不應(yīng)視為限定本申請(qǐng)的范圍。實(shí)施例中未注明具體技術(shù)或條件的，按照本領(lǐng)域內(nèi)的文獻(xiàn)所描述的技術(shù)或條件或者按照產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)進(jìn)行。所用試劑或儀器未注明生產(chǎn)廠商者，均為可以通過(guò)市購(gòu)獲得的常規(guī)產(chǎn)品。[0090]步驟1.在底電極層上切割電池的P1線，形成兩個(gè)絕緣區(qū)域的電池結(jié)構(gòu)；[0091]步驟2.清洗導(dǎo)電玻璃，使用磁控濺射法制備第一電荷傳輸層，第一電荷傳輸層的材料氧化鎳。[0092]步驟3.采用第一涂布單元涂布第一電荷傳輸鈍化層，并使用風(fēng)刀進(jìn)行吹干處理以及紅外微波進(jìn)行加熱處理，加熱處理溫度為120攝氏度，第一電荷傳輸鈍化層的材料為氯化[0093]步驟4.采用第二涂布單元涂布鈣鈦礦骨架層，并使用風(fēng)刀進(jìn)行吹干處理以及紅外微波進(jìn)行加熱處理，加熱處理溫度為70攝氏度，鈣鈦礦骨架層的材料為碘化鉛。[0094]步驟5.采用第三涂布單元涂布鈣鈦礦有機(jī)層，并使用風(fēng)刀進(jìn)行吹干處理以及激光[0095]步驟6.采用第四涂布單元涂布鈣鈦礦鈍化層，鈣鈦礦鈍化層的材料為PEAI。[0096]其中，以上步驟3到步驟6采用本申請(qǐng)中的狹縫涂布設(shè)備一次涂布完成，