(19)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局(10)申請(qǐng)公布號(hào)CN120226119A(21)申請(qǐng)?zhí)?02380082987.3(22)申請(qǐng)日2023.11.21(30)優(yōu)先權(quán)數(shù)據(jù)102022131862.12022.12(85)PCT國(guó)際申請(qǐng)進(jìn)入國(guó)家階段日(86)PCT國(guó)際申請(qǐng)的申請(qǐng)數(shù)據(jù)(87)PCT國(guó)際申請(qǐng)的公布數(shù)據(jù)(74)專(zhuān)利代理機(jī)構(gòu)北京市柳沈律師事務(wù)所專(zhuān)利代理師王蕊瑞H01J37/153(2006.01)(71)申請(qǐng)人卡爾蔡司MultiSEM有限責(zé)任公司地址德國(guó)上科亨(54)發(fā)明名稱(chēng)女c差的改良像差校正單元的多束粒子顯微鏡。在這種情況下，該像差校正單元具有包含至少一個(gè)第一對(duì)電極陣列的一系列電極陣列，其中該第一對(duì)電極陣列具有第一電極陣列和第二電極陣列，其有多個(gè)幾何式校正電極，每一幾何式校正電極具有繞著光軸的n重旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)性供產(chǎn)生多極場(chǎng)，其好一條饋線(xiàn)來(lái)個(gè)別控制，其中該第一電極陣列中關(guān)聯(lián)的幾何式校正電極關(guān)于光軸旋轉(zhuǎn)；且其中該控制器設(shè)計(jì)成為了像差校正，而個(gè)別控制該像差校正單元的第一2多束產(chǎn)生器，其配置成產(chǎn)生帶電的多個(gè)第一個(gè)別粒子束的第一場(chǎng)；具有第一粒子光學(xué)束路徑的第一粒子光學(xué)單元，其配置成將所產(chǎn)生的第一個(gè)別粒子束成像到物平面中的樣本表面上，使得所述第一個(gè)別粒子束在形成第二場(chǎng)的入射位置處入射在該樣本表面上；檢測(cè)系統(tǒng)，其具有形成第三場(chǎng)的多個(gè)檢測(cè)區(qū)域；具有第二粒子光學(xué)束路徑的第二粒子光學(xué)單元，其配置成將從該第二場(chǎng)中的所述入射位置發(fā)出的第二個(gè)別粒子束成像到該檢測(cè)系統(tǒng)的所述檢測(cè)區(qū)域的該第三場(chǎng)上；磁性和/或靜電物鏡，所述第一個(gè)別粒子束與所述第二個(gè)別粒子束皆穿過(guò)該磁性和/或靜電物鏡；射束開(kāi)關(guān)，其設(shè)置在該多束產(chǎn)生器與該磁性和/或靜電物鏡之間的該第一粒子光學(xué)束路徑中，且其設(shè)置在該磁性和/或靜電物鏡與該檢測(cè)系統(tǒng)之間的該第二粒子光學(xué)束路徑中；像差校正單元，其用于個(gè)別地校正該第一粒子光學(xué)束路徑中的一個(gè)或多個(gè)像差；以及控制器，其中，該像差校正單元具有包含至少一個(gè)第一對(duì)電極陣列的一系列電極陣列，其中，該第一對(duì)電極陣列具有第一電極陣列和第二電極陣列，其中，該第一電極陣列和該第二電極陣列每一者具有多個(gè)幾何式校正電極，每一幾何式校正電極具有繞著光軸的n重旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)性供產(chǎn)生多極場(chǎng)，其中所述幾何式校正電極中的每一者均能夠借助正好一條饋線(xiàn)來(lái)個(gè)別控制，其中，該第一電極陣列中的所述幾何式校正電極相對(duì)于該第二電極陣列中相關(guān)聯(lián)的幾何式校正電極而關(guān)于光軸旋轉(zhuǎn)；且其中，該控制器設(shè)計(jì)為為了像差校正，而個(gè)別控制該像差校正單元的該第一電極陣列和該第二電極陣列的多個(gè)幾何式校正電極。2.如權(quán)利要求1所述的多束粒子顯微鏡，其中，該第一對(duì)電極陣列的幾何式校正電極相對(duì)于彼此旋轉(zhuǎn)的一旋轉(zhuǎn)角度大體上為3.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的多束粒子顯微鏡，其中，該像差校正單元具有第二對(duì)電極陣列，其中，該第二對(duì)電極陣列具有第三電極陣列和第四電極陣列，其中，該第三電極陣列和該第四電極陣列中的每一者具有多個(gè)幾何式校正電極，每一幾何式校正電極具有繞著光軸的m重旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)性供產(chǎn)生多極場(chǎng)，其中所述幾何式校正電極中的每一者均能夠借助正好一條饋線(xiàn)來(lái)個(gè)別控制，其中，該第三電極陣列中的幾何式校正電極相對(duì)于該第四電極陣列中相關(guān)聯(lián)幾何式校其中，該控制器設(shè)計(jì)為為了像差校正，而個(gè)別控制該像差校正單元的該第三電極陣列和該第四電極陣列的多個(gè)幾何式校正電極。4.如權(quán)利要求3所述的多束粒子顯微鏡，其中，該第二對(duì)電極陣列的幾何式校正電極相對(duì)于彼此旋轉(zhuǎn)的一旋轉(zhuǎn)角度大體上為5.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的多束粒子顯微鏡，3其中，該像差校正單元具有第三對(duì)電極陣列，其中，該第三對(duì)電極陣列具有第五電極陣列和第六電極陣列，其中，該第五電極陣列和該第六電極陣列每一者具有多個(gè)幾何式校正電極，每一多個(gè)幾何式校正電極具有繞著光軸的k重旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)性供產(chǎn)生多極場(chǎng)，其中所述幾何式校正電極中的每一者均能夠借助正好一條饋線(xiàn)來(lái)個(gè)別控制，其中，該第五電極陣列中的幾何式校正電極相對(duì)于該第六電極陣列中的相關(guān)聯(lián)幾何式校正電極而關(guān)于光軸旋轉(zhuǎn)；且其中，該控制器設(shè)計(jì)為為了像差校正，而個(gè)別控制該像差校正單元的該第五電極陣列和該第六電極陣列的多個(gè)幾何式校正電極。6.如權(quán)利要求5所述的多束粒子顯微鏡，0其中，該第三對(duì)電極陣列的幾何式校正電極相對(duì)于彼此旋轉(zhuǎn)的一旋轉(zhuǎn)角度大體上為7.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的多束粒子顯微鏡，0其中，不同對(duì)的電極陣列在其用于產(chǎn)生不同多極場(chǎng)的各自幾何式校正電極的情況下，具有對(duì)稱(chēng)性的不同階數(shù)。8.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的多束粒子顯微鏡，其中，一對(duì)電極陣列的幾何式校正電極實(shí)施為以使橫截面為圓形，且其中形成該對(duì)電極陣列的每一電極陣列中圓形校正電極在與光軸正交的不同方向上相對(duì)光軸移位，特別是其中，該控制器配置成為了像差校正而個(gè)別控制所述圓形校正電極，特別是大體上為了校正第一個(gè)別粒子束在入射在該物平面中時(shí)的第一個(gè)別粒子束的第二場(chǎng)的靜態(tài)失真而加以控制。9.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的多束粒子顯微鏡，其中，一對(duì)電極陣列的幾何式校正電極實(shí)施為以使橫截面為大體上橢圓形以便產(chǎn)生四極場(chǎng)，且其中形成該對(duì)電極陣列的每一電極陣列中大體上橢圓形的校正電極繞著光軸相對(duì)其中，該控制器配置成大體上為了個(gè)別校正所述第一個(gè)別粒子束的像散，而控制橫截面為橢圓形的校正電極。10.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的多束粒子顯微鏡，其中，一對(duì)電極陣列的幾何式校正電極實(shí)施為以使橫截面具有大體上圓角三角形形狀以便形成六極場(chǎng)，且其中在形成該對(duì)電極陣列的每一電極陣列中橫截面具有大體上圓角三角形形狀的校正電極繞著光軸相對(duì)于彼此旋轉(zhuǎn)，特別是大體上30°;且其中，該控制器配置成大體上為了校正具有3重對(duì)稱(chēng)性的像差，而個(gè)別控制橫截面具有大體上三角形形狀的校正電極。11.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的多束粒子顯微鏡，其中，該像差校正單元的該系列電極陣列具有另一電極陣列，該另一電極陣列包含具有圓形橫截面并且相對(duì)于相應(yīng)光軸以居中方式設(shè)置的多個(gè)幾何式校正電極；且其中，該控制器大體上為了校正所述第一個(gè)別粒子束的焦點(diǎn)位置，特別是為了像場(chǎng)曲率校正和/或像場(chǎng)傾斜校正，而個(gè)別控制該另一電極陣列的多個(gè)幾何式校正電極。12.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的多束粒子顯微鏡，4其中，所述電極陣列每一者皆整合到多孔徑板中。13.如權(quán)利要求12所述的多束粒子顯微鏡，其中，具有多個(gè)被動(dòng)圓形孔的標(biāo)準(zhǔn)多孔徑板設(shè)置在兩個(gè)相互相鄰的多孔徑板之間，其中整合有具有個(gè)別可控制幾何式校正電極的電極陣列。14.如權(quán)利要求12和權(quán)利要求13其中一項(xiàng)所述的多束粒子顯微鏡，其中，該像差校正單元含有具有多個(gè)被動(dòng)圓形孔的標(biāo)準(zhǔn)多孔徑板，該標(biāo)準(zhǔn)多孔徑板關(guān)于該粒子光學(xué)束路徑的方向設(shè)置在具有個(gè)別可控制幾何式校正電極的第一多孔徑板的上其中，該像差校正單元含有具有多個(gè)被動(dòng)圓形孔的標(biāo)準(zhǔn)多孔徑板，該標(biāo)準(zhǔn)多孔徑板關(guān)于該粒子光學(xué)束路徑的方向設(shè)置在具有個(gè)別可控制幾何式校正電極的最后多孔徑板的下15.如權(quán)利要求1至權(quán)利要求11中任一項(xiàng)所述的多束粒子顯微鏡，其中，該像差校正單元提供用于一對(duì)電極陣列的載體板，該第一電極陣列的幾何式校正電極設(shè)置在該載體板的頂側(cè)上，且該第二電極陣列的幾何式校正電極設(shè)置在該載體板的下側(cè)上。16.如權(quán)利要求1至權(quán)利要求11中任一項(xiàng)所述的多束粒子顯微鏡，其中，該像差校正單元提供用于一對(duì)電極陣列的載體板，該第一電極陣列的幾何式校正電極并入到該載體板的頂側(cè)，且該第二電極陣列的幾何式校正電極并入到該載體板的下17.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的多束粒子顯微鏡，其還具有多極幅度輸入單元，通過(guò)多極幅度輸入單元，用戶(hù)能夠輸入待產(chǎn)生的基本多其中，該控制器基于用戶(hù)輸入產(chǎn)生用于控制所述幾何式校正電極的控制信號(hào)。18.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的多束粒子顯微鏡，其中，該控制器設(shè)計(jì)為執(zhí)行控制信號(hào)的確定，以使用逆幅度矩陣控制所述幾何式校正電極來(lái)產(chǎn)生多極場(chǎng)，其中該逆幅度矩陣描述所述幾何式校正電極的激發(fā)與所產(chǎn)生的基本多極的幅度之間的關(guān)系。19.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的多束粒子顯微鏡，其中，該控制器設(shè)計(jì)成為了校正先前已知場(chǎng)相關(guān)像差，而個(gè)別控制所述幾何式校正電20.一種在多束粒子顯微鏡中為了像差校正而產(chǎn)生基本多極的方法，該方法具有下列a0)提供如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的多束粒子顯微鏡；a)對(duì)于一系列的所有幾何式校正電極：al)僅激發(fā)所述幾何式校正電極中的一個(gè)；a2)判定由個(gè)別激發(fā)產(chǎn)生的多極的所有幅度；b)基于所確定幅度建立幅度矩陣，其中該幅度矩陣描述所述幾何式校正電極的激發(fā)與由這些激發(fā)產(chǎn)生的基本多極的幅度之間的關(guān)系；c)對(duì)該幅度矩陣求逆；以及5d)基于該逆幅度矩陣的條目激發(fā)所述幾何式校正電極。21.如權(quán)利要求20所述的方法，其中，該方法步驟a2)包含：借助全局多極校正器，特別是借助十二極校正器，補(bǔ)償分別產(chǎn)生的多極的效應(yīng)，以及確定在該全局多極校正器中為此目的分別所需的幅度。22.如權(quán)利要求19至權(quán)利要求21中任一項(xiàng)所述的方法，還具有下列步驟：e)優(yōu)化該多束粒子顯微鏡的分辨率，其包含獨(dú)立變化每個(gè)多極的幅度，以及確定用于該分辨率的最佳幅度。23.如權(quán)利要求19至權(quán)利要求22中任一項(xiàng)所述的方法，其中，該方法對(duì)于所述幾何式校正電極的所有系列執(zhí)行。24.如權(quán)利要求19至權(quán)利要求23中任一項(xiàng)所述的方法，其中，通過(guò)激發(fā)所述幾何式校正電極，實(shí)行場(chǎng)相關(guān)像差校正，且特別是校正像差的先前已知場(chǎng)相關(guān)性。25.一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，具有用于執(zhí)行如專(zhuān)利權(quán)利要求19至專(zhuān)利權(quán)利要求24中任一項(xiàng)所述的方法的程序代碼。26.一種多束粒子束系統(tǒng)，具有下列特征：多束產(chǎn)生器，其配置成產(chǎn)生帶電的多個(gè)第一個(gè)別粒子束的第一場(chǎng)；具有第一粒子光學(xué)束路徑的粒子光學(xué)單元，其配置成將所產(chǎn)生的第一個(gè)別粒子束成像到物平面中的樣本表面上，使得所述第一個(gè)別粒子束在形成第二場(chǎng)的入射位置處入射在該樣本表面上；像差校正單元，其用于個(gè)別校正該第一粒子光學(xué)束路徑中的一個(gè)或多個(gè)像差；以及控制器，其中，該像差校正單元具有至少一個(gè)電極陣列，其中，該電極陣列具有多個(gè)幾何式校正電極，每一幾何式校正電極具有繞光軸的n重旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)性供產(chǎn)生多極場(chǎng)，其中所述幾何式校正電極中的每一者均能夠借助特別是正好一條其中，該控制器設(shè)計(jì)成為了像差校正，而個(gè)別控制該像差校正單元的電極陣列的多個(gè)幾何式校正電極。27.如權(quán)利要求26所述的多束粒子束系統(tǒng)，其中，該像差校正單元具有另一電極陣列，其中，該另一電極陣列具有多個(gè)幾何式校正電極，每一幾何式校正電極具有繞著光軸的m重旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)性供產(chǎn)生多極場(chǎng)，其中所述幾何式校正電極中的每一者皆能夠借助正好一其中，該控制器設(shè)計(jì)成為了像差校正，而個(gè)別控制該像差校正單元的該另一電極陣列的多個(gè)幾何式校正電極。28.如權(quán)利要求26和權(quán)利要求27中的一項(xiàng)所述的多束粒子束系統(tǒng)，其中，該像差校正單元具有一個(gè)另一電極陣列或多個(gè)另一電極陣列，其的電極實(shí)施為幾何式和/或非幾何式。29.如權(quán)利要求28所述的多束粒子束系統(tǒng)，6其中，該控制器設(shè)計(jì)成個(gè)別輪流控制所述校正電極的分段。7包含具有幾何式校正電極的像差校正單元的多束粒子顯微技術(shù)領(lǐng)域[0001]本發(fā)明關(guān)于多束粒子束系統(tǒng)。本發(fā)明具體而言關(guān)于一種包含像差校正單元的多束粒子顯微鏡，并關(guān)于一種調(diào)整像差校正的方法，并關(guān)于一種相關(guān)聯(lián)計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。背景技術(shù)[0002]隨著不斷發(fā)展越來(lái)越小且越來(lái)越復(fù)雜的微結(jié)構(gòu)(如半導(dǎo)體部件),本領(lǐng)域亟需進(jìn)一步開(kāi)發(fā)與優(yōu)化用于生成與檢查微結(jié)構(gòu)的小尺寸的平面生成技術(shù)和檢查系統(tǒng)。舉例而言，所述半導(dǎo)體部件的該發(fā)展與生成需要對(duì)測(cè)試晶片的設(shè)計(jì)進(jìn)行監(jiān)控，且所述平面生成技術(shù)為了具有高產(chǎn)量的可靠生成而需要工藝優(yōu)化。而且，近來(lái)一直需求對(duì)用于逆向工程(reverseengineering)的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行分析，以及對(duì)半導(dǎo)體部件進(jìn)行客制化個(gè)別配置。因此，本領(lǐng)域亟需一種可以高通量使用的檢查裝置，以高精度檢查晶片上的微結(jié)構(gòu)。[0003]在半導(dǎo)體部件的生成中，所使用的一般硅晶片具有長(zhǎng)達(dá)300mm的直徑。每個(gè)晶片皆分為具有高達(dá)800mm2的大小的30至60個(gè)重復(fù)區(qū)域(“裸芯”(dies))。一種半導(dǎo)體設(shè)備包含多個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其由平面整合技術(shù)在晶片的表面上以各層生成。由于所述生成過(guò)程，半導(dǎo)體晶片通常具有平面表面。在這種情況下，整合式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)大小從幾μm延伸到5nm的關(guān)鍵尺寸(Criticaldimension,CD),而結(jié)構(gòu)大小在近期內(nèi)變得越來(lái)越??；未來(lái)，結(jié)構(gòu)大小或關(guān)鍵尺寸(CD)預(yù)期為小于3nm、例如2nm、或甚至在1nm以下。在前面所提及小結(jié)構(gòu)大小的情況下，關(guān)鍵尺寸的大小的缺陷必須在很大區(qū)域中被快速識(shí)別。對(duì)于幾種應(yīng)用，有關(guān)檢查設(shè)備所提供的測(cè)量的準(zhǔn)確度的規(guī)范要求甚至更高，例如兩倍或一個(gè)數(shù)量級(jí)。舉例來(lái)說(shuō)，構(gòu)的相對(duì)位置必須以低于1nm、例如0.3nm、或甚至更小的重疊準(zhǔn)確度來(lái)判定。[0004]在帶電粒子系統(tǒng)(帶電粒子顯微鏡(Chargedparticlemicroscope,CPM))的領(lǐng)域中，多束掃描電子顯微鏡MSEM是相對(duì)較新發(fā)展。舉例來(lái)說(shuō)，多束掃描電子顯微鏡在US7244以場(chǎng)或柵格所設(shè)置的多個(gè)個(gè)別電子束同時(shí)照射。舉例來(lái)說(shuō)，4至10000個(gè)個(gè)別電子束可提供為一次輻射(primaryradiation),而每個(gè)個(gè)別電子束皆與相鄰個(gè)別電子束分開(kāi)1至200μm的間距。舉例來(lái)說(shuō)，MSEM具有例如以六角形柵格所設(shè)置的約100個(gè)分開(kāi)的個(gè)別電子束(“小物鏡聚焦到待查驗(yàn)的樣本的表面上。舉例來(lái)說(shuō)，樣本可為固定到安裝在可移動(dòng)臺(tái)上的晶片保持器的半導(dǎo)體晶片。在采用帶電初級(jí)個(gè)別粒子束對(duì)晶片表面進(jìn)行照明期間，交互作用產(chǎn)物(例如二次(secondary)電子或反向散射電子)從晶片的表面發(fā)出。其起點(diǎn)對(duì)應(yīng)于樣本上的那些位置(多個(gè)初級(jí)個(gè)別粒子束皆聚焦到其上)。交互作用產(chǎn)物的量和能量，依材料成分以及晶片表面的形貌(topography)而定。交互作用產(chǎn)物形成多個(gè)二次個(gè)別粒子束(二次射束(secondarybeams)),其由公共物鏡收集，且其由于多束檢查系統(tǒng)的投射成像系統(tǒng)而入射在設(shè)置在檢測(cè)平面中的檢測(cè)器上。檢測(cè)器包含多個(gè)檢測(cè)區(qū)域，其每一者皆包含多個(gè)檢測(cè)8像素，且檢測(cè)器針對(duì)二次個(gè)別粒子束中的每一者而捕獲強(qiáng)度分布。在該過(guò)程中得到例如100[0005]現(xiàn)有技術(shù)的多束電子顯微鏡包含一系列靜電與磁性元件。所述靜電與磁性元件中的至少一些為可調(diào)整的，以便適應(yīng)多個(gè)帶電個(gè)別粒子束的焦點(diǎn)位置和像散校正(stigmation)。而且，具有現(xiàn)有技術(shù)的帶電粒子的多束系統(tǒng)包含一次或二次帶電個(gè)別粒子束的至少一個(gè)交叉平面。而且，現(xiàn)有技術(shù)的系統(tǒng)包含檢測(cè)系統(tǒng)，以便促進(jìn)調(diào)整?，F(xiàn)有技術(shù)的多束粒子顯微鏡包含至少一個(gè)射束偏轉(zhuǎn)器(“偏轉(zhuǎn)掃描儀”(deflecti助多個(gè)一次個(gè)別粒子束對(duì)樣本表面的區(qū)域進(jìn)行集體掃描，以便得到樣本表面的像場(chǎng)。[0006]當(dāng)使用多束粒子顯微鏡執(zhí)行檢查任務(wù)時(shí)，像差不可避免發(fā)生，且這些需要避免或減少。為此目的，依據(jù)現(xiàn)有技術(shù)使用使得全局或個(gè)別射束校正能夠進(jìn)行的校正器。當(dāng)多束粒子顯微鏡具有大量個(gè)別粒子束，并因此具有相對(duì)較大多視野時(shí)，個(gè)別射束校正為精確特別重要。關(guān)于此，場(chǎng)像散通常發(fā)生在多束粒子顯微鏡的情況下，且這無(wú)法由全局像散校正器校并因此形成多極電極。在這種情況下，所述多極電極中的每一電極皆為個(gè)別可控制的。關(guān)于[0007]在這種情況下，多極電極可不僅用于校正像散，而且用于校正其他像差：八極電極也可例如偏轉(zhuǎn)個(gè)別粒子束或移位該個(gè)別粒子束的焦點(diǎn)位置。此外，稍微較不太直觀，具有3重對(duì)稱(chēng)性的幾何像差也可借助八極電極來(lái)校正。[0008]因此，所說(shuō)明的多極電極的很大優(yōu)勢(shì)，在于其對(duì)于像差校正的非常普遍的可用性。盡管如此，在采用越來(lái)越多個(gè)別粒子束的多束粒子顯微鏡的情況下，多極電極接近其極限，且需要進(jìn)行改良。[0009]多極電極實(shí)行為大型陣列，且其生成為復(fù)雜且相對(duì)較昂貴的。原則上，其復(fù)雜度使得它們易受影響；質(zhì)量和使用壽命難以確保。特別是，對(duì)于每個(gè)多極電極，向電極施加電壓需要多個(gè)饋線(xiàn)。舉例來(lái)說(shuō)，具有八個(gè)可個(gè)別調(diào)整電極的八極電極需要八條饋線(xiàn)。在用于多束粒子顯微鏡的超過(guò)100個(gè)個(gè)別粒子束的八極電極陣列的情況下，這已加總多達(dá)超過(guò)800條個(gè)別線(xiàn)路!實(shí)際上，不再可能通過(guò)真空襯套(bushings)來(lái)提供如此大量的饋線(xiàn)。而是，用于饋線(xiàn)的電壓必須由已設(shè)置在多束粒子顯微鏡的真空內(nèi)的設(shè)備產(chǎn)生，例如由特定應(yīng)用集成電路腔室中不可避免發(fā)生的X射線(xiàn)輻射，真空腔室內(nèi)的設(shè)置是不利的。[0010]而且，當(dāng)在陣列中或在多孔徑板中整體有大量個(gè)別可控制電極時(shí)，饋線(xiàn)設(shè)置自身就有問(wèn)題。然后，非常多的線(xiàn)路有必要在個(gè)別八極電極之間或在多孔徑板中的孔之間的間隙中延伸。因此，原則上，多孔徑板中的多極電極的大小或數(shù)量受到限制；系統(tǒng)沒(méi)有良好可擴(kuò)展性。即使有辦法在多個(gè)平面中鋪設(shè)線(xiàn)路作為解決方案，但這僅在有限范圍內(nèi)為適當(dāng)，因?yàn)榇朔椒ㄍ瑯由婕跋鄬?duì)較高的花費(fèi)。[0011]EP4020565A1(參考EP2702595A1和EP2715768A2)揭示一種具有像差[0012]為了校正像差的目的，EP2339608A1揭示每個(gè)具有具有特定幾何形狀的開(kāi)口的多個(gè)板序列，憑此產(chǎn)生各自的多極場(chǎng)。具體而言，EP2339608A1舉例來(lái)說(shuō)說(shuō)明了用于校正球面像差的六極校正器。此像差為旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)的。與多束粒子束系統(tǒng)有關(guān)，EP23396089A1揭示一種具有用于產(chǎn)生多個(gè)粒子束的多個(gè)尖端(“發(fā)射器尖端”(emittertips))的系統(tǒng)。所產(chǎn)生多個(gè)粒子束分別穿過(guò)每個(gè)具有具有特定幾何形狀的多個(gè)開(kāi)口的多個(gè)多孔徑板的序列。在那種情況下，向每個(gè)多孔徑板施加(全局)電壓。結(jié)果，對(duì)于所有粒子束可實(shí)現(xiàn)等同像差校正。場(chǎng)輪廓或場(chǎng)相關(guān)個(gè)別像差校正并未在EP2339608A1中解決，采用EP2339608A1中的所述手段也無(wú)法解決。發(fā)明內(nèi)容[0013]因此，本發(fā)明的目的是要克服現(xiàn)有技術(shù)的以上所說(shuō)明缺點(diǎn)。特別是，本發(fā)明的目的之一是提供一種具有像差校正的多束粒子顯微鏡，其使得對(duì)于較大量個(gè)別粒子束能夠?qū)嵭袀€(gè)別射束校正，和/或具有較少控制花費(fèi)。特別是，意圖是場(chǎng)相關(guān)校正對(duì)于每一個(gè)個(gè)別粒子束為個(gè)別可能的。[0014]所述目的可由獨(dú)立權(quán)利要求的主題來(lái)實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明的有利實(shí)施例從從屬專(zhuān)利權(quán)利要求中顯而易見(jiàn)。[0015]本專(zhuān)利申請(qǐng)要求2022年12月1日的德國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)102022131862.1的優(yōu)先權(quán)，其內(nèi)容通過(guò)引用完全并入本專(zhuān)利申請(qǐng)。[0016]本發(fā)明的基本概念涉及在現(xiàn)有技術(shù)中所使用的多極校正器(multipolecorrectors),而其待以復(fù)雜方式控制的分段電極置換為不同類(lèi)型的校正單元。[0017]原則上，下列關(guān)系對(duì)于多極校正器內(nèi)靜電電位U成立(以圓柱坐標(biāo)指示):[0018]UαU?+U?cos(φ+φ1)+U?cos(2φ+φ2)+U?cos(3φ+φ3)+…(方程式1)[0019]在這種情況下，φ是該多極校正器內(nèi)的角坐標(biāo)。幅度(amplitude)U?…U依沿著光軸(z軸)的位置而定，且其額外地具有徑向相關(guān)性。角度φ;說(shuō)明旋轉(zhuǎn)或多極的對(duì)準(zhǔn)。[0020]因此，多極校正器內(nèi)的靜電電位U原則上可由關(guān)于多極的級(jí)數(shù)展開(kāi)表示。徑向?qū)ΨQ(chēng)偏移電位。[0021]單一多極校正器的電極必須以復(fù)雜方式控制，而非如在現(xiàn)有技術(shù)中借助單一多極校正器產(chǎn)生像差校正所需的全部電位，依據(jù)本發(fā)明，以上級(jí)數(shù)展開(kāi)的個(gè)別項(xiàng)分開(kāi)由特定電極對(duì)實(shí)現(xiàn)。校正電位的所有項(xiàng)皆可由這些特定電極對(duì)的序列來(lái)表示。在這種情況下，電極對(duì)的特定電極中的每一者皆是個(gè)別可控制的，但每一者僅需要正好一條饋線(xiàn)，這減少像差校正單元中的整體饋線(xiàn)的數(shù)量，并減少控制的成本。在此，對(duì)于在由特定電極或電極對(duì)構(gòu)成的序列中的各自多極場(chǎng)的產(chǎn)生而言，至關(guān)重要的是這些電極的形狀或這些電極的橫截面的形狀。因此，這些電極在本專(zhuān)利申請(qǐng)案的上下文中稱(chēng)為幾何式電極。幾何式電極可例如具有橢圓形橫截面，即2重對(duì)稱(chēng)性，并因此產(chǎn)生四極場(chǎng)。其橫截面可具有大體上圓角等邊三角形形[0023]多束產(chǎn)生器，其配置成產(chǎn)生帶電的多個(gè)第一個(gè)別粒子束的第一場(chǎng)；[0024]具有第一粒子光學(xué)束路徑的第一粒子光學(xué)單元，其配置成將所產(chǎn)生的第一個(gè)別粒子束成像到物平面中的樣本表面上，使得所述第一個(gè)別粒子束在形成第二場(chǎng)的入射位置處入射在該樣本表面上；[0026]具有第二粒子光學(xué)束路徑的第二粒子光學(xué)單元，其配置成將從該第二場(chǎng)中的入射位置發(fā)出的第二個(gè)別粒子束成像到該檢測(cè)系統(tǒng)的檢測(cè)區(qū)域的第三場(chǎng)上；[0027]磁性和/或靜電物鏡，所述第一個(gè)別粒子束與所述第二個(gè)別粒子束皆穿過(guò)該磁性和/或靜電物鏡；[0028]射束開(kāi)關(guān)，其設(shè)置在該多束產(chǎn)生器與該物鏡之間的該第一粒子光學(xué)束路徑中，且其設(shè)置在該物鏡與該檢測(cè)系統(tǒng)之間的該第二粒子光學(xué)束路徑中；[0029]像差校正單元，其用于個(gè)別地校正該第一粒子光學(xué)束路徑中的一個(gè)或多個(gè)像差；以及[0031]其中該像差校正單元具有包含至少一個(gè)第一對(duì)電極陣列的一系列電極陣列，[0032]其中該第一對(duì)電極陣列具有第一電極陣列和第二電極陣列，[0033]其中該第一電極陣列和該第二電極陣列每一者具有多個(gè)幾何式校正電極，每一幾何式校正電極為了產(chǎn)生多極場(chǎng)具有繞著光軸的n重旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)性，每一幾何式校正電極皆可借助正好一條饋線(xiàn)來(lái)個(gè)別控制，[0034]其中該第一電極陣列中的幾何式校正電極相對(duì)于該第二電極陣列中相關(guān)聯(lián)的幾何式校正電極而關(guān)于光軸旋轉(zhuǎn)；且[0035]其中該控制器設(shè)計(jì)成為了像差校正，而個(gè)別控制該像差校正單元的第一電極陣列和第二電極陣列的多個(gè)幾何式校正電極。[0036]第一帶電個(gè)別粒子束可為例如電子、正電子(positrons)、μ子(muons)或其他帶電粒子。若粒子束的數(shù)量為3n(n-1)+1,則具有優(yōu)勢(shì)，其中n是任何自中的粒子束的設(shè)置整體較佳為六角形。第二個(gè)別粒子束可為反向散射電子或者二次電子。在這種情況下，為了分析用途，較佳為將低能量二次電子用于圖像產(chǎn)生。然而，也可能將鏡像離子/鏡像電子用作第二個(gè)別粒子束，也就是那些直接在物體的上游或物體處經(jīng)歷反轉(zhuǎn)的第一個(gè)別粒子束。[0037]像差校正單元用于個(gè)別校正第一粒子光學(xué)束路徑中的一個(gè)或多個(gè)像差。因此，在這種情況下，像差對(duì)于第一個(gè)別粒子束來(lái)說(shuō)被個(gè)別校正。這并未涉及均等地對(duì)于所有第一個(gè)別粒子束的全局校正。而是，幾何式校正電極中的每一者均借助正好一條線(xiàn)路來(lái)個(gè)別控制。像差校正單元具有包含至少一個(gè)第一對(duì)電極陣列的一系列電極陣列，其中第一對(duì)電極則上連續(xù)設(shè)置在粒子光學(xué)束路徑中。然而，在此第一電極陣列和第二電極陣列不必直接連續(xù)設(shè)置；也可能將像差校正單元的另一元件或甚至完全不同的元件置于該第一電極陣列與該第二電極陣列之間。整體而言，像差校正單元可整體或以多部分(multipartite)方式實(shí)[0038]第一電極陣列和第二電極陣列實(shí)施為為一對(duì)或稱(chēng)為一對(duì)的事實(shí)，意圖反映以下事基本上關(guān)于第一電極陣列與第二電極陣列之間的相互影響。[0039]第一電極陣列和第二電極陣列每一者具有多個(gè)幾何式校正電極，每一幾何式校正電極為了產(chǎn)生多極場(chǎng)具有繞著光軸的n重旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)性，其中每個(gè)幾何式校正電極在每種情況下皆可借助正好一條饋線(xiàn)來(lái)個(gè)別控制。依據(jù)方程式(1)中所指示的級(jí)數(shù)展開(kāi)，電氣多極可度φ(其中0°<φ<360°)而映射(mapping)到自身上，則其也稱(chēng)為旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)的。旋轉(zhuǎn)角度此旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)角度大體上為·。此類(lèi)旋轉(zhuǎn)角度允許形成兩個(gè)基本多極(fundamentalmultipoles),或者亦即基本上形成依據(jù)方程式(1)的級(jí)數(shù)展開(kāi)的所需多極的余弦項(xiàng)(cosnφ)和正弦項(xiàng)(sinnφ)。若所產(chǎn)生多極之間的角度為,則每個(gè)校正電極對(duì)的幾何校正電極為了產(chǎn)生多極場(chǎng)具有繞著光軸的m重旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)性，每一幾何式校正電極皆可借助[0044]其中第三電極陣列中的幾何式校正電極相對(duì)于第四電極陣列中相關(guān)聯(lián)幾何式校由幾何式校正電極的m重旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)性表達(dá)，其中下列內(nèi)容在此通常成立：n≠m,其中校正電極為了產(chǎn)生多極場(chǎng)具有繞著光軸的k重旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)性，每一幾何式校正電極皆可借助[0051]其中第五電極陣列中的幾何式校正電極相對(duì)于第六電極陣列中的相關(guān)聯(lián)幾何式[0053]對(duì)于第三對(duì)電極陣列成立的大體上也為以上對(duì)于第一對(duì)電極陣列和第二對(duì)電極[0057]其中該控制器配置成為了像差校正而個(gè)別控制橫截面圓形的校正電極。特別情況n=1對(duì)于對(duì)稱(chēng)性的階數(shù)為成立。由于各自個(gè)別粒子束以移位方式(而非居中)穿過(guò)幾[0063]其中該控制器配置成大體上為了校正具有3重對(duì)稱(chēng)性的像差，而個(gè)別控制大體上兩個(gè)相互相鄰的多孔徑板之間，其中整合有具有個(gè)別可控制幾何式校正電極的電極陣列。合有具有個(gè)別可控制幾何式校正電極的電極陣列的兩個(gè)相互相鄰的多孔徑板之間提供標(biāo)準(zhǔn)多孔徑板的優(yōu)勢(shì)在于，對(duì)借助一對(duì)的電極陣列產(chǎn)生的多極進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)可被控制或彼此解[0069]依據(jù)本發(fā)明的另一較佳具體實(shí)施例，像差校正單元具有標(biāo)準(zhǔn)多孔徑板(具有多個(gè)被動(dòng)圓形孔),該標(biāo)準(zhǔn)多孔徑板關(guān)于粒子光學(xué)束路徑的方向設(shè)置在具有個(gè)別可控制幾何式[0070]像差校正單元具有標(biāo)準(zhǔn)多孔徑板(具有多個(gè)被動(dòng)圓形孔),該標(biāo)準(zhǔn)多孔徑板關(guān)于粒[0072]用于生成所產(chǎn)生多極的正交性的替代性解決方案是尋求改變一對(duì)電極陣列的幾正電極的幾何式校正電極大體上可相對(duì)于彼此旋轉(zhuǎn),以便盡可能確切提供用于像差校[0076]像差校正單元可借助如在MEMS制造中或在集成電路的生成中所使用的既定制造的多極的幅度所借助的多極幅度輸入單元，[0078]其中多束粒子顯微鏡的控制器設(shè)計(jì)成基于用戶(hù)輸入產(chǎn)生用于控制幾何式校正電極的控制信號(hào)。若多極是基本多極，則通過(guò)改變相對(duì)應(yīng)的激發(fā)，用戶(hù)可以非常針對(duì)性方式校正在成像期間發(fā)生的像差。[0079]依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)較佳具體實(shí)施例，多束粒子顯微鏡的控制器設(shè)計(jì)成執(zhí)行控制信號(hào)的確定，以使用逆幅度矩陣(invertedamplitudematrix)來(lái)控制幾何式校正電極來(lái)產(chǎn)生多極場(chǎng)，其中非求逆幅度矩陣說(shuō)明校正電極的激發(fā)與所產(chǎn)生的基本多極的幅度之間的關(guān)系。借助逆幅度矩陣，可判定導(dǎo)致基本多極的所需幅度分布的激發(fā)的合適線(xiàn)性組合。特別是，此類(lèi)流程使得激發(fā)的合適線(xiàn)性組合能夠被找到，以便產(chǎn)生單一(相當(dāng)特定)多極。[0080]多束粒子顯微鏡的以上所說(shuō)明具體實(shí)施例變體可彼此全部或部分組合，只要不會(huì)產(chǎn)生技術(shù)矛盾。[0081]依據(jù)本發(fā)明的第二方面，本發(fā)明關(guān)于一種在多束粒子顯微鏡中為了像差校正而產(chǎn)生基本多極的方法，該方法具有下列步驟：[0082]a0)提供如以上在多個(gè)具體實(shí)施例變體中所說(shuō)明的多束粒子顯微鏡；[0083]a)對(duì)于一系列的所有幾何式校正電極：[0084]a1)僅激發(fā)所述幾何式校正電極中的一個(gè)；[0085]a2)判定由個(gè)別激發(fā)產(chǎn)生的多極的所有幅度；[0086]b)基于所確定幅度建立幅度矩陣，其中該幅度矩陣描述幾何式校正電極的激發(fā)與由這些激發(fā)產(chǎn)生的基本多極的幅度之間的關(guān)系；[0088]d)基于逆幅度矩陣的條目(entries)激發(fā)幾何式校正電極。[0089]原則上，這涉及對(duì)于幾何式校正電極中每一者分開(kāi)確定：在幾何式校正電極的序列內(nèi)，除其他情況外，哪些另外的多極由幾何式校正電極的激發(fā)產(chǎn)生。舉例來(lái)說(shuō)，可確立第一幾何式校正電極的激發(fā)主要引起具有幅度A1的偶極COSφ、還有具有幅度B1的偶極sinφ采用的確切單位并不重要。[0090]依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)較佳具體實(shí)施例，方法步驟a2)包含借助全局多極校正器(特別是借助十二極校正器)補(bǔ)償分別產(chǎn)生的多極的效應(yīng)，并確定在全局多極校正器中為此目的分別所需的幅度。在這種情況下，可能僅為了對(duì)多束粒子顯微鏡進(jìn)行調(diào)整的目的，而提供對(duì)應(yīng)的全局多極校正器；此校正器無(wú)需但是可永久安裝在多束粒子顯微鏡中。然而，幅度矩陣中的條目也可以某種其他方式來(lái)判定。[0091]依據(jù)本發(fā)明的又一較佳具體實(shí)施例，該方法還具有下列步驟：[0092]e)優(yōu)化多束粒子顯微鏡的分辨率包含獨(dú)立變化每個(gè)多極的幅度，并確定用于分辨率的最佳幅度。[0093]當(dāng)然，也可以對(duì)應(yīng)地優(yōu)化分辨率以外的成像性質(zhì)。然而，分辨率的優(yōu)化對(duì)于多束粒子顯微鏡特別重要。分辨率的優(yōu)化包含每個(gè)多極的幅度的變化，這對(duì)于校正器的幅度矩陣為對(duì)角的或逆幅度矩陣已確定的情況而言是特別簡(jiǎn)單的。這是因?yàn)槊總€(gè)多極的幅度的獨(dú)立變化實(shí)際上在一開(kāi)始是可行的。[0094]依據(jù)本發(fā)明的又一較佳具體實(shí)施例，對(duì)于幾何式校正電極的所有系列執(zhí)行該方法。因此，對(duì)于每個(gè)個(gè)別粒子束執(zhí)行該方法。以此方式，可為了物平面中的每一個(gè)第一個(gè)別粒子束而個(gè)別校正成像像差。[0095]依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)較佳具體實(shí)施例，通過(guò)激發(fā)幾何式校正電極，實(shí)行場(chǎng)相關(guān)像差[0096]依據(jù)本發(fā)明的第三方面，本發(fā)明關(guān)于一種具有用于執(zhí)行如以上在多個(gè)具體實(shí)施例變體中所說(shuō)明的方法的程序代碼的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。在這種情況下，該程序代碼可以任何所需編程語(yǔ)言編寫(xiě)。該程序代碼可以一個(gè)部分或以多部分方式體現(xiàn)。特別是，僅為了對(duì)像差校正單元進(jìn)行控制而提供分開(kāi)程序代碼是有利的。然而，這也可以不同方式完成。[0098]多束產(chǎn)生器，其配置成產(chǎn)生帶電的多個(gè)第一個(gè)別粒子束的第一場(chǎng)；[0099]具有第一粒子光學(xué)束路徑的粒子光學(xué)單元，其配置成將所產(chǎn)生個(gè)別粒子束成像到物平面中的樣本表面上，使得第一個(gè)別粒子束在形成第二場(chǎng)的入射位置處入射在該樣本表[0100]像差校正單元，其用于個(gè)別校正第一粒子光學(xué)束路徑中的一個(gè)或多個(gè)像差；以及[0102]其中像差校正單元具有至少一個(gè)電極陣列，[0103]其中電極陣列具有多個(gè)幾何式校正電極，每一幾何式校正電極為了產(chǎn)生多極場(chǎng)具有繞光軸的n重旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)性，所述幾何式校正電極中的每一者皆可特別是借助正好一條饋[0104]其中控制器設(shè)計(jì)成為了像差校正，而個(gè)別控制像差校正單元的電極陣列的幾何式校正電極。[0105]依據(jù)本發(fā)明的第四方面的多束粒子束系統(tǒng)，相較于依據(jù)本發(fā)明的第一方面的多束粒子顯微鏡，更寬泛地說(shuō)明本發(fā)明。該多束粒子束系統(tǒng)可為多束粒子顯微鏡，但情況不一定如此。有關(guān)關(guān)于本發(fā)明的第四方面所使用的用語(yǔ)，明確參照關(guān)于本發(fā)明的第一方面所述的對(duì)應(yīng)用語(yǔ)的定義。特別是，依據(jù)第一方面的本發(fā)明的所有具體實(shí)施例也可與依據(jù)本發(fā)明的第四方面的多束粒子束系統(tǒng)組合。將在以下討論本發(fā)明的第四方面的僅特殊特征，以便避免不必要的重復(fù)。[0106]依據(jù)本發(fā)明的第四方面，像差校正單元具有至少一個(gè)電極陣列。因此，該像差校正單元也可能僅具有正好一個(gè)電極陣列，其中此電極陣列再次具有多個(gè)幾何式校正電極，每一幾何式校正電極為了產(chǎn)生多極場(chǎng)具有繞光軸的n重旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)性，每一幾何式校正電極皆可借助饋線(xiàn)來(lái)個(gè)別控制；據(jù)此，控制器設(shè)計(jì)成為了像差校正，而個(gè)別控制像差校正單元的電極陣列的多個(gè)幾何式校正電極。[0107]通過(guò)僅使用一個(gè)電極陣列，仍然可能執(zhí)行像差校正，但不再具有以上所說(shuō)明的普遍性，因?yàn)闉榱诵Ｕa(chǎn)生的多極場(chǎng)的方向或?qū)?zhǔn)由電極陣列的配置定義。然而，原則上，以此方式的像差校正也是可能的。[0108]依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)較佳具體實(shí)施例，像差校正單元具有另一電極陣列，[0109]其中該另一電極陣列具有多個(gè)幾何式校正電極，每一幾何式校正電極為了產(chǎn)生多極場(chǎng)具有繞著光軸的m重旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)性，其中每一幾何式校正電極皆可借助饋線(xiàn)來(lái)個(gè)別控制；且[0110]其中控制器設(shè)計(jì)成為了像差校正，而個(gè)別控制像差校正單元的另一電極陣列的多個(gè)幾何式校正電極。[0111]至少一個(gè)電極陣列和另一電極陣列可形成產(chǎn)生相同階數(shù)的對(duì)稱(chēng)性的多極場(chǎng)的一[0112]依據(jù)本發(fā)明的又一較佳具體實(shí)施例，像差校正單元具有一個(gè)另一電極陣列或多個(gè)另一電極陣列，其電極實(shí)施為幾何式和/或非幾何式。因此，可能將校正電極的不同實(shí)現(xiàn)形式彼此組合在像差校正單元內(nèi)。舉例來(lái)說(shuō)，若考慮用于第一個(gè)別粒子束的一系列校正電極，則此系列電極可同時(shí)包含至少一個(gè)幾何式校正電極和至少一個(gè)非幾何式校正電極。因此，可能將依據(jù)本發(fā)明的像差校正單元與其他像差校正元件組合。[0113]依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)較佳具體實(shí)施例，像差校正單元具有包含分段電極的另一電極陣列。分段電極是例如以上與現(xiàn)有技術(shù)有關(guān)所說(shuō)明的多極電極，特別是八極電極或十二極電極。在這種情況下，特別是可想象到將不同類(lèi)型的校正電極組合成對(duì)，其多極彼此對(duì)準(zhǔn)使得可產(chǎn)生基本多極。舉例來(lái)說(shuō)，可想象到用于多極場(chǎng)產(chǎn)生的級(jí)數(shù)展開(kāi)的所有余弦項(xiàng)皆由包含幾何式校正電極的電極陣列產(chǎn)生，且所有正弦項(xiàng)皆由對(duì)應(yīng)所控制多極電極產(chǎn)生，或者反之亦然。在這種情況下，通過(guò)將多極電極與幾何式校正電極組合來(lái)減少多極電極中的極數(shù)是可能的，并由此至少稍微減少控制花費(fèi)；舉例來(lái)說(shuō)，提供四極分段電極而非八極電極可是足夠的，只要與幾何式校正電極的對(duì)應(yīng)成對(duì)組合在特定系列內(nèi)實(shí)行即可。[0114]依據(jù)又一較佳具體實(shí)施例，像差校正單元的至少一個(gè)電極陣列的幾何式校正電極被分段，且控制器設(shè)計(jì)成個(gè)別輪流控制校正電極的這些分段。當(dāng)然，幾何式校正電極在此并非圓形對(duì)稱(chēng)(此解決方案微不足道且是先前已知的)。舉例來(lái)說(shuō)，可能對(duì)于幾何式校正電極進(jìn)行分段，其在每種情況下為了多極場(chǎng)產(chǎn)生而具有關(guān)于光軸的至少2重旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)性。因此，幾何式校正電極的橫截面可為例如橢圓形，其中校正電極的個(gè)別可控制分段，即原則上實(shí)施為具有特定橫截面的多極電極，沿著此橢圓形提供。也可想象到將對(duì)應(yīng)分段電極插入到幾何式校正電極中。所述各種具體實(shí)施例變體在像差校正方面具有特定優(yōu)勢(shì)或缺點(diǎn)。[0115]本發(fā)明的各種具體實(shí)施例和方面可彼此全部或部分組合，只要無(wú)技術(shù)矛盾因此出現(xiàn)即可。附圖說(shuō)明[0117]圖1示意性顯示多束粒子顯微鏡；[0118]圖2示意性顯示使用個(gè)別可控制分段電極(在此：八極電極)的多束粒子顯微鏡中的像差校正；[0119]圖3示意性顯示八極電極的陣列；[0120]圖4示意性例示借助八極電極產(chǎn)生具有不同定向的四極；[0121]圖5示意性顯示用于依據(jù)本發(fā)明的多極場(chǎng)產(chǎn)生的幾何式電極對(duì)；[0122]圖6示意性顯示用于產(chǎn)生焦點(diǎn)移位的幾何式電極；[0123]圖7示意性顯示用于四極場(chǎng)產(chǎn)生的一系列兩個(gè)幾何式電極陣列；[0124]圖8示意性顯示用于四極場(chǎng)產(chǎn)生的一系列兩個(gè)幾何式電極陣列；[0125]圖9示意性顯示用于四極場(chǎng)產(chǎn)生的一系列兩個(gè)幾何式電極陣列；[0126]圖10示意性顯示用于六極場(chǎng)產(chǎn)生的一系列兩個(gè)幾何式電極陣列；[0127]圖11示意性顯示用于四極場(chǎng)產(chǎn)生的幾何式電極的示例性具體實(shí)施例；[0128]圖12示意性顯示用于四極場(chǎng)產(chǎn)生的一對(duì)幾何式校正電極的示例性具體實(shí)施例；[0129]圖13示意性顯示用于像差校正的一系列多個(gè)幾何式電極陣列的示例性具體實(shí)施[0130]圖14示意性顯示個(gè)別所產(chǎn)生四極場(chǎng)的解耦的一個(gè)范例；[0131]圖15示意性例示調(diào)整多束粒子顯微鏡的像差校正的方法(正交化);以及[0132]圖16示意性例示為了優(yōu)化多束粒子顯微鏡的成像性質(zhì)，而對(duì)幾何式電極的最佳激發(fā)/幅度進(jìn)行調(diào)整。具體實(shí)施方式[0133]圖1示意性顯示多束粒子顯微鏡1。多束粒子顯微鏡1包含射束產(chǎn)生設(shè)備300,其具有粒子源301(例如電子源)。發(fā)散粒子束309由一系列聚光透鏡303.1和303.2準(zhǔn)直，并撞擊在多孔徑設(shè)置305上。多孔徑設(shè)置305包含多個(gè)多孔徑板304和場(chǎng)透鏡308.多個(gè)個(gè)別粒子束3或個(gè)別電子束3由多孔徑設(shè)置305產(chǎn)生。在多孔徑板設(shè)置中，孔的中點(diǎn)設(shè)置在成像到由物平面101中的射束斑點(diǎn)5形成的另一場(chǎng)上的場(chǎng)中。多孔徑板304的孔的中點(diǎn)之間的間距可為例小于孔的中點(diǎn)的間距；直徑的范例是孔的中點(diǎn)之間的[0134]多孔徑設(shè)置305和場(chǎng)透鏡307配置成在表面325上以柵格設(shè)置產(chǎn)生一次射束3的多個(gè)聚焦點(diǎn)323。表面325無(wú)需是平面表面，而是可為球面彎曲表面，以便考慮到后續(xù)粒子光學(xué)系統(tǒng)的像場(chǎng)曲率。[0135]多束粒子顯微鏡1還包含電磁透鏡103以及物鏡102的系統(tǒng)，其以縮減的尺寸將射束焦點(diǎn)323從中間像表面325成像到物平面101中。其間，第一個(gè)別粒子束3穿過(guò)射束開(kāi)關(guān)400和集體射束偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)500,而借助集體射束偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)500,多個(gè)第一個(gè)別粒子束3在操作期間偏轉(zhuǎn)且像場(chǎng)被掃描。入射在物平面101中的第一個(gè)別粒子束3例如形成大體上規(guī)則場(chǎng)，其中場(chǎng)可具有矩形或六角形對(duì)稱(chēng)性。[0136]待檢驗(yàn)的物體7可為任何所需類(lèi)型，例如半導(dǎo)體晶片或生物樣本，并可包含微小化元件或其類(lèi)似物的設(shè)置。物體7的表面15設(shè)置在物鏡102的物平面101中。物鏡102可包含一個(gè)或多個(gè)電子光學(xué)透鏡。舉例來(lái)說(shuō)，這可為磁性物鏡和/或靜電物鏡。[0137]入射在物體7上的一次粒子3產(chǎn)生交互作用產(chǎn)物，例如由于其他原因而已經(jīng)歷移動(dòng)的反轉(zhuǎn)的二次電子、反向散射電子、或一次粒子，且這些交互作用產(chǎn)物從物體7的表面或從第一平面或物平面101發(fā)出。從物體7的表面15發(fā)出的交互作用產(chǎn)物，由物鏡102塑形以形成二次粒子束9。在該過(guò)程中，二次射束9在物鏡102之后穿過(guò)射束開(kāi)關(guān)400并且向投射系統(tǒng)200供應(yīng)。投射系統(tǒng)200包含成像系統(tǒng)205,其具有第一與第二透鏡210和220;對(duì)比光闌222;以及多粒子檢測(cè)器209。在多粒子檢測(cè)器209的檢測(cè)區(qū)域上的第二個(gè)別粒子束9的入射位置位在[0138]多束粒子顯微鏡1還具有計(jì)算機(jī)系統(tǒng)或控制單元10,其進(jìn)而可整體或以多部分方式體現(xiàn)，且其設(shè)計(jì)成控制多束粒子顯微鏡1的個(gè)別粒子光學(xué)部件，并評(píng)估和分析由多檢測(cè)器209或檢測(cè)單元209得到的信號(hào)。[0139]一系列的多孔徑板304(也稱(chēng)為微光學(xué)組件)也可包含依據(jù)本發(fā)明的多束粒子顯微鏡的像差校正單元。[0140]與此類(lèi)多束粒子束系統(tǒng)或多束粒子顯微鏡1和其中所使用的部件(例如粒子源、多孔徑板、和透鏡等)相關(guān)的進(jìn)一步信息，可從國(guó)際專(zhuān)利申請(qǐng)案WO2005/利申請(qǐng)案DE102013016113A1和DE102013014976A1得到，其所揭示內(nèi)容通過(guò)參考完整并入在本發(fā)明申請(qǐng)案中。[0141]圖2示意性顯示使用個(gè)別可控制分段電極的多束粒子顯微鏡中的像差校正。像差校正單元可為例如微光學(xué)組件306的一部分，如圖1中所示。圖2舉例來(lái)說(shuō)例示來(lái)自八極電極372的陣列的細(xì)節(jié)(參見(jiàn)其在示意平面圖中的圖示和控制)。陣列中的每個(gè)開(kāi)口391皆分配八極電極372,以便產(chǎn)生例如作用在穿過(guò)前述開(kāi)口361的個(gè)別粒子束上的四極場(chǎng)。每個(gè)八極電極372皆具有八個(gè)電極373,其以在圓周方向上環(huán)繞開(kāi)口361分布的方式設(shè)置，且其由控制器10控制。為此目的，在所示的范例中，產(chǎn)生可調(diào)整電壓并將這些電壓經(jīng)由線(xiàn)路377饋送到電極373的電子電路375,設(shè)置在與開(kāi)口361相距一定距離處的區(qū)域中的多孔徑板上。圖2僅例示向電極372供應(yīng)電壓的線(xiàn)路的細(xì)節(jié)或一部分；盡管如此，非常大量線(xiàn)路在狹窄定界空間中的問(wèn)題顯而易見(jiàn)。而且，真空夾套381內(nèi)的電子電路暴露于粒子轟擊和X射線(xiàn)輻射，這對(duì)電子電路375的使用壽命產(chǎn)生不利影響。[0142]控制器10通過(guò)穿過(guò)多束粒子顯微鏡1的真空夾套381的串行數(shù)據(jù)連接379來(lái)控制電子電路375。在此，提供密封件382,其關(guān)于多束粒子顯微鏡1的真空夾套381密封串行數(shù)據(jù)連接379的線(xiàn)路。由于有大量的線(xiàn)路377,為線(xiàn)路377的每一個(gè)別線(xiàn)路提供真空襯套將是不實(shí)際的。依經(jīng)由串行數(shù)據(jù)連接379從控制器10接收的數(shù)據(jù)而定，電子電路375產(chǎn)生經(jīng)由線(xiàn)路377饋送到電極373的電壓。所以，控制器10能夠在開(kāi)口361的每一者中產(chǎn)生電的四極場(chǎng)，而該四極場(chǎng)可針對(duì)其強(qiáng)度以及針對(duì)其關(guān)于開(kāi)口361的中心的定向來(lái)進(jìn)行調(diào)整。使用這些四極場(chǎng)，可能在每種情況下個(gè)別操縱所有個(gè)別粒子束3。控制器10例如以下列方式調(diào)整四極場(chǎng)：其在射束3中造成像散，該像散補(bǔ)償例如由下游光學(xué)系統(tǒng)(如圖1中的物鏡102)引起的像散，使得射束以大體上無(wú)像散(消像散)的方式聚焦在物平面101中。[0143]圖3示意性顯示八極電極372的陣列。在這種情況下，八極電極372的陣列設(shè)置在多孔徑板370中。舉例例示僅7個(gè)八極電極372,但其數(shù)量可為更多，例如超過(guò)100個(gè)八極電極372,其如圖2中所示在每種情況下被控制或供應(yīng)有電壓。[0144]圖4示意性例示借助八極電極372產(chǎn)生具有不同定向的四極場(chǎng)。八極電極372整體上具有圓形橫截面或圓形的開(kāi)口361。八極電極372被分段；個(gè)別電極由373a至373h指示。然后，圖4附加例示哪些電壓被施加于電極373a至373h中的每一者。在絕對(duì)值和符號(hào)方面的等同的電壓在圖4中例示有相同陰影線(xiàn)(hatching)。相同電壓-U?被施加于電極373a和373e中的每一者；電壓+U?被施加于電極373c和373g中的每一者。結(jié)果，八極電極372產(chǎn)生沿著軸x與y所定向的第一四極場(chǎng)，如圖4b)中所例示。電位+U被施加于電極373b和373f中的每一者；電位-U?被施加于電極373d和373h中的每一者。結(jié)果，這些電極產(chǎn)生與第一四極場(chǎng)相比個(gè)四極場(chǎng)一起可通過(guò)疊加而產(chǎn)生所得到的四極場(chǎng)，其對(duì)準(zhǔn)由兩個(gè)四極場(chǎng)關(guān)于彼此的相對(duì)強(qiáng)度來(lái)確定。此類(lèi)所得到的四極場(chǎng)例示在圖4d)中。通過(guò)適當(dāng)選擇用于四極產(chǎn)生的電位+/-U?和+/-U?或幅度，因此可能產(chǎn)生可在x-y平面內(nèi)以任何方向定向的所得到的四極場(chǎng)。然而，八極電極372的控制復(fù)雜，且當(dāng)有多個(gè)八極電極372時(shí)，有容納線(xiàn)路在非常局限空間中的新增問(wèn)題。此外，在所產(chǎn)生的四極場(chǎng)接近電極的情況下，應(yīng)考慮到由于八極電極373a至373h的分段而發(fā)生的像差；邊界條件不平滑。結(jié)果，穿過(guò)分段的八極電極372的第一個(gè)別粒子束3有必要不被允許過(guò)于接近地飛過(guò)電極373a至373h。換言之，穿過(guò)八極電極372的個(gè)別粒子束3的填充因子(fillfactor)相對(duì)較小。八極電極372內(nèi)的可用空間無(wú)法被最佳地利用。若把更多電極提供在多極校正器372(例如12個(gè)電極)處，則空間利用搭配較大填充因子將更好；然而，由于多孔徑板370中的線(xiàn)路377的設(shè)置中的局限，這樣做甚至?xí)?。[0145]依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，對(duì)于每個(gè)個(gè)別粒子束3的像差校正所需的電位，現(xiàn)在不再借助每個(gè)個(gè)別粒子束3的單一多極校正器產(chǎn)生。而是，對(duì)于每個(gè)個(gè)別粒子束3,一系列的幾何式電極用于產(chǎn)生校正電位。在這種情況下，這些幾何式電極中的每一者皆是個(gè)別可控制的，且每一者皆?xún)H需要正好一條饋線(xiàn)，這減少饋線(xiàn)的數(shù)量，例如在多孔徑板內(nèi)，并因此也減少用于控制電極的控制花費(fèi)。在此，對(duì)于由幾何式電極構(gòu)成的系列中的各多極場(chǎng)產(chǎn)生，至關(guān)重要的是這些電極的形狀。[0146]圖5顯示在這種情況下的原理：該例示圖示意性顯示用于依據(jù)本發(fā)明的多極場(chǎng)產(chǎn)生的多個(gè)幾何式電極對(duì)。再次考慮到方程式(1):[0147]因此，對(duì)于像差校正有必要產(chǎn)生具有所需定向的偶極場(chǎng)、具有所需定向的四極場(chǎng)、具有所需定向的六極場(chǎng)等等。[0148]圖5a)顯示用于產(chǎn)生偶極場(chǎng)的一系列幾何式校正電極701和702。圖5b)顯示用于產(chǎn)生四極場(chǎng)的兩個(gè)幾何式校正電極705和706。圖5c)顯示用于產(chǎn)生六極場(chǎng)的兩個(gè)幾何式校正電極709和710。依據(jù)圖6具有圓形橫截面的幾何式校正電極713可用于產(chǎn)生偏移電位U?[0149]首先，將更詳細(xì)說(shuō)明圖5b)中所例示的電極設(shè)置，具體而言為了清楚表示，并且由于與依據(jù)圖4的所疊加四極場(chǎng)的良好相當(dāng)性。相較于四極場(chǎng)由十字狀設(shè)置產(chǎn)生并對(duì)于電極是橫截面橢圓形的電極，如舉例由圖5b)中左側(cè)的幾何式校正電極705所例示。其開(kāi)口707是橢圓形，并關(guān)于光軸Z居中對(duì)準(zhǔn)。在這種情況下，橢圓形的半長(zhǎng)軸沿著y軸定向。在這種情況具有橢圓形橫截面的幾何式校正電極705具有關(guān)于光軸Z的2重旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)性。該橢圓可通過(guò)繞著光軸Z旋轉(zhuǎn)180°而映射到其自身上。圖5b)中右側(cè)所例示的幾何式校正電極706同樣具有橢圓形橫截面或?qū)?yīng)形狀的開(kāi)口708。這當(dāng)然也具有關(guān)于光軸Z的2重旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)性，但其與幾何式校正電極705不同地定向：該橢圓的長(zhǎng)軸顯示與y軸呈45°角。因此，借助幾何式校正電極706產(chǎn)生的四極場(chǎng)，關(guān)于借助幾何式校正電極705產(chǎn)生的四極場(chǎng)，旋轉(zhuǎn)大體上45°。若個(gè)別粒子束3隨后連續(xù)穿過(guò)幾何式校正電極電極705和706,則個(gè)別粒子束3經(jīng)歷兩個(gè)四極場(chǎng)的效應(yīng)，所得到的效應(yīng)對(duì)應(yīng)于有效四極場(chǎng)(類(lèi)似于圖4d)中的情況)。該電極對(duì)的幾何式校正電極705和706中的每一者，皆由僅一條饋線(xiàn)供應(yīng)電壓。可個(gè)別選擇此激發(fā)的幅度。因此，具有任意或可調(diào)整定向的有效四極場(chǎng)的效應(yīng)，可能也通過(guò)具有2重旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)性的該系列或該對(duì)[0150]有關(guān)其他多極場(chǎng)的情況被證明是完全類(lèi)似的：圖5c)顯示具有繞著光軸Z的3重旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)性的一對(duì)幾何式校正電極709和710.幾何式校正電極709和710具有相同形狀，但定向不同。具有3重對(duì)稱(chēng)性的形狀可由具有圓角的等邊三角形說(shuō)明。六極場(chǎng)可由此類(lèi)型的幾何式電極產(chǎn)生。該對(duì)的兩個(gè)幾何式校正電極709和710相對(duì)于彼此所旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)角度，大體上為,即這在此[0151]圖5a)顯示可用于產(chǎn)生具有任意定向的有效偶極場(chǎng)的效應(yīng)的一對(duì)幾何式校正電極701、702。在這種情況下，所述兩個(gè)幾何式校正電極701和702實(shí)施為以使橫截面為圓形(參見(jiàn)開(kāi)口703和704),但其并未相對(duì)于光軸Z居中設(shè)置。因此，沒(méi)有任何關(guān)于光軸Z的旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)性；在形式上，幾何式校正電極701和702因此具有1重對(duì)稱(chēng)性。繞著光軸Z的旋轉(zhuǎn)角度為。在此，幾何式校正電極701和702也可每一者皆個(gè)別供應(yīng)有電壓；依據(jù)所施加電壓或幅度，可能產(chǎn)生具有任意定向的有效偶極場(chǎng)的效應(yīng)。[0152]圖5舉例來(lái)說(shuō)僅顯示幾何式校正電極對(duì)。多個(gè)對(duì)應(yīng)的幾何式校正電極對(duì)可用于形成具有對(duì)應(yīng)多個(gè)幾何式校正電極的電極陣列。[0153]圖7示意性顯示用于四極產(chǎn)生的一系列的兩個(gè)幾何式電極陣列720、721。在這種情況下，第一電極陣列720整合到多孔徑板715中。第二電極陣列721整合到多孔徑板716。第一電極陣列720的幾何式校正電極705以及第二電極陣列721的幾何式校正電極706的每一者皆具有繞著每個(gè)個(gè)別粒子束3的粒子光學(xué)束路徑的光軸Z的2重旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)性。在所示的范例中，幾何式校正電極705的定向?qū)嵤槭沟谝欢嗫讖桨?15中橫截面為橢圓形，所述定向在每種情況下皆等同；相同情況類(lèi)似地應(yīng)用于第二多孔徑板716中的幾何式校正電極706。每個(gè)電極705和706分別由個(gè)別線(xiàn)路717和718供應(yīng)電壓。在這種情況下，控制器10設(shè)計(jì)成為了像差校正而個(gè)別控制像差校正單元750的第一電極陣列720和第二電極陣列721的多個(gè)幾何式校正電極705、706。這當(dāng)然也可由對(duì)應(yīng)子單元或由控制器10的部件實(shí)行。通過(guò)對(duì)幾何式校正電極705、706中每一者進(jìn)行個(gè)別控制(總共18條個(gè)別可控制線(xiàn)路717、718),可對(duì)于多個(gè)個(gè)別粒子束3進(jìn)行場(chǎng)相關(guān)像差校正。[0154]在像差校正單元750的情況下，僅一對(duì)的電極陣列720、721提供在所示的范例中。然而，當(dāng)然也可能提供另一對(duì)或多個(gè)另外對(duì)電極陣列，以便產(chǎn)生不同階數(shù)的多極或執(zhí)行另外的像差校正。在此情況下，圖7應(yīng)理解為僅是范例。然而正。附帶提及，顯然該系列兩個(gè)電極陣列720和721并未正確例示在圖7的透視圖中。事實(shí)上，所述兩個(gè)電極陣列720和721一個(gè)在另一個(gè)下面地設(shè)置，使得：在所示的范例中，9個(gè)第一個(gè)別粒子束3的陣列首先穿過(guò)第一電極陣列720的9個(gè)開(kāi)口707,然后穿過(guò)第二電極陣列721的9個(gè)開(kāi)口708。另一元件或組成部分也可設(shè)置在具有各自電極陣列720和721的兩個(gè)多孔徑板715與716之間，但情況不必如此。電極陣列之間的更多被動(dòng)多孔徑板的重要性，將在以下進(jìn)一步甚至更詳細(xì)討論。[0155]圖8示意性顯示用于四極產(chǎn)生或像散校正的兩個(gè)幾何式電極陣列720和721的又一系列。在這種情況下，一如既往，相同參考記號(hào)標(biāo)示相同元對(duì)應(yīng)于圖7中的例示圖。然而，橫截面橢圓形的電極705、706在各自電極陣列720和721內(nèi)的對(duì)準(zhǔn)稍微不同：在電極陣列720內(nèi)，幾何式校正電極705僅逐列(row應(yīng)地，第二電極陣列721中的幾何式校正電極706也僅逐列地相同對(duì)準(zhǔn)。盡管如此，在本具體實(shí)施例變體中也成立的是：第一電極陣列720中的幾何式校正電極705、705a,相對(duì)于第二電極陣列721中的相關(guān)聯(lián)幾何式校正電極706、706a而關(guān)于光軸Z旋轉(zhuǎn)相同角度，即在每種情況下為大體上45°。由于幾何式校正電極無(wú)論如何借助控制器10來(lái)個(gè)別控制，因此原則上僅相互相關(guān)聯(lián)幾何式校正電極705、706和相互相關(guān)聯(lián)幾何式校正電極705a、706a的成對(duì)定向是重要的。[0156]圖9示意性顯示用于四極產(chǎn)生或像散校正的兩個(gè)幾何式電極陣列720和721的又一系列。與圖7和圖8中的例示圖相比，個(gè)別幾何式校正電極在各自電極陣列720和721內(nèi)或在多孔徑板715、716內(nèi)的對(duì)準(zhǔn)稍微甚至更加復(fù)雜：在各自電極陣列720、721內(nèi)，所例示的橫截即例如電極705a和706a以及705b和706b、705c和706c,再次成立的是：第一電極陣列720中的幾何式校正電極每一者皆又再次相對(duì)于第二電極陣列721中的相關(guān)聯(lián)幾何式校正電極而[0157]圖10示意性顯示用于六極場(chǎng)產(chǎn)生或用于校正具有3重對(duì)稱(chēng)性的個(gè)別粒子束3的像差的兩個(gè)幾何式電極陣列722、723的一系列。在這種情況下，第一電極陣列722整合到第一多孔徑板724中。第二電極陣列723整合到第二多孔徑板725中。幾何式校正電極726和728分別具有繞著光軸Z的3重旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)性以用于六極場(chǎng)產(chǎn)生。在這種情況下，相應(yīng)電極726、728的開(kāi)口727和729大體上實(shí)施為圓角等邊三角形。第一電極陣列722中的幾何式校正電極726的定向中的每一者皆相同。此外，第二電極陣列723中的幾何式校正電極728的定向同樣相同。然而，整體而言，第一電極陣列722中的幾何式校正電極726皆相對(duì)于的第二電極陣列723中的相關(guān)聯(lián)幾何式校正電極728而關(guān)于光軸Z旋轉(zhuǎn)相同角度(在此：由于3重對(duì)稱(chēng)性而為30°)。控制器10再次設(shè)計(jì)成為了像差校正，而個(gè)別控制像差校正單元750的第一電極陣列722和第二電極陣列723的多個(gè)幾何式校正電極726、728。當(dāng)然，所述幾何式陣列722、723內(nèi)的定向也可以是可變的，如已關(guān)于圖8和圖9中具有2重對(duì)稱(chēng)性的幾何式校正電極所說(shuō)明的。然而，在任何情況下，固定旋轉(zhuǎn)關(guān)系對(duì)于幾何式校正電極726和728的每一相關(guān)聯(lián)對(duì)皆成立。在此，像差校正單元750當(dāng)然也可以具有未以此方式例示在圖10中的其他校[0158]圖11在透視例示圖中示意性顯示用于四極場(chǎng)產(chǎn)生的幾何式電極的示例性具體實(shí)施例。圖11a)僅舉例顯示一系列幾何式校正電極；在這種情況下，電極中的每一者皆可為對(duì)應(yīng)電極陣列的一部分，該陣列的電極中的每一者皆為個(gè)別可控制的。圖11a)中的示例性具體實(shí)施例顯示一系列的四個(gè)多孔徑板730、715、716、和732。在這種情況732是具有多個(gè)被動(dòng)圓形孔的標(biāo)準(zhǔn)多孔徑板，其關(guān)于粒子光學(xué)束路徑的方向設(shè)置在具有個(gè)別可控制幾何式校正電極705、706的多孔徑板715、716的上游和下游。在所例示的示例性具體實(shí)施例中，幾何式校正電極705、706自身整合到多孔徑板715、716中，或延伸穿過(guò)多孔徑體上與多孔徑板715、716的表面齊平的頂側(cè)上，在該部分處所述電極705、706可能與各自饋線(xiàn)接觸。在所示的范例中，導(dǎo)電表面具有圓形外輪廓，但其也可能在其外輪廓方面不同地成[0159]替代性示例性具體實(shí)施例被舉例例示在圖11b)中。圖11b)舉例僅顯示一個(gè)多孔徑板715,但相對(duì)地顯示整個(gè)電極陣列720。幾何式校正電極705再次為橫截面橢圓形，并延伸μm。電極705的定向在多孔徑板715內(nèi)為均勻的，且電極705均可再次被個(gè)別地控制(對(duì)應(yīng)饋線(xiàn)并未明確例示在該圖示中)。幾何式校正電極705的導(dǎo)電表面(所述表面是為了接觸用途而提供在多孔徑板715的頂側(cè)上)實(shí)施為在所示的范例中為六邊形。此塑形允許個(gè)別幾何式電極705彼此規(guī)則間隔開(kāi)，且制造相對(duì)較簡(jiǎn)單。在圖11中所示的兩個(gè)具體實(shí)施例的情況下成立的是，幾何式電極705、706與多孔徑板715和[0160]圖12示意性顯示用于四極場(chǎng)產(chǎn)生的一對(duì)幾何式校正電極的其他具體實(shí)施例。圖12a)顯示第一幾何式校正電極705并入到載體板734的頂側(cè)上，而第二幾何式校正電極706并入到載體板734的下側(cè)。電極705、706中的每一者均借助絕緣體735與載體板734絕緣，并是個(gè)別可控制的。在此構(gòu)造具體實(shí)施例變體中，也成立的是：每對(duì)幾何式校正電極的兩個(gè)幾何式校正電極705和706在所示的范例中具體而言繞著光軸Z相對(duì)于彼此旋轉(zhuǎn)45°。[0161]圖12b)顯示具有載體板736的替代性構(gòu)造配置，幾何式校正電極705設(shè)置在其頂側(cè)上，且?guī)缀问叫Ｕ姌O706設(shè)置在其下側(cè)上。在此，所述兩個(gè)電極705、706也與載體板736絕緣。兩個(gè)橢圓形的校正電極705、706的對(duì)準(zhǔn)再次繞著光軸相對(duì)于彼此旋轉(zhuǎn)，具體而言又再次以大體45°的角度，如在圖12b)中底部右側(cè)處的幾何圖式中指示的。[0162]圖13示意性顯示具有用于像差校正的一系列的多個(gè)幾何式電極陣列的像差校正單元750的又一示例性具體實(shí)施例。在所示的示例性具體實(shí)施例中，像差校正單元750實(shí)施為微光學(xué)組件306的一部分。用于產(chǎn)生第一個(gè)別粒子束3的多孔徑板304(濾波板)也被示意性例示。[0163]像差校正單元750包含三對(duì)電極陣列：第一對(duì)電極陣列740包含第一電極陣列，其具有幾何式校正電極705;以及第二電極陣列，其具有幾何式校正電極706。在這種情況下，所述兩個(gè)陣列并入到載體板734a中，如已與圖12a)相關(guān)聯(lián)更具體解說(shuō)的。在所示的范例中，幾何式校正電極705和706(其皆形成相互相關(guān)聯(lián)對(duì)且供相同個(gè)別粒子束3穿過(guò))實(shí)施為使橫截面為橢圓形，橢圓的半軸相對(duì)于彼此大體上旋轉(zhuǎn)45°。幾何式校正電極705、706中的每一者均借助個(gè)別饋線(xiàn)717由控制器10個(gè)別控制。在圖13中，僅舉例對(duì)于遠(yuǎn)處右側(cè)傳播的個(gè)別粒子束3描繪出對(duì)應(yīng)線(xiàn)路717。以此方式，借助第一對(duì)電極陣列740,對(duì)于第一個(gè)別粒子束3,具有任意定向的四極場(chǎng)可在每種情況下個(gè)別地產(chǎn)生，以便校正個(gè)別粒子束3的像散。[0164]第二對(duì)電極陣列741沿著粒子光學(xué)束路徑設(shè)置在第一對(duì)電極陣列740的下游，前述第二對(duì)電極陣列在所示的范例中具有幾何式校正電極744、746。在所示的范例中，后者實(shí)施為使橫截面為大體上圓形，且每對(duì)電極陣列中的圓形的校正電極744、746在與光軸Z正交的不同方向上相對(duì)于彼此移位大約90°?？刂破?0再次配置成單獨(dú)控制圓形的校正電極744、746。舉例來(lái)說(shuō)，第一個(gè)別粒子束3的第二場(chǎng)在第一個(gè)別粒子束3入射在物平面101中時(shí)的靜[0165]具有幾何式校正電極726、728的第三對(duì)電極陣列742,在粒子光學(xué)束路徑的方向上設(shè)置在第二對(duì)電極陣列741的下游。在所示的范例中，校正電極726、728具有3重旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)性，并成對(duì)地繞著光軸Z相對(duì)于彼此旋轉(zhuǎn)大體上30°。結(jié)果，用于校正具有3重對(duì)稱(chēng)性的像差的六極場(chǎng)，可對(duì)于每個(gè)第一個(gè)別粒子束3單獨(dú)形成。[0166]在第三對(duì)電極陣列742的下游，設(shè)置具有電極陣列(具有多個(gè)幾何式校正電極749控制器10還設(shè)計(jì)成為了校正第一個(gè)別粒子束3的焦點(diǎn)位置，而大體上個(gè)別控制此另一電極陣列的多個(gè)幾何式校正電極749.焦點(diǎn)位置的校正可特別是用于像場(chǎng)曲率校正和/或像場(chǎng)傾斜校正。請(qǐng)案中進(jìn)一步舉例說(shuō)明。(sinnφ)借助另一個(gè)幾何式電極實(shí)現(xiàn)。兩個(gè)項(xiàng)描述基本多極或多極場(chǎng)。兩用于通過(guò)在一對(duì)電極的第二幾何式校正電極處施加電位U其中整合有具有個(gè)別可控制幾何式校正電極的電極陣列的相[0169]對(duì)應(yīng)具體實(shí)施例或來(lái)自對(duì)應(yīng)像差校正單元750的細(xì)節(jié)例示在圖14中：具有圓形開(kāi)形開(kāi)口738的另一多孔徑板737設(shè)置在具有校正電極705的第一電極陣列與具有幾何式校正[0171]用于生成所產(chǎn)生多極的線(xiàn)性無(wú)關(guān)性的替代性解決方案尋求改變一對(duì)電極陣列的幾何式校正電極之間的旋轉(zhuǎn)角度的路徑，其結(jié)果是因此所生成的多極不會(huì)混合或?yàn)檎徊煌蚋唠A數(shù)的附加多極的設(shè)置。[0172]又一較佳解決方案方法是產(chǎn)生幾何式校正電極的激發(fā)的合適線(xiàn)性組合，以防止基本多極混合。圖15示意性例示為了多束粒子顯微鏡1中的像差校正而產(chǎn)生基本多極的方法。初始方法步驟SO涉及提供依據(jù)本發(fā)明的具有像差校正單元750的多束粒子顯微鏡1,如以上在多個(gè)具體實(shí)施例變體中所說(shuō)明。[0173]方法步驟S1僅涉及激發(fā)一系列校正電極的第一幾何式校正電極。由于此激發(fā)，所出現(xiàn)的并非僅是所需的多極，而是其他多極也附加地產(chǎn)生，盡管幅度顯著較弱。[0174]又一方法步驟S2涉及判定因此所產(chǎn)生的第一多極的幅度。又一方法步驟S3涉及判定因此所產(chǎn)生的第二多極的幅度，且方法步驟S4涉及判定因此所產(chǎn)生的第三多極的幅度等。這繼續(xù)直到因此所產(chǎn)生的所有多極的幅度皆被判定為止。[0175]然后，在方法步驟S5中，僅該系列的第二幾何式校正電極被激發(fā)。此第二幾何式校正電極通常也不僅產(chǎn)生所需多極，而且產(chǎn)生其他寄生多極。據(jù)此，依據(jù)本發(fā)明方法，方法步驟S6涉及判定所產(chǎn)生的第一多極的幅度，方法步驟S7涉及判定因此所產(chǎn)生的第二多極的幅度，且方法步驟S8涉及判定因此所產(chǎn)生的第三多極的幅度等。這繼續(xù)直到因此所產(chǎn)生的所有多極的所有幅度皆被判定為止。之后，僅一系列的第三或一般來(lái)說(shuō)下一個(gè)幾何式校正電[0176]方法步驟S9涉及基于所確定幅度建立幅度矩陣。方法步驟S10涉及對(duì)幅度矩陣求逆。該幅度矩陣描述校正電極的激發(fā)與所產(chǎn)生的基本多極的幅度之間的關(guān)系。借助逆幅度矩陣，可能直接改變基本多極的幅度，而其他基本多極的比例未由此控制變更改變。因此，幾何式校正電極可基于逆幅度矩陣中的條目(entries)來(lái)激發(fā)，其中基本多極可以目標(biāo)式方式來(lái)產(chǎn)生。以此方式，舉例來(lái)說(shuō)，像差的先前已知場(chǎng)相關(guān)性可以目標(biāo)式方式來(lái)校正。[0177]當(dāng)然，可對(duì)于幾何式校正電極的所有系列執(zhí)行所說(shuō)明的方法。換言之，對(duì)于第一個(gè)別粒子束中的每一者執(zhí)行該方法，且對(duì)于所有個(gè)別粒子束調(diào)整像差校正單元。[0178]下列方程式(2)和(3)又再次描述所產(chǎn)生的基本多極的幅度與幾何式校正電極的激發(fā)之間的關(guān)系：[0182]以上所說(shuō)明的方法的一項(xiàng)優(yōu)勢(shì)在于，所產(chǎn)生多極的解耦。這進(jìn)而在多束粒子束系統(tǒng)或多束粒子顯微鏡1的粒子光學(xué)性質(zhì)的優(yōu)化方面具有優(yōu)勢(shì)。舉例來(lái)說(shuō)，可能優(yōu)化分辨率。由于每一所產(chǎn)生多極的最佳幅度在第一近似下彼此獨(dú)立，因此這些多極的幅度也可彼此獨(dú)立地一個(gè)接一個(gè)優(yōu)化。在這種情況下，幅度變化，且成像性質(zhì)在每種情況下皆被測(cè)量。圖16度被確定。隨后或與其獨(dú)立地，可改變第二多極的幅度，在每種情況下皆測(cè)量分辨率，且最佳值被判定。其后，改變第三多極的幅度，且分辨率在每種情況下皆被判定，以便得到用于第三多極的幅度的對(duì)應(yīng)最佳值。這可針對(duì)每一多極繼續(xù)。也可能重復(fù)此過(guò)程幾次，以便解耦不同多極的幅度之間的剩余相關(guān)性。[0183]以上的解說(shuō)大體上已關(guān)于多束粒子顯微鏡1給出。然而，所述解說(shuō)當(dāng)然對(duì)于其中同樣可使用對(duì)應(yīng)像差校正單元的不同類(lèi)型的多束粒子束系統(tǒng)也是有效的。[0184]而且，可能將依據(jù)本發(fā)明的像差校正單元與其他像差校正元件組合，或者部分以其他元件取代依據(jù)本發(fā)明的元件。依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)較佳具體實(shí)施例，除了至少一個(gè)幾何式電極陣列之外，該像差校正單元包含另一電極陣列，其包含分段電極。分段電極例如是以上與現(xiàn)有技術(shù)有關(guān)所說(shuō)明的多極電極，特別是八極電極或十二極電極。在這種情況下，特別是可想象到將不同類(lèi)型的校正電極組合成對(duì)，其多極彼此對(duì)準(zhǔn)，使得基本多極可產(chǎn)生。舉例來(lái)說(shuō)，可想象到用于多極場(chǎng)產(chǎn)生的級(jí)數(shù)展開(kāi)的所有余弦項(xiàng)皆由包含幾何式校正電極的電極陣列產(chǎn)生，且所有正弦項(xiàng)皆由對(duì)應(yīng)所控制多極電極產(chǎn)生，或者反之亦然。在這種情況下，通過(guò)將多極電極與幾何式校正電極組合而減少多極電極中的極數(shù)可為可能的，并由此至少稍微減少控制花費(fèi)；舉例來(lái)說(shuō)，提供四極分段電極而非八極電極可足夠，只要與幾何式校正電極的對(duì)應(yīng)成對(duì)組合在特定系列內(nèi)實(shí)行即可。[0185]依據(jù)又一較佳具體實(shí)施例，像差校正單元的至少一個(gè)電極陣列的幾何式校正電極被分段，且控制器設(shè)計(jì)成個(gè)別輪流控制校正電極的這些分段。當(dāng)然，幾何式校正電極在此并非圓形對(duì)稱(chēng)(此解決方案微不足道且是先前已知的)。舉例來(lái)說(shuō)，對(duì)于其分段可能的是，為了多極場(chǎng)產(chǎn)生，幾何式校正電極皆具有關(guān)于光軸的至少2重旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)性。因此，幾何式校正電極的橫截面可為例如橢圓形，校正電極的個(gè)別可控制區(qū)段，即原則上實(shí)施有特定橫截面的多極電極，沿著此橢圓形提供。也可想象到將對(duì)應(yīng)分段電極插入到幾何式校正電極中。所述各種具體實(shí)施例變體在像差校正方面具有特定優(yōu)勢(shì)或缺點(diǎn)。[0187]多束產(chǎn)生器，其配置成產(chǎn)生帶電的多個(gè)第一個(gè)別粒子束的第一場(chǎng)；[0188]具有第一粒子光學(xué)束路徑的第一粒子光學(xué)單元，其配置成將所產(chǎn)生第一個(gè)別粒子束成像到物平面中的樣本表面上，使得第一個(gè)別粒子束在形成第二場(chǎng)的入射位置處入射在樣本表面上；[0190]具有第二粒子光學(xué)束路徑的第二粒子光學(xué)單元，其配置成將從第二場(chǎng)中的入射位置發(fā)出的第二個(gè)別粒子束成像到檢測(cè)系統(tǒng)的檢測(cè)區(qū)域的第三場(chǎng)上；[0191]磁性和/或靜電物鏡，所述第一個(gè)別粒子束與第二個(gè)別粒子束皆穿過(guò)磁性和/或靜電物鏡；[0192]射束開(kāi)關(guān)，其設(shè)置在多束產(chǎn)生器與磁性和/或靜電物鏡之間的第一粒子光學(xué)束路徑中，且其設(shè)置在磁性和/或靜電物鏡與檢測(cè)系統(tǒng)之間的第二粒子光學(xué)束路徑中；[0193]像差校正單元，其用于個(gè)別地校正第一粒子