(19)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局(12)發(fā)明專利(22)申請(qǐng)日2022.11.14(43)申請(qǐng)公布日2023.01.31限公司發(fā)區(qū)高新大道666號(hào)光谷生物創(chuàng)新園C5棟305室(56)對(duì)比文件公司44570專利代理師倪聰聰件的陽(yáng)極電位更早地達(dá)到啟亮電壓，進(jìn)而增加有效發(fā)光時(shí)間或者提高發(fā)光器件的發(fā)光亮度。Aq[T1BCD1.Nscan[n-5]vSS2驅(qū)動(dòng)晶體管，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極或者漏極中的一個(gè)與第一電源線電連接；發(fā)光器件，所述發(fā)光器件的陽(yáng)極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極或者漏極中的另一個(gè)電連接，所述發(fā)光器件的陰極與第二電源線電連接；反饋晶體管，所述反饋晶體管的柵極與第一控制線電連接；以及反饋電容，所述反饋電容、所述反饋晶體管串聯(lián)于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與所述發(fā)光器件的陽(yáng)極之間；第一初始化晶體管，所述第一初始化晶體管串聯(lián)于所述反饋電容的一端與第一初始化線之間，所述第一初始化晶體管的柵極與第二控制線電連接；其中，所述反饋晶體管在所述像素電路的發(fā)光階段中導(dǎo)通至少一次。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述反饋電容的一端通過(guò)所述第一初始化晶體管與所述第一初始化線電連接，所述第一初始化線接收第一初始化信號(hào)；所述反饋電容的另一端與第二初始化線電連接，所述第二初始化線接收第二初始化信號(hào)；所述反饋晶體管串聯(lián)于所述反饋電容與所述第一初始化線或者所述第二初始化線之間；所述第一初始化信號(hào)的電位不同于所述第二初始化信號(hào)的電位。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素電路，其特征在于，所述像素電路還包括第二初始化晶體管，所述第二初始化晶體管串聯(lián)于所述反饋電容的另一端與所述第二初始化線之間，所述第二初始化晶體管的柵極與所述第二控制線電連接。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素電路，其特征在于，所述像素電路還包括：第一發(fā)光控制晶體管，所述第一發(fā)光控制晶體管的源極或者漏極中的一個(gè)與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極或者漏極中的另一個(gè)電連接，所述第一發(fā)光控制晶體管的源極或者漏極中的另一個(gè)與所述發(fā)光器件的陽(yáng)極電連接，所述第一發(fā)光控制晶體管的柵極與發(fā)光控制線電連第二發(fā)光控制晶體管，所述第二發(fā)光控制晶體管的源極或者漏極中的一個(gè)與所述第一電源線電連接，所述第二發(fā)光控制晶體管的源極或者漏極中的另一個(gè)與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極或者漏極中的一個(gè)電連接，所述第二發(fā)光控制晶體管的柵極與所述發(fā)光控制線電連寫(xiě)入晶體管，所述寫(xiě)入晶體管的源極或者漏極中的一個(gè)與數(shù)據(jù)線電連接，所述寫(xiě)入晶體管的源極或者漏極中的另一個(gè)與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極或者漏極中的一個(gè)電連接，所述寫(xiě)入晶體管的柵極與第三控制線電連接；以及補(bǔ)償晶體管，所述補(bǔ)償晶體管的源極或者漏極中的一個(gè)與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極或者漏極中的另一個(gè)電連接，所述補(bǔ)償晶體管的源極或者漏極中的另一個(gè)與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電連接，所述補(bǔ)償晶體管的柵極與第四控制線電連接。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素電路，其特征在于，在所述像素電路的初始化階段中，所述第一初始化晶體管、所述第二初始化晶體管均處于導(dǎo)通狀態(tài)，且所述反饋晶體管在所述初始化階段中的至少部分時(shí)間處于導(dǎo)通狀態(tài)，以通過(guò)所述第一初始化信號(hào)對(duì)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電位、所述反饋電容的一端電位進(jìn)行復(fù)位，并通過(guò)所述第二初始化信號(hào)對(duì)所述發(fā)光器件的陽(yáng)極電位、所述反饋電容的另一端電位進(jìn)行復(fù)位。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，在所述像素電路的數(shù)據(jù)寫(xiě)入階段中，3數(shù)據(jù)信號(hào)通過(guò)串聯(lián)后的所述反饋晶體管、所述反饋電容抬高所述發(fā)光器件的陽(yáng)極電位，且所述發(fā)光器件的陽(yáng)極電位小于所述發(fā)光器件的啟亮電壓。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，在所述像素電路的發(fā)光階段中，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電位通過(guò)串聯(lián)后的所述反饋晶體管、所述反饋電容與所述發(fā)光器件的陽(yáng)極電位反向變化。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，在所述像素電路的插黑階段中，通過(guò)串聯(lián)后的所述反饋晶體管、所述反饋電容抬高所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電位，并降低所述發(fā)光器件的陽(yáng)極電位。9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的像素電路，其特征在于，所述第一控制線用于傳輸?shù)谝豢刂菩盘?hào)，所述發(fā)光控制線用于傳輸發(fā)光控制信號(hào)；所述第一控制信號(hào)的頻率大于所述發(fā)光控制信號(hào)的頻率。10.一種顯示面板，其特征在于，包括多個(gè)如權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的像素電路，每個(gè)所述像素電路還包括存儲(chǔ)電容，所述存儲(chǔ)電容的一端與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電連接，所述存儲(chǔ)電容的另一端與所述第一電源線電連接。4像素電路及顯示面板技術(shù)領(lǐng)域[0001]本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種像素電路及顯示面板。背景技術(shù)[0002]AMOLED(ActiveMatri極體)顯示技術(shù)應(yīng)用越來(lái)廣泛，在手機(jī)、穿戴、筆記本電腦和平板電腦的使用占比越來(lái)越高，隨著產(chǎn)品的發(fā)展，更高的PPI(PixelsPerInch,像素密度)和高低頻顯示切換等技術(shù)應(yīng)用需求下，申請(qǐng)人發(fā)現(xiàn)在頻率切換時(shí)容易產(chǎn)生顯示質(zhì)量的不穩(wěn)定，例如低灰階時(shí)切頻色偏等[0003]隨著像素電路或者顯示面板的工作時(shí)長(zhǎng)或者在高溫高濕環(huán)境下工作時(shí)長(zhǎng)的增加，通常會(huì)導(dǎo)致像素電路中發(fā)光器件的亮度不穩(wěn)定，影響顯示品質(zhì)。發(fā)明內(nèi)容[0004]本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N像素電路及顯示面板，以緩解發(fā)光器件的亮度不穩(wěn)定的技術(shù)問(wèn)[0005]第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N像素電路，該像素電路包括驅(qū)動(dòng)晶體管、發(fā)光器件、反饋晶體管以及反饋電容，驅(qū)動(dòng)晶體管的源極或者漏極中的一個(gè)與第一電源線電連接；發(fā)光器件的陽(yáng)極與驅(qū)動(dòng)晶體管的源極或者漏極中的另一個(gè)電連接，發(fā)光器件的陰極與第二電源線電連接；反饋晶體管的柵極與第一控制線電連接；反饋電容、反饋晶體管串聯(lián)于驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與發(fā)光器件的陽(yáng)極之間。[0006]在其中一些實(shí)施方式中，反饋電容的一端與第一初始化線電連接，第一初始化線接收第一初始化信號(hào)；反饋電容的另一端與第二初始化線電連接，第二初始化線接收第二初始化信號(hào)；反饋晶體管串聯(lián)于反饋電容與第一初始化線或者第二初始化線之間；第一初始化信號(hào)的電位不同于第二初始化信號(hào)的電位。[0007]在其中一些實(shí)施方式中，像素電路還包括第一初始化晶體管和第二初始化晶體管，第一初始化晶體管串聯(lián)于反饋電容的一端與第一初始化線之間，第一初始化晶體管的柵極與第二控制線電連接；第二初始化晶體管串聯(lián)于反饋電容的另一端與第二初始化線之間，第二初始化晶體管的柵極與第二控制線電連接。[0008]在其中一些實(shí)施方式中，像素電路還包括第一發(fā)光控制晶體管、第二發(fā)光控制晶體管、寫(xiě)入晶體管以及補(bǔ)償晶體管，第一發(fā)光控制晶體管的源極或者漏極中的一個(gè)與驅(qū)動(dòng)晶體管的源極或者漏極中的另一個(gè)電連接，第一發(fā)光控制晶體管的源極或者漏極中的另一個(gè)與發(fā)光器件的陽(yáng)極電連接，第一發(fā)光控制晶體管的柵極與發(fā)光控制線電連接；第二發(fā)光控制晶體管的源極或者漏極中的一個(gè)與第一電源線電連接，第二發(fā)光控制晶體管的源極或者漏極中的另一個(gè)與驅(qū)動(dòng)晶體管的源極或者漏極中的一個(gè)電連接，第二發(fā)光控制晶體管的柵極與發(fā)光控制線電連接；寫(xiě)入晶體管的源極或者漏極中的一個(gè)與數(shù)據(jù)線電連接，寫(xiě)入晶體管的源極或者漏極中的另一個(gè)與驅(qū)動(dòng)晶體管的源極或者漏極中的一個(gè)電連接，寫(xiě)入晶體5管的柵極與第三控制線電連接；補(bǔ)償晶體管的源極或者漏極中的一個(gè)與驅(qū)動(dòng)晶體管的源極或者漏極中的另一個(gè)電連接，補(bǔ)償晶體管的源極或者漏極中的另一個(gè)與驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電連接，補(bǔ)償晶體管的柵極與第四控制線電連接。[0009]在其中一些實(shí)施方式中，在像素電路的初始化階段中，第一初始化晶體管、第二初始化晶體管均處于導(dǎo)通狀態(tài)，且反饋晶體管在第一階段中的至少部分時(shí)間處于導(dǎo)通狀態(tài)，以通過(guò)第一初始化信號(hào)對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電位、反饋電容的一端電位進(jìn)行復(fù)位，并通過(guò)第二初始化信號(hào)對(duì)發(fā)光器件的陽(yáng)極電位、反饋電容的另一端電位進(jìn)行復(fù)位。[0010]在其中一些實(shí)施方式中，在像素電路的數(shù)據(jù)寫(xiě)入階段中，數(shù)據(jù)信號(hào)通過(guò)串聯(lián)后的反饋晶體管、反饋電容抬高發(fā)光器件的陽(yáng)極電位，且發(fā)光器件的陽(yáng)極電位小于發(fā)光器件的啟亮電壓。[0011]在其中一些實(shí)施方式中，在像素電路的發(fā)光階段中，驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電位通過(guò)串聯(lián)后的反饋晶體管、反饋電容與發(fā)光器件的陽(yáng)極電位反向變化。[0012]在其中一些實(shí)施方式中，在像素電路的插黑階段中，通過(guò)串聯(lián)后的反饋晶體管、反饋電容抬高驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電位，并降低發(fā)光器件的陽(yáng)極電位。[0013]在其中一些實(shí)施方式中，第一控制線用于傳輸?shù)谝豢刂菩盘?hào)，發(fā)光控制線用于傳輸發(fā)光控制信號(hào)；第一控制信號(hào)的頻率大于發(fā)光控制信號(hào)的頻率。[0014]第二方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N顯示面板，該顯示面板包括多個(gè)上述至少一實(shí)施方式中的像素電路，每個(gè)像素電路還包括存儲(chǔ)電容，存儲(chǔ)電容的一端與驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電連接，存儲(chǔ)電容的另一端與第一電源線電連接。[0015]本申請(qǐng)?zhí)峁┑南袼仉娐芳帮@示面板，通過(guò)在驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與發(fā)光器件的陽(yáng)極之間耦接串聯(lián)后的反饋晶體管、反饋電容，可以控制驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電位與發(fā)光器件的陽(yáng)極電位聯(lián)動(dòng)變化，不僅能夠通過(guò)聯(lián)動(dòng)變化后的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電位、發(fā)光器件的陽(yáng)極電位更穩(wěn)定地控制流經(jīng)發(fā)光器件的發(fā)光電流，進(jìn)而減小發(fā)光器件的亮度變化；還能夠控制發(fā)光器件的陽(yáng)極電位更早地達(dá)到啟亮電壓，進(jìn)而增加有效發(fā)光時(shí)間或者提高發(fā)光器件的發(fā)光亮度。[0016]又，由于不同像素電路中流經(jīng)發(fā)光器件的發(fā)光電流更加趨近于統(tǒng)一，使得不同發(fā)附圖說(shuō)明[0017]下面結(jié)合附圖，通過(guò)對(duì)本申請(qǐng)的具體實(shí)施方式詳細(xì)描述，將使本申請(qǐng)的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見(jiàn)。[0018]圖1為相關(guān)技術(shù)中可靠性測(cè)試前后低灰階畫(huà)面的對(duì)比示意圖。[0019]圖2為相關(guān)技術(shù)中不同像素電路之間漏電流的結(jié)構(gòu)示意圖。[0020]圖3為相關(guān)技術(shù)中不同顏色的發(fā)光器件的陽(yáng)極電位變化的對(duì)比示意圖。[0021]圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的像素電路的一種結(jié)構(gòu)示意圖。[0022]圖5為圖4所示像素電路的時(shí)序示意圖。[0023]圖6為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的像素電路在一幀中第一階段的狀態(tài)示意圖。[0024]圖7為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的像素電路在一幀中第二階段的狀態(tài)示意圖。[0025]圖8為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的像素電路在一幀中第三階段的狀態(tài)示意圖。6[0026]圖9為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的像素電路在第三階段中第三子階段的狀態(tài)示意圖。[0027]圖10為圖9所示第三子階段中Q點(diǎn)電位與C點(diǎn)電位之間聯(lián)動(dòng)變化的示意圖。[0028]圖11為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的像素電路在一幀中第四階段的狀態(tài)示意圖。[0029]圖12為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的像素電路的另一種結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式[0030]下面將結(jié)合本申請(qǐng)實(shí)施例中的附圖，對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本申請(qǐng)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本申請(qǐng)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施[0031]顯示畫(huà)面存在低灰階發(fā)綠或者低灰階切頻色偏的情況，由于顯示色偏受多種因素影響，發(fā)明人經(jīng)過(guò)大量分析和實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，這一缺陷的成因是由于器件老化所致。具體如圖1所示的相關(guān)技術(shù)中可靠性測(cè)試前后低灰階畫(huà)面的對(duì)比示意圖，圖1中從左至右的第一幅畫(huà)面是在RA(Reliability,可靠性)測(cè)試前的低灰階畫(huà)面，其基于國(guó)際照明委員會(huì)(InternationalCommissiononIllumination,CIE)的CIE1976確定的顏色數(shù)據(jù)為(0.303,0.326),對(duì)應(yīng)的亮度(Luminance,Lum.)為0.025nits;圖1中從左至右的第二幅畫(huà)面是在RA測(cè)試后的低灰階畫(huà)面，其基于國(guó)際照明委員會(huì)確定的顏色數(shù)據(jù)為(0.334,0.431),對(duì)應(yīng)的亮度為0.039nits。[0032]圖1中從左至右的第三幅畫(huà)面是在RA測(cè)試前的低灰階畫(huà)面，其基于國(guó)際照明委員會(huì)確定的顏色數(shù)據(jù)為(0.289,0.291),對(duì)應(yīng)的亮度為0.021nits;圖1中從左至右的第四幅畫(huà)面是在RA測(cè)試后的低灰階畫(huà)面，其基于國(guó)際照明委員會(huì)確定的顏色數(shù)據(jù)為(0.321,0.562),對(duì)應(yīng)的亮度為0.092nits。[0033]其中，第一幅畫(huà)面、第二幅畫(huà)面采用的為同一視頻數(shù)據(jù)，第三幅畫(huà)面、第四幅畫(huà)面采用的為同一視頻數(shù)據(jù)，然而在經(jīng)過(guò)RA測(cè)試后，相較于第一幅畫(huà)面，第二幅畫(huà)面的顯示顏色[0034]需要進(jìn)行說(shuō)明的是，上述的RA測(cè)試可以為長(zhǎng)時(shí)間的正常工作、高溫高濕下較短時(shí)間的工作或者高溫操作(HTO,HighTemperatureOperation)中的至少一種。[0035]發(fā)明人進(jìn)一步對(duì)老化測(cè)試的影響的多個(gè)因素分析和實(shí)驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)這個(gè)現(xiàn)象是由于不同像素電路之間存在漏電流導(dǎo)致的，在通常情況下這一影響十分微小，并不會(huì)產(chǎn)生較大影響，但隨著像素密度的增加像素之間的距離也在變小，在低灰階切換頻率時(shí)，影響凸顯。具體原因如圖2所示的相關(guān)技術(shù)中不同像素電路之間漏電流的結(jié)構(gòu)示意圖，之所以出現(xiàn)圖1所示的現(xiàn)象，原因在于RA測(cè)試后不同顏色的發(fā)光器件的自身電容的變化程度不同，導(dǎo)致不同顏色的發(fā)光器件的自身電容之間存在差異，進(jìn)而導(dǎo)致其他顏色(例如，紅色R)的發(fā)光器件的陽(yáng)極向綠色(G)的發(fā)光器件的陽(yáng)極漏電流(Ioff),然后流經(jīng)綠色的發(fā)光器件的發(fā)光電流增[0036]另外，在像素電路的工作過(guò)程中，需要先為發(fā)光器件的陽(yáng)極充電，在發(fā)光器件的陽(yáng)極電位達(dá)到自身的啟亮電壓后才能發(fā)光。[0037]具體如圖3所示，圖3為相關(guān)技術(shù)中不同顏色的發(fā)光器件的陽(yáng)極電位變化的對(duì)比示7光器件的啟亮電壓，G@Vth表示綠色的發(fā)光器件的啟亮電壓，RS1表示RA前紅色的發(fā)光器件的陽(yáng)極電位隨時(shí)間變化的曲線，RS2表示RA后紅色的發(fā)光器件的陽(yáng)極電位隨時(shí)間變化的曲線，GS1表示RA前綠色的發(fā)光器件的陽(yáng)極電位隨時(shí)間變化的曲線，GS2表示RA后綠色的發(fā)光器件的陽(yáng)極電位隨時(shí)間變化的曲線。[0038]經(jīng)過(guò)對(duì)比發(fā)現(xiàn)，在RA后，紅色的發(fā)光器件的陽(yáng)極電位需要更長(zhǎng)時(shí)間才可以達(dá)到其自身的啟亮電壓，綠色的發(fā)光器件的陽(yáng)極電位也需要更長(zhǎng)時(shí)間才可以達(dá)到其自身的啟亮電壓，這減少了各發(fā)光器件的有效發(fā)光時(shí)間，這也是導(dǎo)致各發(fā)光器件的亮度不穩(wěn)定的原因之[0039]可以理解的是，上述發(fā)光器件不論是有機(jī)發(fā)光二極管、迷你發(fā)光二極管、微發(fā)光二極管或者量子點(diǎn)發(fā)光二極管中的任一個(gè)均存在自身電容，區(qū)別在于經(jīng)過(guò)老化后改變大小不同而已，本申請(qǐng)?zhí)峁┑母倪M(jìn)方案和原理可以適用上述提及的任一發(fā)光二極管，在有機(jī)發(fā)光材料上尤為明顯。[0040]有鑒于上述提及的發(fā)光器件的亮度不穩(wěn)定的技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)施例提供了一種像素饋晶體管T8以及反饋電容C1,驅(qū)動(dòng)晶體管T1的源極或者漏極中的一個(gè)與第一電源線電連接；發(fā)光器件D1的陽(yáng)極與驅(qū)動(dòng)晶體管T1的源極或者漏極中的另一個(gè)電連接，發(fā)光器件D1的陰極與第二電源線電連接；反饋晶體管T8的柵極與第一控制線電連接；反饋電容C1、反饋晶體管T8串聯(lián)于驅(qū)動(dòng)晶體T1管的柵極與發(fā)光器件D1的陽(yáng)極之間。[0041]可以理解的是，本實(shí)施例提供的像素電路，通過(guò)在驅(qū)動(dòng)晶體管T1的柵極與發(fā)光器件D1的陽(yáng)極之間耦接串聯(lián)后的反饋晶體管T8、反饋電容C1,可以控制驅(qū)動(dòng)晶體管T1的柵極電位與發(fā)光器件D1的陽(yáng)極電位聯(lián)動(dòng)變化，不僅能夠通過(guò)聯(lián)動(dòng)變化后的驅(qū)動(dòng)晶體管T1的柵極電位、發(fā)光器件D1的陽(yáng)極電位更穩(wěn)定地控制流經(jīng)發(fā)光器件D1的發(fā)光電流，進(jìn)而減小發(fā)光器件D1的亮度變化；還能夠控制發(fā)光器件D1的陽(yáng)極電位更早地達(dá)到啟亮電壓，進(jìn)而增加有效發(fā)光時(shí)間或者提高發(fā)光器件D1的發(fā)光亮度。[0042]在其中一個(gè)實(shí)施例中，如圖4、圖8所示，反饋電容C1的一端與第一初始化線電連接，第一初始化線接收第一初始化信號(hào)Vi_G;反饋電容C1的另一端與第二初始化線電連接，第二初始化線接收第二初始化信號(hào)Vi_Ano;反饋晶體管串聯(lián)于反饋電容C1與第一初始化線或者第二初始化線之間；第一初始化信號(hào)Vi_G的電位不同于第二初始化信號(hào)Vi_Ano的電[0043]需要進(jìn)行說(shuō)明的是，本實(shí)施例通過(guò)第一初始化線、第二初始化線可以分別初始化反饋電容C1的一端電位、反饋電容C1的另一端電位至對(duì)應(yīng)不同的電位，以精確控制反饋電容C1在驅(qū)動(dòng)晶體管T1的柵極與發(fā)光器件D1的陽(yáng)極之間的電壓差。[0044]在其中一個(gè)實(shí)施例中，如圖4所示，反饋晶體管T8的源極或者漏極中的一個(gè)與驅(qū)動(dòng)晶體管T1的柵極電連接；反饋電容C1的一端與反饋晶體管T8的源極或者漏極中的另一個(gè)電連接，反饋電容C1的另一端與發(fā)光器件D1的陽(yáng)極電連接。[0045]需要進(jìn)行說(shuō)明的是，通過(guò)反饋晶體管T8的導(dǎo)通時(shí)段可以選擇驅(qū)動(dòng)晶體管T1的柵極電位與發(fā)光器件D1的陽(yáng)極電位進(jìn)行聯(lián)動(dòng)變化的時(shí)段，進(jìn)而可以通過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管T1的柵極電位對(duì)發(fā)光器件D1的陽(yáng)極電位進(jìn)行預(yù)充電，以更早地達(dá)到啟亮電壓；還可以通過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管T1的柵極電位與發(fā)光器件D1的陽(yáng)極電位的聯(lián)動(dòng)變化，維穩(wěn)驅(qū)動(dòng)晶體管T1的柵極電位和/或8T7,第一初始化晶體管T4的源極或者漏極中的一個(gè)與第一初始化線電連接，第一初始化晶控制晶體管T5的源極或者漏極中的另一個(gè)與驅(qū)動(dòng)晶體管T1的源極或者漏極中的一個(gè)電連9線電連接。[0052]需要進(jìn)行說(shuō)明的是，通過(guò)第二發(fā)光控制晶體管T5的柵極與第一發(fā)光控制晶體管T6的柵極共用同一發(fā)光控制線，能夠節(jié)省像素電路所需的走線數(shù)量，有利于提高像素電路的密度或者顯示面板的開(kāi)口率。[0053]又，在第三控制線、第四控制線的控制下，數(shù)據(jù)線中傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號(hào)Data可以依次經(jīng)過(guò)寫(xiě)入晶體管T2、驅(qū)動(dòng)晶體管T1以及補(bǔ)償晶體管T3至驅(qū)動(dòng)晶體管T1的柵極；同時(shí)，數(shù)據(jù)信號(hào)Data還可以通過(guò)反饋晶體管T8、反饋電容C1對(duì)發(fā)光器件D1的陽(yáng)極進(jìn)行預(yù)充電以提前抬高發(fā)光器件D1的陽(yáng)極電位，可以減少在發(fā)光階段中對(duì)發(fā)光器件D1的陽(yáng)極電位抬高至其啟亮電壓的時(shí)間，使得發(fā)光器件D1在發(fā)光階段中更早地開(kāi)始發(fā)光，這增加了發(fā)光器件D1的有效發(fā)光時(shí)間。[0054]在其中一個(gè)實(shí)施例中，像素電路還包括存儲(chǔ)電容Cst,存儲(chǔ)電容Cst的一端與驅(qū)動(dòng)晶體管T1的柵極電連接，存儲(chǔ)電容Cst的另一端與第一電源線電連接。[0055]在其中一個(gè)實(shí)施例中，像素電路還包括自舉電容Cboost,自舉電容Cboost的一端與寫(xiě)入晶體管T2的柵極電連接，自舉電容Cboost的另一端與驅(qū)動(dòng)晶體管T1的柵極電連接。[0056]在其中一個(gè)實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)晶體管T1、第一發(fā)光控制晶體管T6、第二發(fā)光控制晶體管T5、第一初始化晶體管T4、第二初始化晶體管T7、寫(xiě)入晶體管T2、反饋晶體晶體管T3中的至少一個(gè)可以但不限于為N溝道型薄膜晶體管，具體還可以為金屬氧化物薄第二發(fā)光控制晶體管T5、第一初始化晶體管T4、第二初始化晶體管T7、寫(xiě)入晶體管T2以及補(bǔ)償晶體管T3中的至少一個(gè)也可以為P溝道型薄膜晶體管，具體還可以為多晶硅薄膜晶體管，[0057]優(yōu)選地，驅(qū)動(dòng)晶體管T1、第一發(fā)光控制晶體管T6、第二發(fā)光控制晶體管T5、反饋晶體管T8以及寫(xiě)入晶體管T2均為P溝道型低溫多晶硅薄膜晶體管，以最大化像素電路的動(dòng)態(tài)性能；第一初始化晶體管T4、補(bǔ)償晶體管T3以及第二初始化晶體管T7均為N溝道型銦鎵鋅氧化物薄膜晶體管，以降低驅(qū)動(dòng)晶體管T1的柵極、發(fā)光器件D1的陽(yáng)極的漏電流現(xiàn)象。[0058]優(yōu)選地，反饋晶體管T8也可以為N溝道型銦鎵鋅氧化物薄膜晶體管，以進(jìn)一步降低驅(qū)動(dòng)晶體管T1的柵極的漏電流現(xiàn)象。[0059]需要進(jìn)行說(shuō)明的是，第一電源線用于傳輸?shù)谝浑娫葱盘?hào)VDD,第二電源線用于傳輸?shù)诙娫葱盘?hào)VSS,第一電源信號(hào)VDD的電位高于第二電源信號(hào)VSS的電位。發(fā)光控制線用于傳輸發(fā)光控制信號(hào)EM。第一控制線用于傳輸?shù)谝豢刂菩盘?hào)，該第一控制信號(hào)可以但不限于為掃描信號(hào)Pscan2,也可以是具有正脈沖的其他掃描信號(hào)。第二控制線用于傳輸?shù)诙刂?】...等等。第三控制線用于傳輸?shù)谌刂菩盘?hào)，該第三控制信號(hào)可以但不限于為掃描信號(hào)Pscan1,也可以其他使用的控制信號(hào)。第四控制線用于傳輸?shù)谒目刂菩盘?hào)，該第四控制信號(hào)可以但不限于為掃描信號(hào)Nscan【n】,也可以為其他適用的控制信號(hào)。第一初始化線用于傳輸?shù)谝怀跏蓟盘?hào)Vi_G.第二初始化線用于傳輸?shù)诙跏蓟€。數(shù)據(jù)線用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)[0060]上述像素電路在一幀中的工作過(guò)程可以包括如下階段：[0061]第一階段(初始化階段)S1:如圖5、圖6所示，發(fā)光控制信號(hào)EM、掃描信號(hào)Nscan【n-T4、第二初始化晶體管T7以及反饋晶體管T8處于導(dǎo)通狀態(tài)，其中，反饋晶體管T8在第一階段中的至少部分時(shí)間處于導(dǎo)通狀態(tài)。這樣可以分別初始化串聯(lián)后的反饋晶體管T8與反饋電容C1的一端電位、串聯(lián)后的反饋晶體管T8與反饋電容C1的另一端電位至第一初始化信號(hào)Vi_G的電位、第二初始化信號(hào)Vi_Ano的電位。[0062]第二階段(數(shù)據(jù)寫(xiě)入階段)S2:如圖5、圖7所示，發(fā)光控制信號(hào)EM、掃描信號(hào)Nscan體管T4、第二初始化晶體管T7、第一發(fā)光控制晶體管T6以及第二發(fā)光控制晶體管T5均處于截止?fàn)顟B(tài)，補(bǔ)償晶體管T3處于導(dǎo)通狀態(tài)，且寫(xiě)入晶體管T2、反饋晶體管T8在第二階段S2中的至少部分時(shí)間同步處于導(dǎo)通狀態(tài)。[0063]需要進(jìn)行說(shuō)明的是，本階段中數(shù)據(jù)信號(hào)Data依次經(jīng)過(guò)寫(xiě)入晶體管T2、驅(qū)動(dòng)晶體管T1以及補(bǔ)償晶體管T3寫(xiě)入至驅(qū)動(dòng)晶體管T1的柵極，并通過(guò)串聯(lián)后的反饋晶體管T8、反饋電容C1抬高發(fā)光器件D1的陽(yáng)極電位，且發(fā)光器件D1的陽(yáng)極電位小于或者等于發(fā)光器件D1的啟亮電壓。[0064]可以理解的是，當(dāng)發(fā)光器件D1的陽(yáng)極電位等于發(fā)光器件D1的啟亮電壓時(shí)，由于第一發(fā)光控制晶體管T6或者第二發(fā)光控制晶體管T5處于截止?fàn)顟B(tài)而沒(méi)有發(fā)光。本階段中驅(qū)動(dòng)晶體管T1的柵極電位由ViG上升至K*(VData+Vth),對(duì)應(yīng)地，發(fā)光器件D1的陽(yáng)極電位由ViAno動(dòng)晶體管T1的閾值電壓。K與像素電路有關(guān)，為一常數(shù)。ViAno為第二初始化[0066]第三階段(發(fā)光階段)S3:如圖5、圖8所示，掃描信號(hào)Pscan1、掃描信號(hào)Pscan2置高，第二初始化晶體管T7、補(bǔ)償晶體管T3、寫(xiě)入晶體管T2以及反饋晶動(dòng)晶體管T1、第一發(fā)光控制晶體管T6以及第二發(fā)光控制晶體管T5處于導(dǎo)通狀態(tài)，發(fā)光器件[0067]第三子階段S3+:如圖5、圖9以及圖10所示，掃描信號(hào)Pscan1置高，掃描信號(hào)體管T4、第二初始化晶體管T7、補(bǔ)償晶體管T3以及寫(xiě)入晶體管T2均處于截止?fàn)顟B(tài)，反饋晶體管T8、驅(qū)動(dòng)晶體管T1、第一發(fā)光控制晶體管T6以及第二發(fā)光控制晶體管T5處于導(dǎo)通狀態(tài)。[0068]需要進(jìn)行說(shuō)明的是，由于補(bǔ)償晶體管T3存在漏電流，驅(qū)動(dòng)晶體管T1的柵極即Q點(diǎn)的電位會(huì)輕微下降，導(dǎo)致發(fā)光器件D1的陽(yáng)極即C點(diǎn)的電位上升，流經(jīng)發(fā)光器件D1的發(fā)光電流變大，發(fā)光器件D1的亮度上升；當(dāng)?shù)谝豢刂菩盘?hào)的頻率大于發(fā)光控制信號(hào)EM的頻率即掃描信號(hào)Pscan2的頻率比發(fā)光控制信號(hào)EM的頻率高時(shí)，C點(diǎn)電位的上升可以通過(guò)串聯(lián)后的反饋晶得發(fā)光器件D1的亮度得以保持。也就是說(shuō)，驅(qū)動(dòng)晶體管T1的柵極電位通過(guò)串聯(lián)后的反饋晶[0069]其中，VQ表示Q點(diǎn)的電位，VC表示C點(diǎn)的電位。VQ1表示在掃描信號(hào)Pscan2的頻率等11描信號(hào)Pscan2的頻率等于發(fā)光控制信號(hào)EM的頻率的情況下，C點(diǎn)在第三子階段S3+中的電位變化曲線。VQ2表示在掃描信號(hào)Pscan2的頻率大于發(fā)光控制信號(hào)EM的頻率的情況下，Q點(diǎn)在第三子階段S3+中的電位變化曲線。VC2表示在掃描信號(hào)Pscan2的頻率大于發(fā)光控制信號(hào)EM的頻率的情況下，C點(diǎn)在第三子階段S3+中的電位變化曲線。[0070]經(jīng)過(guò)分析可以發(fā)現(xiàn)，掃描信號(hào)Pscan2的頻率等于發(fā)光控制信號(hào)EM的頻率的情況方向上持續(xù)進(jìn)行，導(dǎo)致發(fā)光器件D1的發(fā)光亮度不穩(wěn)。[0071]而在掃描信號(hào)Pscan2的頻率大于發(fā)光控制信號(hào)EM的頻率的情況下，或者，在發(fā)光階段中配置掃描信號(hào)Pscan2具有至少一個(gè)負(fù)脈沖的情況下，反饋晶體管T8的每次導(dǎo)通，VQ2、VC2的變化趨勢(shì)均發(fā)生轉(zhuǎn)變，使得VQ2或者VC2中的一個(gè)在增加，VQ2或者VC2中的另一個(gè)在減小，進(jìn)而穩(wěn)定地控制流經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管T1的發(fā)光電流。[0072]第四階段S4(插黑階段):如圖5、圖11所示，發(fā)光控制信號(hào)EM、掃描信號(hào)Pscan1置T4、第二初始化晶體管T7、補(bǔ)償晶體管發(fā)光控制晶體管T5均處于截止?fàn)顟B(tài)，反饋晶體管T8、驅(qū)動(dòng)晶體管T1處于導(dǎo)通狀態(tài)。了Q點(diǎn)電位，反向作用到C點(diǎn)，又降低了C一部分經(jīng)補(bǔ)償晶體管T3漏電造成的影響。也就是說(shuō)，在發(fā)光階段之后的本階段可以通過(guò)串聯(lián)后的反饋晶體管T8、反饋電容C1抬高驅(qū)動(dòng)晶體管T1的柵極電位，并降低發(fā)光器件D1的陽(yáng)極電位。[0074]其中，由于高頻驅(qū)動(dòng)(高刷新頻率)下的幀時(shí)間短于低頻驅(qū)動(dòng)(低刷新頻率)下的幀時(shí)間，高頻驅(qū)動(dòng)的幀