第28頁（共28頁）2026高考化學(xué)復(fù)習(xí)新題速遞之晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（2025年7月）一．選擇題（共20小題）1．（2025春?昌江區(qū)校級期末）下列各組物質(zhì)的晶體類型相同的是（）A．SiC和Si3N4 B．MgCl2和AlCl3 C．Cu和Ge D．SiO2和CO22．（2025春?昌江區(qū)校級期末）物質(zhì)內(nèi)部微粒有序排列可形成晶體。下列說法錯誤的是（）A．二氧化硅晶體中由共價鍵形成的最小環(huán)有12個原子 B．氯化銫晶體中每個Cs+周圍距離最近的Cs+有8個 C．金剛石、SiC、NaF、NaCl、H2O，H2S晶體的熔點依次降低 D．金屬晶體中存在離子，不存在離子鍵3．（2025春?瀏陽市期末）鈉與氧可形成多種二元化合物。其中一種二元化合物的晶胞如圖所示。下列說法中不正確的是（）A．該化合物的化學(xué)式為Na4O4 B．陰離子O2-有2C．與Na+距離相等且最近的Na+有8個 D．該晶體是離子晶體4．（2025?全國）一種負(fù)熱膨脹材料的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖，晶胞密度為dg?cm﹣3，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。下列說法錯誤的是（）A．沿晶胞體對角線方向的投影圖為： B．Ag和B均為sp3雜化 C．晶體中與Ag最近且距離相等的Ag有6個 D．Ag和B的最短距離為32×35．（2025?合肥一模）立方ZrO2的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞參數(shù)為xnm。若加入一定比例Y2O3則能使部分O2﹣缺位，形成陰離子導(dǎo)電的固體電解質(zhì)。下列說法錯誤的是（）A．“●”表示Zr4+ B．每個O2﹣周圍最近的Zr4+有4個 C．ZrO2晶胞密度為123ND．Y3+取代Zr4+后，O2﹣通過交換“缺位”而導(dǎo)電6．（2025春?昌江區(qū)校級期末）自然界的氟化鈣礦物為螢石或氟石，CaF2的晶體結(jié)構(gòu)呈立方體形，其晶胞側(cè)視圖及晶胞結(jié)構(gòu)如圖，下列說法錯誤的是（）A．基態(tài)F原子的電子排布式為1s22s22p5 B．與Ca2+最近且等距的F—數(shù)目為8 C．兩個最近的F—之間的距離為2mpm D．CaF2晶體密度為787．（2025春?昌江區(qū)校級期末）鋯（Zr）是重要的戰(zhàn)略金屬，可從其氧化物中提取。如圖是某種鋯的氧化物晶體的立方晶胞，NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法錯誤的是（）A．該氧化物的化學(xué)式為ZrO2 B．q點的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)可能為(3C．Zr原子與O原子之間的最短距離為34D．沿體對角線進(jìn)行投影，m、p兩點重合在正六邊形中心8．（2025春?吉林期末）物質(zhì)的結(jié)構(gòu)決定性質(zhì)。下列性質(zhì)差異與結(jié)構(gòu)因素不匹配的是（）選項性質(zhì)差異結(jié)構(gòu)因素A熔點：SiO2＞SiH4晶體類型B在CCl4中的溶解度：I2＞HI分子極性C沸點：對羥基苯甲酸＞鄰羥基苯甲酸氫鍵類型D電離常數(shù)K3：CF3COOH＞CH3COOH范德華力A．A B．B C．C D．D9．（2025春?昌江區(qū)校級期末）氧化鈰（CeO2）是一種重要的光催化材料，光催化過程中立方晶胞的組成變化如圖所示。假設(shè)CeO2晶胞邊長為aPm，下列說法正確的是（）A．CeO2晶胞中O原子位于Ce構(gòu)成的立方體空隙中 B．CeO2晶體結(jié)構(gòu)中Ce4+的配位數(shù)為12 C．CeO2晶胞中Ce4+與最近O2﹣的核間距為34D．每個CeO2﹣x晶胞中Ce4+個數(shù)為1﹣2x10．（2025春?成都期末）Mn的某種氧化物MnOx的四方晶胞如圖甲，MnOx可作HMF轉(zhuǎn)化為FDCA的催化劑（圖乙）。下列說法錯誤的是（）A．MnOx的化學(xué)式為MnO2 B．MnOx的四方晶胞中Mn2+配位數(shù)為6 C．HMF轉(zhuǎn)化為FDCA反應(yīng)過程中HMF發(fā)生氧化反應(yīng) D．HMF和FDCA都有三種官能團(tuán)11．（2025春?哈爾濱期末）一種由陽離子An+、Bm+和陰離子X﹣組成的無機固體電解質(zhì)結(jié)構(gòu)如圖，其中高溫相陽離子呈無序結(jié)構(gòu)，An+、Bm+均未畫出；低溫相呈現(xiàn)有序結(jié)構(gòu)。下列說法錯誤的是（）A．高溫相中X﹣距離最近的X﹣有12個 B．低溫相晶體中陰離子構(gòu)成的8個四面體空隙中陽離子占據(jù)4個 C．低溫相化學(xué)式為A2BX4 D．若a的離子坐標(biāo)為（0，12，12），則低溫相中空隙坐標(biāo)為（34，312．（2025?香坊區(qū)校級四模）Li2O為離子晶體，具有反螢石結(jié)構(gòu)，晶胞如圖所示，晶胞參數(shù)為bnm，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。下列說法錯誤的是（）A．O2﹣配位數(shù)為8 B．Li2O的密度為1.2×10C．O2﹣和Li+的最短距離等于3bD．該晶體的熔點比Na2O晶體的熔點低13．（2025?溫江區(qū)校級模擬）W（F）、Y（K）、Z（Ni）三種元素組成的化合物乙的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示。下列關(guān)于化合物乙的說法不正確的是（）A．與Z等距最近的W有6個 B．該晶體中Z的化合價為+2 C．圖中A、B原子間的距離為(bD．圖中B的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)可表示為(14．（2025春?新吳區(qū)校級期末）鎳的某種氧化物是一種半導(dǎo)體，具有如圖所示的NaCl型結(jié)構(gòu)，下列說法不正確的是（）A．Ni屬于過渡金屬元素 B．與Ni2+距離最近且相等的O2﹣有6個 C．Ni的基態(tài)原子價層電子共有10種空間運動狀態(tài) D．若該晶胞中氧原子有25%被氮原子替代，則該晶體的化學(xué)式為Ni4O3N15．（2025春?廣州期末）錳氧化物具有較大應(yīng)用價值。Mn的某種氧化物的四方晶胞及其在xy平面的投影如圖所示。下列說法正確的是（）A．晶胞中O的配位數(shù)為4 B．該氧化物的化學(xué)式為MnO2 C．當(dāng)晶體有O原子脫出時，Mn元素的化合價升高 D．相同條件下，氣態(tài)Mn2+比氣態(tài)Fe2+更易再失去一個電子16．（2025?渝中區(qū)校級模擬）TiFe合金是近年備受關(guān)注的新型儲氫合金，氫氣在合金表面分解為氫原子，并進(jìn)入金屬原子形成的空隙中。TiFe合金的一種儲氫過程如圖所示：下列說法不正確的是（）A．TiFe晶胞中，F(xiàn)e的配位數(shù)為8 B．TiFeHy晶胞中，若取一個平行六面體，F(xiàn)e位于六面體的頂點，則Ti位于晶胞體內(nèi) C．1molTiFe完全轉(zhuǎn)變?yōu)門iFeHy可以吸收標(biāo)準(zhǔn)狀況下44.8LH D．TiFe晶體中Ti的半徑為anm，F(xiàn)e的半徑為bnm，則TiFe晶胞邊長為217．（2025春?洛陽期末）鈉和氦在300GPa的壓力下可以形成一種穩(wěn)定的化合物（相對分子質(zhì)量為M），鈉離子形成如圖甲所示的規(guī)則立方體堆積，氦原子和電子對(e22-)交替填充在這些鈉原子形成的立方體的體心，得到如圖乙所示的晶胞。已知晶胞參數(shù)為anmA．兩對電子對之間的最近距離為2anmB．每個鈉離子周圍最近的氦原子數(shù)為4 C．該物質(zhì)的化學(xué)式可寫為(ND．該晶體的密度為418．（2025春?廬江縣期末）二氧化鈰（CeO2）是一種重要的催化材料，其晶胞如圖a，晶胞邊長為apm。在CeO2晶胞中摻雜Cu2O，Cu+占據(jù)部分Ce4+的位置形成非對稱性氧空位（如圖b），增強催化性能。下列說法錯誤的是（）A．CeO2晶體結(jié)構(gòu)中Ce4+的配位數(shù)為8 B．CeO2晶胞中Ce4+與O2﹣最近的核間距為34C．如圖b所示，Cu+占據(jù)Ce4+的位置，鈰元素化合價一定會降低 D．若晶胞頂點全被Cu+占據(jù)，晶胞內(nèi)有兩個氧空位，則Ce3+和Ce4+個數(shù)比為1：119．（2025?道里區(qū)校級三模）A2B型二元儲氫合金由容易形成穩(wěn)定氫化物的金屬作為A，難于形成氫化物但具有催化活性的金屬作為B，典型代表是Mg2Ni合金。Mg2Ni在一定條件下能與氫氣生成Mg2NiH4，高溫Mg2NiH4的晶胞如圖所示，該立方晶胞參數(shù)為apm。（已知：儲氫能力=材料中氫的密度液氫密度，液氫密度為dg?cm﹣3，NA．1個Mg2NiH4晶胞含有16個H B．2個鎂離子間最近距離為22C．Mg2NiH4的儲氫能力為16×10D．Mg2NiH4與水反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)方程式：Mg2NiH4+4H2O═2Mg（OH）2+Ni+4H2↑20．（2025春?河南期末）砷化鎵（GaAs）的晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示。將Mn摻雜到晶體中得到稀磁性半導(dǎo)體材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖乙所示。下列說法錯誤的是（）已知：a、b點的原子坐標(biāo)分別為（0，0，0）和（1，1，0）。A．圖甲中，Ga位于As構(gòu)成的八面體空隙中 B．圖甲中，若Ga﹣As的鍵長為apm，則晶胞邊長為43C．圖乙中，c點Mn的原子坐標(biāo)為(0，D．圖乙稀磁性半導(dǎo)體材料中，Mn、As的原子個數(shù)比為5：32

2026高考化學(xué)復(fù)習(xí)新題速遞之晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（2025年7月）參考答案與試題解析一．選擇題（共20小題）題號1234567891011答案ABAACCDDCDB題號121314151617181920答案DACBCADBA一．選擇題（共20小題）1．（2025春?昌江區(qū)校級期末）下列各組物質(zhì)的晶體類型相同的是（）A．SiC和Si3N4 B．MgCl2和AlCl3 C．Cu和Ge D．SiO2和CO2【答案】A【分析】A．SiC、Si3N4均為共價晶體；B．MgCl2是離子晶體，AlCl3是分子晶體，晶體類型不同；C．Cu是金屬晶體，Ge是共價晶體，晶體類型不同；D．SiO2是共價晶體，CO2是分子晶體。【解答】解：A．SiC、Si3N4均為共價晶體，兩者晶體類型相同，故A正確；B．MgCl2是離子晶體，AlCl3是分子晶體，晶體類型不同，故B錯誤；C．Cu是金屬晶體，Ge是共價晶體，晶體類型不同，故C錯誤；D．SiO2是共價晶體，CO2是分子晶體，晶體類型不同，故D錯誤；故選：A。【點評】本題主要考查晶體的類型與物質(zhì)的性質(zhì)的相互關(guān)系及應(yīng)用等，注意完成此題，可以從題干中抽取有用的信息，結(jié)合已有的知識進(jìn)行解題。2．（2025春?昌江區(qū)校級期末）物質(zhì)內(nèi)部微粒有序排列可形成晶體。下列說法錯誤的是（）A．二氧化硅晶體中由共價鍵形成的最小環(huán)有12個原子 B．氯化銫晶體中每個Cs+周圍距離最近的Cs+有8個 C．金剛石、SiC、NaF、NaCl、H2O，H2S晶體的熔點依次降低 D．金屬晶體中存在離子，不存在離子鍵【答案】B【分析】A．二氧化硅晶體中最小環(huán)由6個Si和6個O交替組成，共12個原子；B．氯化銫晶體為體心立方結(jié)構(gòu)，每個Cs+的最近鄰Cs+位于6個面心位置；C．熔沸點高低判斷：一般共價晶體＞離子晶體＞分子晶體；D．金屬晶體由金屬陽離子和自由電子通過金屬鍵結(jié)合，不存在陰離子?！窘獯稹拷猓篈．二氧化硅晶體中最小環(huán)由6個Si和6個O交替組成，共12個原子，由共價鍵形成，故A正確；B．氯化銫晶體為體心立方結(jié)構(gòu)，每個Cs+位于立方體頂點，周圍最近的Cs+位于相鄰立方體頂點，距離為邊長，數(shù)目為6個（上下、前后、左右各1個），故B錯誤；C．熔沸點高低判斷：一般共價晶體＞離子晶體＞分子晶體，金剛石和SiC為共價晶體，共價晶體中鍵長越長，熔沸點越低，Si的半徑比C大，因此金剛石比SiC熔沸點高；NaF和NaCl屬于離子晶體，離子晶體中所帶電荷數(shù)越多、離子半徑越小，熔沸點越高，F(xiàn)﹣的半徑小于Cl﹣，因此NaF的熔沸點高于NaCl；H2O和H2S屬于分子晶體，H2O中含有分子間氫鍵，因此H2O的熔沸點高于H2S，故C正確；D．金屬晶體由金屬陽離子和自由電子通過金屬鍵結(jié)合，不存在陰離子，因此無離子鍵，故D正確；故選：B?！军c評】本題主要考查晶體結(jié)構(gòu)、化學(xué)鍵及熔點的比較等知識，注意完成此題，可以從題干中抽取有用的信息，結(jié)合已有的知識進(jìn)行解題。需要掌握不同類型晶體的結(jié)構(gòu)特及性質(zhì)差異，特別是氫鍵對物質(zhì)性質(zhì)的影響。3．（2025春?瀏陽市期末）鈉與氧可形成多種二元化合物。其中一種二元化合物的晶胞如圖所示。下列說法中不正確的是（）A．該化合物的化學(xué)式為Na4O4 B．陰離子O2-有2C．與Na+距離相等且最近的Na+有8個 D．該晶體是離子晶體【答案】A【分析】結(jié)合圖示晶胞可知，該化合物由Na+與O2-構(gòu)成，屬于離子化合物；Na+位于8個頂點和面心，每個晶胞中含有Na+的數(shù)目為：1+8×18=2，O2-位于4條棱和2個面心，O2-有2【解答】解：A．根據(jù)分析可知，該晶胞中含有2個Na+和2個O2-，該化合物的化學(xué)式為NaO2B．由晶胞圖可知，棱上的4個O2-的空間取向相同，面上的2個O2-的空間取向相同，C．Na+位于8個頂點和面心，以面心的Na+為例，與該Na+距離相等且最近的Na+有8個，故C正確；D．該化合物由Na+與O2-故選：A。【點評】本題考查晶胞的計算，明確各微粒在晶胞中的位置為解答關(guān)鍵，注意掌握均攤法在晶胞計算中的應(yīng)用，題目難度不大。4．（2025?全國）一種負(fù)熱膨脹材料的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖，晶胞密度為dg?cm﹣3，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。下列說法錯誤的是（）A．沿晶胞體對角線方向的投影圖為： B．Ag和B均為sp3雜化 C．晶體中與Ag最近且距離相等的Ag有6個 D．Ag和B的最短距離為32×3【答案】A【分析】A．沿晶胞體對角線方向的投影，對角白球重合，對角線上兩黑球重合及對角線上兩灰球重合，Ag位于體心；B．Ag和B的價層電子對均為4；C．晶體中Ag位于晶胞的體心，與Ag最近且距離相等的Ag位于前后、左右、上下；D．根據(jù)ρ=mV求出晶胞參數(shù)，再根據(jù)【解答】解：A．沿晶胞體對角線方向的投影，對角白球重合，對角線上兩黑球重合及對角線上兩灰球重合，Ag位于體心，正確的投影圖為：，故A錯誤；B．Ag和B的價層電子對均為4，則Ag和B均為sp3雜化，故B正確；C．晶體中Ag位于晶胞的體心，與Ag最近且距離相等的Ag位于前后、左右、上下，故晶體中與Ag最近且距離相等的Ag有6個，故C正確；D．設(shè)晶胞參數(shù)為xpm，該晶胞中含有1個Ag原子，1個B原子，4個C原子和4個N原子，則ρ=mV=(108+11+4×12+4×14)NA(x×10-10)3g?cm﹣3＝dg?cm﹣3，解得x=故選：A?！军c評】本題考查晶體結(jié)構(gòu)，側(cè)重考查學(xué)生晶胞計算的掌握情況，題目難度中等。5．（2025?合肥一模）立方ZrO2的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞參數(shù)為xnm。若加入一定比例Y2O3則能使部分O2﹣缺位，形成陰離子導(dǎo)電的固體電解質(zhì)。下列說法錯誤的是（）A．“●”表示Zr4+ B．每個O2﹣周圍最近的Zr4+有4個 C．ZrO2晶胞密度為123ND．Y3+取代Zr4+后，O2﹣通過交換“缺位”而導(dǎo)電【答案】C【分析】A．晶胞中白球的個數(shù)為8，黑球的個數(shù)為8×18+6B．由晶胞的結(jié)構(gòu)可知，每個O2﹣周圍最近的Zr4+有4個；C．晶胞的質(zhì)量為4×123NAg，晶胞的體積為x3nm3，代入公式ρD．由題干可知，Y3+取代Zr4+后，O2﹣通過交換“缺位”而導(dǎo)電。【解答】解：A．晶胞中白球的個數(shù)為8，黑球的個數(shù)為8×18+6×12=4B．由晶胞的結(jié)構(gòu)可知，每個O2﹣周圍最近的Zr4+有4個，故B正確；C．晶胞的質(zhì)量為4×123NAg，晶胞的體積為x3nm3，則晶胞的密度ρ=mV=4×123NAD．由題干可知，Y3+取代Zr4+后，O2﹣通過交換“缺位”而導(dǎo)電，故D正確；故選：C?！军c評】本題主要考查晶胞的計算，為高頻考點，題目難度一般。6．（2025春?昌江區(qū)校級期末）自然界的氟化鈣礦物為螢石或氟石，CaF2的晶體結(jié)構(gòu)呈立方體形，其晶胞側(cè)視圖及晶胞結(jié)構(gòu)如圖，下列說法錯誤的是（）A．基態(tài)F原子的電子排布式為1s22s22p5 B．與Ca2+最近且等距的F—數(shù)目為8 C．兩個最近的F—之間的距離為2mpm D．CaF2晶體密度為78【答案】C【分析】A．F是原子序數(shù)為9的元素；B．晶胞中與Ca2+最鄰近的F﹣數(shù)為8；C．根據(jù)側(cè)面圖可看出，面對角線的長度為2mpm，邊長為2mpm，兩個最近的F﹣D．根據(jù)圖示可知CaF2晶胞中含4個Ca2+和8個F﹣，結(jié)合ρVNA＝4M分析?！窘獯稹拷猓篈．氟元素是原子序數(shù)為9的元素，基態(tài)氟原子的電子排布式為1s22s22p5，故A正確；B．晶胞中與鈣離子最鄰近的氟離子數(shù)為8，故B正確；C．根據(jù)側(cè)面圖可看出，面對角線的長度為2mpm，邊長為2mpm，兩個最近的F﹣之間的距離為立方體邊長的一半，所以兩個最近的F﹣之間的距離為2m2D．CaF2晶胞中含4個鈣離子和8個氟離子，邊長為2mpm=2m×10-10cm，利用ρ故選：C?！军c評】本題主要考查晶胞的計算等，注意完成此題，可以從題干中抽取有用的信息，結(jié)合已有的知識進(jìn)行解題。7．（2025春?昌江區(qū)校級期末）鋯（Zr）是重要的戰(zhàn)略金屬，可從其氧化物中提取。如圖是某種鋯的氧化物晶體的立方晶胞，NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法錯誤的是（）A．該氧化物的化學(xué)式為ZrO2 B．q點的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)可能為(3C．Zr原子與O原子之間的最短距離為34D．沿體對角線進(jìn)行投影，m、p兩點重合在正六邊形中心【答案】D【分析】A．根據(jù)“均攤法”分析；B．根據(jù)晶胞的位置分析；C．Zr原子與O原子之間的最短距離為晶胞對角線的14，晶胞邊長為aD．沿體對角線進(jìn)行投影，m、p兩點在正六邊形中的位置為，得出只有p與正六邊形中心重合?！窘獯稹拷猓篈．均攤：計算晶胞中的微粒數(shù)目：頂點位置：處于頂點的微粒被8個晶胞共享，每個晶胞分?jǐn)偟桨朔种?；棱上位置：處于棱上的微粒?個晶胞共享，每個晶胞分?jǐn)偟剿姆种?；面上位置：處于面上的微粒?個晶胞共享，每個晶胞分?jǐn)偟蕉种?；?nèi)部位置：處于晶胞內(nèi)部的微粒完全屬于該晶胞，根據(jù)“均攤法”，晶胞中Zr個數(shù)為4，晶胞中O的個數(shù)=8×18+6×12B．根據(jù)晶胞的位置可知，q點原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(34，C．Zr原子與O原子之間的最短距離為晶胞對角線的14，晶胞邊長為a，則Zr原子與O原子之間的最短距離為14×D．沿體對角線進(jìn)行投影，m、p兩點在正六邊形中的位置為，得出只有p與正六邊形中心重合，故D錯誤；故選：D?！军c評】本題主要考查晶胞的計算等，注意完成此題，可以從題干中抽取有用的信息，結(jié)合已有的知識進(jìn)行解題。8．（2025春?吉林期末）物質(zhì)的結(jié)構(gòu)決定性質(zhì)。下列性質(zhì)差異與結(jié)構(gòu)因素不匹配的是（）選項性質(zhì)差異結(jié)構(gòu)因素A熔點：SiO2＞SiH4晶體類型B在CCl4中的溶解度：I2＞HI分子極性C沸點：對羥基苯甲酸＞鄰羥基苯甲酸氫鍵類型D電離常數(shù)K3：CF3COOH＞CH3COOH范德華力A．A B．B C．C D．D【答案】D【分析】A．一般熔點大?。汗矁r晶體＞分子晶體；B．I2、CCl4是非極性分子，HI是極性分子，結(jié)合“相似相溶”原理分析；C．對羥基苯甲酸能形成分子間氫鍵，鄰羥基苯甲酸能形成分子內(nèi)氫鍵；D．由于F原子電負(fù)性大，使得CF3COOH中的O—H鍵極性增強，更易電離出氫離子，酸性更強。【解答】解：A．一般熔點大?。汗矁r晶體＞分子晶體，SiO2是共價晶體，熔化時需要破壞共價鍵，所以熔點高，SiH4是分子晶體，熔化時需要克服分子間作用力，熔點較低，故A正確；B．I2、CCl4是非極性分子，HI是極性分子，根據(jù)“相似相溶”原理，I2在CCl4中的溶解度大于HI，這是由分子極性決定的，故B正確；C．對羥基苯甲酸能形成分子間氫鍵，鄰羥基苯甲酸能形成分子內(nèi)氫鍵，前者沸點高于后者是有氫鍵類型不同決定的，故C正確；D．由于F原子電負(fù)性大，使得CF3COOH中的O—H鍵極性增強，更易電離出氫離子，酸性更強，其電離常數(shù)更大，與范德華力無關(guān)，故D錯誤；故選：D?！军c評】本題主要考查晶體的類型與物質(zhì)熔點、硬度、導(dǎo)電性等的關(guān)系等，注意完成此題，可以從題干中抽取有用的信息，結(jié)合已有的知識進(jìn)行解題。9．（2025春?昌江區(qū)校級期末）氧化鈰（CeO2）是一種重要的光催化材料，光催化過程中立方晶胞的組成變化如圖所示。假設(shè)CeO2晶胞邊長為aPm，下列說法正確的是（）A．CeO2晶胞中O原子位于Ce構(gòu)成的立方體空隙中 B．CeO2晶體結(jié)構(gòu)中Ce4+的配位數(shù)為12 C．CeO2晶胞中Ce4+與最近O2﹣的核間距為34D．每個CeO2﹣x晶胞中Ce4+個數(shù)為1﹣2x【答案】C【分析】A．由晶胞圖知中O原子位于Ce構(gòu)成的四面體空隙中；B．以任一面心的Ce4+為例，距離其最近的O2﹣的微粒數(shù)有8個；C．CeO2晶胞中Ce4+與最近O2﹣的核間距為晶胞對角線長度的14D．假設(shè)CeO2﹣x中的Ce4+和Ce3+的個數(shù)分別為m和n，且m+n＝1，結(jié)合化合價代數(shù)和為0分析?！窘獯稹拷猓篈．由晶胞圖知中氧原子位于Ce構(gòu)成的四面體空隙中，故A錯誤；B．由圖可知，以任一面心的Ce4+為例，距離其最近的O2﹣的微粒數(shù)有8個，故B錯誤；C．CeO2晶胞中Ce4+與最近氧離子的核間距為晶胞對角線長度的14，即34aD．假設(shè)CeO2﹣x中的Ce4+和Ce3+的個數(shù)分別為m和n，且m+n＝1，由化合物中各元素的化合價代數(shù)和為0可得：4m+3n＝4﹣2x，則m＝1﹣2x，位于頂點和面心的Ce4+或Ce3+個數(shù)為8×18+6×12=4，所以每個晶胞中Ce4+故選：C?！军c評】本題主要考查晶胞的計算等，注意完成此題，可以從題干中抽取有用的信息，結(jié)合已有的知識進(jìn)行解題。10．（2025春?成都期末）Mn的某種氧化物MnOx的四方晶胞如圖甲，MnOx可作HMF轉(zhuǎn)化為FDCA的催化劑（圖乙）。下列說法錯誤的是（）A．MnOx的化學(xué)式為MnO2 B．MnOx的四方晶胞中Mn2+配位數(shù)為6 C．HMF轉(zhuǎn)化為FDCA反應(yīng)過程中HMF發(fā)生氧化反應(yīng) D．HMF和FDCA都有三種官能團(tuán)【答案】D【分析】A.根據(jù)圖甲中的晶胞結(jié)構(gòu)，黑球代表Mn2+，白球代表O2﹣，通過均攤法計算可以得出，每個晶胞中含有Mn2+：8×18+1＝2個和O2﹣＝4×12+2B.MnO2的四方晶胞中Mn2+周圍緊鄰最近的O2﹣為6個，分別位于其上下左右前后六個方向，因此Mn2+的配位數(shù)為6；C.從圖乙可以看出，HMF轉(zhuǎn)化為FDCA反應(yīng)過程中，羥基（—OH）被氧化成了羧基（—COOH），這是一個典型的氧化反應(yīng)過程；D.觀察HMF和FDCA的結(jié)構(gòu)式：HMF含有羥基（—OH）、醚鍵、醛基和碳碳雙鍵四種官能團(tuán)、FDCA含有兩個羧基（—COOH）、一個碳碳雙鍵和醚鍵三種官能團(tuán)，因此，HMF并不具有三種官能團(tuán)?！窘獯稹拷猓篈.根據(jù)圖甲中的晶胞結(jié)構(gòu)，黑球代表Mn2+，白球代表O2﹣，通過均攤法計算可以得出，每個晶胞中含有Mn2+：8×18+1＝2個和O2﹣＝4×12+2＝4B.MnO2的四方晶胞中Mn2+周圍緊鄰最近的O2﹣為6個，分別位于其上下左右前后六個方向，因此Mn2+的配位數(shù)為6，故B正確；C.從圖乙可以看出，HMF轉(zhuǎn)化為FDCA反應(yīng)過程中，羥基（—OH）被氧化成了羧基（—COOH），這是一個典型的氧化反應(yīng)過程，故C正確；D.觀察HMF和FDCA的結(jié)構(gòu)式：HMF含有羥基（—OH）、醚鍵、醛基和碳碳雙鍵四種官能團(tuán)、FDCA含有兩個羧基（—COOH）、一個碳碳雙鍵和醚鍵三種官能團(tuán)，因此，HMF并不具有三種官能團(tuán)，故D錯誤，故選：D。【點評】本題考查晶胞的計算，涉及到均攤法、配位數(shù)的判斷，還考察有機物的官能團(tuán)的判斷和有機氧化反應(yīng)的判斷，題目難度中等。11．（2025春?哈爾濱期末）一種由陽離子An+、Bm+和陰離子X﹣組成的無機固體電解質(zhì)結(jié)構(gòu)如圖，其中高溫相陽離子呈無序結(jié)構(gòu)，An+、Bm+均未畫出；低溫相呈現(xiàn)有序結(jié)構(gòu)。下列說法錯誤的是（）A．高溫相中X﹣距離最近的X﹣有12個 B．低溫相晶體中陰離子構(gòu)成的8個四面體空隙中陽離子占據(jù)4個 C．低溫相化學(xué)式為A2BX4 D．若a的離子坐標(biāo)為（0，12，12），則低溫相中空隙坐標(biāo)為（34，3【答案】B【分析】A．高溫相中頂點的X﹣距離最近的X﹣位于面心；B．根據(jù)低溫相晶體圖，陰離子構(gòu)成的8個四面體空隙中，陽離子占據(jù)3個，有一個是四面體空隙；C．低溫相中，X位于頂角和面心，A、B在內(nèi)部，分別有2個和1個；D．低溫相中空隙位于立方體的右下后方?！窘獯稹拷猓篈．高溫相中頂點的X﹣距離最近的X﹣位于面心，有3×8×1B．根據(jù)低溫相晶體圖，陰離子構(gòu)成的8個四面體空隙中，陽離子占據(jù)3個，有一個是四面體空隙，故B錯誤；C．均攤：計算晶胞中的微粒數(shù)目：頂點位置：處于頂點的微粒被8個晶胞共享，每個晶胞分?jǐn)偟桨朔种?；棱上位置：處于棱上的微粒?個晶胞共享，每個晶胞分?jǐn)偟剿姆种?；面上位置：處于面上的微粒?個晶胞共享，每個晶胞分?jǐn)偟蕉种唬粌?nèi)部位置：處于晶胞內(nèi)部的微粒完全屬于該晶胞，低溫相中，X位于頂角和面心，共8×18+6×12=4，A、B在內(nèi)部，分別有2個和1個，化學(xué)式為AD．低溫相中空隙位于立方體的右下后方，坐標(biāo)為（34，34，14故選：B?！军c評】本題主要考查晶胞的計算等，注意完成此題，可以從題干中抽取有用的信息，結(jié)合已有的知識進(jìn)行解題。12．（2025?香坊區(qū)校級四模）Li2O為離子晶體，具有反螢石結(jié)構(gòu)，晶胞如圖所示，晶胞參數(shù)為bnm，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。下列說法錯誤的是（）A．O2﹣配位數(shù)為8 B．Li2O的密度為1.2×10C．O2﹣和Li+的最短距離等于3bD．該晶體的熔點比Na2O晶體的熔點低【答案】D【分析】A．以面心的O2﹣離子為例，距離O2﹣最近的Li+的數(shù)目為8；B．晶胞的質(zhì)量為120NAg，晶胞的體積為b3×10﹣21cm3，代入公式ρC．O2﹣和Li+的最短距離為體對角線的14D．對于離子晶體來說，離子半徑越小熔沸點越高?！窘獯稹拷猓篈．以面心的O2﹣離子為例，距離O2﹣最近的Li+的數(shù)目為8，因此O2﹣配位數(shù)為8，故A正確；B．晶胞的質(zhì)量為120NAg，晶胞的體積為b3×10﹣21cm3，則晶胞的密度ρ=mC．O2﹣和Li+的最短距離為體對角線的14，為3b4D．Li2O和Na2O為離子晶體，Li+離子的半徑小于Na+，因此該晶體的熔點比Na2O晶體的熔點高，故D錯誤；故選：D?！军c評】本題主要考查晶胞的計算，為高頻考點，題目難度一般。13．（2025?溫江區(qū)校級模擬）W（F）、Y（K）、Z（Ni）三種元素組成的化合物乙的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示。下列關(guān)于化合物乙的說法不正確的是（）A．與Z等距最近的W有6個 B．該晶體中Z的化合價為+2 C．圖中A、B原子間的距離為(bD．圖中B的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)可表示為(【答案】A【分析】A．晶胞中a和c不相等，因此與Z等距最近的W不是6個；B．晶胞中F﹣離子的數(shù)目為16×14+4×12+2＝8，Ni離子的數(shù)目為8×18+1＝2，K+C．根據(jù)勾股定理，圖中A、B原子間的距離為(bD．B位于晶胞的中心，則圖中B的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)可表示為(1【解答】解：A．晶胞中a和c不相等，因此與Z等距最近的W不是6個，故A錯誤；B．晶胞中F﹣離子的數(shù)目為16×14+4×12+2＝8，Ni離子的數(shù)目為8×18+1＝2，K+的數(shù)目為8×14+C．根據(jù)勾股定理，圖中A、B原子間的距離為(b2-D．B位于晶胞的中心，則圖中B的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)可表示為(12，故選：A?！军c評】本題主要考查晶胞的計算，為高頻考點，題目難度一般。14．（2025春?新吳區(qū)校級期末）鎳的某種氧化物是一種半導(dǎo)體，具有如圖所示的NaCl型結(jié)構(gòu)，下列說法不正確的是（）A．Ni屬于過渡金屬元素 B．與Ni2+距離最近且相等的O2﹣有6個 C．Ni的基態(tài)原子價層電子共有10種空間運動狀態(tài) D．若該晶胞中氧原子有25%被氮原子替代，則該晶體的化學(xué)式為Ni4O3N【答案】C【分析】A．Ni原子序數(shù)28；B．以體心Ni2+為中心，距離最近且相等的O2﹣位于6個面的面心；C．Ni原子序數(shù)28，核外電子排布式為：1s22s22p63s23p63d84s2；D．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，晶胞中Ni2+有4個，O2﹣有4個?！窘獯稹拷猓篈．Ni原子序數(shù)28，位于元素周期表第Ⅷ族，屬于過渡金屬元素，故A正確；B．以體心鎳離子為中心，距離最近且相等的氧離子位于6個面的面心，共計6個，故B正確；C．Ni原子序數(shù)28，核外電子排布式為：1s22s22p63s23p63d84s2，所以Ni的基態(tài)原子價層電子共有6種空間運動狀態(tài)，故C錯誤；D．晶胞中鎳離子有4個，氧離子有4個，若該晶胞中氧原子有25%被氮原子替代，可理解成有1個氧原子被氮原子替代，則該晶體的化學(xué)式為Ni4O3N，故D正確；故選：C?！军c評】本題主要考查晶胞的計算等，注意完成此題，可以從題干中抽取有用的信息，結(jié)合已有的知識進(jìn)行解題。15．（2025春?廣州期末）錳氧化物具有較大應(yīng)用價值。Mn的某種氧化物的四方晶胞及其在xy平面的投影如圖所示。下列說法正確的是（）A．晶胞中O的配位數(shù)為4 B．該氧化物的化學(xué)式為MnO2 C．當(dāng)晶體有O原子脫出時，Mn元素的化合價升高 D．相同條件下，氣態(tài)Mn2+比氣態(tài)Fe2+更易再失去一個電子【答案】B【分析】A．由晶胞結(jié)構(gòu)可推知O的配位數(shù)3，Mn的配位數(shù)6；B．由均攤法得，晶胞中Mn的數(shù)目為1+8×18=2，O的數(shù)目為2+4×12C.MnOx晶體有O原子脫出時，出現(xiàn)O空位，即x減小，Mn的化合價為+2x，即Mn的化合價降低；D.Mn2+的價電子排布式為3d5、Fe2+的價電子式排布為3d6，3d5為半滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，不易失電子，所以相同條件下，氣態(tài)Fe2+比Mn2+氣態(tài)更易再失去一個電子?！窘獯稹拷猓篈．由晶胞結(jié)構(gòu)可推知O的配位數(shù)3，Mn的配位數(shù)6，故A錯誤；B．由均攤法得，晶胞中Mn的數(shù)目為1+8×18=2，O的數(shù)目為2+4×12=4C.MnOx晶體有O原子脫出時，出現(xiàn)O空位，即x減小，Mn的化合價為+2x，即Mn的化合價降低，故C錯誤；D.Mn2+的價電子排布式為3d5、Fe2+的價電子式排布為3d6，3d5為半滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，不易失電子，所以相同條件下，氣態(tài)Fe2+比Mn2+氣態(tài)更易再失去一個電子，故D錯誤，故選：B?！军c評】本題考查有關(guān)晶胞的計算，涉及的知識點有根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)確定晶體的化學(xué)式、配位數(shù)的判斷、離子穩(wěn)定性的判斷等知識點，難度中等。16．（2025?渝中區(qū)校級模擬）TiFe合金是近年備受關(guān)注的新型儲氫合金，氫氣在合金表面分解為氫原子，并進(jìn)入金屬原子形成的空隙中。TiFe合金的一種儲氫過程如圖所示：下列說法不正確的是（）A．TiFe晶胞中，F(xiàn)e的配位數(shù)為8 B．TiFeHy晶胞中，若取一個平行六面體，F(xiàn)e位于六面體的頂點，則Ti位于晶胞體內(nèi) C．1molTiFe完全轉(zhuǎn)變?yōu)門iFeHy可以吸收標(biāo)準(zhǔn)狀況下44.8LH D．TiFe晶體中Ti的半徑為anm，F(xiàn)e的半徑為bnm，則TiFe晶胞邊長為2【答案】C【分析】A．由TiFe晶胞圖可知，距頂點的Ti最近的Fe位于體心，頂點的原子為8個晶胞共有；B．氫原子進(jìn)入金屬原子形成的空隙中形成TiFeHy晶胞中；C．根據(jù)均攤法可知，TiFe晶胞中，F(xiàn)e位于頂點，個數(shù)為8×18=1，TiFeH3晶胞中，F(xiàn)e位于頂點和面上，個數(shù)為8×14+4×12=4，H原子位于頂點和面上，個數(shù)為8×18+14D．TiFe晶胞體對角線等于邊長的3倍?！窘獯稹拷猓篈．由TiFe晶胞圖可知，距頂點的Ti最近的Fe位于體心，頂點的原子為8個晶胞共有，故Fe的配位數(shù)為8，故A正確；B．氫原子進(jìn)入金屬原子形成的空隙中形成TiFeHy晶胞中，H原子位于面上，若取一個平行六面體，F(xiàn)e位于六面體的頂點，由TiFe晶胞結(jié)構(gòu)可知，Ti位于晶胞體內(nèi)，故B正確；C．根據(jù)均攤法可知，TiFe晶胞中，F(xiàn)e位于頂點，個數(shù)為8×18=1，TiFeH3晶胞中，F(xiàn)e位于頂點和面上，個數(shù)為8×14+4×12=4，H原子位于頂點和面上，個數(shù)為8×18+14×12=8，1molTiFeD．TiFe晶體中Ti的半徑為anm，F(xiàn)e的半徑為bnm，體對角線為（2a+2b）nm，則TiFe晶胞邊長為2a+2b3故選：C。【點評】本題考查晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)，側(cè)重對空間想象能力、分析解決問題的能力考查，注意掌握均攤法進(jìn)行晶胞有關(guān)計算，題目難度中等。17．（2025春?洛陽期末）鈉和氦在300GPa的壓力下可以形成一種穩(wěn)定的化合物（相對分子質(zhì)量為M），鈉離子形成如圖甲所示的規(guī)則立方體堆積，氦原子和電子對(e22-)交替填充在這些鈉原子形成的立方體的體心，得到如圖乙所示的晶胞。已知晶胞參數(shù)為anmA．兩對電子對之間的最近距離為2anmB．每個鈉離子周圍最近的氦原子數(shù)為4 C．該物質(zhì)的化學(xué)式可寫為(ND．該晶體的密度為4【答案】A【分析】A．氦原子和電子對(e22-B．由晶胞乙的結(jié)構(gòu)可知，每個鈉離子周圍最近的氦原子數(shù)為4；C．晶胞中的電子對、He原子處于小立方體的中心，不均攤，可知晶胞中有1+12×14=4對電子、8D．晶胞中有1+12×14=4對電子、8×18+6×12=4個He【解答】解：A．氦原子和電子對(e22-)交替填充在這些鈉原子形成的立方體的體心，兩對電子對之間的最近距離為B．每個鈉離子周圍最近的氦原子數(shù)為4，鈉離子位于4個氦原子形成的正四面體空隙中，故B正確；C．晶胞中的電子對、He原子處于小立方體的中心，不均攤，晶胞中有1+12×14=4對電子、8×18+6×12=4個He原子，晶胞占有的鈉離子數(shù)目為8，則Na、He、電子對數(shù)占比為8：4：4D．晶胞中8個鈉離子，有1+12×14=4對電子、8×18+6×12=4個He原子，即4故選：A?！军c評】本題考查晶體結(jié)構(gòu)，側(cè)重考查學(xué)生晶胞計算的掌握情況，試題難度中等。18．（2025春?廬江縣期末）二氧化鈰（CeO2）是一種重要的催化材料，其晶胞如圖a，晶胞邊長為apm。在CeO2晶胞中摻雜Cu2O，Cu+占據(jù)部分Ce4+的位置形成非對稱性氧空位（如圖b），增強催化性能。下列說法錯誤的是（）A．CeO2晶體結(jié)構(gòu)中Ce4+的配位數(shù)為8 B．CeO2晶胞中Ce4+與O2﹣最近的核間距為34C．如圖b所示，Cu+占據(jù)Ce4+的位置，鈰元素化合價一定會降低 D．若晶胞頂點全被Cu+占據(jù)，晶胞內(nèi)有兩個氧空位，則Ce3+和Ce4+個數(shù)比為1：1【答案】D【分析】A．以面心的Ce4+為基準(zhǔn)，距離Ce4+最近的O2﹣為8；B．CeO2晶胞中Ce4+與O2﹣最近距離為體對角線的14C．Cu+占據(jù)部分Ce4+的位置形成非對稱性氧空位，亞銅離子所帶正電荷少；D．若晶胞頂點全被Cu+占據(jù)，由均攤法，該晶胞含有Cu+為18×8＝1，Ce為6×12=3，Ce3+和Ce4+個數(shù)分別為x、y，由電荷守恒，1+3x+4y【解答】解：A．CeO2晶體結(jié)構(gòu)中，以面心的Ce4+為基準(zhǔn)，距離Ce4+最近的O2﹣為8，配位數(shù)為8，故A正確；B．CeO2晶胞中Ce4+與O2﹣最近距離為體對角線的14，核間距為34