熱點強化-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)選擇題專練

1.（2021?遼寧，7）單質(zhì)硫和氫氣在低溫高壓下可形成一種新型超導材料，其晶胞如圖。下列說

法錯誤的是（）

A.S位于元素周期表p區(qū)

B.該物質(zhì)的化學式為H3s

C.S位于H構(gòu)成的八面體空隙中

D.該晶體屬于分子晶體

答案D

解析S的價層電子排布式為3s23P、故S位于元素周期表p區(qū)，A正確；由該物質(zhì)的晶胞

可知：S個數(shù)為8義1+1=2,H個數(shù)為12x1+6x1=6,故H、S原子個數(shù)比為3：1,故該

842

物質(zhì)的化學式為H3S,B正確；S位于H構(gòu)成的八面體空隙中，如圖所示

C正確；由于該晶體是一種新型超導材料，說明其是由陰、陽離子構(gòu)成的，故該晶體屬于離

子晶體，D錯誤。

2.（2023?河北滄州?？寄M）冰晶石（Na3AlF6）常用作電解鋁的助熔劑和研磨產(chǎn)品的耐磨添加

劑，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，已知該晶胞參數(shù)為。pm,2VA表示阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說

法錯誤的是（）

?AlFt

A.A1FA中Al的配位數(shù)為6

B.圖中△位置填充的是Na+

C.晶胞中A1F1形成的全部四面體空隙和A1F1的比值為1：1

D.該晶體的密度為隼"gem-3

QNA

答案c

解析晶胞中A1F，形成的全部四面體空隙和A1F釘?shù)谋戎禐?：1,C錯誤；該晶體的密度

為-MX10-

4X21。m3=D正確。

,033

(aX10~)NAaNA

3.（2023?濰坊模擬）CaF2的晶胞結(jié)構(gòu)和部分離子的投影位置如圖所示，下列說法錯誤的是

（）

甲乙

A.CaF2屬于離子晶體

B.Ca2+的配位數(shù)為8

C.圖甲為丁沿y軸投影圖

D.圖乙為Ca2+沿面對角線投影圖

答案D

解析氟化鈣是由鈣離子和氟離子形成的離子晶體，故A正確；由晶胞結(jié)構(gòu)可知，晶胞中位

于頂點的鈣離子與位于體對角線1處的氟離子的距離最近，則鈣離子的配位數(shù)為8,故B正確；

4

由晶胞結(jié)構(gòu)可知，Ca2+沿面對角線投影圖的四個側(cè)面面心應在同一條線上，圖乙鈣離子分布

不符合，故D錯誤。

4.（2023?廣東梅州統(tǒng)考模擬）FeS2晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說法不正確的是（）

?Fe2+ooSj-

A.陰、陽離子個數(shù)比為1：I

B.FeS2晶體中距離Fe2+最近的Fe2+的數(shù)目為12

C.若晶胞邊長均為apm,則Sy和ST之間的最短距離為也。pm

D.陽離子位于由陰離子構(gòu)成的正八面體空隙中

答案C

解析由化學式FeS2知陰、陽離子個數(shù)比為1：1,A項正確；S歹與S歹之間的最短距離等

于晶胞面對角線長的一半，即為］apm,C項錯誤。

5.（2023?重慶校聯(lián)考模擬）納米CeCh可催化。2的分解，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。下列關(guān)于CeO2

的說法正確的是（）

A.Ce4+的配位數(shù)是4

B.Ce”+與CP-間最短距離為nm

4

C.若A離子的坐標為（0,攝3）,則B離子的坐標為（：,：，1）

D.若晶體密度為0g-cmF,則晶胞參數(shù)〃=*盧^*1（）7

PNA

答案C

解析根據(jù)晶胞圖可知，Ce4+的配位數(shù)為8,故A錯誤；把晶胞平均分成8個小立方體，O2

一位于小立方體的中心，即Ce4+與。2-最短距離是體對角線長的1,即為查anm,故B錯誤；

44

Ce，+位于頂點和面心，個數(shù)為8X-+6X-=4,CP-位于晶胞內(nèi)部個數(shù)為8,化學式為CeO,

822

43（140+32）

則晶胞的質(zhì)量為ax（140+32）g,根據(jù)密度的定義，晶胞的參數(shù)為飛M__________X107

NAp

nm='的巡X107nm,故D錯誤。

WNA

6.（2023?長沙一中模擬）雙鈣鈦礦型晶體的一種典型結(jié)構(gòu)單元如圖所示，真實的晶體中存在

5%的氧原子缺陷，能讓02-在其中傳導，可用作固體電解質(zhì)材料。已知La為+3價，Ba為

+2價。以下說法錯誤的是（）

QLa

O?°OOBa

?Co

oO

A.該晶體的一個完整晶胞中含有1個C。原子

B.晶體中與La距離最近的Ba的數(shù)目為6

C.+3價Co與+4價Co的原子個數(shù)比為4：1

D.忽略氧原子缺陷，每個Co原子都處于氧原子圍成的正八面體空隙的中心

答案A

解析該晶體的一個完整晶胞由8個圖示結(jié)構(gòu)單元組成，該晶體的一個完整晶胞中含有8個

Co原子，故A錯誤；根據(jù)均攤法，I個晶胞中La數(shù)為4義1=0.5、Ba數(shù)為4X」=0.5、Co

888

數(shù)為1、O數(shù)為6義1=3,所以化學式為LaBaC02C>6,真實的晶體中存在5%的氧原子缺陷,

2

設+3價Co的個數(shù)為x,根據(jù)各元素化合價代數(shù)和等于0,3+2+3x+4（2-x）—2X6X95%=0,

x=1.6,所以+3價Co與+4價Co的原子個數(shù)比為4：1,故C正確。

7.（2023?河北模擬預測）新型超導材料晶體的晶胞結(jié)構(gòu)中鎂原子和銀原子位于頂點和面心，它

們構(gòu)成兩種八面體空隙，一種由銀原子構(gòu)成，另一種由鍥原子和鎂原子一起構(gòu)成，兩種八面

體空隙的數(shù)量之比是1：3,碳原子只填充在銀原子構(gòu)成的八面體空隙中，沿晶胞立方格子對

角線取得的截圖如圖所示。下列說法錯誤的是（）

A.基態(tài)Ni原子的核外電子排布式為[Ar]3d84s2

B.該新型超導材料的化學式為MgNi3c

C.Mg的C配位數(shù)為6

on

D.若晶胞參數(shù)a=0.3812nm,該晶體密度為——尖——X8.加3刈為阿伏加德羅常

0.38123XNA

數(shù)的值）

答案C

解析在題述晶胞中，八面體空隙的中心位于體心位置和所有棱心位置，它們的比例是1:3,

中心處于體心位置的八面體由鍥原子構(gòu)成，可填入碳原子，而中心處于棱心位置的八面體由

2個鎂原子和4個鍥原子一起構(gòu)成，不填入碳原子，所以C處于體心位置，則Mg處于頂點

位置，Ni處于面心位置，該超導材料晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示：QMgONi?CO晶胞中含

Mg的個數(shù)為8義1=1,含Ni的個數(shù)為6x1=3,含C的個數(shù)為1,該新型超導材料的化學

82

式為MgNi3C,B正確；由B項圖可知，與Mg距離最近的C的個數(shù)為8,配位數(shù)為8,C錯

、24+12+59X3_213_

誤；該晶體密度p=-------------------------g-cm3=---------------------X1021g-cm3,D正確。

3

（0.3812X10-7）32VA80.3812X2VA

8.（2023?武漢華中師大一附中模擬）一種由銀、氟和鉀三種元素組成的化合物晶體結(jié)構(gòu)如圖所

示，下列說法錯誤的是（）

OFOKONi

A.該晶體中Ni的化合價為+2

B.與保等距離且最近的F有6個

2

C.圖中A、B原子間的距離為(|-c)+ypm

D.該晶體的密度為生學"g-cnT3

a16NA

答案B

解析根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知該晶體中F個數(shù)為1義16+1><4+2=8,K個數(shù)為1乂8+2=4,Ni

424

的個數(shù)為1乂8+1=2,根據(jù)化合物中正負化合價代數(shù)和為0,可知Ni應為+2價，A正確；

8

晶胞中a與c不相等，因此與鍥等距離且最近的F不是6個，B錯誤；該晶胞質(zhì)量為婭g,

NA

晶胞體積為層方乂1（F3（）cm3,因此該晶體的密度為，-------g-cm-3,D正確。

2

abNA

9.（2023?湖南，11）科學家合成了一種高溫超導材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，該立方晶胞參數(shù)

為apm。阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。下列說法錯誤的是（）

A.晶體最簡化學式為KCaB6c6

B.晶體中與K+最近且距離相等的Ca2+有8個

C.晶胞中B和C原子構(gòu)成的多面體有12個面

D.晶體的密度為幺彳—gem-3

a3-NA

答案C

解析根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知，其中K個數(shù)：8x1=1,Ca個數(shù)：1,B個數(shù)：12義1=6,C個數(shù):

82

12X-=6,故其最簡化學式為KCaB6c6,A正確；K卡位于晶胞頂角，Ca2+位于體心，則晶體

2

中與K+最近且距離相等的Ca?+有8個，B正確；根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知，晶胞中B和C原子構(gòu)

717

成的多面體有14個面，C錯誤；由A項分析知晶胞質(zhì)量為---g,晶胞體積為序火10-30cm3,

2vA

2.17X1032

則其密度為gem-3,D正確。

a3-NA

10.（2023?武漢模擬）某儲氫材料錮銀合金的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說法錯誤的是（）

oLa

?Ni

A.該物質(zhì)的化學式為LaNis

B.距離La最近且相等的Ni的數(shù)目為6

C.利用原子光譜可鑒定儲氫材料中的La元素

晶體密度2=——普H-g-cm-3

D.

362

3X10XabNA

答案D

解析該晶胞中La個數(shù)為12義1+2義1=3,Ni個數(shù)為18義1+6=15,貝ILa、Ni個數(shù)之比

622

為3：15=1：5,化學式為LaNis,A正確；根據(jù)圖知，以底面中心La為例，與其距離最近

且相等的Ni個數(shù)是6,B正確；原子光譜可以鑒定金屬元素，所以利用原子光譜可鑒定儲氫

材料中的La元素，C正確；該晶胞的體積為3x（aX10r0cm）2><sin60°X6XSX10r0cm）=

o-x/o3X434父6只、A

-----HbX10-3（）cm3,晶體密度"=cg-cm-3=---------------------g-errT3,D錯誤。

2就義&XIO^NA3a26X10-398

2

11.（2024?福州模擬）氧化鋅億nO）的透明度高，具有優(yōu)異的常溫發(fā)光性能。氧化鋅的兩種晶胞

結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說法錯誤的是（）

A.甲、乙兩種晶體類型的晶胞內(nèi)Z/+數(shù)目之比為2：1

B.甲中Zd+位于02—形成的四面體空隙中，空隙填充率為50%

C.乙的晶胞沿z軸的二維投影圖如圖丙所示

D.兩種晶胞中。2一的配位數(shù)均為4

答案C

解析甲類型的晶胞中有4個Zn2+,乙晶胞有2X」+2X1+1=2個Zn2+,甲、乙兩種晶體

63

類型的晶胞內(nèi)Z/+數(shù)目之比為2：1,故A正確；甲晶胞中。2-形成8個四面體空隙，Zn2+

Ayo-7

占據(jù)4個空隙，則空隙填充率為50%,故B正確；乙的晶胞沿z軸的二維投影圖為

故C錯誤；。2-的配位數(shù)即為晶胞中距離。2-最近的zn2+個數(shù)，觀察甲乙兩晶胞，可知兩種

晶胞中。2-的配位數(shù)均為4,故D正確。

12.(2023?湖南校聯(lián)考模擬預測)BeO晶體是制備氟代硼被酸鉀晶體的原料之一,其晶胞結(jié)構(gòu)

與ZnS類似，下列說法不正確的是()

A.Be原子的配位數(shù)是12

B.若原子a、b的坐標分別為(0,0,0)、4J,1),則原子c的坐標為(A1，1)

22444

Q-------O-------Q

■

OO

??

C.沿晶胞面對角線投影，所得的投影圖是6——O——6

D.設O與Be的最近距離為〃pm,用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，則BeO晶體的密度為

4X(9+16)

4sgPm「3

W?)*3X4*810-30

答案A

解析由晶胞結(jié)構(gòu)可知Be位于O原子構(gòu)成的四面體的體心，Be原子的配位數(shù)是4,A錯誤；

由BeO的晶胞結(jié)構(gòu)可知，每個Be處于晶胞體對角線的1處，結(jié)合原子a、b的坐標可知原子

4

c的坐標為(1,1,3,B正確；若O與Be的最近距離為npm,則題中a、c之間的距離為/7pm,

444

又因為a、c之間的距離為晶胞體對角線長的1,則晶胞棱長為生32Pm,晶胞內(nèi)Be的個數(shù)為

43

j14X(9+16)

4,。的個數(shù)為8X,+6X，=4,則晶體密度為一TjTg-cm-3,D正確。

82w(臂/AXImo

13.(2023?遼寧丹東統(tǒng)考模擬)TiCh的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，其中m、n、p、q的原子坐標分別

為m(0,0,0)>n(0.69a,0.69a,。)、p(a,a,c)、q(0.19tz,0.8ltz,0.5c)o下列說法正確的是()

，p

A.Ti位于周期表中第四周期第DB族

B.圖中標記的微粒中，m、p代表氧原子

C.i的原子坐標為（0.81a,0.19a,0.5c）

D.該晶體的密度為-8°--g-cnT3

層CNAXIO306

答案C

解析Ti是22號元素，位于元素周期表第四周期第WB族，故A錯誤；由晶胞結(jié)構(gòu)圖可知,

i原子與q原子處于中心對稱位置，所以i的原子坐標為（0.81a,0.19a,0.5c）,故C正確；由晶

胞結(jié)構(gòu)圖可知，該晶胞中有2個Ti原子，4個O原子，相當于有2個TiCh,所以晶體密度為

14.（2023-長沙長郡中學校考一模）由于晶體原子或離子的熱運動，導致部分原子或離子偏離

理想晶體結(jié)構(gòu)的區(qū)域，這就叫晶體的熱缺陷。晶體熱缺陷的存在會對晶體的性質(zhì)產(chǎn)生明顯的

影響。如圖為理想NaCl晶體中的某個結(jié)構(gòu)單元在受熱過程中出現(xiàn)熱缺陷的模擬過程圖。下

列有關(guān)說法正確的是（）

。代表Na+

o代表C「

□代表缺陷

A.理想的NaCl晶體中Na+的配位數(shù)為8

B.由圖可知，NaCl晶體因熱缺陷導致其晶體整體帶負電

C.NaCl晶體中存在熱缺陷對晶體的導電性基本無影響

D.已知理想的NaCl晶體密度為〃g-cmr,阿伏加德羅常數(shù)的值為必,則NaCl的晶胞參數(shù)（晶

胞的邊長）為，盧^cm

答案D

解析理想的NaCl晶體的晶胞為面心立方堆積，其中Na+的配位數(shù)為6,A錯誤；根據(jù)熱缺

陷的定義可知，含缺陷的晶體只是因為某些離子或原子偏離了理想晶體結(jié)構(gòu)的區(qū)域，整個

NaCl晶體還是不帶電，B錯誤；由圖示可知，NaCl中的Na+因熱運動偏離了理想晶體結(jié)構(gòu)

區(qū)域，在外加電場的作用下，該類Na+可以發(fā)生遷移，因此導電性增大，C錯誤；由晶胞結(jié)

構(gòu)可知晶胞的質(zhì)量為4Mg,密度為0g儲01一3,則晶胞的體積為國^cm3,晶胞的邊長為。I4M

NAPNAPNA

cm,代入M的值，則NaCl的晶胞參數(shù)(晶胞的邊長)為D正確。

15.(2023?湖南衡