半導體考試題庫多選題及答案

一、單項選擇題（每題2分，共10題）1.半導體中參與導電的載流子是（）A.只有電子B.只有空穴C.電子和空穴答案：C2.硅半導體的禁帶寬度比鍺（）A.大B.小C.相等答案：A3.P型半導體主要依靠（）導電。A.電子B.空穴C.離子答案：B4.在本征半導體中加入（）元素可形成N型半導體。A.三價B.四價C.五價答案：C5.半導體二極管的主要特性是（）A.放大特性B.單向導電性C.穩(wěn)壓特性答案：B6.穩(wěn)壓二極管正常工作在（）A.正向導通區(qū)B.反向截止區(qū)C.反向擊穿區(qū)答案：C7.晶體三極管工作在放大區(qū)時，發(fā)射結（），集電結（）。A.正向偏置，正向偏置B.正向偏置，反向偏置C.反向偏置，正向偏置答案：B8.當溫度升高時，半導體的電阻率（）。A.增大B.減小C.不變答案：B9.下列哪種半導體材料常用于光電器件（）A.硅B.鍺C.砷化鎵答案：C10.對于PN結，當P區(qū)接高電位，N區(qū)接低電位時，稱為（）A.正向偏置B.反向偏置C.零偏置答案：A二、多項選擇題（每題2分，共10題）1.半導體的主要特性包括（）A.熱敏性B.光敏性C.摻雜性D.超導性答案：ABC2.N型半導體中的多子是（），少子是（）。A.電子B.空穴C.離子D.質子答案：AB3.影響PN結反向電流大小的因素有（）A.溫度B.摻雜濃度C.外加電壓D.光照答案：AB4.晶體三極管的三個電極分別是（）A.基極B.發(fā)射極C.集電極D.柵極答案：ABC5.以下屬于半導體器件的有（）A.二極管B.三極管C.場效應管D.電阻答案：ABC6.二極管的主要參數(shù)包括（）A.最大整流電流B.反向擊穿電壓C.反向電流D.正向電壓降答案：ABCD7.下列關于三極管的說法正確的是（）A.有兩種類型：NPN和PNPB.可用于放大電路C.可用于開關電路D.由兩個PN結組成答案：ABCD8.半導體的導電機構有（）A.電子導電B.空穴導電C.離子導電D.質子導電答案：AB9.場效應管的分類有（）A.結型場效應管B.絕緣柵型場效應管C.耗盡型場效應管D.增強型場效應管答案：AB10.造成PN結電容的原因有（）A.擴散電容B.勢壘電容C.寄生電容D.耦合電容答案：AB三、判斷題（每題2分，共10題）1.本征半導體中沒有雜質原子。（）答案：對2.P型半導體帶正電。（）答案：錯3.二極管在反向截止時沒有電流通過。（）答案：錯4.三極管的放大倍數(shù)是固定不變的。（）答案：錯5.場效應管是一種電壓控制型器件。（）答案：對6.半導體的禁帶寬度越大，導電性越好。（）答案：錯7.穩(wěn)壓二極管正向導通時的特性和普通二極管一樣。（）答案：對8.當三極管的發(fā)射結和集電結都正向偏置時，處于飽和狀態(tài)。（）答案：對9.所有的半導體材料在光照下都會產生光生載流子。（）答案：對10.絕緣柵型場效應管的輸入電阻比結型場效應管的輸入電阻高。（）答案：對四、簡答題（每題5分，共4題）1.簡述本征半導體的特點。答案：本征半導體是純凈的、無雜質的半導體。其導電能力介于導體和絕緣體之間，并且其導電是由電子和空穴兩種載流子共同參與的，在熱激發(fā)下產生電子-空穴對，電子和空穴的濃度相等。2.說明PN結的形成過程。答案：在一塊本征半導體兩側分別摻雜形成P型和N型半導體。P型半導體多子為空穴，N型半導體多子為電子。由于濃度差，P區(qū)的空穴向N區(qū)擴散，N區(qū)的電子向P區(qū)擴散。在交界面處，P區(qū)留下負離子，N區(qū)留下正離子，形成空間電荷區(qū)，即PN結。3.簡述晶體三極管的放大原理。答案：當三極管的發(fā)射結正向偏置，集電結反向偏置時，發(fā)射區(qū)的電子注入基區(qū)，由于基區(qū)很薄且多子濃度低，注入的電子只有少量與基區(qū)空穴復合，大部分擴散到集電結被集電區(qū)收集，從而實現(xiàn)基極電流對集電極電流的控制，達到放大作用。4.說出至少三種常見的半導體材料。答案：常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵、碳化硅等。五、討論題（每題5分，共4題）1.討論溫度對半導體器件性能的影響。答案：溫度升高時，半導體本征激發(fā)增強，載流子濃度增大，電阻率減小。對于二極管，反向電流增大；對于三極管，放大倍數(shù)、輸入輸出特性等都會改變，可能導致工作不穩(wěn)定等問題。2.比較N型半導體和P型半導體的異同點。答案：相同點：都是雜質半導體，都存在兩種載流子。不同點：N型半導體多子為電子，少子為空穴，靠電子導電為主；P型半導體多子為空穴，少子為電子，靠空穴導電為主。3.分析二極管在不同偏置狀態(tài)下的特性及應用。答案：正向偏置時二極管導通，可用于整流等電路；反向偏置時截止，在穩(wěn)壓電路中利用反向