微機原理及應(yīng)用第七章認(rèn)識存儲器系統(tǒng)第四講SRAM6264講授：殷慧下面我們來學(xué)習(xí)SRAM6264前面我們學(xué)習(xí)了隨機存取存儲器RAM的相關(guān)概念，我們知道RAM分靜態(tài)RAM和動態(tài)RAMSRAM6264存取存儲器RAM靜態(tài)RAM動態(tài)RAM0102電荷容易泄露其中動態(tài)RAM的存儲元是由電容構(gòu)成，由于電容中電荷容易泄露，為了保證動態(tài)RAM中存儲的數(shù)據(jù)的穩(wěn)定，通常要為動態(tài)RAM芯片設(shè)計外圍控制電路，給電容定期的充放電。動態(tài)RAM02存儲元設(shè)計外圍控制電路保證存儲的數(shù)據(jù)的穩(wěn)定電容定期的充放電電容我們使用的內(nèi)存條主要就是用動態(tài)RAM構(gòu)成的。內(nèi)存條主要就是用動態(tài)RAM構(gòu)成的動態(tài)RAM02但是動態(tài)RAM結(jié)構(gòu)上比較復(fù)雜不適合課堂講授，下面我主要以靜態(tài)RAM為例來說明RAM的使用。動態(tài)RAM結(jié)構(gòu)復(fù)雜不適合課堂講授以靜態(tài)RAM為例說明RAM的使用靜態(tài)RAM也就是SRAM，它的存儲元是雙穩(wěn)態(tài)電路,它存儲的信息比較穩(wěn)定，但是在每個芯片上集成的存儲元的數(shù)量有限,所以它的存儲容量比較低,他的存取速度快，價格比較高，常用做高速緩沖存儲器cache靜態(tài)RAMSRAM存儲元是雙穩(wěn)態(tài)電路存儲信息穩(wěn)定每個芯片上集成的存儲元的數(shù)量有限所以它的存儲容量比較低,他的存取速度快，價格比較高，常用做高速緩沖存儲器cache存儲容量低存取速度快價格高常做高速緩沖存儲器cache下面我們以SRAM6264為例來介紹RAM芯片的使用，SRAM6264的容量是8Kx8bSRAM6264SRAM6264的容量是8Kx8b具有8k個存儲單元每個存儲單元存儲一個字節(jié)，也就是八個比特引腳圖上推斷出容量大家看，6264一共有13個地址引腳，從A0到A12,那么我們可以計算一下13個地址引腳能夠表示2的13次方個地址，剛好是8K，它的數(shù)據(jù)線是8根，從d0~d7，也就是說每次讀或?qū)懰梢蕴幚?個比特的數(shù)據(jù)，626413個地址引腳A0A12那么我們可以計算一下13個地址引腳能夠表示2的13次方個地址，剛好是8K，它的數(shù)據(jù)線是8根，從d0~d7，也就是說每次讀或?qū)懰梢蕴幚?個比特的數(shù)據(jù),所以，我們推斷它的內(nèi)部容量就是8K個存儲單元，每個單元8個比特13個地址引腳表示2的13次方個地址8K數(shù)據(jù)線是8根從d0~d7，讀或?qū)懰商幚?個比特數(shù)據(jù)內(nèi)部容量8K個存儲單元，每單元8個比特除了地址和數(shù)據(jù)引腳以外,它還有輸出允許信號，即outputenable，所以英文是OE，we引腳是寫允許信號，即writeenable，所以英文是WEwriteenableoutputenable除地址和數(shù)據(jù)引腳以外zzzz它還有輸出允許信號OEWE除了這兩個跟讀寫相關(guān)的引腳以外，還有cs1和cs2兩個片選引腳，其中cs1是低電平有效的引腳，cs2是高電平有效的引腳cs1cs2低電平有效的引腳高電平有效的引腳當(dāng)我們要選定這枚芯片讓他工作的時候，就要使cs1為低電平cs2為高電平，當(dāng)這兩個引腳同時有效的時候，這枚芯片才開始工作選定芯片工作cs1為低電平cs2為高電平引腳同時有效芯片開始工作至于它是要讀還是寫？還要看是OE引腳有效，還是WE引腳有效，我們要對哪個存儲單元進行讀或?qū)?，要通過地址引腳來選擇要讀還是寫？OE引腳有效或WE引腳有效決定我們要對哪個存儲單元進行讀或?qū)?，要通過地址引腳來選擇對哪個存儲單元讀或?qū)懲ㄟ^地址引腳選擇其實SRAM6264是一系列的芯片,除了6264，還有6116,62128,62256等等，SRAM6264一系列芯片除6264，例：6116，62128，62256他們的區(qū)別是地址線的個數(shù)不一樣,也就是存儲單元的數(shù)量不一樣,同學(xué)們可以通過這張表看到不同型號的芯片，它們的存儲單元的數(shù)量大概是多少，地址線的個數(shù)不一樣等于存儲單元的數(shù)量不一樣區(qū)別1113141516611662646212862256625122KB8KB16KB32KB64KB通過表中不同型號的芯片觀察存儲單元的數(shù)量我們判斷這枚芯片一個存儲單元能夠存多少位二進制的信息，可以查看他的數(shù)據(jù)線的根數(shù)如何判斷芯片一個存儲單元存多少位二進制的信息？查看數(shù)據(jù)線的根數(shù)下面來看一下6264的工作時序下面看一下6264的工作時序這是他的寫操作的時序圖，我們可以使用查看總線時序周期圖的方法來看這張圖，首先是地址信號是有效的，然后cs1為低電平，cs2為高電平，這兩個信號同時生效后，這個芯片被選中，它開始工作,當(dāng)WE引腳為低電平的時候，說明這個芯片可以被寫入數(shù)據(jù),隨后，CPU會在數(shù)據(jù)總線上發(fā)送數(shù)據(jù)，然后將這些數(shù)據(jù)寫入到6264中WECS1A0~A12D0~D7tDW

tw

twcCS2地址信號是有效6264的寫操作時序圖cs1為低電平，cs2為高電平WE引腳為低電平芯片可被寫入數(shù)據(jù)CPU在數(shù)據(jù)總線上發(fā)送數(shù)據(jù)，將數(shù)據(jù)寫入到6264中兩個信號同時生效，芯片被選中開始工作查看總線時序周期圖方法這是6264的讀操作時序圖,與寫操作類似，首先也是需要有地址信息,然后cs1為低電平，cs2為高電平表示選中這枚芯片,它開始工作,當(dāng)OE引腳為低電平時,表示芯片的數(shù)據(jù)可以被讀出,隨后，CPU會從數(shù)據(jù)總線上得到讀出的數(shù)據(jù)與寫操作類似需要地址信息6264的讀操作時序圖cs1為低電平，cs2為高電平OE引腳為低電平芯片數(shù)據(jù)可被讀出CPU從數(shù)據(jù)總線上得到讀出的數(shù)據(jù)表示選中芯片開始工作OECS1A0~A12D0~D7tCO

tOE

tRWCS2SRAM芯片的應(yīng)用方面，我們關(guān)注的是怎么使用這枚芯片，也就是怎樣實現(xiàn)它和我們的整個微機系統(tǒng)的連接，SRAM芯片的應(yīng)用怎么使用這枚芯片？怎樣實現(xiàn)它和我們的整個微機系統(tǒng)的連接其中關(guān)鍵的問題就是如何去安排這些芯片的地址范圍，使他們能滿足用戶的要求，比如我們要求Cache只要能存儲8k個字節(jié)就夠用了，那么我們一枚6264的芯片就可以了，但是如果8k的存儲空間不夠用，就需要幾枚6264的芯片關(guān)鍵問題如何安排這些芯片的地址范圍滿足用戶的要求例：要求Cache能存儲8k個字節(jié)夠用，一枚6264芯片就可以如果8k