(12)發(fā)明專利(65)同一申請的已公布的文獻號(30)優(yōu)先權(quán)數(shù)據(jù)(73)專利權(quán)人三星顯示有限公司地址韓國京畿道龍仁市(72)發(fā)明人權(quán)度縣李玟貞金載能張美全河釋鄭昌容(74)專利代理機構(gòu)北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11286專利代理師尹淑梅劉燦強H10K59/12(2023.01)審查員仇晶晶(54)發(fā)明名稱H201提供了一種柔性顯示設備和一種觸摸檢測括顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域外部的彎曲區(qū)域，彎曲區(qū)域?qū)@彎曲軸彎曲；無機絕緣層，位于柔性基底上；切割單元，在彎曲區(qū)域中位于無機絕緣層中；應力弛豫層，填充切割單元并延伸到顯示區(qū)域中；布線部分，在彎曲區(qū)域中位于應力弛豫層上；平坦化層，覆蓋布線部分并位于應力弛21.一種柔性顯示設備，所述柔性顯示設備包括：柔性基底，包括顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域外部的彎曲區(qū)域，所述彎曲區(qū)域?qū)@彎曲軸彎曲；切割單元，在所述彎曲區(qū)域中，所述無機絕緣層在所述切割單元中被完全蝕刻掉；應力弛豫層，填充所述切割單元并延伸到所述顯示區(qū)域中；布線部分，在所述彎曲區(qū)域中位于所述應力弛豫層上；平坦化層，覆蓋所述布線部分并位于所述應力弛豫層上；顯示器，在所述顯示區(qū)域中位于所述平坦化層上并電連接到所述布線部分；以及薄膜晶體管，將所述顯示器電連接到所述布線部分，其中，所述薄膜晶體管的最上電極的上表面比所述應力弛豫層的上表面高。2.一種柔性顯示設備，所述柔性顯示設備包括：柔性基底，包括顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域外部的彎曲區(qū)域，所述彎曲區(qū)域?qū)@彎曲軸彎曲；切割單元，在所述彎曲區(qū)域中位于所述無機絕緣層中；應力弛豫層，填充所述切割單元并延伸到所述顯示區(qū)域中；布線部分，在所述彎曲區(qū)域中位于所述應力弛豫層上；平坦化層，覆蓋所述布線部分并位于所述應力弛豫層上；顯示器，在所述顯示區(qū)域中位于所述平坦化層上并電連接到所述布線部分；以及薄膜晶體管，將所述顯示器電連接到所述布線部分，其中，所述應力弛豫層具有開口，并且所述薄膜晶體管的最上電極位于所述開口中。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的柔性顯示設備，其中，在所述顯示區(qū)域中，所述平坦化層位于所述應力弛豫層上。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的柔性顯示設備，其中，所述切割單元在與所述彎曲軸平行的方向上延伸。5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的柔性顯示設備，其中，所述應力弛豫層包括有機絕緣材料。6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的柔性顯示設備，其中，所述應力弛豫層在所述切割單元中的厚度比所述切割單元的深度大。7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的柔性顯示設備，其中，所述切割單元中的所述應力弛豫層的下表面與所述柔性基底的上表面直接接觸。8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的柔性顯示設備，其中，所述平坦化層包括有機絕緣材料。9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的柔性顯示設備，其中，在與所述薄膜晶體管疊置的區(qū)域中從所述平坦化層的上表面到所述柔性基底的距離和在與所述切割單元疊置的區(qū)域中從所述平坦化層的上表面到所述柔性基底的距離相同。10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的柔性顯示設備，其中，所述布線部分包括與所述薄膜晶體管的所述最上電極的材料相同的材料。11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的柔性顯示設備，其中，所述薄膜晶體管的所述最上電極的上表面低于所述應力弛豫層的上表面或與所述應力弛豫層的上表面等高。312.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的柔性顯示設備，其中，所述柔性基底包括：第二基底，位于所述第一基底上并包括聚合物樹脂；以及阻擋膜，位于所述第一基底與所述第二基底之間。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的柔性顯示設備，其中，在所述切割單元中，所述應力弛豫層的下表面與所述第二基底的上表面直接接觸。14.一種觸摸檢測顯示設備，所述觸摸檢測顯示設備包括：柔性基底，包括顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域外部的彎曲區(qū)域，所述彎曲區(qū)域圍繞彎應力弛豫層，在所述彎曲區(qū)域中填充所述無機絕緣層中的切割單元，并延伸到所述顯示區(qū)域中；布線部分，在所述彎曲區(qū)域中位于所述應力弛豫層上；平坦化層，覆蓋所述布線部分并位于所述應力弛豫層上；顯示器，在所述顯示區(qū)域中位于所述平坦化層上并電連接到所述布線部分；薄膜晶體管，在所述顯示區(qū)域中將所述顯示器電連接到所述布線部分，所述薄膜晶體管的最上電極的上表面比所述應力弛豫層的上表面高；觸摸檢測層，位于所述柔性封裝部分上；15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的觸摸檢測顯示設備，其中，所述第一電極與同所述柔性基底平行的平面的傾斜角小于1.0°。16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的觸摸檢測顯示設備，其中，在所述顯示區(qū)域中，所述平坦化層位于所述應力弛豫層上。17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的觸摸檢測顯示設備，其中，所述濾色器與所述黑矩陣共用疊置區(qū)域。18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的觸摸檢測顯示設備，其中，電連接到所述布線部分的墊電極位于所述柔性基底的邊緣處，并且當所述彎曲區(qū)域彎曲時，所述墊電極與所述顯示區(qū)域疊19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的觸摸檢測顯示設備，其中，所述應力弛豫層的厚度比所述切割單元的深度大。20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的觸摸檢測顯示設備，其中，在與所述薄膜晶體管疊置的區(qū)域中從所述平坦化層的上表面到所述柔性基底的距離和在與所述切割單元疊置的區(qū)域中從所述平坦化層的所述上表面到所述柔性基底的距離相同。4[0001]于2018年2月2日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交并且名稱為“柔性顯示設備和觸摸檢測顯示設備”的第10-2018-0013437號韓國專利申請通過引用被全部包含于此。技術(shù)領(lǐng)域[0002]一個或更多個實施例涉及一種柔性顯示設備，更具體地，涉及一種具有彎曲區(qū)域的柔性顯示設備。背景技術(shù)[0003]有機發(fā)光顯示設備具有自發(fā)射特性，因此不需要單獨的光源，使得其厚度和重量減小。另外，有機發(fā)光顯示設備具有諸如低功耗、高亮度和快速響應速度的高等級特性。[0004]有機發(fā)光顯示設備包括基底、位于基底上的薄膜晶體管、由薄膜晶體管控制其發(fā)射的有機發(fā)光器件以及布置在形成薄膜晶體管的電極之間的多個絕緣層。近來，已經(jīng)開發(fā)出包括柔性基底并具有彎曲區(qū)域的有機發(fā)光顯示設備。發(fā)明內(nèi)容[0005]根據(jù)一個或更多個實施例，一種柔性顯示設備包括：柔性基底，包括顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域外部的彎曲區(qū)域，彎曲區(qū)域?qū)@彎曲軸彎曲；無機絕緣層，位于柔性基底上；切割單元，在彎曲區(qū)域中位于無機絕緣層中；應力弛豫層，填充切割單元并延伸到顯示區(qū)域中；布線部分，在彎曲區(qū)域中位于應力弛豫層上；平坦化層，覆蓋布線部分并位于應力弛豫層上；以及顯示器，位于顯示區(qū)域中的平坦化層上并電連接到布線部分。[0006]無機絕緣層可以包括多個無機膜。[0007]在顯示區(qū)域中，平坦化層可以位于應力弛豫層上。[0008]切割單元可以在與彎曲軸平行的方向上延伸。[0009]應力弛豫層可以包括有機絕緣材料。[0010]應力弛豫層在切割單元中的厚度可以比切割單元的深度大。[0011]切割單元中的應力弛豫層的下表面可以與柔性基底的上表面直接接觸。[0012]柔性顯示設備還可以包括將顯示器電連接到布線部分并位于顯示區(qū)域中的薄膜晶體管，其中，在與薄膜晶體管疊置的區(qū)域中從平坦化層的上表面到柔性基底的距離可以和在與切割單元疊置的區(qū)域中從平坦化層的上表面到柔性基底的距離基本上相同。[0013]平坦化層可以包括有機絕緣材料。[0014]柔性顯示設備還可以包括將顯示器電連接到布線部分并位于顯示區(qū)域中的薄膜晶體管，其中，薄膜晶體管的最上電極的上表面比應力弛豫層的上表面高。[0015]布線部分可以包括與薄膜晶體管的最上電極的材料相同的材料。[0016]柔性顯示設備還可以在顯示區(qū)域中包括將顯示器電連接到布線部分的薄膜晶體管，其中，薄膜晶體管的最上電極的上表面低于應力弛豫層的上表面或與應力弛豫層的上表面等高。5[0017]布線部分可以包括與薄膜晶體管的最上電極的材料相同的材料。[0018]應力弛豫層可以具有開口，薄膜晶體管的最上電極可以位于該開口中。[0019]柔性基底可以包括：第一基底，包括聚合物樹脂；第二基底，位于第一基底上并包括聚合物樹脂；以及阻擋膜，位于第一基底與第二基底之間。[0020]在切割單元中，應力弛豫層的下表面可以與第二基底的上表面直接接觸。[0021]柔性顯示設備還可以包括封裝部分，所述封裝部分覆蓋顯示器并包括至少一個無機膜和至少一個有機膜。[0022]根據(jù)一個或更多個實施例，一種觸摸檢測顯示設備包括：柔性基底，包括顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域外部的彎曲區(qū)域，彎曲區(qū)域?qū)@彎曲軸彎曲；無機絕緣層，位于柔性基底上；應力弛豫層，在彎曲區(qū)域中填充無機絕緣層中的切割單元，并延伸到顯示區(qū)域中；布線部分，在彎曲區(qū)域中位于應力弛豫層上；平坦化層，覆蓋布線部分并位于應力弛豫層上；顯示器，在顯示區(qū)域中位于平坦化層上并電連接到布線部分；柔性封裝部分，覆蓋顯示器；觸摸檢測層，位于柔性封裝部分上；濾色器，位于觸摸檢測層上；以及黑矩陣，位于濾色器之[0023]顯示器可以包括第一電極、有機發(fā)光層和第二電極，第一電極與同柔性基底平行的平面的傾斜角可以小于1.0°。[0024]濾色器與黑矩陣可以共用疊置區(qū)域。[0026]電連接到布線部分的墊電極可以位于柔性基底的邊緣處，并且當彎曲區(qū)域折疊[0027]在切割單元中，應力弛豫層的厚度可以比切割單元的深度大。[0028]觸摸檢測顯示設備在顯示區(qū)域中還包括將顯示器電連接到布線部分的薄膜晶體管，其中，在與薄膜晶體管疊置的區(qū)域中從平坦化層的上表面到柔性基底的距離可以和在與切割單元疊置的區(qū)域中從平坦化層的上表面到柔性基底的距離基本上相同。[0029]除了以上描述的方面、特征和優(yōu)點之外的其它方面、特征和優(yōu)點通過詳細的描述、權(quán)利要求和附圖將變得清楚以實施本公開。附圖說明[0030]通過參照附圖詳細地描述示例性實施例，特征對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員將變得清[0031]圖1示出了根據(jù)第一實施例的柔性顯示設備的示意性透視圖；[0032]圖2示出了圖1中所示的柔性顯示設備的示意性剖視圖；[0033]圖3示出了示出圖1中所示的柔性顯示設備的展開狀態(tài)的示意性透視圖；[0034]圖4示出了示出圖1中所示的柔性顯示設備的顯示區(qū)域DA和彎曲區(qū)域BA的示意性剖視圖；[0035]圖5示出了示出根據(jù)對比示例的柔性顯示設備的顯示區(qū)域DA和彎曲區(qū)域BA的示意性剖視圖；[0036]圖6示出了當綠色發(fā)光像素的像素電極從平行于柔性基底的表面傾斜時根據(jù)傾斜角的外部光的顏色分離程度；6[0037]圖7A示出了示出當像素電極的傾斜角超過1.0°時外部光的反射顏色被分離的現(xiàn)象的圖像；[0038]圖7B示出了示出當像素電極的傾斜角小于1.0°時外部光的反射顏色被分離的現(xiàn)象的圖像；[0039]圖8示出了示出根據(jù)第二實施例的柔性顯示設備的顯示區(qū)域DA和彎曲區(qū)域BA的示意性剖視圖；[0040]圖9示出了示出根據(jù)第三實施例的柔性顯示設備的顯示區(qū)域DA和彎曲區(qū)域BA的示[0041]圖10示出了示出根據(jù)第四實施例的柔性顯示設備的顯示區(qū)域DA和彎曲區(qū)域BA的示意性剖視圖。具體實施方式[0042]現(xiàn)在將詳細地參照實施例，在附圖中示出了實施例的示例，其中，同樣的附圖標記始終表示同樣的元件。在這方面，本實施例可以具有不同的形式并且不應該被解釋為局限于這里所闡述的描述。因此，下面僅通過參照附圖描述實施例，以解釋本說明書的方面。的每個組件的尺寸和厚度是為了便于描述而任意示出的，因此本公開不必限于此。和z軸的廣泛的意義來分析。例如，x軸、y軸和z軸可以彼此正交，或者可以表示彼此不正交的不同方向。[0045]圖1是根據(jù)第一實施例的柔性顯示設備100的示意性透視圖。圖2是圖1中所示的柔性顯示設備100的示意性剖視圖。圖3是示出圖1中所示的柔性顯示設備100的展開狀態(tài)的示意性透視圖。圖4是示出圖1中所示的柔性顯示設備100的顯示區(qū)域DA和彎曲區(qū)域BA的示意性剖視圖。[0046]參照圖1至圖4,根據(jù)實施例的柔性顯示設備100可以包括柔性基底110、形成在柔性基底110上的顯示器120、無機絕緣層130、應力弛豫層140、布線部分150、平坦化層160以及封裝部分210.另外，柔性顯示設備100還可以包括墊(pad,或稱為“焊盤”)電極170、膜上[0047]在本實施例中，柔性基底110包括其中形成有顯示器120的顯示區(qū)域DA,并且包括彎曲區(qū)域BA,該彎曲區(qū)域BA位于顯示區(qū)域DA外部的非顯示區(qū)域NDA中在第一方向(+y方向)[0048]柔性基底110可以包括具有柔性或可彎曲特性的各種材料，例如，諸如聚醚砜、聚聚酰亞胺、聚碳酸酯、乙酸丙酸纖維素等的聚合物樹脂。也可以對柔性基底110進行各種修改，使得柔性基底110可以具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括包含這樣的聚合物樹脂的兩個層以及處于這兩個層之間的阻擋層(例如，諸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的無機材料)。[0049]顯示器120包括多個像素，并通過組合從多個像素發(fā)射的光來顯示圖像。每個像素7可以包括像素電路和有機發(fā)光器件。像素電路可以包括至少兩個薄膜晶體管和至少一個電容器，以控制有機發(fā)光器件的發(fā)光。稍后將描述顯示器120的詳細結(jié)構(gòu)。[0050]彎曲區(qū)域BA可以是非顯示區(qū)域NDA的一部分。多個墊電極170可以從彎曲區(qū)域BA在第二方向(+x方向)上延伸地形成在柔性基底110的邊緣處。布線部分150電連接到墊電極170,該布線部分150包括諸如電連接到多個像素的掃描線和數(shù)據(jù)線的信號線以及諸如驅(qū)動電壓線的電源線。[0051]墊電極170可以連接到COF180.COF180可以被柔性印刷電路(FPC)代替。COF180[0052]COF180可以包括輸出布線部分181、驅(qū)動芯片183和輸入布線部分182.PCB190連接到COF180的輸入布線部分182,并向COF180輸入用于控制COF180的驅(qū)動芯片183的控制信號。COF180的輸出布線部分181連接到墊電極170,并向墊電極170輸出用于控制柔性顯示設備100的顯示的電力和各種信號。[0053]當包括布線部分150和墊電極170的非顯示區(qū)域NDA位于顯示區(qū)域DA旁邊而未彎曲時(參見圖3),顯示器120外部的無效空間(deadspace)的面積增大。根據(jù)本實施例的柔性顯示設備100具有通過使非顯示區(qū)域NDA的一部分彎曲而形成的彎曲區(qū)域BA,其中，布線部分150在非顯示區(qū)域NDA的這部分中延伸。作為彎曲結(jié)果，柔性基底110的其上形成有墊電極170的邊緣在顯示區(qū)域DA后部處與顯示區(qū)域DA疊置。因此，顯示器120外部的無效空間被最[0055]無機絕緣層130包括位于柔性基底110上的阻擋膜131、緩沖膜132、柵極絕緣膜133、第一層間絕緣膜134和第二層間絕緣膜135中的至少一個無機膜。無機絕緣層130可以位于包括在顯示器120中的電極與布線之間以使包括在顯示器120中的電極與布線絕緣。[0056]在本實施例中，彎曲區(qū)域BA中的無機絕緣層130可以具有在與彎曲軸BAX平行的方向(y軸方向)上延伸的切割單元CU。切割單元CU可以填充有包括有機絕緣材料的應力弛豫層140。應力弛豫層140延伸到顯示區(qū)域DA中。例如，如在圖4中可以看出，應力弛豫層140在顯示區(qū)域DA中位于無機絕緣層130上，即，位于無機絕緣層130與平坦化層160之間。具體地，在顯示區(qū)域DA中，平坦化層160可以位于應力弛豫層140上，例如，與應力弛豫層140直接接[0057]布線部分150可以在非顯示區(qū)域NDA中位于應力弛豫層140上。布線部分150可以包括金屬材料。無機絕緣層130具有比布線部分150的柔性小得多的柔性，例如，會足夠脆以致其會被外力破壞。因此，如果無機絕緣層130位于彎曲區(qū)域BA中，則會因由彎曲導致的拉力在其中出現(xiàn)裂紋。這些裂紋會傳播到無機絕緣層130的其它區(qū)域。無機絕緣層130中的裂紋會導致布線部分150斷開，從而導致柔性顯示設備100的異常顯示。[0058]在本實施例中，應力弛豫層140由具有比無機絕緣層130的脆性低的脆性以及比無機絕緣層130的柔性高的柔性的材料形成。例如，應力弛豫層140可以由有機絕緣材料(例如，壓克力(acryl)、環(huán)氧樹脂、丙烯酸酯、聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯(BCB)或六甲基二硅氧烷(HMDSO))形成。應力弛豫層140可以通過填充切割單元CU并緊密附著到切割單元CU的側(cè)壁來形成，使得在應力弛豫層140與無機絕緣層130之間沒有間隙。8[0059]另外，在本實施例中，應力弛豫層140可以具有不僅與切割單元CU的側(cè)壁直接接觸而且與柔性基底110的作為切割單元CU的下表面的上表面直接接觸的下表面。因此，也改善了與柔性基底110的粘合力。[0060]因此，根據(jù)本實施例的柔性顯示設備100可以通過在彎曲區(qū)域BA中的無機絕緣層130中形成切割單元CU并在切割單元CU中形成具有低脆性的應力弛豫層140來抑制由彎曲應力導致的在無機絕緣層130中出現(xiàn)裂紋并且防止布線部分150的斷開。[0061]更詳細地，阻擋膜131可以位于柔性基底110上。阻擋膜131阻擋濕氣和氧穿過柔性基底110的滲透，并且可以由其中氧化硅(SiO?)和氮化硅(SiN)交替地且重復地堆疊的多層膜形成。[0062]緩沖膜132可以位于阻擋膜131上。緩沖膜132提供用于在其上形成像素電路的平[0063]半導體層121和第一電容器電極125位于緩沖膜132上。半導體層121可以是多晶硅或氧化物半導體，半導體層121可以是可以被單獨的保護膜覆蓋的氧化物半導體。半導體層121可以包括未摻雜的溝道區(qū)以及位于溝道區(qū)的兩側(cè)處并摻雜有雜質(zhì)的源區(qū)和漏區(qū)。第一電容器電極125可以包括與半導體層121的材料相同的材料。[0064]柵極絕緣膜133位于半導體層121和第一電容器電極125上。柵極絕緣膜133可以由SiO?或SiN的單膜或其堆疊膜形成。[0065]柵電極122和第二電容器電極126形成在柵極絕緣膜133上。柵電極122與半導體層121的溝道區(qū)疊置。第二電容器電極126可以包括與柵電極122的材料相同的材料。[0066]第一層間絕緣膜134形成在柵電極122和第二電容器電極126上，第三電容器電極127可以形成在第一層間絕緣膜134上。第三電容器電極127可以包括與柵電極122的材料相同的材料。[0067]柵極絕緣膜133在第一電容器電極125與第二電容器電極126之間形成第一介電膜，第一層間絕緣膜134在第二電容器電極126與第三電容器電極127之間形成第二介電膜，從而形成存儲電容器202。[0068]第二層間絕緣膜135可以位于第三電容器電極127上，源電極123和漏電極124可以位于第二層間絕緣膜135上。第一層間絕緣膜134和第二層間絕緣膜135可以由SiO?或SiN的單膜或其堆疊膜形成。[0069]顯示區(qū)域DA中的源電極123和漏電極124通過形成在柵極絕緣膜133、第一層間絕緣膜134和第二層間絕緣膜135以及應力弛豫層140中的接觸孔分別連接到半導體層121的源區(qū)和漏區(qū)。因此，源電極123和漏電極124可以位于(例如，直接位于)應此，源電極123和漏電極124比應力弛豫層140的上表面高。[0070]彎曲區(qū)域BA中的布線部分150可以由與源電極123和漏電極124的材料相同的材料形成。源電極123、漏電極124和布線部分150可以由金屬多層膜(例如，鉬(Mo)/鋁(A1)/Mo或[0071]像素電極141針對每個像素形成在平坦化層160上，并且通過形成在平坦化層160中的過孔VH連接到驅(qū)動薄膜晶體管201的漏電極124。驅(qū)動薄膜晶體管201包括半導體層[0072]除了驅(qū)動薄膜晶體管201和存儲電容器202之外，像素電路還可以包括開關(guān)薄膜晶9[0073]平坦化層160設置在驅(qū)動薄膜晶體管201和布線部分150上。驅(qū)動薄膜晶體管201連接到有機發(fā)光器件203并驅(qū)動有機發(fā)光器件203。平坦化層160可以包括有機絕緣材料或無機絕緣材料，或者可以是有機絕緣材料和無機絕緣材料的復合形式。[0074]有機發(fā)光器件203可以包括像素電極141、發(fā)射層142和共電極143。[0075]像素電極141針對每個像素形成在平坦化層160上，并通過形成在平坦化層160中的過孔VH連接到驅(qū)動薄膜晶體管201的漏電極124。[0076]像素限定膜204形成在平坦化層160的上部和像素電極141的邊緣上。像素限定膜204限定具有開口的像素，像素電極141的中心部分通過該開口被暴露。另外，像素限定膜204通過增大像素電極141的邊緣與位于像素電極141的上部上的共電極143之間的距離來防止在像素電極141的邊緣處出現(xiàn)電弧等。像素限定膜204可以由諸如聚酰亞胺或HMDSO的有機材料形成。[0077]發(fā)射層142可以位于像素電極141上，并且無論像素如何，共電極143可以在整個顯[0078]圖4僅示出了位于像素電極141的上部上的發(fā)射層142,但是除了發(fā)射層142之外的中間層可以進一步包括在像素電極141和共電極143之間。有機發(fā)光器件203的中間層可以包括低分子材料或高分子材料。當中間層包括低分子材料時，中間層可以具有其中空穴注或復合結(jié)構(gòu)堆疊的結(jié)構(gòu)，并且可以包括例如包括銅酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-聯(lián)苯胺(NPB)、三-8-羥基喹啉鋁(Alq?)等的各種有機材料。這些層可以通過真空沉積法形成。[0079]當中間層包括高分子材料時，中間層可以主要具有包括HTL和EML的結(jié)構(gòu)。在這種情況下，HTL可以包括聚乙撐二氧噻吩(PEDOT),EML可以包括聚苯撐乙烯撐(PPV)類、聚芴類等的高分子材料。中間層可以通過絲網(wǎng)印刷、噴墨印刷、激光誘導熱成像(LITI)等形成。[0080]像素電極141和共電極143中的任一個將空穴注入到發(fā)射層142中，并且像素電極141和共電極143中的另一個將電子注入到發(fā)射層142中。電子和空穴在發(fā)射層142中結(jié)合從而產(chǎn)生激子，并且通過當激子從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時產(chǎn)生的能量發(fā)射光。[0081]像素電極141可以由反射膜形成，共電極143可以由透明膜或半透明膜形成。從發(fā)射層142發(fā)射的光從像素電極141反射，通過共電極143透射，然后輸出到外部。當共電極143由半透明膜形成時，從像素電極141反射的光的一部分從共電極143再反射，并且像素電極141和共電極143可以形成共振結(jié)構(gòu)，從而提高光提取效率。[0082]有機發(fā)光器件203被封裝部分210覆蓋。封裝部分210可以密封有機發(fā)光器件203,從而抑制由包含在外部空氣中的濕氣和氧導致的有機發(fā)光器件203的劣化。封裝部分210可以具有無機材料和有機材料的堆疊結(jié)構(gòu)，并且可以包括例如第一無機膜211、有機膜212和第二無機膜213。[0083]再次參照如圖4中所示的應力弛豫層140,在本實施例中，應力弛豫層140填充切割單元CU并延伸到顯示區(qū)域DA中。因此，填充無機絕緣層130的切割單元CU的應力弛豫層140的厚度T可以比切割單元CU的深度D大。因此，布線部分150可以與應力弛豫層140直接接觸，而不與無機絕緣層130直接接觸。[0084]圖5是示出根據(jù)對比示例的柔性顯示設備10的顯示區(qū)域DA和彎曲區(qū)域BA的示意性剖視圖。參照圖5,與本實施例不同，在根據(jù)對比示例的柔性顯示設備10中，包括有機絕緣材料的應力弛豫層140’填充切割單元CU,但是應力弛豫層140'不延伸到顯示區(qū)域DA。如圖5中所示，平坦化層160和無機絕緣層130在切割單元CU外部的彎曲區(qū)域BA中彼此直接接觸。因此，應力弛豫層140’在無機絕緣層130的切割單元CU中的厚度T不可能比切割單元CU的深度[0085]在根據(jù)圖5的對比示例的柔性顯示設備10中，填充彎曲區(qū)域BA中的切割單元CU的應力弛豫層140’不延伸到顯示區(qū)域DA,并且平坦化層160’會與圖4的平坦化層160不同。由于在圖5中應力弛豫層140’不位于顯示區(qū)域DA中，因此源電極123和漏電極124通過第一層間絕緣膜134和第二層間絕緣膜135以及柵極絕緣膜133中的接觸孔分別連接到半導體層[0086]如上所述，與對比示例不同，在根據(jù)本實施例的柔性顯示設備100中，如下面詳細地描述的，填充切割單元CU的應力弛豫層140的厚度T與切割單元CU的深度D之間的差可以防止從顯示器120的發(fā)光器件反射的反射光的顏色分離。[0087]從柔性顯示設備10的外部入射到有機發(fā)光器件203的外部光通過從位于柔性顯示設備10內(nèi)部的各種電極和布線反射而被發(fā)射。反射的外部光可以與從發(fā)射層142發(fā)射的光混合，從而引起噪聲。具體地，根據(jù)用作反射電極的像素電極141的平坦度，會影響反射的外部光的顏色分離現(xiàn)象。[0088]像素電極141的平坦度取決于與像素電極141直接接觸的平坦化層160的平坦度。平坦化層160的平坦度可以取決于布置在平坦化學層160的下部處的薄膜晶體管、電容器和布線的設計。[0089]在根據(jù)對比示例的柔性顯示設備10中，平坦化層160形成為使顯示器120平坦。然而，由于布置在平坦化層160的下部處的薄膜晶體管、電容器和布線的結(jié)構(gòu)導致的高度差，像素電極141與平行于柔性基底110的平面的傾斜角θ(參見圖6)超過1.0°。[0090]然而，參照圖4,根據(jù)本實施例的柔性顯示設備100具有應力弛豫層140,該應力弛豫層140在平坦化層160的下部處包括有機絕緣材料并且還延伸到顯示區(qū)域DA。因此，減緩了布置在平坦化層160的下部處的薄膜晶體管、電容器和布線的結(jié)構(gòu)的高度差。由于平坦化層160在減緩了高度差的狀態(tài)下形成，因此像素電極141與平行于柔性基底110的平面的傾[0091]因此，根據(jù)本實施例，在與驅(qū)動薄膜晶體管201疊置的區(qū)域中從平坦化層160的上表面到柔性基底110的距離可以和在與切割單元CU疊置的區(qū)域中從平坦化層160的上表面到柔性基底110的距離基本上相同。[0092]圖7A示出了示出當像素電極141的傾斜角超過1.0°時外部光的反射顏色被分離的現(xiàn)象的圖像。即，反射的外部光沒有混合成發(fā)射白光，而是分離成各個獨特的顏色，從而產(chǎn)生噪聲。[0093]圖7B示出了示出當像素電極141的傾斜角小于1.0°時外部光的反射顏色被分離的現(xiàn)象的圖像。盡管反射的外部光的顏色分離沒有完全消失，但是當與圖7A相比時，顏色分離顯著減輕。[0094]圖6示出了當綠色發(fā)光像素的像素電極141從與柔性基底110平行的表面傾斜時根11據(jù)傾斜角θ的外部光的顏色分離程度。[0095]圖6的(a)示出了當傾斜角θ為0.5°時反射的外部光的紅色波段R和綠色波段Ga的相對位置，圖6的(b)示出了當傾斜角θ為1.0°時反射的外部光的紅色波段R和綠色波段G?的相對位置，圖6的(c)示出了當傾斜角θ為1.9°時反射的外部光的紅色波段R和綠色波段G的相對位置。[0096]綠色波段G基于圖6的(a)中的紅色波段R的差是△a,綠色波段G?基于圖6的(b)中的紅色波段R的差是△b,綠色波段G基于圖6的(c)中的紅色波段R的差是△c。顏色分離現(xiàn)[0097]在本實施例中，由于應力弛豫層140延伸到顯示區(qū)域DA中，因此可以減小由于布置在像素電極141的下部處的薄膜晶體管、電容器和布線導致的粗糙度。由于平坦化層160位于應力弛豫層140上，因此可以減小像素電極141的傾斜角。[0098]因此，根據(jù)本實施例的柔性顯示設備100可以具有彎曲區(qū)域BA以減小無效空間。另外，通過在彎曲區(qū)域BA中形成切割單元CU并在切割單元CU中填充應力弛豫層140,可以防止無機絕緣層中的裂紋以及布線的斷開。另外，通過使應力弛豫層140延伸到顯示區(qū)域DA中來減小像素電極141的傾斜角，可以防止外部光的顏色分離，從而提高了顯示品質(zhì)。[0099]在下文中，將參照圖8至圖10描述本公開的各種實施例。[0100]圖8是示出根據(jù)第二實施例的柔性顯示設備200的顯示區(qū)域DA和彎曲區(qū)域BA的示意性剖視圖。將基于當與示出根據(jù)第一實施例的柔性顯示設備100的圖4相比時的不同之處進行描述。與圖4中的附圖標記相同的附圖標記表示與圖4中的元件相同的元件。[0101]根據(jù)第二實施例的柔性顯示設備200與根據(jù)第一實施例的柔性顯示設備100的不同之處在于顯示區(qū)域DA中的應力弛豫層140的圖案。根據(jù)本實施例，應力弛豫層140a填充彎曲區(qū)域BA中的切割單元CU并同時延伸到顯示區(qū)域DA中，但是開口OP1位于應力弛豫層140a中，以暴露源電極123和漏電極124形成的位置。[0102]源電極123和漏電極124形成在開口OP1中，使得源電極123和漏電極124的上表面不高于應力弛豫層140a的上表面，例如，可以比應力弛豫層140a的上表面低。因此，源電極123和漏電極124不位于應力弛豫層140a上。當形成源電極123和漏電極124時，也可以同時在應力弛豫層140a上形成布線部分150。[0103]平坦化層160形成在源電極123、漏電極124和布線部分150上，并且漏電極124通過形成在平坦化層160中的過孔VH連接到像素電極141。[0104]由于源電極123和漏電極124形成在開口OP1中，因此由于布置在像素電極141的下部處的源電極123和漏電極124導致的粗糙度小。因此，當與第一實施例相比時，可以進一步減小像素電極141的傾斜角。[0105]圖9是示出根據(jù)第三實施例的柔性顯示設備300的顯示區(qū)域DA和彎曲區(qū)域BA的示意性剖視圖。將基于當與示出根據(jù)第一實施例的柔性顯示設備100的圖4相比時的不同之處進行描述。與圖4中的附圖標記相同的附圖標記表示與圖4中的元件相同的元件。[0106]根據(jù)第三實施例的柔性顯示設備300與根據(jù)第一實施例的柔性顯示設備100的不同之處在于柔性顯示設備300還包括位于封裝部分210上的觸摸層220、濾色器240、黑矩陣230和保護層250。[0107]觸摸層220包括形成在封裝部分210上的第一絕緣層221、形成在第一絕緣層221上的第二絕緣層222以及形成在第一絕緣層221與第二絕緣層222之間的多個觸摸電極223。可選擇地，觸摸層220可以包括各種電極結(jié)構(gòu)，例如網(wǎng)狀電極圖案和透明分段電極。[0108]觸摸層220可以基于由觸摸輸入引起的互電容變化來檢測觸摸輸入。即，當施加觸摸輸入時，通過觸摸輸入改變互電容，并且連接到觸摸層220的觸摸檢測器可以檢測互電容[0109]濾色器240和黑矩陣230布置在觸摸層220上。分別地，黑矩陣230與像素的非發(fā)射區(qū)域疊置，濾色器240與發(fā)射區(qū)域疊置。濾色器240可以包括紅色濾色器242、綠色濾色器241和藍色濾色器243。[0110]黑矩陣230包括能夠阻擋光的材料。例如，黑矩陣230可以包括具有高的光吸收率的有機材料。黑矩陣230可以包括黑色顏料或黑色染料。黑矩陣230包括光敏有機材料，例如，可以包括諸如顏料或染料的著色劑。黑矩陣230可以具有單層或多層結(jié)構(gòu)。[0111]盡管圖9示出了濾色器240覆蓋黑矩陣230的一部分，但是根據(jù)黑矩陣230和濾色器240的形成順序，黑矩陣230可以覆蓋濾色器240的一部分或濾色器240可以覆蓋黑矩陣230的一部分。[0112]濾色器240不僅可以將由有機發(fā)光器件203產(chǎn)生的光透射到外部，還可以減小從外部入射的光的反射率。當外部光穿過濾色器240時，外部光的光強度減小到其大約三分之[0113]光的已經(jīng)穿過濾色器240的部分被熄滅，并且光的剩余部分被布置在濾色器240下面的組件(例如，布置在像素電極141的下部處的薄膜晶體管、電容器、布線、封裝部分210等)反射。[0114]反射的光入射到濾色器240,并且反射的光的亮度在穿過濾色器240的同時減小。結(jié)果，由于僅外部光的一部分被柔性顯示設備300反射并放出，因此可以減少外部光反射。[0115]另外，根據(jù)本實施例，由于通過使用濾色器240和黑矩陣230不僅減少了外部光反射，而且不必使用通常用于減少外部光反射的偏振膜，所以可以減小柔性顯示設備300的厚度。另外，可以制造出薄的顯示設備，并且本實施例可以用于可折疊的或可彎曲的顯示設