《焊接電工》第4版 課件4-5場效應(yīng)晶體管_第1頁
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§4-5場效應(yīng)晶體管§4-5場效應(yīng)晶體管一、結(jié)構(gòu)特點MOS管的結(jié)構(gòu)如圖4-11所示，它是由一個摻雜濃度低的P型（或N型）硅片做為襯底，在襯底上擴散兩個摻雜濃度高的N型區(qū)（或P型區(qū)），并引出圖4-11N溝道場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)兩個電極分別稱為源極S和漏極D。兩個N（或P）區(qū)中間的半導(dǎo)體表面上有一層二氧化硅薄膜，叫絕緣柵，其上再覆蓋一層金屬薄膜，構(gòu)成柵極G?！?-5場效應(yīng)晶體管N溝道P溝道增強型耗盡型增強型耗盡型

表4-1場效應(yīng)管的圖形符號MOS管的圖形符號見表4-1。圖4-12N溝道場效應(yīng)管的工作原理§4-5場效應(yīng)晶體管二、導(dǎo)電原理如圖4-12a所示，在漏極D和源極S之間加上正向電壓，當時，由于漏極與襯底之間的PN結(jié)處于反向偏置，漏源極間無導(dǎo)電溝道，漏極電流，場效應(yīng)管處于截止狀態(tài)。當時，P型襯底界面（靠絕緣柵一側(cè)）就會感應(yīng)出一層電子，即為N型層（或反型層）。當增加到某一臨界電壓時，兩個分離的N型區(qū)便會接通，形成N型導(dǎo)電溝道，便產(chǎn)生漏極電流，MOS管此時處于導(dǎo)通狀態(tài)，這個臨界電壓即為開啟電壓?！?-5場效應(yīng)晶體管場效應(yīng)晶體管是一種電壓控制器件，即利用柵極電壓

控制漏極電流，

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