標(biāo)準(zhǔn)解讀

《DB31/ 792-2020 硅單晶及其硅片單位產(chǎn)品能源消耗限額》是上海市地方標(biāo)準(zhǔn)，旨在規(guī)范硅單晶及其硅片生產(chǎn)過程中的能源使用效率。該標(biāo)準(zhǔn)適用于直接拉制法生產(chǎn)的硅單晶棒以及由此加工而成的硅片，不包括鑄造多晶硅材料。其主要目的是通過設(shè)定合理的能源消耗限額來促進(jìn)節(jié)能減排，提高資源利用效率。

根據(jù)文件內(nèi)容，首先明確了術(shù)語和定義部分，對硅單晶、硅片等關(guān)鍵概念進(jìn)行了界定。接著，在技術(shù)要求章節(jié)中詳細(xì)規(guī)定了不同規(guī)格尺寸硅單晶棒及硅片單位產(chǎn)品的最大允許能耗值。這些數(shù)值基于當(dāng)前技術(shù)水平和行業(yè)實際情況制定，旨在鼓勵企業(yè)采用更高效的技術(shù)與設(shè)備，減少不必要的能源浪費。

此外，《DB31/ 792-2020》還提供了計算方法用于評估實際能耗情況是否符合標(biāo)準(zhǔn)要求。這包括如何測量輸入能量、輸出量以及相關(guān)轉(zhuǎn)換系數(shù)等內(nèi)容，確保數(shù)據(jù)準(zhǔn)確可靠。同時，標(biāo)準(zhǔn)也強(qiáng)調(diào)了監(jiān)測與管理的重要性，建議生產(chǎn)企業(yè)建立健全能源管理體系，定期進(jìn)行自查自糾，保證持續(xù)改進(jìn)。

最后，該標(biāo)準(zhǔn)還列舉了一些節(jié)能措施和技術(shù)改造方向，如優(yōu)化生產(chǎn)工藝流程、提高設(shè)備能效比、加強(qiáng)廢熱回收利用等，為企業(yè)實現(xiàn)節(jié)能減排目標(biāo)提供了參考路徑。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2020-03-05 頒布
  • 2020-06-01 實施
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DB31/ 792-2020硅單晶及其硅片單位產(chǎn)品能源消耗限額_第1頁
DB31/ 792-2020硅單晶及其硅片單位產(chǎn)品能源消耗限額_第2頁
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文檔簡介

ICS27010

F01.

上海市地方標(biāo)準(zhǔn)

DB31/792—2020

代替

DB31/792—2014

硅單晶及其硅片單位產(chǎn)品能源消耗限額

Thenormofenergyconsumptionperunitproductsformonocrystalline

siliconandsiliconwafer

2020-03-05發(fā)布2020-06-01實施

上海市市場監(jiān)督管理局發(fā)布

DB31/792—2020

前言

本標(biāo)準(zhǔn)42和43是強(qiáng)制性的其余為推薦性的

..,。

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替硅單晶及其硅片單位產(chǎn)品能源消耗限額與相

DB31/792—2014《》,DB31/792—2014

比除編輯性修改外主要技術(shù)變化如下

,,:

修改了英文名稱

———;

修改了適用范圍取消了太陽能級硅單晶及其硅片的要求見第章和年版的第章

———,(120141);

調(diào)整了規(guī)范性引用文件刪除了增加了

———,GB/T3484,GB/T12962、GB/T12964、GB/T12965、

見第章和年版的第章

GB/T14139(220142);

修改了第章調(diào)整了術(shù)語和定義增加了硅單晶研磨片拋光片外延片等產(chǎn)品定義見第

———3,,、、、(3

章和年版的第章

20143);

修改了第章刪除了太陽能級硅產(chǎn)品的能耗要求細(xì)分了產(chǎn)品重新規(guī)定了硅單晶及硅片單

———4,,,

位產(chǎn)品能源消耗限額的限定值準(zhǔn)入值先進(jìn)值見和年版的

、、(4.2、4.3、4.420144.1、4.2、4.3);

修改第章為統(tǒng)計范圍及計算方法增加了統(tǒng)計范圍刪除了計算原則見年版的

———5“”,5.1,(20145.1),

并對計算方法做了修改精簡

、;

修改第章為節(jié)能降耗導(dǎo)向見第章和年版的第章

———6“”(620146);

增加了附錄

———A。

本標(biāo)準(zhǔn)由上海市發(fā)展和改革委員會上海市經(jīng)濟(jì)和信息化委員會共同提出由上海市經(jīng)濟(jì)和信息化

、,

委員會組織實施

。

本標(biāo)準(zhǔn)由上海市能源標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口

。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位上海有色金屬行業(yè)協(xié)會上海市有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會上海合晶硅材料有

:、、

限公司上海晶盟硅材料有限公司上海新傲科技股份有限公司上海晶哲電子材料有限公司

、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人陳建綱韓建超高璇馬志輝張向東楊文杰唐宗平

:、、、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———DB31/792—2014。

Ⅰ

DB31/792—2020

硅單晶及其硅片單位產(chǎn)品能源消耗限額

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅單晶及硅單晶片單位產(chǎn)品能源消耗限額的技術(shù)要求統(tǒng)計范圍計算方法及節(jié)能降

、、

耗導(dǎo)向

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體級硅單晶和硅單晶片包括研磨片拋光片外延片以下統(tǒng)稱硅片生產(chǎn)企

,、、(“”)

業(yè)產(chǎn)品能源單耗的計算考核以及對新建項目能源單耗的控制

、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

綜合能耗計算通則

GB/T2589

硅單晶

GB/T12962

硅單晶拋光片

GB/T12964

硅單晶切割片和研磨片

GB/T12965

硅外延片

GB/T14139

用能單位能源計量器具配備和管理通則

GB17167

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

31

.

可比硅片產(chǎn)量comparablesiliconwaferyield

企業(yè)生產(chǎn)的不同直徑的合格硅片實際產(chǎn)量按硅片表面積折算系數(shù)折算后的產(chǎn)量

,。

32

.

硅單晶monocrystallinesilicon

高純度的多晶硅在單晶爐內(nèi)用直拉法生長的單晶硅棒材是制造硅器件的原料

,。

33

.

硅單晶研磨片monocrystallinesiliconlappedwafer

硅單晶切割片經(jīng)研磨工藝加工硅單晶研磨片是用于制造半導(dǎo)體分立器件的直接原材料也是制造

,,

硅拋光片的中間產(chǎn)品

。

34

.

硅單晶拋光片monocrystallinesiliconpolished

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