緒論電子技術就是研究電子器件、電子電路及其應用的科學技術1．電子器件0.1

什么是電子技術第一代電子器件(1)

電子管電子管也稱為真空管

電子管有密封的管殼，內部抽成高真空(2)離子管

與電子管類似，也抽成高真空，然后再充以適當的氣體，所以也稱為充氣管。管子中的電流，除了電子外，也有正離子，因此叫離子管電子管的主要特點：a.體積大、重量大、耗電多、壽命短b.目前在一些大功率發(fā)射裝置中仍然使用0.1

什么是電子技術第二代電子器件——晶體管晶體管是用半導體材料制成的，也稱為半導體器件或者固體器件。0.1

什么是電子技術a.體積小、重量輕e.適應于低壓和小功率的場合晶體管的主要特點：b.壽命長、功耗低c.受溫度變化的影響較大d.過載能力較差0.1

什么是電子技術2．電子電路電子器件與電阻器、電感器、電容器、變壓器、開關等元件適當地連接起來所組成的電路電子電路的主要特點：控制方便、工作靈敏、響應速度快等(3)電子電路必須采用非線性電路的分析方法來分析電子電路與普通電路的主要區(qū)別：(1)電子電路包含有電子器件(2)電子器件的特性往往是非線性的0.1

什么是電子技術電子電路可分為(1)分立電路由各種單個的電子器件和元件構成的電路(c)體積大，功耗大，可靠性低分立電路的主要特點(a)把許多元件和器件焊接在印制電路板上(b)焊點多，容易造成虛焊0.1

什么是電子技術集成電路（IC—integratedcircuit）——把許多晶體管與電阻等元件制作在同一塊硅晶片上的電路(1)體積小，重量輕集成電路的主要特點(2)功耗小(3)可靠性高(4)壽命長(2)集成電路0.1

什么是電子技術

世界上第一塊集成電路在1959年美國的德州儀器公司和西屋電氣公司誕生，電路上僅集成了4只晶體管。集成電路發(fā)展的歷程:(1)

小規(guī)模集成電路(2)

中規(guī)模集成電路(3)

大規(guī)模集成電路(4)

超大規(guī)模集成電路

目前的集成電路已經可以在一片硅片上集成幾千萬只，甚至上億只晶體管。同時，集成電路的性能（高速度和低功耗等）也迅速提高。集成電路的出現，使電子技術產生了一個新的飛躍，進入了微電子技術時代。0.1

什么是電子技術

目前，集成電路仍在高速發(fā)展。系統(tǒng)級芯片已經能將整個系統(tǒng)集成在單個芯片上，完成系統(tǒng)的功能。系統(tǒng)級芯片的出現，使集成電路逐步向集成系統(tǒng)的方向發(fā)展。3．電子技術應用(1)通信系統(tǒng)中的應用

無線電通信(包括廣播、電報、電視等)、有線載波通信、激光通信、光纖維通信等0.1

什么是電子技術特點：快速、靈敏、精確等(2)自動控制中的應用在自動化技術中，電子控制是后起之秀

(3)測量方面的應用電子測量的主要特點：a.準確度和靈敏度高，測量范圍廣b.可以智能化c.可以進行遠距離測量0.1

什么是電子技術(4)

電子技術對計算機的發(fā)展

20世紀40年代第一臺數字電子計算機的主要特點：b.功率130kWa.使用了18,000個電子管c.質量達30td.占地約150m2e.運算速度約5000次/秒f.故障率高0.1

什么是電子技術現代微型計算機的主要特點：a.采用了大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路b.功耗低c.體積小d.重量輕e.運算速度快f.功能強大0.1

什么是電子技術0.2

本課程的性質、任務和重點內容1．本課程的性質與任務性質:本課程是高等工業(yè)學校電類專業(yè)在電子技術方面入門性質的技術基礎課任務：是使學生獲得電子技術方面的基本理論、基本知識和基本技能。培養(yǎng)學生分析問題和解決問題的能力，為以后深入學習電子技術某些領域中的內容，以及電子技術在專業(yè)中的應用打好基礎

是指電子電路的基本分析方法基本理論：是指基本的電子器件和電子電路的性能及主要應用是指電子測試技術、電子電路的分析計算能力和識圖能力基本技能：基本知識：

討論電子技術中的最初步、最基本、最共性的東西，而不是面面俱到地介紹電子技術的各個方面2．課程內容的重點0.2

本課程的性質、任務和重點內容(1)電子器件(包括集成電路)是電子技術基礎課程的基本內容，學習的重點在于了解它們的外部特性和如何用于電路之中，不深入討論器件內部微觀的物理過程及生產工藝，而且只介紹常用的半導體器件。(2)電路

學習的重點應放在最基本的電路結構、工作原理、分析方法、組合規(guī)律以及典型應用等方面。0.2

本課程的性質、任務和重點內容a.器件、電路和應用三者的關系b.分立電路與集成電路的關系

雖然分立電路在很多應用場合已經被集成電路所代替，但是某些分立電路仍然是電子電路中最核心的電路，也是集成電路中的基本單元電路。

通過對基本分立電路的學習，掌握電子電路的基本分析方法，為掌握集成電路的外特性及其應用打好基礎。管、路、用結合，管為路用，以路為主0.2

本課程的性質、任務和重點內容分立電路和集成電路的學習關系是：c.模擬電路與數字電路模擬電路中的電壓、電流波形是連續(xù)變化的數字電路中電壓、電流波形是躍變的分立為基礎、集成是重點，分立為集成服務0.2

本課程的性質、任務和重點內容模擬電路中的信號

數字電路中的電子器件工作在開關狀態(tài)，而模擬電路中的電子器件工作在放大狀態(tài)。數字電路中的信號0.2

本課程的性質、任務和重點內容0.3本課程的特點和學習方法1.本課程的特點（1）本課程是屬于技術基礎性質的課程（2）更接近工程實際（5）課程的難點都集中在前幾章，初學者都會有“入門難”的感覺（3）課程內容比較龐雜，技術術語多、基本概念多、電路種類多（4）器件及電路的組成、工作原理及分析方法多且復雜(1)注重物理概念2.本課程的學習方法(2)采用工程觀點1）電子電路的分析和設計往往與工程背景有直接關系，很多實際問題，難以做出精確的分析計算原因：2）電子器件的特性具有分散性3）其它元件的實際參數值與標稱值也有一定的偏差0.3本課程的特點和學習方法由于這些因素，即使采用精確的計算方法，實際意義也不大。有條件地忽略一些次要的因素，可以使復雜的工程問題得到簡化，又能滿足實際工作中的要求，這就是工程估算法。4）環(huán)境溫度的改變、元件和器件的老化以及電源電壓的波動，也都會使電路中的電壓、電流偏離設計值。某些量簡化處理所造成的相對誤差，工程上一般不超過10%工程估算法的主要依據：工程估算法的主要特點：0.3本課程的特點和學習方法

方法簡單，但要正確使用估算法也不容易。因為有些問題的簡化處理往往是經驗數據，或者說是前人經過嚴格的計算或實驗證明而得出的結論。對初學者來說，要掌握簡單的工程估算法，必須經過一定的實踐并及時總結和繼承前人的經驗。工程估算的目的：1）不是為了獲得精確的結果，而是通過簡單的估算以獲得清晰的、定性的概念和結論0.3本課程的特點和學習方法2）利用這些概念和結論進一步指導電路和系統(tǒng)的設計，在實驗中迅速判斷電路出現故障的原因，并通過改變某些元器件的參數使電路指標達到設計要求(3)重視實驗技術

影響電子電路工作的因素往往非常復雜，難以用簡單的電路模型進行比較全面、精確的分析1）一般電子設備都是在設計、安裝好以后，經過反復調試、修改之后才能達到設計要求0.3本課程的特點和學習方法4）實驗教學可以培養(yǎng)學生發(fā)現問題、解決問題的能力，所以初學者必須重視實驗技術2）如果工程技術人員的實驗技術水平不高，就不可能設計出高水平的電子產品3）學生只有通過實驗才能加深對基本概念的理解，只有掌握了實驗技能，才能使理論與實踐緊密結合0.3本課程的特點和學習方法半導體二極管及其應用第1章1.1半導體基本知識半導體

——導電能力介于導體和絕緣體之間物質根據其導電能力（電阻率）分半導體絕緣體導體1.1.1半導體材料的基本特性1.1半導體基本知識最常用的半導體材料鍺(Ge)硅(Si)半導體的幾個重要特性：（1）熱敏特性硒、砷化鎵、大多數金屬氧化物、硫化物等當溫度升高時，電阻率下降1.1半導體基本知識（2）光敏特性（3）摻雜特性受到光能輻射時其電阻率下降

在純凈的半導體中摻入微量的其它元素材料之后，其導電率將增加幾十萬至幾百萬倍

在純硅中摻入百萬分之一的硼以后，硅的電阻率從大約2103.m下降到410-3.m左右1.1半導體基本知識+14284Si硅原子結構示意圖+322818Ge鍺原子結構示意圖4完全純凈且晶格結構完整的半導體晶體+4硅、鍺原子的簡化模型1.1.2本征半導體1.1半導體基本知識平面結構立體結構+4+4+4+4+4+4+4+4+41.1半導體基本知識+4+4+4+4+4+4+4+4+4共價鍵價電子1.1半導體基本知識本征半導體受熱或光照+4+4+4+4+4+4+4+4+41.1半導體基本知識本征激發(fā)產生電子和空穴自由電子空穴+4+4+4+4+4+4+4+4+41.1半導體基本知識電子空穴成對產生+4+4+4+4+4+4+4+4+41.1半導體基本知識+4+4+4+4+4+4+4+4+41.1半導體基本知識+4+4+4+4+4+4+4+4+4電子空穴復合，成對消失1.1半導體基本知識

本征激發(fā)使空穴和自由電子成對產生相遇復合時，又成對消失

小結空穴濃度（np)=電子濃度(nn)溫度T一定時np×nn=K(T)K(T)——與溫度有關的常數在外電場作用下+4+4+4+4+4+4+4+4+4U1.1半導體基本知識電子運動形成電子電流+4+4+4+4+4+4+4+4+4U在外電場作用下1.1半導體基本知識+4+4+4+4+4+4+4+4+4U在外電場作用下1.1半導體基本知識+4+4+4+4+4+4+4+4+4U在外電場作用下1.1半導體基本知識+4+4+4+4+4+4+4+4+4U在外電場作用下1.1半導體基本知識+4+4+4+4+4+4+4+4+4U在外電場作用下1.1半導體基本知識+4+4+4+4+4+4+4+4+4U在外電場作用下1.1半導體基本知識+4+4+4+4+4+4+4+4+4U價電子填補空穴而使空穴移動，形成空穴電流在外電場作用下1.1半導體基本知識1.1半導體基本知識(1)在半導體中有兩種載流子這就是半導體和金屬導電原理的本質區(qū)別小結：帶正電的空穴帶負電的自由電子1.1半導體基本知識(2)自由電子和空穴成對出現，又不斷的復合，在一定溫度下，載流子的產生和復合達到動態(tài)平衡，維持一定的數目。溫度越高，數目越多，導電性能越好。a.電阻率大(3)本征半導體的主要特點b.導電性能隨溫度變化大本征半導體不能在半導體器件中直接使用1.1半導體基本知識1.1.3摻雜半導體

在本征半導體硅或鍺中摻入微量的其它適當元素后所形成的半導體根據摻雜的不同，雜質半導體分為N型導體P型導體(1)N型半導體

在本征半導體中摻入磷（或其他五價元素）后形成的半導體+4+4+4+4+4+4+4+4+4摻入少量五價雜質元素磷P1.1半導體基本知識+4+4+4+4+4+4+4+4+4P1.1半導體基本知識多出一個電子出現了一個正離子+4+4+4+4+4+4+4+4P1.1半導體基本知識1.1半導體基本知識+++++++++++++++++++++++++++++++++++半導體中產生了大量的自由電子和正離子+1.1半導體基本知識c.電子是多數載流子，簡稱多子;空穴是少數載流子，簡稱少子e.因電子帶負電，稱這種半導體為N(negative)型或電子型半導體f.因摻入的雜質給出電子，又稱之為施主雜質b.N型半導體中產生了大量的(自由）電子和正離子小結d.np×nn=K(T)a.N型半導體是在本征半導體中摻入少量五價雜質元素形成的(2)P型半導體在本征半導體中摻入三價雜質元素，如硼等B+4+4+4+4+4+4+4+4+41.1半導體基本知識+4+4+4+4+4+4+4+4+4B1.1半導體基本知識出現了一個空位+4+4+4+4+4+4B+4+41.1半導體基本知識+4+4+4+4+4+4B+4+4負離子空穴1.1半導體基本知識------半導體中產生了大量的空穴和負離子------------------------------1.1半導體基本知識1.1半導體基本知識1.1半導體基本知識1.1半導體基本知識c.空穴是多數載流子，電子是少數載流子e.因空穴帶正電，稱這種半導體為P(positive)型或空穴型半導體f.因摻入的雜質接受電子，故稱之為受主雜質a.P型半導體是在本征半導體中摻入少量的三價雜質元素形成的b.P型半導體產生大量的空穴和負離子小結d.np×nn=K(T)1.1半導體基本知識1.1半導體基本知識當摻入三價元素的密度大于五價元素的密度時，可將N型轉為P型雜質半導體的轉型當摻入五價元素的密度大于三價元素的密度時，可將P型轉為N型1.1半導體基本知識1.1半導體基本知識思考題1.半導體中的載流子濃度主要與哪些因素有關？N++++++++++++++++++++++++++++++++++++N++++++++++++++++++++++++++++++++++++以N型半導體為基片通過半導體擴散工藝1.2.1PN結的形成1.2PN結的形成與特點使半導體的一邊形成N型區(qū)，另一邊形成P型區(qū)。N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------1.2PN結的形成與特點(1)在濃度差的作用下，電子從N區(qū)向P區(qū)擴散。N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------1.2PN結的形成與特點(2)在濃度差的作用下，空穴從P區(qū)向N區(qū)擴散。N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------1.2PN結的形成與特點在濃度差的作用下，兩邊多子互相擴散。在P區(qū)和N區(qū)交界面上，留下了一層不能移動的正、負離子。N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------1.2PN結的形成與特點即PN結空間電荷層N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------1.2PN結的形成與特點形成內電場內電場方向N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------1.2PN結的形成與特點PN結一方面阻礙多子的擴散N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------1.2PN結的形成與特點另一方面加速少子的漂移N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------1.2PN結的形成與特點1.2PN結的形成與特點勢壘U0形成電位勢壘N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------當擴散與漂移作用平衡時a.流過PN結的凈電流為零b.PN結的厚度一定（約幾個微米）c.接觸電位一定（約零點幾伏）N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------1.2PN結的形成與特點1.2PN結的形成與特點當N區(qū)和P區(qū)的摻雜濃度不等時離子密度大空間電荷層較薄離子密度小空間電荷層較厚高摻雜濃度區(qū)域用N+表示++++++______PN+1.2.2PN結的單向導電性1．PN結正向偏置PN結正向偏置——當外加直流電壓使PN結P型半導體的一端的電位高于N型半導體一端的電位時，稱PN結正向偏置，簡稱正偏PN結反向偏置——當外加直流電壓使PN結N型半導體的一端的電位高于P型半導體一端的電位時，稱PN結反向偏置，簡稱反偏1.2PN結的形成與特點------PN++++++------------------------------++++++++++++++++++++++++RSE內++++++EPN結正向偏置1.2PN結的形成與特點內電場被削弱PN結變窄PN結呈現低阻、導通狀態(tài)多子進行擴散------PN++++++------------------------------++++++++++++++++++++++++RSE內++++++E1.2PN結的形成與特點內電場增強PN結變寬PN結呈現高阻、截止狀態(tài)不利多子擴散有利少子漂移------PN++++++------------------------------++++++++++++++++++++++++RSE內++++++E1.2PN結的形成與特點2．PN結反向偏置因少子濃度主要與溫度有關，反向電流與反向電壓幾乎無關。此電流稱為反向飽和電流，記為IS。------PN++++++------------------------------++++++++++++++++++++++++RSE內++++++E1.2PN結的形成與特點1.2.3PN結的電壓與電流關系++++++_PN_____ui1.2PN結的形成與特點IS——

PN結反向飽和電流UT——

熱電壓式中UT=KTqq——電子電量T——絕對溫度在室溫（T=300K)時，UT26mVK——玻耳茲曼常數其中1.2PN結的形成與特點(1)當u=0時，i=0(3)當u<0，且|u|>>UT時，i–IS討論：(2)當u>0，且u>>UT時，1.2PN結的形成與特點1.2.4PN結的反向擊穿

當PN結反向偏置電壓超過一定大小時，流過PN結的反向電流急劇增加，PN結被反向擊穿。1.2PN結的形成與特點根據擊穿的機理分：1.齊納擊穿半導體的摻雜濃度高空間電荷層中有較強的電場條件1.2PN結的形成與特點擊穿電壓低于4V擊穿電壓具有負的溫度系數電場將PN結中的價電子從共價鍵中激發(fā)出來擊穿的機理：擊穿的特點半導體的摻雜濃度低空間電荷區(qū)中就有較強的電場條件2.雪崩擊穿1.2PN結的形成與特點電場使PN結中的少子“碰撞電離”共價鍵中的價電子擊穿的機理擊穿電壓高于6V擊穿電壓具有正的溫度系數擊穿的的特點

擊穿電壓介于4伏與6伏之間時，PN結兩種擊穿都有可能發(fā)生，也可能同時發(fā)生，這時擊穿電壓的溫度系數較小。正極負極符號1.3半導體二極管1.3.1半導體二極管的結構和類型

半導體二極管就是一個封裝的PN結+PN_正極負極++++____1.半導體二極管的結構

1.3半導體二極管1.3半導體二極管1.3半導體二極管2.半導體二極管的類型(a)按使用的半導體材料不同分為(b)按結構形式不同分為硅管鍺管點接觸型平面型1.3半導體二極管半導體二極管的結構、符號和外型(a)點接觸型(b)平面型(c)符號(d)外型1.3半導體二極管1.3.2半導體二極管的伏安特性硅管00.8反向特性正向特性擊穿特性00.8反向特性鍺管正向特性uDiD1.3半導體二極管a.電壓uD、電流iD之間關系為b.

有死區(qū)（iD≈0的區(qū)域)1.正向特性死區(qū)電壓約為硅管0.5V鍺管0.1VOiD正向特性擊穿電壓死區(qū)電壓U(BR)反向特性uD1.3半導體二極管c.導通后（即uD大于死區(qū)電壓）管壓降uD

約為硅管0.6~0.8V鍺管0.2~0.3V通常近似取uD

硅管0.7V鍺管0.2V即uD略有升高，

iD急劇增大1.3半導體二極管OiD正向特性擊穿電壓死區(qū)電壓U(BR)反向特性uD2.反向特性IS=硅管小于0.1微安鍺管幾十到幾百微安a.當時，1.3半導體二極管OiD正向特性擊穿電壓死區(qū)電壓U(BR)反向特性uDb.

當時反向電流急劇增大擊穿的類型:根據擊穿可逆性分為電擊穿熱擊穿二極管發(fā)生反向擊穿1.3半導體二極管OiD正向特性擊穿電壓死區(qū)電壓U(BR)反向特性uD降低反向電壓，二極管仍能正常工作PN結被燒壞，造成二極管永久性的損壞二極管發(fā)生反向擊穿后，如果a.功耗PD(=|UDID|)不大b.PN結的溫度小于允許的最高結溫

硅管150∽200oC鍺管75∽100oC熱擊穿:電擊穿:1.3半導體二極管1.3.3溫度對半導體二極管特性的影響(2)當溫度上升時，正向管壓降降低△uD/△T=–（2~2.5）mV/°C(3)溫度升高，反向飽和電流增大即溫度每升高1°C，管壓降降低（2~2.5）mV即平均溫度每升高10°C，反向飽和電流增大一倍(1)當溫度上升時，死區(qū)電壓降低1.3半導體二極管1.3.4半導體二極管的主要電參數1.額定整流電流IF2.反向擊穿電壓U(BR)

管子長期運行所允許通過的電流平均值

二極管能承受的最高反向電壓1.3半導體二極管3.最高允許反向工作電壓UR

為了確保管子安全工作，所允許的最高反向電壓UR=（1/2~2/3）U(BR)4.反向電流IR

室溫下加上規(guī)定的反向電壓時測得的電流1.3半導體二極管5.正向電壓降UF6.最高工作頻率fM

指通過一定的直流測試電流時的管壓降

fM與結電容有關，當工作頻率超過fM時，二極管的單向導電性變壞1.3.5二極管常用的電路模型b.電路符號a.伏安特性1.理想模型–+uDiDuDiDO理想特性實際特性1.3半導體二極管b.電路模型a.伏安特性2.恒壓模型uDiDOUon–+uDiDUon1.3半導體二極管1.3半導體二極管【例1】某硅二極管電路如圖（a）、（b）所示。試分析兩個電路中的二極管是否導通？若二極管導通，試分別用合適的二極管模型計算電壓UAB的值。

（a）（b）1.3半導體二極管【解】（1）對于圖（a）電路將二極管先假定開路二極管兩端的開路電壓：UD=V1-V2=7V大于硅管的死區(qū)電壓（約0.5V）回路等效電源電壓（7V）遠大于二極管的管壓降（硅管約0.7V）二極管導通采用二極管理想模型來分析電路1.3半導體二極管（a）二極管理想模型電路A、B兩點之間的電壓：UAB≈V1=8V

1.3半導體二極管（2）對于圖（b）電路二極管兩端的開路電壓：UD=V1-V2=2V大于硅管的死區(qū)電壓

回路等效電源電壓（2V）大約是硅二極管管壓降，采用二極管理想模型會出現較大的分析誤差二極管導通采用二極管恒壓模型來分析電路1.3半導體二極管二極管理想模型電路A、B兩點之間的電壓：UAB=V1-Uon=3-0.7=2.3V（b）1.4半導體二極管的應用1.4.1

在整流電路中的應用整流——

將交流電變成直流電的過程整流電路——

完成整流功能的電路常見的整流電路有半波整流電路全波整流電路橋式整流電路設1.橋式整流電路+_uOTru2+_u1ab+_RLD1D2D4D31.4半導體二極管的應用2.工作原理a.

當u2>0時輸出波形電流流動方向+_uOTru2+_u1ab+_RLD1D2D4D31.4半導體二極管的應用b.

當u2<0時輸出波形電流流動方向+_uOTru2+_u1ab+_RLD1D2D4D31.4半導體二極管的應用1.4.2在檢波電路中的應用（以廣播系統(tǒng)為例）用音頻信號去控制高頻信號的幅值音頻信號高頻信號調幅波調制的過程Otuu1tOu2Ot音頻放大器話筒高頻振蕩器調制器發(fā)射器u2u1u1.4半導體二極管的應用解調過程u1OtOtu3DCLC2u3高放大器頻低頻放大C1R2R1u2u1+–+–+–器u2tO1.4半導體二極管的應用1.4.3限幅電路1.工作原理a.當ui較小使二極管D1、D2截止時電路正常放大b.當ui使二極管D1或D2導通時RD2ARi+–+–D1+–1.4半導體二極管的應用uitO2.輸入電壓波形RD2ARi+–+–D1+–1.4半導體二極管的應用輸入端電壓波形uitO2UFRD2ARi+–+–D1+–1.4半導體二極管的應用1.硅穩(wěn)壓二極管的符號及伏安特性特點：a.正向特性與普通管一樣穩(wěn)壓管通常工作于反向電擊穿狀態(tài)伏安特性–+iZuZuZQBAOUZiZIZ

UZ

IZ符號b.反向擊穿特性很陡1.5硅穩(wěn)壓二極管2.硅穩(wěn)壓管的等效電路反向擊穿時端電壓表達式:反向正向uZQOUZiZIZUZ0等效電路D1D3D2rZUZ01.5硅穩(wěn)壓二極管3.

硅穩(wěn)壓管的主要電參數(1)穩(wěn)定電壓UZ(2)動態(tài)電阻(3)最大允許工作電流IZM(4)最大允許功率耗散PZM(5)溫度系數

uuZQBAOUZiZIZ

UZ

IZ1.5硅穩(wěn)壓二極管溫度每變化1

C時UZ的相對變化率。即UZ>6V管子出現雪崩擊穿，αU為正UZ<4V出現齊納擊穿，αU

為負4V<UZ<6V，αU可能為正，也可能為負溫度系數定義：1.5硅穩(wěn)壓二極管具有溫度補償的硅穩(wěn)壓管:把一只αU為正的管子與另一只αU為負的管子串聯將兩只αU

為正的穩(wěn)壓管串聯UZ=UZ1+UZ2(1)DZ1DZ2UZ(2)UZ1.5硅穩(wěn)壓二極管4.硅穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路R——限流電阻DZIZRLUOUIRIIO+_+_1.5硅穩(wěn)壓二極管（1）

穩(wěn)壓原理a.UI不穩(wěn)定

UI↑→

UO↑→

UZ↑

→

IZ↑→

I↑→

IR↑

UO↓DZIZRLUOUIRIIO+_+_1.5硅穩(wěn)壓二極管b.RL改變

RL↓

→

UO↓

→

UZ↓→

IR↓→IZ↓→

I↓UO↑DZIZRLUOUIRIIO+_+_1.5硅穩(wěn)壓二極管電路正常工作的條件:（保證穩(wěn)壓管被擊穿）≥DZIZRLUOUIRIIO+_+_IZ(min)≤IZ≤IZM1.5硅穩(wěn)壓二極管UO=UZ

圖中:

IZ=I－IO

DZIZRLUOUIRIIO+_+_1.5硅穩(wěn)壓二極管此時當IO為最小值IO(min)時，IZ值最大當UI為最大值UI(max)時，I值最大IZ=I－IO

由式知:DZIZRLUOUIRIIO+_+_1.5硅穩(wěn)壓二極管由此可得:為保證管子安全工作,應使≤≥DZIZRLUOUIRIIO+_+_1.5硅穩(wěn)壓二極管IZ=I－IO

由式此時當IO為最大值IO(max)時，IZ值最小當UI為最小值UI(min)時，I值最小知:DZIZRLUOUIRIIO+_+_1.5硅穩(wěn)壓二極管由此可得:為保證電路正常工作，應使:≥≤DZIZRLUOUIRIIO+_+_1.5硅穩(wěn)壓二極管得由≥≤≤≤1.5硅穩(wěn)壓二極管DZIZRLUOUIRIIO+_+_【例】在圖示電路中，已知輸入電壓UI=15(1

10%)V，RL=500W，穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓UZ＝6V，穩(wěn)定電流的最小值IZmin＝5mA，最大功耗PZM＝150mW。試求電阻R的取值范圍。1.5硅穩(wěn)壓二極管【解】根據題意，穩(wěn)壓管的最大穩(wěn)定電流

IZM＝PZM/UZ＝25mA負載電流IO=UZ

/RL=12mADZIZRLUOUIRIIO+_+_1.5硅穩(wěn)壓二極管電阻R的電流:電阻R的取值范圍:DZIZRLUOUIRIIO+_+_1.5硅穩(wěn)壓二極管電阻量程×1×10×100×1k測得電阻值31Ω210Ω1.1kΩ11.5kΩ【例1】用萬用表測量二極管的正向直流電阻RF，選用的量程不同，測得的電阻值相差很大?，F用MF30型萬用表測量某二極管的正向電阻，結果如下表，試分析所得阻值不同的原因。第1章例題圖中，R0為表頭等效內阻萬用表的量程越大，即R0越大[解]萬用表測電阻的原理圖R0+-EiD+-uD所以，萬用表的量程越大UD、ID

越小二極管的等效電阻越大UDIDUD1ID1uDiDO第1章例題【例2】設圖示電路中的二極管性能均為理想，試判斷各電路中的二極管是導通還是截止。(a)(b)第1章例題[解]判斷電路中二極管工作狀態(tài)的方法

斷開二極管，分析電路斷開點的開路電壓。如果該電壓能使二極管正偏，且大于二極管的死區(qū)電壓，二極管導通；否則二極管截止。斷開二極管，求得二極管兩端的開路電壓：-3V，正向偏置電壓二極管截止對于圖(a)電路第1章例題(b)對于圖(b)電路斷開二極管，求得二極管兩端的開路電壓：5V，正向偏置電壓二極管導通第1章例題【例3】設圖示電路中的二極管性能均為理想。試判斷各電路中的二極管是導通還是截止，并求出A、B兩點之間的電壓UAB值。V115V10VV2R2kWUABB+_D2AD1(a)V115V10VV2R2kWUABB+_D2AD1(b)第1章例題[解]

如果電路中有兩個二極管，斷開二個二極管，分別判斷各個二極管兩端的開路電壓，開路電壓高的二極管優(yōu)先導通；當此二極管導通后，再根據電路的約束條件，判斷另一個二極管的工作狀態(tài)。第1章例題對于圖a，D1、D2兩端的開路電壓(正偏）分別為：D2反偏電壓為15VD1導通UAB=0VD2截止10V，–5VV115V10VV2R2kWUABB+_D2AD1(a)第1章例題對于圖b，經判斷知，D1、D2兩端的開路電壓（正偏）分別為即D1上的反偏電壓為15VD2優(yōu)先導通UAB=–15VD1截止10V，25VD2導通后V115V10VV2R2kWUABB+_D2AD1(b)第1章例題【例4】硅穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路如圖所示。其中硅穩(wěn)壓管DZ的穩(wěn)定電壓UZ=8V、R=RL=2kW，UI=20V。試求：

(a)UO、IO、I及IZ的值；

(b)當UI

降低為15V時的UO

、IO

、I及IZ值。DZIZRLUOUIRIIO+_+_第1章例題≥【解】首先判斷穩(wěn)壓管的工作狀態(tài)穩(wěn)壓管被擊穿的條件：(a)由于DZ工作于反向電擊穿狀態(tài)，電路具有穩(wěn)壓功能DZIZRLUOUIRIIO+_+_第1章例題UO=UZ=8V

IZ=I－IO=2mADZIZRLUOUIRIIO+_+_第1章例題(b)由于這時的DZ沒有被擊穿

IZ=0故DZIZRLUOUIRIIO+_+_第1章例題[例5]電路如圖所示,設D1、D2的性能均理想，輸入電壓uI的變化范圍為0~30V。畫出電路的傳輸特性曲線。+_uO+_uI5kWi1R1i2R25kW6V18VV1V2D1D2iD1iD2第1章例題+_uO+_uI5kWi1R1i2R25kW6V18VV1V2D1D2iD1iD2[解]當D1、D2均導通時代入有關數據得由此可知D2導通的條件是uI＜18VD1導通的條件是uI＞12V第1章例題當uI≤12V時，D1截止、D2導通+_uO+_uI5kWi1R1i2R25kW6V18VV1V2D1D2iD1iD2第1章例題當uI>18V時，D1導通、D2截止當12V＜uI

≤18V時uO=uIuO=18V+_uO+_uI5kWi1R1i2R25kW6V18VV1V2D1D2iD1iD2D1、D2均導通第1章例題uO~uI關系曲線uO/VuI/V12183012180第1章例題第1章小結1.半導體的基礎知識(1)本征半導體的特點2）

電阻率大3）導電性能隨溫度變化大帶正電的空穴帶負電的自由電子1)在半導體中有兩種載流子（2）雜質半導體

N型半導體是在本征半導體中摻入適量五價元素形成的多子的濃度是由所摻雜質的濃度決定的；少子的濃度主要與溫度有關N型半導體中電子為多子，空穴為少子整個半導體中的正負電荷數仍然相等，對外呈電中性P型半導體是在本征半導體中摻入適量三價元素形成的P型半導體中空穴為多子，電子為少子第1章小結PN結就是P型和N型半導體在其交界面處形成的空間電荷層2.

PN結(1)在PN結中沒有可移動的多子，只有不能移動離子，PN結具有很高的電阻(2)PN結具有單向導電性

PN結正向偏置時，空間電荷層變窄、導通

PN結反向偏置時，空間電荷層變寬、截止PN結的主要特點：第1章小結3.半導體二極管(1)二極管的類型按半導體材料不同分為硅管和鍺管按功能不同分為普通和特種二極管(2)二極管的伏安特性OiD正向特性擊穿電壓死區(qū)電壓U(BR)反向特性uD第1章小結導通電壓：硅管0.6~0.8V，鍺管：0.2~0.3V死區(qū)電壓：硅管0.5V，鍺管0.1VOiD正向特性擊穿電壓死區(qū)電壓U(BR)反向特性uD通常近似取uD

硅管0.7V鍺管0.2Vb.當溫度平均每升高10

℃，反向飽和電流將增加一倍a.溫度每升高1℃，正向電壓降將降低2~2.5mV(3)溫度對二極管特性的影響第1章小結(4)二極管電路的模型b.電路符號a.伏安特性1)理想模型–+uDiDuDiDO理想特性實際特性第1章小結b.電路模型a.伏安特性2)恒壓模型uDiDOUF–+uDiDUF第1章小結4.硅穩(wěn)壓二極管（1）硅穩(wěn)壓二極管伏安特性–+iZuZuZQBAOUZiZIZ

UZ

IZ穩(wěn)壓管通常工作于反向電擊穿狀態(tài)第1章小結(3)硅穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路a.穩(wěn)壓條件b.限流電阻計算DZIZRLUOUIRIIO+_+_≥IZ(min)≤IZ≤IZM≤≤第1章小結第2章半導體晶體管及放大電路基礎晶體管又稱半導體三極管、雙極性晶體管，簡稱晶體管晶體管是最重要的一種半導體器件之一，它是組成各種電子電路的核心器件，它的放大作用和開關作用，促使了電子技術的飛躍。2.1晶體管晶體管圖片2.1晶體管2.1晶體管（1）NPN型晶體管結構示意圖和符號（2）根據使用的半導體材料分為:硅管和鍺管（1）根據結構分為:NPN型和PNP型1.晶體管的主要類型2.晶體管的結構2.1.1晶體管的結構與類型2.1晶體管NNP發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)發(fā)射極E(e)集電極C(c)發(fā)射結JE集電結JC基極B(b)NPN型晶體管結構示意圖2.1晶體管NPN型晶體管符號B(b)E(e)TC(c)NNP發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)發(fā)射極E(e)集電極C(c)發(fā)射結JE集電結JC基極B(b)2.1晶體管（2）PNP型晶體管結構示意圖和符號符號B(b)E(e)TC(c)E(e)發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)PPNC(c)B(b)JEJC結構示意圖2.1晶體管集電區(qū)EBC發(fā)射區(qū)基區(qū)a.發(fā)射區(qū)小，摻雜濃度高（3）晶體管的內部結構特點（具有放大作用的內部條件）平面型晶體管的結構示意圖2.1晶體管b.集電區(qū)面積大c.基區(qū)摻雜濃度很低，且很薄集電區(qū)EBC發(fā)射區(qū)基區(qū)2.1晶體管下面以NPN型管為例說明晶體管的工作原理依據兩個PN結的偏置情況放大狀態(tài)飽和狀態(tài)截止狀態(tài)晶體管的工作狀態(tài)2.1.2晶體管的工作原理2.1晶體管1.發(fā)射結正向偏置、集電結反向偏置——放大狀態(tài)原理圖電路圖+–+––+–2.1晶體管（1）電流關系a.

發(fā)射區(qū)向基區(qū)擴散電子形成發(fā)射極電流IE發(fā)射區(qū)向基區(qū)擴散電子稱擴散到基區(qū)的發(fā)射區(qū)多子為非平衡少子––1)載流子的傳輸過程2.1晶體管b.基區(qū)向發(fā)射區(qū)擴散空穴基區(qū)向發(fā)射區(qū)擴散空穴發(fā)射區(qū)向基區(qū)擴散電子形成空穴電流––2.1晶體管因為發(fā)射區(qū)的摻雜濃度遠大于基區(qū)濃度，空穴電流可忽略不記基區(qū)向發(fā)射區(qū)擴散空穴發(fā)射區(qū)向基區(qū)擴散電子––2.1晶體管c.基區(qū)電子的擴散和復合非平衡少子在基區(qū)復合，形成基極電流IBIB非平衡少子向集電結擴散––2.1晶體管非平衡少子到達集電區(qū)d.集電區(qū)收集從發(fā)射區(qū)擴散過來的電子形成發(fā)射極電流ICICIB––2.1晶體管少子漂移形成反向飽和電流ICBOe.集電區(qū)、基區(qū)少子相互漂移集電區(qū)少子空穴向基區(qū)漂移ICBO基區(qū)少子電子向集電區(qū)漂移ICIB––2.1晶體管發(fā)射結回路為輸入回路，集電結回路為輸出回路基極是兩個回路的公共端，稱這種接法為共基極接法

輸入回路輸出回路+2)三極管的電流分配––2.1晶體管定義稱為共基極直流電流放大系數ICBOICIB––2.1晶體管各電極電流之間的關系

IE=IC+IB

ICBOICIB––2.1晶體管晶體管共射極接法原理圖電路圖IBICICBO––––2.1晶體管定義為共射極直流電流放大系數當UCE>UBE時，集電結反偏，發(fā)射結正偏，晶體管仍工作于放大狀態(tài)。IBICICBO–––2.1晶體管各電極電流之間的關系：ICEO稱為穿透電流IBICICBO–––2.1晶體管或的關系與一般情況2.1晶體管如果

UBE

>0，那么

IB>0，

IC>0，

IE>0

當輸入回路電壓U

'BE=UBE+

UBE那么I

'B=IB+

IBI

'C=IC+

ICI

'E=IE+

IE如果

UBE

<0，那么

IB<0，

IC<0，

IE<0

3）晶體管的放大作用IBICICBO___2.1晶體管為共射極交流電流放大系數定義一般可以認為為共基極交流電流放大系數的關系與2.1晶體管2.發(fā)射結正向偏置、集電結正向偏置——飽和狀態(tài)（2）IC

bIB，IB失去了對IC的控制（1）UCB≤0飽和狀態(tài)的特點:（3）集電極飽和電壓降UCES較小，小功率硅管為0.3~0.5V

2.1晶體管（5）UCE對IC的影響大，當UCE增大，IC將隨之增加（4）飽和時集電極電流2.1晶體管（2）IC=ICBO3.發(fā)射結反向偏置、集電結反向偏置——截止狀態(tài)截止狀態(tài)的特點:（3）IB=－ICBO（1）IE=02.1晶體管1.共射極輸入特性

共射極輸入特性三極管共射極接法2.1.3晶體管共射極接法的伏安特性曲線uCE=0VuCE≥1V2.1晶體管a.

輸入特性是非線性的，有死區(qū)b.

當uBE不變，uCE從零增大時，iB將減小輸入特性的特點:c.

當uCE≥1V，輸入特性曲線幾乎重合在一起，

即uCE對輸入特性幾乎無影響uCE=0VuCE≥1V2.1晶體管2.共射極輸出特性

輸出特性曲線飽和區(qū)截止區(qū)放大區(qū)iB=20μA0406080100246801234iC/mAuCE/V2.1晶體管各區(qū)的特點a.飽和區(qū)(a)UCE≤UBE(b)IC＜βIB(c)UCE增大，IC

增大飽和區(qū)2.1晶體管輸出特性曲線飽和區(qū)iB=20μA0406080100246801234iC/mAuCE/Vc.

截止區(qū)(a)IB≈0(b)IC≈0b.

放大區(qū)(a)UCE>UBE(b)IC=βIB(c)IC與UCE無關飽和區(qū)放大區(qū)2.1晶體管輸出特性曲線飽和區(qū)iB=20μA0406080100246801234iC/mAuCE/V截止區(qū)3.NPN管與PNP管的區(qū)別iB、uBE、iC、iE、uCE的極性二者相反NPN管PNP管2.1晶體管4.硅管與鍺管的主要區(qū)別c.鍺管的ICBO比硅管大a.死區(qū)電壓約為硅管0.5V鍺管0.1Vb.導通壓降|uBE|約為鍺管0.3V硅管0.7V2.1晶體管【例】電路如圖所示，晶體管導通時UBE＝0.7V，

。當UI=-2V、2V

IB=0，IC=0，UCE=VCC

和6V時，試判斷晶體管的工作狀態(tài)。

【解】（1）當UI=-2V時，發(fā)射結反向偏置，晶體管處于截止狀態(tài)（2）當UI=2V時，因為2.1晶體管晶體管處于放大狀態(tài)（3）當UI＝6V時，因為晶體管處于飽和狀態(tài)2.1晶體管1.直流參數（3）集電極——基極間反向飽和電流ICBO

（4）集電極——發(fā)射極間反向飽和電流ICEO

2.1.4晶體管的主要電參數（1）共基極直流電流放大系數（2）共射極直流電流放大系數2.1晶體管2.交流參數(1)共基極交流電流放大系數α

β值與iC的關系曲線(2)共射極交流電流放大系數β

iCOβ2.1晶體管3.極限參數(4)集電極最大允許電流ICM(1)集電極開路時發(fā)射極——基極間反向擊穿電壓U(BR)EBO

(2)發(fā)射極開路時集電極——基極間反向擊穿電壓U(BR)CBO

(3)基極開路時集電極——發(fā)射極間反向擊穿電壓U(BR)CEO

2.1晶體管2.1.5

溫度對晶體管參數的影響

（1）對β的影響（2）對ICBO的影響（3）對UBE的影響（4）溫度升高，管子的死區(qū)電壓降低2.1晶體管1．用途擴音機的結構示意圖放大器直流電源話筒

輸入揚聲器輸出將微弱的電信號不失真地放大到負載所需的數值2.2共射極放大電路的組成及工作原理2.2.1放大電路概述

話筒把語音信號轉換為電信號，其輸出電壓大約是幾毫伏到幾十毫伏放大器直流電源話筒

輸入揚聲器輸出2.2共射極放大電路的組成及工作原理放大器直流電源話筒

輸入揚聲器輸出

放大器將話筒輸出的微弱的電信號放大到幾伏至幾十伏，并有足夠大的驅動功率，驅動揚聲器工作。2.2共射極放大電路的組成及工作原理放大器直流電源話筒

輸入揚聲器輸出揚聲器把放大器輸出的電信號又還原為語音信號放大器驅動揚聲器的功率遠遠大于話筒的輸出功率2.2共射極放大電路的組成及工作原理放大器直流電源話筒

輸入揚聲器輸出增加的能量從哪來的呢？2.2共射極放大電路的組成及工作原理放大器直流電源話筒

輸入揚聲器輸出

放大器不可能產生能量，它只能在話筒輸出信號的控制下，把直流電源的能量轉換為負載需要的能量。

放大電路的作用實質上是一種能量控制作用2.2共射極放大電路的組成及工作原理2．放大電路的主要性能指標

放大器性能指標測量原理方框圖被測放大電路負載正弦波信號源+?直流電源+?++??2.2共射極放大電路的組成及工作原理(1)放大倍數A

··電流放大倍數Ai·互阻放大倍數

Ar

互導放大倍數Ag

·電壓放大倍數Au

·+?直流電源+?++??2.2共射極放大電路的組成及工作原理(2)輸入電阻Ri

Ri越大，Ui也就越大，電路的放大能力越強a.由于b.Ri越大，輸入電流ii越小，信號源的負載越小Ri+?直流電源+?++??2.2共射極放大電路的組成及工作原理(3)輸出電阻Ro

a.求輸出電阻Ro的方法被+–測放大電路直流電源+–Ro+?直流電源+?++??2.2共射極放大電路的組成及工作原理即Ro越小，輸出電壓越穩(wěn)定，電路帶負載能力越強由圖可知b.Ro對輸出電壓的影響當時，+?直流電源+?++??2.2共射極放大電路的組成及工作原理一種測量Ro的方法—帶負載時的輸出電壓—負載開路時的輸出電壓式中+?直流電源+?++??2.2共射極放大電路的組成及工作原理(4)全諧波失真度D

(5)動態(tài)范圍UoppUopp也稱為最大不失真輸出電壓的峰—峰值即諧波電壓總有效值與基波電壓有效值之比使輸出電壓uo的非線性失真度達到某一規(guī)定數值時的uo的峰—峰值2.2共射極放大電路的組成及工作原理(6)頻帶寬度fbw相頻特性由得幅頻特性相頻特性曲線90_o180_o225_o270_o135_ofbwfφ幅頻特性曲線fLfHffbw·2.2共射極放大電路的組成及工作原理不畫電源符號，只寫出電源正極對地的電位2.2.2

共射極放大電路的組成及其工作原理2.2共射極放大電路的組成及工作原理最基本的共射極放大電路稱為固定偏置得共射極放大電路2.2共射極放大電路的組成及工作原理（5）

放大電路的兩種工作狀態(tài)靜態(tài)——當輸入信號為零時電路的工作狀態(tài)靜態(tài)時放大電路中只有直流分量動態(tài)——有輸入信號時電路的工作狀態(tài)動態(tài)時電路中的信號為交、直流混合信號2.2共射極放大電路的組成及工作原理(6)不同書寫體字母的含義UBE、

IB——大寫字母，大寫下標，表示直流量ube、ib——小寫字母，小寫下標，表示交流信號uBE、iB——小寫字母，大寫下標，表示交、直流混合量Ube、Ib——大寫字母，小寫下標，表示交流分量有效值2.2共射極放大電路的組成及工作原理靜態(tài)分析就是通過放大電路的直流通路求解靜態(tài)工作點值IBQ、ICQ、UCEQ等，也稱為Q點值。直流通路2.3放大電路的靜態(tài)分析2.3.1圖解法在放大電路靜態(tài)分析中的應用1.輸入回路列寫輸入回路方程VCC=iBRB+uBE求解靜態(tài)工作點的常用方法圖解法估算法2.3放大電路的靜態(tài)分析直流負載線與晶體管輸入特性曲線的交點，即為放大電路的輸入回路的靜態(tài)工作點Qi在iB—uBE坐標系中表示是一條直線稱為輸入回路的直流負載線VCC=iBRB+uBE方程PK三極管輸入特性曲線直流負載線OiBuBE2.3放大電路的靜態(tài)分析2.輸出回路VCC=iCRC+uCE輸出回路方程稱為輸出回路的直流負載線MN直流負載線輸出特性曲線

直流負載線與晶體管輸出特性曲線的交點，即為放大電路的輸出回路的靜態(tài)工作點Qo在iC—uCE坐標系中也是一條直線iCOuCE2.3放大電路的靜態(tài)分析UCEQ=VCC－ICQRC式中，|UBEQ|凡硅管可取為0.7V、鍺管0.3V由輸入回路方程VCC=iBRB+uBE得2.3.2估算法在放大電路靜態(tài)分析中的應用

2.3放大電路的靜態(tài)分析2.4放大電路的動態(tài)分析

放大電路的動態(tài)分析就是在放大電路的靜態(tài)值確定之后，分析交流信號的傳輸情況，考慮的只是電流和電壓的交流分量，確定放大電路的電壓放大倍數Au、輸入電阻Ri和輸出電阻Ro等性能指標。分析方法：圖解法、微變等效電路法設輸入信號ui=UimsinwtV2.4.1放大電路的動態(tài)分析法——圖解法2.4放大電路的動態(tài)分析1.當RL=∞時在輸入回路uBE=UBEQ+uiuBE波形圖tO（1）信號的傳遞過程2.4放大電路的動態(tài)分析iB的波形圖uBE波形圖已知QabtOOtOa.iB的形成過程2.4放大電路的動態(tài)分析abtMNOOtiB1iB2b.輸出信號已知Q已知iBuCE波形圖iC波形圖輸出電壓uoOuCE=VCC-iCRC2.4放大電路的動態(tài)分析2.4放大電路的動態(tài)分析(2)非線性失真uBE波形圖ab已知QiB1iB2iB的波形圖a.輸入波形OttOO1）如果靜態(tài)工作點Q太低abiB1iB2已知Q已知iBuCE波形圖iC波形圖輸出電壓b.輸出波形截止失真tMNOOtOuCE=VCC-iCRC2.4放大電路的動態(tài)分析OtOtOuBE波形圖ab已知QiB1iB2iB的波形圖a.輸入波形2)如果靜態(tài)工作點Q太高2.4放大電路的動態(tài)分析abiB1iB2已知Q已知iBuCE波形圖iC波形圖b.輸出波形輸出電壓飽和失真tMNOOtO2.4放大電路的動態(tài)分析OtOtOuBE波形ab已知QiB1iB2iB的波形a.輸入波形(3)如果輸入信號太大2.4放大電路的動態(tài)分析abiB1iB2已知Q已知iBuCE波形iC波形b.輸出波形tMNOOtO2.4放大電路的動態(tài)分析（忽略UCES和ICBO）(3)放大電路的動態(tài)范圍a.如果UCEQ=ICQRC=VCC/2iB波形iB1iB2iB3uo1uo2uo3輸出波形=2ICRCUopp=2U