模擬電路基礎(chǔ)教程部分習(xí)題答案_第1頁
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文檔簡介

2.3.1(1);(2)導(dǎo)通;(4);(5);(6);(7)。2.3.2(1);(2);(3)。2.3.3(1)導(dǎo)通;(3);(4)。2.3.4(a)不通;(b)導(dǎo)通;(c)不通。2.3.5(a);(b);(c)。2.3.6(2-a);(2-b)。2.3.7(a-1),V;(b-1),(c-1),(d-1),2.3.8(a-1),;(b-1),2.3.13(1)4.65mA;(2);(2)。2.3.14(1),;(2);(3)2.4.1(1);(2);(3)不能穩(wěn)壓。2.4.2(2);(3)不能。2.4.32.4.42.4.5(2),,3.1.3發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏;都成立3.1.4PNP型3.1.5均是流出方向3.1.6正偏;反偏3.2.1輸入、輸出;基極、發(fā)射極;集電極、發(fā)射極;輸入、輸出3.2.3QUOTEUC3.2.4低,高。3.2.4+1對于PNP管,;對于NPN管,3.2.5A:2.8V→b,2.1V→e,8V→c,硅,NPN;B:3.0V→b,2.7V→e,7.2V→c,硅,NPN;C:3.0V→c,7.5V→b,8.2V→e,鍺,PNP;D:7.0V→b,2.0V→c,7.3V→e,鍺,PNP;3.2.6發(fā)射極,基極,集電極;NPN型3.2.7截止、放大、飽和三種狀態(tài);對應(yīng)的電壓為:發(fā)射結(jié)反偏;發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏;發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)正偏3.2.8飽和狀態(tài)下3.2.9放大狀態(tài)下3.2.10開路模型對應(yīng)于截止?fàn)顟B(tài);恒壓源模型對應(yīng)于放大和飽和狀態(tài)3.2.12截止與飽和狀態(tài);放大狀態(tài)3.2.143.2.15按截止、放大、飽和的順序分析;截止?fàn)顟B(tài);不是截止?fàn)顟B(tài);3.2.16和發(fā)射結(jié);、、;放大狀態(tài)3.2.17,;;,,,3.2.18;,3.2.19,,3.2.203.2.213.2.22,3.2.23,3.2.29使合理3.2.30兩種情況均可能3.2.31(1)、(2)、(3)不安全,(4)安全3.3.123.3.133.3.14對,因?yàn)锽JT的電壓和電流都是單極性的,只有在一定的直流分量條件下,才能通過波動(dòng)的形式對交流信號產(chǎn)生響應(yīng)。3.3.17基極和發(fā)射極兩個(gè)位置。3.4.2因?yàn)閷⒃斐桑筨e結(jié)電壓小于死區(qū)電壓,導(dǎo)致靜態(tài)電流全部為零。3.4.33.4.53.4.73.4.8:得到恰當(dāng)?shù)幕鶚O電流和集電極電流;:得到恰當(dāng)?shù)募?射極電壓。3.4.9造成輸入信號短路的電路:(a)和(d);沒有基極靜態(tài)電流的電路:(b)和(e);造成BJT燒壞的電路:(a);極性接錯(cuò)的電路:(c)和(e);沒有放大電壓的電路:(f)。3.4.10(a);(b);(c),;(d);(e);(f)。3.4.11(a),,;(b);(c);(d)減小使Q點(diǎn)右移;(e)。3.4.12(a)減小或增加會(huì)使變大;(b)增加會(huì)使輸入阻抗變大;(c)增加會(huì)使輸出阻抗變大;(d)和變化將導(dǎo)致變化,變化將導(dǎo)致最大不失真輸出電壓幅度變化。3.4.143.4.15(a)通過調(diào)節(jié)或減小數(shù)值;(b)通過調(diào)節(jié)或增加數(shù)值;(c)減小輸入信號或增加。3.4.16僅僅需要改變的極性。3.4.18(a),;(b)當(dāng)做電壓源處理。3.4.19(a)正確。(b)正確。3.4.20(a)共射極放大電路,;(b),。3.5.1對。3.5.2輸入阻抗遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于負(fù)載阻抗;輸出阻抗遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于信號源內(nèi)阻;阻抗變換;(自行總結(jié))。3.5.4(a)共集電極組態(tài);(b),,。3.5.5。3.5.6(a):CE,:CB;(b):CE,:CE;(c):CC,:CE;(d):CC,:CB;3.5.7(1)d和e輸入阻抗較大;(2)c輸入阻抗較小;(3)e源電壓放大倍數(shù)最大。3.5.8(a),,;(b),,(c),。3.6.1,,。3.6.2,,。3.7.1,。3.7.24-1-1JFET輸入電阻更大,因?yàn)樗臇艠O是處于反偏狀態(tài),JFET適用于電壓控制信號,BJT適用于電流控制信號。4-1-2是PN結(jié)結(jié)構(gòu),不能正偏,BJT必須正偏。4-1-3(a)P溝道;(b)N溝道;箭頭表示可以形成電流的方向。4-2-1(1)結(jié)型、絕緣柵型、結(jié)型場效應(yīng)管。(2)柵極處于不導(dǎo)電狀態(tài)。(4)跨導(dǎo)、gm4-2-2(a)N溝道耗盡型MOSFET;(b)N溝道耗盡型JFET;(c)P溝道增強(qiáng)型MOSFET;(d)P溝道耗盡型JFET;(e)P溝道耗盡型MOSFET;(f)N溝道增強(qiáng)型MOSFET;4-2-3(a)N溝道增強(qiáng)型MOSFET;(b)N溝道耗盡型MOSFET;(c)P溝道耗盡型JFET;(d)P溝道耗盡型MOSFET;(e)N溝道耗盡型JFET;(f)P溝道增強(qiáng)型MOSFET;4-3-1可以。耗盡型FET在沒有柵源電壓時(shí)可以形成漏極電流,可以利用該電流來設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)UGSQ4-3-2(a)因?yàn)閁DS(b)因?yàn)閁GS(c)因?yàn)閁GS(d)因?yàn)閁GS4-3-3(a)不能。因?yàn)镴FET的柵源電壓UGS是處于正偏,應(yīng)把R(b)不能。柵極缺少上拉電阻,無法實(shí)現(xiàn)UGS>UT的要求。應(yīng)在4-3-4(1)RS增加,導(dǎo)致UGS減小,gm減小,Au下降。(2)CS開路后,uGS電壓減小,Au下降。R4-3-5Au=?5,R4-3-7(1)(a)共源極放大電路;(b)共漏極放大電路;(c)共柵極放大電路。(2)4-3-8(1)R1=2KΩ(2)R(3)Au=gmRd4-3-9(1)AuRi4-3-10IDQ=0.22mA,4-3-11(1)R(2)VGS4-3-13VT1為共漏極組態(tài);VT2為共射極組態(tài);Au=?β4-3-14(1)(2)uo5.2.5(1);(2)。5.2.6(1);。(2);(3);(4),。5.2.7(1),;(2)(3),。5.2.8(1),;(2)5.2.9(1);(2))、、;(3),。5.2.10(1),,;(2),;(3),。5.2.11,,。5.2.12、、,。5.2.13(1);(2)、,。5.2.14(1),,,,,;(2);(3);(4)。5.3.1(2)。5.3.2。5.3.3 ,。5.3.4。習(xí)題參考答案6.3.3(1)4.5W;(2)0.9W;(3)24V6.3.4(1)12.25W,10.04W,22.29W,54.96%;(2)25W,6.85W,31.85W,78.5%6.3.5(1)(2),令,得時(shí)管耗最大,相應(yīng)的效率為50%。6.3.6(1)輸出電流的峰值為:IL=(VCC-VCES)/(R+RL)≈6/106=56.6mA,最大負(fù)載功率為Pom=IL2RL/2=0.16W;(2)R為直流負(fù)反饋電阻,可使輸出點(diǎn)直流電位基本恒定;此外,R還起到平衡輸入電阻以及負(fù)載短路下的限流作用。6.4.1(1)T1和T2組成互補(bǔ)功放電路,T3為輸入放大管,D1、D2為)T1、T2提供靜態(tài)偏置,消除交越失真;(2)靜態(tài)時(shí)(即vi=0),負(fù)載兩端輸出電壓為零;(3)|V(BR)CEO|≥2VCC=18V,ICM≥VCC/RL=2.25A,PCM≈0.2Pomax=0.9W;(4)Pomax=(VCC-VCES)2/2RL=4.5W,PV=(2·Vom·VCC)/(π·RL)=8.598W,η=Pomax/PV=52.3%。6.4.2(1)靜態(tài)時(shí)A點(diǎn)電位為零,若不能滿足要求,一般可調(diào)節(jié)電阻R3。(2)(3)(4),每管管耗為:(5)T2和T3的參數(shù)應(yīng)滿足以下條件:6.4.3(1)A點(diǎn)電位應(yīng)為VCC/2,若不能滿足要求,一般可調(diào)節(jié)電阻R1。(2)各波形如下圖所示:(3)C2、R3組成自舉電路,當(dāng)正半周輸出時(shí),可提高A點(diǎn)電位,以消除輸出正峰的失真,從而提高輸出功率。電阻R3不能省略,沒有R3將失去自舉作用。R4不能省略,否則互補(bǔ)管輸出信號會(huì)產(chǎn)生交越失真。C3不能省略,其容量應(yīng)盡量取得大些,如無C3,T3管將不能工作,C3兩端的電壓等于VCC/2。(4)6.4.4(1)(2),檢驗(yàn)晶體管參數(shù)是否滿足要求:故最大輸出功率受器件Icm的限制不能為0.945W,應(yīng)為(3)由上述計(jì)算可以看出:當(dāng)D1開路時(shí)功率管將因管耗過大而損壞。6.4.5(1)R1、R2和T3組成“VBE擴(kuò)大電路”。T3集電極與發(fā)射極間電壓VCE3為互補(bǔ)對稱輸出電路提供偏置電壓,來克服輸出波形中交越失真的問題。由于T3的VBE3基本上是固定值(0.6~0.7V),若能使流過電阻R1、R2的電流遠(yuǎn)大于基極電流IB3,則因此,可通過調(diào)節(jié)電阻R1、R2的比值,來調(diào)節(jié)VCE3,進(jìn)而調(diào)節(jié)功率管的工作狀態(tài)。(2)恒流源I為T1和T2管的有源負(fù)載,可提高本級的電壓放大倍數(shù)。(3)當(dāng)正向電流過大時(shí),VR3增大使D1導(dǎo)通,此時(shí)送到T4的基極電流將有一部分經(jīng)D1旁路,從而使T4的輸出電流受到限制。同理,當(dāng)負(fù)向電流過大時(shí),D2導(dǎo)通,將T5基極電流的一部分經(jīng)D2旁路,限制了T5和T6的電流,故D1、D2起到了過載保護(hù)作用。6.4.6改動(dòng)后的電路如下圖所示:其中D1和D2是T2和T3的偏置二極管,可消除輸出信號的交越失真;D3和D4是T2和T3的保護(hù)電路;C3和R6是自舉電路,也可省掉C3和R6,而將RL接在R6的位置。6.5.1(1),晶體管的參數(shù)可按以下選擇:(2)(3)6.5.2(1)輸出三極管構(gòu)成射隨器,a和e同相,而b和e反相。故電阻Rf的任意一端與輸出相連,如d點(diǎn)和e點(diǎn)相連,而電阻Rf的另一端則與輸出的反相端相連,即c點(diǎn)與b點(diǎn)相連。(2)(3)6.5.3(1)VREF=VCC/2=7.5Vvo1=vo2=7.5V(2)最大輸出功率和效率分別為(3)輸入電壓有效值6.5.4(1)Av1=2.5,Av2=-2.5;(2);(3)Vip=4.8V7.1.1(1)線性;(2)加法、減法、差分;(3)反相比例運(yùn)算電路;(4),1;(5)同相比例運(yùn)算電路、反相比例求和電路、電容;(6);(7)反相積分電路;(8)三角波。7.1.2同相輸入端和反相輸入端。7.1.3。7.1.4。7.1.5。7.1.6(1)A1同相比例,A2電壓跟隨器,A3反相求和電路;(2)。7.1.7。7.1.9(a)(b)(c)(d)。7.1.10。7.1.11。7.1.12(1),反相器;(2)。7.1.15(a);(b);(c);(d)。7.1.16,。7.1.17A1同相比例,A2反相比例,A3反相求和電路;,,。7.3.11V。7.3.20.5V。7.3.3(a)過零比較器;(b)滯回比較器。7.3.40V,4V。7.3.5。7.3.3(a);(b)。答案8.1.1(1)正向傳輸,反向傳輸,反饋網(wǎng)絡(luò),閉環(huán);(2),,,,;(3)負(fù)反饋,正反饋,自激;(4)反饋系數(shù),;(5)負(fù)反饋,正反饋;(6)降低,增加,降低,增加,降低。8.1.2(1)A(2)B(3)C(4)D(5)B(6)A8.1.3(1)×(2)×(3)√(4)×8.2.1(a)正反饋;(b)電流并聯(lián)負(fù)反饋;(c)電壓并聯(lián)負(fù)反饋。8.2.2(a)直流負(fù)反饋。(b)直流負(fù)反饋。(c)交、直流負(fù)反饋。(d)交、直流負(fù)反饋。(e)通過R3和R7引入直流負(fù)反饋,通過R6引入直流負(fù)反饋,通過R4引入交、直流負(fù)反饋。8.3.1(a)電壓并聯(lián)負(fù)反饋,減小,減??;(b)電流并聯(lián)負(fù)反饋,減小,增加;(c)電壓串聯(lián)負(fù)反饋,增加,減??;(d)電流串聯(lián)負(fù)反饋,增加,增加;8.4.1(a)負(fù)反饋,電壓并聯(lián)負(fù)反饋,交直流,;(b)正反饋,交直流。8.4.2(a)正反饋,交直流;(b)電流串聯(lián)負(fù)反饋,交直流。8.4.3一級負(fù)反饋,電壓并聯(lián)負(fù)反饋,二級電壓并聯(lián)負(fù)反饋,級間為電壓串聯(lián)負(fù)反饋。8.4.4(1)負(fù)反饋(2)電流串聯(lián)負(fù)反饋(3)8.4.5(1)負(fù)反饋(2)電壓串聯(lián)負(fù)反饋(3)8.4.6(1)(2)負(fù)反饋(3)電壓串聯(lián)負(fù)反饋(4)8.4.7(a)電流并聯(lián)負(fù)反饋,,(b)電壓串聯(lián)負(fù)反饋,,(c)電壓串聯(lián)負(fù)反饋,,(d)電壓串聯(lián)負(fù)反饋,,8.4.9串聯(lián)負(fù)反饋,根據(jù)虛短9.1.1帶通濾波電路(2)帶通濾波電路(3)低通濾波電路(4)有源濾波電路(5)低通濾波電路(6)帶阻濾波電路(7)有源二階帶阻濾波電路(8)線性(9)0.707(10)=(11)直流電壓放大倍數(shù)9.1.2(1)一階低通濾波器(2)一階高通濾波器(3)二階低通濾波器(4)二階高通濾波器(5)二階帶阻濾波器(6)二階帶通濾波器9.1.7一階高通。9.1.8一階高通和低通連成二階BPF。9.1.9帶阻濾波器。9.1.109.2.1一象限全正,二象限,,三象限,,四象限,。9.2.2(1)上負(fù)下正;(2)。9.2.3。9.2.4。9.2.5(1)根據(jù)已知條件,故上為負(fù)下為正。(2)9.2.69.3.11V。9.3.20.5V。9.3.3(a)過零比較器;(b)滯回比較器。9.3.40V,4V。9.3.5。9.4.1(1)√;(2)×;(3)×;(4)√;(5)×;(6)√;(7)×;(8)√;(9)×;(10)√。9.4.2(1)阻性,容性,感性;(2)阻性,感性,容性;(3)阻性。9.4.3正弦波振蕩電路產(chǎn)生自激振蕩條件,。9.4.4(a)斷開反饋輸入在發(fā)射極,輸出在集電極,為共基極放大電路,上負(fù)下正。在變壓器反饋式正弦波振蕩電路中,變壓器原、副邊線圏的繞向必須與放大電路輸出和輸入的相位關(guān)系相匹配,才能滿正弦波振蕩的相位條件。(b)中放大電路的直流通路中晶體管的基極和集電極短路,交流通路中晶體管的集電極和發(fā)射極短路,因面不但靜態(tài)工作點(diǎn)不合適,而且輸出交流信號恒為零。不能產(chǎn)生正弦以振蕩。9.4.5(a)能;(b)不能;(c)不能;(d)能。9.4.6文氏橋正弦波發(fā)生電路,過零比較器,反相積分器,滯回比較器。9.4.7≥。9.4.8⑧連③,⑨連④,⑤連④,⑥連①,⑦連②。9.4.9(1),若電位器調(diào)至最大,則若電位器調(diào)至0,則,若電位器調(diào)至最大,則若電位器調(diào)至0,則,若電位器調(diào)至最大,則若電位器調(diào)至

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