1.某物質(zhì)的晶體中含有A、B、C三種元素，其排列方式如圖所示(其中前后兩面面心中的B元素的原子未能畫出)。則晶體中A、B、C的原子個數(shù)比為()A．1∶3∶1 B．2∶3∶1C．2∶2∶1 D．1∶3∶32．鐵有δ、γ、α三種晶體結(jié)構(gòu)，以下依次是δ、γ、α三種晶體的晶胞在不同溫度下轉(zhuǎn)化的示意圖。下列有關(guān)說法不正確的是()A．每個δ-Fe晶胞中有2個鐵原子B．γ-Fe晶體中與每個鐵原子距離相等且最近的鐵原子有12個C．每個γ-Fe晶胞中含有14個鐵原子D．將鐵加熱到1500℃分別急速冷卻和緩慢冷卻，得到的晶體類型不相同3.我國科學家合成了富集11B的非碳導熱材料立方氮化硼晶體，晶胞結(jié)構(gòu)如圖。下列說法正確的是()A．11BN和10BN的性質(zhì)無差異B．該晶體具有良好的導電性C．該晶胞中含有14個B原子，4個N原子D．N原子周圍等距且最近的N原子數(shù)為124.如圖為高溫超導領(lǐng)域里的一種化合物(鈣鈦礦)結(jié)構(gòu)中的最小重復單元。該化合物中，每個鈦離子周圍與它最接近且距離相等的鈦離子有a個，元素氧、鈦、鈣的原子個數(shù)比為b。則a、b是()A．6,3∶1∶1 B．24,10∶8∶1C．12,5∶4∶1 D．3,3∶2∶15．螢石是制作光學玻璃的原料之一，其主要成分氟化鈣的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說法錯誤的是()A．Ca位于元素周期表s區(qū)B．每個Ca2＋周圍距離最近且等距的F－有4個C．F－位于Ca2＋構(gòu)成的四面體空隙D．基態(tài)氟原子核外電子的原子軌道有4種伸展方向6．鉛磷青銅具有很高的耐腐蝕性和耐磨性，常用于制作耐磨零件和滑動軸承。如圖為鉛磷青銅的一種晶胞結(jié)構(gòu)，已知A點原子的分數(shù)坐標為(0,0,0)，B點原子的分數(shù)坐標為(1,1,0)。下列說法不正確的是()A．該晶胞的化學式為PbCu3PB．C點原子的分數(shù)坐標為(0.5,0.5,1)C．晶胞中，Pb位于第六周期第ⅣA族，Cu屬于第ⅠB族位于d區(qū)D．晶體中基態(tài)磷原子的核外電子共有9種空間運動狀態(tài)7．(2023·重慶模擬)氮化鈦晶體的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，該晶胞中N、N之間的最近距離為apm，以晶胞邊長為單位長度建立坐標系，原子A的坐標參數(shù)為(0,0,0)，下列說法錯誤的是()A．原子B的坐標參數(shù)為(eq\f(1,2)，eq\f(1,2)，0)B．晶胞邊長是eq\r(2)apmC．該物質(zhì)的化學式為TiND．Ti的配位數(shù)為68．(2023·湖北模擬)銅金合金可作為CO2轉(zhuǎn)化為碳氫化合物的催化劑，如圖是一種銅金合金的晶胞結(jié)構(gòu)圖。下列說法正確的是()A．該晶胞的體積為a3×10－36cm3B．Au和Cu原子數(shù)之比為3∶1C．與Au最鄰近的Cu原子數(shù)為12D．Au和Cu之間的最短距離為eq\f(1,2)apm9．四氫鋁鈉(NaAlH4)是有機合成中重要的還原劑，晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。已知NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法錯誤的是()A．基態(tài)Al原子核外電子云輪廓圖呈球形、啞鈴形的能級上電子數(shù)之比為6∶7B．AlHeq\o\al(－,4)的空間結(jié)構(gòu)為正四面體形C．AlHeq\o\al(－,4)的配位數(shù)為4D．該晶體的密度為eq\f(108×1021,NA×a3)g·cm－310．(2023·河北保定模擬)我國科學家研究出一種磷化硼納米顆粒作為高選擇性CO2電化學還原為甲醇的非金屬電催化劑，磷化硼晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞的棱邊邊長為anm，NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，下列說法錯誤的是()A．磷化硼晶體中共價鍵與配位鍵的數(shù)目之比為4∶1B．若氮化硼與磷化硼具有相似的結(jié)構(gòu)，則BN的熔點比BP高C．磷化硼晶體中，每個硼原子周圍緊鄰且距離相等的硼原子共有4個D．磷化硼晶體密度為eq\f(1.68×1023,NA×a3)g·cm－311．(2023·遼寧阜新實驗中學?？寄M)砷化鎵是一種立方晶系如圖甲所示，將Mn摻雜到晶體中得到稀磁性半導體材料如圖乙所示，砷化鎵的晶體密度為ρg·cm－3。下列說法錯誤的是()A．1mol砷化鎵中配位鍵的數(shù)目是NAB．摻入Mn的晶體中Mn、Ga、As的原子個數(shù)比為5∶26∶32C．沿體對角線a→b方向投影圖如丙，若c在11處，則As的位置為7、9、11、13D．該晶體中距離最近的兩個鎵原子之間的距離為eq\f(\r(2),2)×eq\r(3,\f(580,ρNA))×1010pm12．(2023·武漢華中師大一附中?？寄M)CsPbBr3納米晶體作為新一代光電半導體材料，已被廣泛應(yīng)用于光電子器件領(lǐng)域。CsPbBr3的晶胞為ABC3立方型，其結(jié)構(gòu)如圖所示。容忍因子t＝eq\f(rA＋rC,\r(2)rB＋rC)(rA、rB和rC分別代表著A、B、C位的離子半徑)，其數(shù)值越接近1，晶體結(jié)構(gòu)越穩(wěn)定。已知t(CsPbBr3)＝0.828。下列說法錯誤的是()A．CsPbBr3晶體中Cs＋和Pb2＋的配位數(shù)均為6B．CsPbBr3晶體中Pb2＋填充在Br－構(gòu)成的正八面體空隙中C．若要提高CsPbBr2晶體的穩(wěn)定性，可用離子半徑略小于Pb2＋的離子取代Pb2＋D．若某ABC3型晶體的容忍因子t＝1，則A、B位的離子均恰好與C位的離子相切13．[2022·山東，16(2)]研究籠形包合物結(jié)構(gòu)和性質(zhì)具有重要意義?；瘜W式為Ni(CN)x·Zn(NH3)y·zC6H6的籠形包合物四方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示(H原子未畫出)，每個苯環(huán)只有一半屬于該晶胞。晶胞參數(shù)為a＝b≠c，α＝β＝γ＝90°。晶胞中N原子均參與形成配位鍵，Ni2＋與Zn2＋的配位數(shù)之比為______；x∶y∶z＝________；晶胞中有d軌道參與雜化的金屬離子是______。14．[2021·全國甲卷，35(4)]我國科學家發(fā)明了高選擇性的二氧化碳加氫合成甲醇的催化劑，其組成為ZnO/ZrO2固溶體。四方ZrO2晶胞如圖所示。Zr4＋離子在晶胞中的配位數(shù)是__________，晶胞參數(shù)為apm、apm、cpm，該晶體密度為__________________g·cm－3(寫出表達式)。在ZrO2中摻雜少量ZnO后形成的催化劑，化學式可表示為ZnxZr1－xOy，則y＝__________(用x表達)。15．[2019·全國卷Ⅰ，35(4)]圖(a)是MgCu2的拉維斯結(jié)構(gòu)，Mg以金剛石方式堆積，八面體空隙和半數(shù)的四面體空隙中