ICS7104050

CCSN.33.

中華人民共和國國家標準

GB/T43610—2023

微束分析分析電子顯微術(shù)

線狀晶體表觀生長方向的透射

電子顯微術(shù)測定方法

Microbeamanalysis—Analyticalelectronmicroscopy—

Methodofdeterminationforapparentgrowthdirectionof

wirelikecrystalsbytransmissionelectronmicroscopy

ISO192142017MOD

(:,)

2023-12-28發(fā)布2024-07-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T43610—2023

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

試樣要求

4…………………2

分析步驟

5…………………2

操作條件的設(shè)置

5.1TEM………………2

數(shù)據(jù)獲取

5.2……………3

晶體方向的確定

5.3……………………4

測定結(jié)果的不確定度

6……………………7

測試報告

7…………………8

附錄資料性六方晶系的米勒指數(shù)與米勒布拉維指數(shù)之間的關(guān)系

A()-………………9

附錄資料性七個晶系的轉(zhuǎn)換矩陣G和G-1

B()………10

附錄資料性金納米棒長軸方向的測定實例

C()………12

附錄資料性測試報告樣本

D()…………18

參考文獻

……………………20

Ⅰ

GB/T43610—2023

前言

本文件按照標準化工作導(dǎo)則第部分標準化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件修改采用微束分析分析電子顯微術(shù)線狀晶體表觀生長方向的透射電

ISO19214:2017《

子顯微術(shù)測定方法

》。

本文件與相比做了下述結(jié)構(gòu)調(diào)整

ISO19214:2017:

對應(yīng)中的

———5.3.1ISO19214:20175.3.1.1;

對應(yīng)中的

———5.3.2ISO19214:20175.3.1.2;

對應(yīng)中的

———5.3.5ISO19214:20175.3.1.3;

附錄對應(yīng)中的附錄

———DISO19214:2017C。

本文件與的技術(shù)差異及其原因如下

ISO19214:2017:

更改了范圍見第章以提高判定的可操作性消除歧義

———(1),,;

用規(guī)范性引用的替換了見第章以適應(yīng)我國的技術(shù)條

———GB/T30703—2014ISO24173(3),

件增加可操作性

,;

更改了術(shù)語線狀晶體的定義見便于對文本內(nèi)容的理解消除歧義

———(3.1),,;

增加了術(shù)語倒易矢量和衍射斑矢量見和便于對文本內(nèi)容的理解消除歧義

———(3.53.6),,;

刪除了特殊情況下的簡化程序要求見中以提升操作過程的準確

———(ISO19214:20175.3.2),

度避免歧義

,;

增加引用了第章以適應(yīng)我國的技術(shù)條件增加可操作性

———GB/T27418—2017(6),,;

更改了不確定度的影響因素增加了計算公式見第章增加可操作性便于本文件應(yīng)用

———,(6),,。

本文件做了下列編輯性改動

:

更改了條文中部分內(nèi)容為注見

———(5.1.4);

更改了入射束方向為B增加了獲取衍射花樣步驟的注便于計算試樣軸傾轉(zhuǎn)角度見

———1,,[

和

5.2.2.2a)e)];

增加了公式中各個參數(shù)的單位見

———(1)(5.2.3);

更改了衍射花樣帶軸指數(shù)的表達為uvw見

———[][5.2.4c)];

更改了晶面指數(shù)的表達為hkl和晶體方向指數(shù)的表達為uvw見

———()[](5.2.5);

更改了圖和圖并刪除了圖的注中的注以及該顆粒是具有六方晶體結(jié)構(gòu)的磷

———12,1、5.3.1a)“

化物見

M2P”(5.3.1、5.3.2);

增加了注見

———[5.2.4b)、5.3.2c)];

增加了金納米棒長軸方向的測定實例見附錄

———(C)。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國微束分析標準化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC38)。

本文件起草單位北京科技大學(xué)

:。

本文件主要起草人權(quán)茂華柳得櫓

:、。

Ⅲ

GB/T43610—2023

引言

線狀晶體包括帶狀晶體是一些新材料特別是納米材料的主要組分也存在于傳統(tǒng)材料中例如鋼

(),,

和合金中的針狀析出物在制備這些材料時控制其微觀結(jié)構(gòu)對提升材料質(zhì)量具有重要意義為了控

。,。

制微觀結(jié)構(gòu)改善相關(guān)材料的服役性能線狀晶體的表觀生長方向或長軸方向是一個關(guān)鍵特征直徑

、,。

或厚度或?qū)挾仍谑畮准{米到一百納米范圍的線狀晶體其表觀生長方向通常用透射電子顯微術(shù)方法

(),

測定

。

Ⅳ

GB/T43610—2023

微束分析分析電子顯微術(shù)

線狀晶體表觀生長方向的透射

電子顯微術(shù)測定方法

1范圍

本文件描述了用透射電子顯微術(shù)測定線狀晶體表觀生長方向的方法

。

本文件適用于通過各種方法制備的所有種類的線狀晶體材料也適用于測定在鋼合金和其他材料

,、

中析出的類似于棒狀或多邊形第二相顆粒的一個軸的方向受透射電子顯微鏡的加速電壓和

。(TEM)

樣品自身等條件的制約本文件適用于直徑或厚度或?qū)挾葹閹资{米到一百納米左右的晶體材料

,()。

本文件不適用于測定折疊扭曲旋轉(zhuǎn)狀態(tài)的線狀晶體

、、。

注在本文件中線狀晶體帶狀晶體針狀第二相顆粒等均屬于廣義上的線狀晶體

:,、、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

微束分析分析電子顯微術(shù)透射電鏡選區(qū)電子衍射分析方法

GB/T18907—2013(ISO25498:

2010,IDT)

測量不確定度評定和表示

GB/T27418