ICS31200

CCSL.55

中華人民共和國國家標準

GB/T43538—2023

集成電路金屬封裝外殼質量技術要求

Qualityandtechnicalrequirementsformetalpackagesusedforintegratedcircuits

2023-12-28發(fā)布2024-07-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T43538—2023

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

技術要求

4…………………5

材料

4.1…………………5

鍍覆

4.2…………………5

設計和結構

4.3…………………………5

電特性

4.4………………5

外觀質量

4.5……………6

環(huán)境適應性

4.6…………………………6

附錄規(guī)范性鍍層質量試驗方法

A()……………………7

鍍金層質量試驗方法

A.1………………7

鍍鎳層質量試驗方法

A.2………………7

附錄規(guī)范性金屬外殼外觀質量要求

B()………………9

質量要求

B.1……………9

檢驗條件

B.2……………29

Ⅰ

GB/T43538—2023

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本文件由全國半導體器件標準化技術委員會歸口

(SAC/TC78)。

本文件起草單位中國電子技術標準化研究院廣東省高智新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院合肥圣達電子科

:、、

技實業(yè)有限公司河北中瓷電子科技股份有限公司青島凱瑞電子有限公司廣東省中紹宣標準化技術

、、、

研究院有限公司深圳市淐樾科技有限公司

、。

本文件主要起草人安琪黃志剛胡海濤趙靜陳祥波崔從俊常守生

:、、、、、、。

Ⅲ

GB/T43538—2023

集成電路金屬封裝外殼質量技術要求

1范圍

本文件規(guī)定了集成電路金屬封裝外殼的材料鍍覆設計和結構電特性外觀質量及環(huán)境適應性等

、、、、

方面的技術要求和檢驗方法

。

本文件適用于集成電路金屬封裝外殼以下簡稱外殼的研制生產(chǎn)交付和使用

(“”)、、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分快速溫度變化雙液

GB/T4937.11—201811:

槽法

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分鹽霧

GB/T4937.13—201813:

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分引出端強度引線牢固

GB/T4937.14—201814:(

性

)

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分可焊性

GB/T4937.21—201821:

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分鍵合強度

GB/T4937.22—201822:

封裝引線間電容和引線負載電容測試方法

GB/T16526

封裝引線電阻測試方法

GB/T19248

金屬鍍覆層厚度測量方法

SJ20129

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分密封

IEC60749-8:20028:(Semiconductor

devices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part8:Sealing)

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分溫度循環(huán)

IEC60749-25:200325:(Semiconductor

devices—Mechanicalandclimaticte