中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝市場(chǎng)占有率、格局及市場(chǎng)空間進(jìn)展趨勢(shì)分析規(guī)律芯片、微處理器。件的功能。2018年，我國(guó)集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)銷售額為2519.3億元，較上年同期增長(zhǎng)26.1%有所回落。隨著5G時(shí)代的到來(lái)，物聯(lián)網(wǎng)、通信對(duì)射頻器件的需求不斷放大，推動(dòng)射頻器件進(jìn)入快速進(jìn)展時(shí)期。依據(jù)調(diào)查數(shù)據(jù)報(bào)告，整個(gè)射頻器件市場(chǎng)規(guī)模從 2017年的2023350614%。濾波器作80202322519%。一、模擬芯片IC、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換芯片、各類電源治理及驅(qū)動(dòng)芯片等。58810.8103619.4%，IC61.5%從營(yíng)收規(guī)模看，TIIC從下游應(yīng)用看，模擬IC主要應(yīng)用在網(wǎng)絡(luò)通信、消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)掌握IC201938.5%，24%，工業(yè)掌握領(lǐng)域需求占比19%，消費(fèi)電子領(lǐng)域需求占比10.2%。推測(cè)，到2022年，全球模擬芯片市場(chǎng)規(guī)模可到達(dá)748億美元。其中電源治理IC，專用模擬芯片和信號(hào)轉(zhuǎn)換器組件IC隨著5G時(shí)代的到來(lái)，物聯(lián)網(wǎng)、通信對(duì)射頻器件的需求不斷放大，推動(dòng)射頻器件進(jìn)入快速進(jìn)展時(shí)期。依據(jù)調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，整個(gè)射頻器件市場(chǎng)規(guī)模從 2017年的2023350614%。濾波器作80202322519%。二、存儲(chǔ)芯片2019NANDFlashDRAM格持續(xù)下滑。截至6月28日，2019上半年消費(fèi)類NANDFlash價(jià)格指數(shù)累積跌幅高32%，SSD、eMMC30%，閃存卡產(chǎn)品跌幅甚至高達(dá)35%。20195.1853.1%；8.4078%；SK0.5451%。DRAMNANDFlash/東芝、93%的市場(chǎng)份額。NANDFlash，20199Xtacking64256GbTLC3DNANDDRAM，20198GbLPDDR4正式量產(chǎn)。依據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫的投資規(guī)劃，長(zhǎng)江存儲(chǔ)一期產(chǎn)品為3DNAND，估量到203010020192/月，2020202117nnAI、數(shù)據(jù)中心、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等多領(lǐng)域應(yīng)用持續(xù)放大，2017-2021，DRAM20%，NAND40-45%。三、規(guī)律芯片F(xiàn)PGA——現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列，是指一切通過(guò)軟件手段更改、配置器件內(nèi)部連接ASICDSP，F(xiàn)PGA可隨便定制內(nèi)部規(guī)律的陣列，并且可以在用戶現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)展即時(shí)編程，以修改內(nèi)部的硬ASICDSPFPGAXilinx〔Altera〕的雙寡頭壟斷。2018Xilinx29〔Altera〕的營(yíng)收為21億美元，兩家公司占據(jù)超過(guò)80%Xilinx與英特爾6000壁壘。45.632018FPGA63.352025，MRFRFPGA125元。從下游應(yīng)用領(lǐng)域看，2017，F(xiàn)PGA心等領(lǐng)域的市場(chǎng)規(guī)模分別為23.5億、13.2億、9.5億、7.4億、4.4億美元。202525.1117.011.3813.1%。四、集成電路—制造需要巨額的研發(fā)投入和資本開支。臺(tái)積電在過(guò)去5年間投資了500億美元用于半導(dǎo)體工藝研發(fā)、生產(chǎn)，2019100了晶圓制造行業(yè)呈現(xiàn)寡頭競(jìng)爭(zhēng)局面，臺(tái)積電一家就占據(jù)行業(yè)50%左右的市場(chǎng)份額。隨著全球集成電路設(shè)計(jì)與制造垂直分工愈加明顯的趨勢(shì)下，全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大。依據(jù)調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，2018642較2017年增長(zhǎng)4.5%。臺(tái)積電的市場(chǎng)份額到達(dá)了53.3%，前5大晶圓代工廠商的市83.1%，較上年有所提升。目前，臺(tái)積電的7納米、7納米增加版制程工藝已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)。依據(jù)其制程規(guī)5，202137EUV53英特爾目前量產(chǎn)10納米制程工藝，依據(jù)其規(guī)劃，英特爾在2021年推出7納米20225中芯國(guó)際等代工企業(yè)的先進(jìn)制程進(jìn)展有所落后。12201528147應(yīng)布局。截至2018年底，中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)晶圓廠的月產(chǎn)能到達(dá)412.6萬(wàn)片，位居全球首21.8403.3236.112.5%。估量2019年底全球?qū)⒂?5座晶圓廠開建，總投資額達(dá)380億美元；將來(lái)每7437%，其次是存儲(chǔ)和24%17%。20201811035%，34%。中國(guó)大陸在12寸晶圓廠已投資數(shù)千億美元，將來(lái)中芯國(guó)際、華虹、紫光集團(tuán)、合肥長(zhǎng)鑫、粵芯、三星、士蘭微等10條12寸產(chǎn)線進(jìn)入生產(chǎn)。8寸線方面，國(guó)內(nèi)的8五、集成電路-封裝1、先進(jìn)封裝技術(shù)向輕薄化方向進(jìn)展集成電路封裝保護(hù)了芯片免受物理、化學(xué)等環(huán)境因素造成的損傷，增加了芯片封裝技術(shù)不斷進(jìn)步，倒裝焊〔FC〕、晶圓級(jí)〔WLP〕、3維〔3D〕封裝技術(shù)不斷消滅。和低功耗的性能，使其成為了連續(xù)連續(xù)摩爾定律的最正確選擇。201881%3D202472%。晶圓級(jí)封裝(WLP)一般是指直接在晶圓上進(jìn)展大多數(shù)或是全部的封裝測(cè)試程序，之后再進(jìn)展切割制成單顆組件。WLPWLCSP、Fan-Out、EmbeddedIC、3DWLCSP、3DIC、2.5DinterposerTSVFan-Out2、3D3D堆疊技術(shù)是把不同功能的芯片或構(gòu)造，通過(guò)堆疊技術(shù)或過(guò)孔互連等微機(jī)械裝等封裝和牢靠性技術(shù)為目標(biāo)的三維立體堆疊加工技術(shù)。與傳統(tǒng)的二維芯片把全部的模塊放在平面層相比，三維芯片允很多層堆疊，TSV/阻擋層/種子層的沉積，深孔填充，化學(xué)機(jī)械拋光，減薄、pad的制備及再分布線制備等工藝技術(shù)。3、Fan-Out晶圓級(jí)封裝主要分為扇入型〔Fan-in〕和扇出型〔Fan-out〕兩種。傳統(tǒng)的IC；但隨著引腳數(shù)量增加，F(xiàn)an-out推測(cè)，20171420222320%。4、全球先進(jìn)封裝技術(shù)市場(chǎng)規(guī)模2018年的市場(chǎng)份額為84%；電信和集成設(shè)施的市場(chǎng)份額較低，僅為6%；汽車和交通的市場(chǎng)份額28%移動(dòng)和消費(fèi)電子領(lǐng)域增速較慢僅為5%。下游領(lǐng)域的高速需求，推動(dòng)先進(jìn)封裝市場(chǎng)表現(xiàn)強(qiáng)勁。2018年全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模約為280億美元，到2024年全球先