非經(jīng)本公司，任何單位和個(gè)人不得擅自摘抄、本文檔內(nèi)容的部分或全部，并不得以任何形式。 做任何明示或默示的或保證。 市龍崗區(qū)坂田電氣生產(chǎn) 客戶服務(wù)傳真 客戶服務(wù)郵箱 前前言Hi3518

前 1概 1 1 1 1 2 1 1 2 1準(zhǔn) 1編 1使 1 1 1 1 21。 為：RTC的計(jì)時(shí)時(shí)鐘= 。 表示：F(Ks(TT)21C)*0Ks1-1Ks為-4x10-8/°C240C）/255=0.705882℃，??

2RTCcapacitance/CLSPEC中的負(fù)載電容一致的時(shí)候，晶場(chǎng)中，CL=12.5pF的晶體為市場(chǎng)主流，請(qǐng)選用此規(guī)格晶體。/Rs/ESR：大，表示晶體約難以驅(qū)動(dòng)。晶體規(guī)格中會(huì)Rs的典型值與最大值。Hi3518晶體振蕩電路適用于Rs最大值<70K?的晶體，保證RTC_XOUT的電壓幅度大于或等于850mV，請(qǐng)選用滿足此規(guī)格的晶體。Level/DLHi3518晶體振蕩電路限制了RTC_XIN與RTC_XOUT管腳振蕩的振蕩幅度，可以通過以下估計(jì)電路工作時(shí)的實(shí)際DriveLevel，并確定此值小于晶體規(guī)格中規(guī)定的最大DriveLevel。?Rs_max為晶體規(guī)格串聯(lián)電阻的最大?f?VppXINRTC_XINpeaktopeak?CL Pierce振蕩器中，一般將CL1與CL2取相同的值，可以通過以下來確定CL1CL2CL_SPEC為晶體規(guī)格書中規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載電容，3~5pFPCB板可能引入3RTC取-20°C80°C下測(cè)量到的頻率值，該方法適合于已知晶體型號(hào)的情況下使用，配置RTC晶體頻率輸出和溫度的曲線對(duì)應(yīng)RTC 寄存器的寄存器，其中寄存器LUTn與與T0相關(guān)，寄存器TOT_OFFSET與C相關(guān)。動(dòng)，這樣在每次啟動(dòng)時(shí)就會(huì)把曲線配置到RTC中。每個(gè)晶體都進(jìn)量，描述出自己特有的曲線進(jìn)行配置。這種方法精度可以達(dá)到對(duì)同一批次中一定數(shù)目的晶體進(jìn)量，對(duì)擬合出的曲線進(jìn)行再擬合，然后所有不做任何測(cè)量，采用初始的曲線或者晶體廠商提供的數(shù)據(jù)生成的曲線配置文 溫度值需要減去一個(gè)經(jīng)驗(yàn)偏差值（由于工作造成的溫度與環(huán)境溫度 t_sensor獲取到的溫度值與板上晶體溫度的關(guān)系不確定，所況下，每偏差0.7度會(huì)造成5ppm左右的誤差。以實(shí)現(xiàn)校正。溫度更新配置的流程如所圖3-1示。YYN01YNINT_MASK CONVER_TINT_CLEARtemp_sel

4RTC3.1RTC溫度頻率曲線的描述，在《RTC晶體校正rtc_temp_lut_tbl.h頭文件，用此文件更新RTC中的同名文件。

在 cdrtcmaketest

insmodhirtc.ko

./test–stime./test–g./test–salarm./test–g./test–a 通過如下命令可RTC 寄存器，此功能多用于輔助調(diào)試，比如溫度傳感器的溫度值，設(shè)置的RTC更新溫度值等。./test–r ./test–w<reg>reg取值，請(qǐng)參見《Hi3518HDIPCameraSoC用戶指南.pdf》3.9復(fù)位RTC

./test./test–m<mode>Mode和value4-1012

32K左右頻率正弦波，且peaktopeak幅度小于600mV，則可能是因?yàn)镃L1與CL2過大，導(dǎo)致振蕩電路驅(qū)動(dòng)不足，從而幅度偏小，振蕩波形無法通過后200Kpeaktopeak600mV，則可能是因?yàn)镃L1與CL2200K200K頻點(diǎn)振幅較小，所以無法通過后續(xù)的觸發(fā)器。CL1CL2CL1于CL2為正確值，但振蕩頻率仍然為CL2可以形成一個(gè)RC濾波器，降低6.1倍頻處的環(huán)路增益。