第第頁(yè)MOSFET、IGBT、可控硅知識(shí)科普六、（MOSFET）

1、概念：

功率場(chǎng)效應(yīng)管也分結(jié)型、絕緣柵型。但通常指后者中的MOS管，即MOSFET。

2、分類：

它又分為N溝道、P溝道兩種。器件符號(hào)如下：

G：柵極、D：漏極、S：源極圖2-11：MOSFET符號(hào)及器件

耗盡型：柵極電壓為零時(shí)，即存在導(dǎo)電溝道。無(wú)論VGS正負(fù)都起控制作用。

增強(qiáng)型：需要正偏置柵極電壓，才生成導(dǎo)電溝道。達(dá)到飽和前，VGS正偏越大，IDS越大。

一般使用的功率MOSFET多數(shù)是N溝道增強(qiáng)型。

3、主要參數(shù)：

漏極/源極電壓VDSS：D/S極之間的額定電壓

柵極/源極電壓VGSS：D/S極之間的額定電壓

漏極（電流）ID：管子的驅(qū)動(dòng)能力指標(biāo)，通過漏極的額定電流

允許溝道損耗PCH：耐熱指標(biāo)

4、特點(diǎn)：

輸入阻抗大（1萬(wàn)兆歐以上），柵極電流基本為零。驅(qū)動(dòng)功率小，速度高。

5、作用：

適用于高速要求的中小電流放大（100A內(nèi)）。

七、絕緣柵雙極（晶體管）（IGBT）

1、原理：

相當(dāng)于用場(chǎng)效應(yīng)管做輸入，晶體管做輸出的復(fù)合管。

圖2-12：IGBT原理圖

2、該器件符號(hào)如下：

圖2-13：IGBT符號(hào)

3、特點(diǎn)：輸入阻抗高，速度快，熱穩(wěn)定性好。通態(tài)電壓低，耐壓高，電流大（幾千安）。

4、主要參數(shù)：

1）集電極、發(fā)射極間電壓VCES：柵極、發(fā)射極間短路時(shí)的集電極、發(fā)射極間最高電壓。

2）集電極電流IC：集電極允許的最大直流電流。

3）耗散功率PC：?jiǎn)蝹€(gè)器件允許的最大自身消耗功率。

4）結(jié)溫Tj：元件連續(xù)工作時(shí)，允許的最高溫度。

其它還有一些參數(shù)，如關(guān)斷電流、漏電流、飽和壓降等。

5、作用：

適用于高速要求的大電流放大，多用于：

1）（變頻器）的功率輸出。

2）（開關(guān)電源）的功率輸出。

3）（機(jī)器人）、（數(shù)控）機(jī)床等伺服驅(qū)動(dòng)板的功率輸出。

事實(shí)上，以上裝置的損壞，有相當(dāng)部分是壞在功率器件，原因多數(shù)來(lái)自負(fù)載的過載、短路等，在負(fù)載問題消除后，更換功率器件即可，未必整個(gè)更換部件。

八、可控硅（SCR）

1、主要參數(shù)：

額定通態(tài)平均電流IT：代表了可控硅的電流驅(qū)動(dòng)能力。

反向阻斷峰值電壓VPR：反向控制管子關(guān)斷的電壓。

控制極觸發(fā)電流Ig：觸發(fā)可控硅導(dǎo)通的最小電流。

維持電流IH：沒有觸發(fā)的情況下，維持可控硅導(dǎo)通的最小源、漏級(jí)電流。

2、作用：整流、逆變，一般用于（電源）、拖動(dòng)（驅(qū)動(dòng)電路）。

目前，工藝設(shè)備中使用可控硅作為電源、驅(qū)動(dòng)的越來(lái)越少，逐步被IGBT取代，但千安以上的大電流驅(qū)動(dòng)還有很廣泛的應(yīng)用，比如發(fā)電廠、焊機(jī)。

3、特點(diǎn)：

電流大（