第6頁(yè)共6頁(yè)測(cè)試技術(shù)指標(biāo)協(xié)議_____集成電路設(shè)計(jì)研究中心（甲方）和_____公司（乙方）經(jīng)友好協(xié)商，對(duì)_____項(xiàng)目的有關(guān)測(cè)試技術(shù)指標(biāo)問(wèn)題達(dá)成如下協(xié)議：一、乙方應(yīng)在本協(xié)議簽定_____天內(nèi)將芯片資料，測(cè)試碼提供給甲方。二、甲方在乙方提供封裝好的芯片后_____天內(nèi)，將測(cè)試分析結(jié)果提交給乙方。三、具體測(cè)試要求：甲方按乙方要求，在測(cè)試時(shí)將pa4、pa5、pa6、pa7端經(jīng)3.3k電阻上拉至5伏。甲方在測(cè)試分析時(shí)，應(yīng)讓_____芯片工作在5v。乙方提供_____功能測(cè)試碼文件（t_____t格式）兩份。甲方使用乙方提供的功能測(cè)試碼文件，在1mhz下對(duì)樣品進(jìn)行測(cè)試分析。乙方認(rèn)為正常情況下，樣品的功能測(cè)試應(yīng)全部通過(guò)，參數(shù)測(cè)試結(jié)果應(yīng)在下表給定的范圍內(nèi)。測(cè)試參數(shù)（常溫）測(cè)試條件最大值典型值最大值單位靜態(tài)工作電流vdd=5vua動(dòng)態(tài)工作電流vdd=5vua輸入高電平電壓vdd=5vv輸入低電平電壓vdd=5vv輸入高電平電流vdd=5v，vih=5vua輸入低電平電流vdd=5v，vil=0vua輸出高電平電壓vdd=5vv輸出低電平電壓vdd=5vv輸出高電平電流vdd=5v，voh=4.2vma輸出低電平電流vdd=5v，vol=0.4vma如乙方提供的樣品中有_____%滿足以上要求，甲方應(yīng)向乙方出具一份測(cè)試分析報(bào)告，并以附件形式（磁盤(pán)文件，t_____t格式）提供詳細(xì)的測(cè)試數(shù)據(jù)。乙方若對(duì)甲方出具的測(cè)試分析報(bào)告及測(cè)試數(shù)據(jù)有任何疑問(wèn)，必須在甲方測(cè)試分析工作完成之日起的兩個(gè)月內(nèi)向甲方提出。乙方若須增加測(cè)試分析內(nèi)容，必須與甲方協(xié)商解決。甲方：乙方：簽訂地點(diǎn)：__________年_____月_____日測(cè)試技術(shù)指標(biāo)協(xié)議（二）_____集成電路設(shè)計(jì)研究中心(甲方)和_____公司(乙方)經(jīng)友好協(xié)商，對(duì)_____項(xiàng)目的有關(guān)測(cè)試技術(shù)指標(biāo)問(wèn)題達(dá)成如下協(xié)議：一、乙方應(yīng)在本協(xié)議簽定_____天內(nèi)將芯片資料，測(cè)試碼提供給甲方。二、甲方在乙方提供封裝好的芯片后_____天內(nèi)，將測(cè)試分析結(jié)果提交給乙方。三、具體測(cè)試要求：甲方按乙方要求，在測(cè)試時(shí)將pa4、pa5、pa6、pa7端經(jīng)3.3k電阻上拉至5伏。甲方在測(cè)試分析時(shí)，應(yīng)讓_____芯片工作在5v。乙方提供_____功能測(cè)試碼文件(t_____t格式)兩份。甲方使用乙方提供的功能測(cè)試碼文件，在1mhz下對(duì)樣品進(jìn)行測(cè)試分析。乙方認(rèn)為正常情況下，樣品的功能測(cè)試應(yīng)全部通過(guò)，參數(shù)測(cè)試結(jié)果應(yīng)在下表給定的范圍內(nèi)。測(cè)試參數(shù)(常溫)測(cè)試條件最大值典型值最大值單位靜態(tài)工作電流vdd=5vua動(dòng)態(tài)工作電流vdd=5vua輸入高電平電壓vdd=5vv輸入低電平電壓vdd=5vv輸入高電平電流vdd=5v，vih=5vua輸入低電平電流vdd=5v，vil=0vua輸出高電平電壓vdd=5vv輸出低電平電壓vdd=5vv輸出高電平電流vdd=5v，voh=4.2vma輸出低電平電流vdd=5v，vol=0.4vma如乙方提供的樣品中有_____%滿足以上要求，甲方應(yīng)向乙方出具一份測(cè)試分析報(bào)告，并以附件形式(磁盤(pán)文件，t_____t格式)提供詳細(xì)的測(cè)試數(shù)據(jù)。乙方若對(duì)甲方出具的測(cè)試分析報(bào)告及測(cè)試數(shù)據(jù)有任何疑問(wèn)，必須在甲方測(cè)試分析工作完成之日起的兩個(gè)月內(nèi)向甲方提出。乙方若須增加測(cè)試分析內(nèi)容，必須與甲方協(xié)商解決。甲方：乙方：測(cè)試技術(shù)指標(biāo)協(xié)議（三）_____集成電路設(shè)計(jì)研究中心(甲方)和_____公司(乙方)經(jīng)友好協(xié)商，對(duì)_____項(xiàng)目的有關(guān)測(cè)試技術(shù)指標(biāo)問(wèn)題達(dá)成如下協(xié)議：一、乙方應(yīng)在本協(xié)議簽定_____天內(nèi)將芯片資料，測(cè)試碼提供給甲方。二、甲方在乙方提供封裝好的芯片后_____天內(nèi)，將測(cè)試分析結(jié)果提交給乙方。三、具體測(cè)試要求：甲方按乙方要求，在測(cè)試時(shí)將pa4、pa5、pa6、pa7端經(jīng)3.3k電阻上拉至5伏。甲方在測(cè)試分析時(shí)，應(yīng)讓_____芯片工作在5v。乙方提供_____功能測(cè)試碼文件(t_____t格式)兩份。甲方使用乙方提供的功能測(cè)試碼文件，在1mhz下對(duì)樣品進(jìn)行測(cè)試分析。乙方認(rèn)為正常情況下，樣品的功能測(cè)試應(yīng)全部通過(guò)，參數(shù)測(cè)試結(jié)果應(yīng)在下表給定的范圍內(nèi)。測(cè)試參數(shù)(常溫)測(cè)試條件最大值典型值最大值單位靜態(tài)工作電流vdd=5vua動(dòng)態(tài)工作電流vdd=5vua輸入高電平電壓vdd=5vv輸入低電平電壓vdd=5vv輸入高電平電流vdd=5v，vih=5vua輸入低電平電流vdd=5v，vil=0vua輸出高電平電壓vdd=5vv輸出低電平電壓vdd=5vv輸出高電平電流vdd=5v，voh=4.2vma輸出低電平電流vdd=5v，vol=0.4vma如乙方提供的樣品中有_____%滿足以上要求，甲方應(yīng)向乙方出具一份測(cè)試分析報(bào)告，并以附件形式(磁盤(pán)文件，