標(biāo)準(zhǔn)解讀
《YS/T 26-2016 硅片邊緣輪廓檢驗(yàn)方法》是一項(xiàng)針對(duì)硅片邊緣形狀和尺寸進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化檢測(cè)的技術(shù)規(guī)范。該標(biāo)準(zhǔn)適用于單晶硅或多晶硅片,旨在確保硅片在制造過(guò)程中的質(zhì)量一致性與可靠性,對(duì)于半導(dǎo)體、太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域的生產(chǎn)尤為重要。
標(biāo)準(zhǔn)中定義了硅片邊緣輪廓的具體要求及測(cè)量方法。首先明確了術(shù)語(yǔ)和定義部分,比如“硅片”、“邊緣輪廓”等相關(guān)概念,為后續(xù)內(nèi)容提供基礎(chǔ)。接著,在技術(shù)要求章節(jié)里詳細(xì)描述了硅片邊緣應(yīng)該達(dá)到的狀態(tài),包括但不限于平滑度、直角性以及無(wú)缺陷等方面的要求。這些規(guī)定有助于減少因邊緣質(zhì)量問(wèn)題而導(dǎo)致的產(chǎn)品性能下降或損壞風(fēng)險(xiǎn)。
關(guān)于檢驗(yàn)方法,《YS/T 26-2016》提供了幾種不同的測(cè)試手段來(lái)評(píng)估硅片邊緣的幾何特性。其中包括使用光學(xué)顯微鏡觀察法、接觸式輪廓儀測(cè)量法等非破壞性檢測(cè)技術(shù)。每種方法都有其適用范圍和技術(shù)細(xì)節(jié)說(shuō)明,如儀器的選擇、操作步驟、數(shù)據(jù)記錄與處理方式等。通過(guò)這些科學(xué)嚴(yán)謹(jǐn)?shù)姆椒ǎ梢詼?zhǔn)確地獲取硅片邊緣的實(shí)際狀態(tài)信息,并據(jù)此判斷是否符合既定標(biāo)準(zhǔn)。
此外,標(biāo)準(zhǔn)還包含了抽樣規(guī)則和判定準(zhǔn)則等內(nèi)容,指導(dǎo)如何從批量產(chǎn)品中選取代表性樣品進(jìn)行檢查,并根據(jù)檢測(cè)結(jié)果做出合格與否的決定。這不僅有利于提高工作效率,也保證了評(píng)價(jià)結(jié)果的公正性和客觀性。
如需獲取更多詳盡信息,請(qǐng)直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。
....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2016-07-11 頒布
- 2017-01-01 實(shí)施



文檔簡(jiǎn)介
ICS77040
H21.
中華人民共和國(guó)有色金屬行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
YS/T26—2016
代替
YS/T26—1992
硅片邊緣輪廓檢驗(yàn)方法
Testmethodsforedgecontourofsiliconwafers
2016-07-11發(fā)布2017-01-01實(shí)施
中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部發(fā)布
YS/T26—2016
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標(biāo)準(zhǔn)代替硅片邊緣輪廓檢驗(yàn)方法與相比本標(biāo)準(zhǔn)主要變動(dòng)
YS/T26—1992《》。YS/T26—1992,
如下
:
增加了規(guī)范性引用文件術(shù)語(yǔ)和定義干擾因素等
———、、;
增加了非破壞性檢驗(yàn)方法方法
———B、C。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口
(SAC/TC243)。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位洛陽(yáng)單晶硅集團(tuán)有限責(zé)任公司有研半導(dǎo)體材料有限公司浙江金瑞泓科技股份
:、、
有限公司
。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人田素霞李戰(zhàn)國(guó)苗利剛焦二強(qiáng)安瑞陽(yáng)邵成波王文衛(wèi)
:、、、、、、。
本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為
:
———YS/T26—1992。
Ⅰ
YS/T26—2016
硅片邊緣輪廓檢驗(yàn)方法
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅片邊緣輪廓包含切口的檢驗(yàn)方法
()。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于檢驗(yàn)倒角硅片的邊緣輪廓包含切口砷化鎵等其他材料晶片邊緣輪廓的檢驗(yàn)可參
(),
照本標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行
。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)
GB/T14264
3術(shù)語(yǔ)和定義
界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件
GB/T14264。
4方法提要
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了方法三種測(cè)試方法其測(cè)試原理分別如下
A、B、C,:
方法沿硅片徑向劃開(kāi)形成剖面借助光學(xué)比較儀或投影顯微鏡形成一個(gè)硅片邊緣區(qū)域的
a)A:,,
剖面聚焦圖形將圖形與邊緣輪廓模板坐標(biāo)圖比較確定邊緣輪廓是否合格本方法是破壞性
,,。
的限于圓周上離散點(diǎn)的檢查包括參考面常用于直徑不大于硅片參考面倒角邊緣
,,,150mm
輪廓的檢測(cè)
;
方法將硅片放置在平行光路下硅片邊緣投影到顯示屏上邊緣輪廓的圖像與邊緣輪廓模
b)B:,,
板坐標(biāo)圖比較確定邊緣輪廓是否合格本方法是非破壞性的可檢查除了參考面和切口外硅
,。,
片輪廓上所有的點(diǎn)常用于直徑不大于硅片除參考面和切口外邊緣輪廓的檢測(cè)
,200mm;
方法將硅片放置在光源下光源照在硅片邊緣相機(jī)將硅片邊緣不包括參考面或切
c)C:,,CCD()
口的輪廓形狀的圖像導(dǎo)入電腦通過(guò)專(zhuān)用分析軟件對(duì)檢測(cè)圖像進(jìn)行分析然后將輪廓形狀的圖
,,
像和測(cè)試結(jié)果顯示在顯示屏上測(cè)試原理如圖所示本方法是無(wú)接觸非破壞性的可以測(cè)
,1。、,
試硅片邊緣和切口的輪廓形狀并能測(cè)量出輪廓尺寸該方法操作簡(jiǎn)單便捷可以直觀的確定
,。,
硅片邊緣和切口是否合適適用于各種尺寸夾角和形狀的硅片邊緣輪廓的檢測(cè)本方法適用
,、。
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