標(biāo)準(zhǔn)解讀

《YS/T 26-1992 硅片邊緣輪廓檢驗(yàn)方法》是一項(xiàng)針對(duì)硅片邊緣輪廓進(jìn)行質(zhì)量控制的標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了用于檢測(cè)硅片邊緣形狀、尺寸以及缺陷的方法和技術(shù)要求，適用于半導(dǎo)體材料加工過程中對(duì)硅片質(zhì)量的評(píng)估。根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容，首先明確了適用范圍，指出其適用于單晶硅和多晶硅制成的圓形或近似圓形硅片。

對(duì)于檢驗(yàn)前的準(zhǔn)備，標(biāo)準(zhǔn)提出了具體要求，包括但不限于環(huán)境條件（如溫度、濕度）、儀器設(shè)備的選擇與校準(zhǔn)等，確保測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。此外，還描述了如何正確處理樣品以避免因不當(dāng)操作導(dǎo)致的額外損傷。

在實(shí)際檢測(cè)過程中，《YS/T 26-1992》推薦使用光學(xué)顯微鏡或其他適當(dāng)?shù)募夹g(shù)手段來(lái)觀察并記錄硅片邊緣的具體情況。它不僅關(guān)注于直接可見的物理特征如裂縫、缺口等，也強(qiáng)調(diào)了對(duì)細(xì)微結(jié)構(gòu)變化的關(guān)注。同時(shí)，對(duì)于不同類型的缺陷給出了明確的定義，并制定了相應(yīng)的評(píng)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，以便于后續(xù)的質(zhì)量分析與控制。

最后，該文件還包含了數(shù)據(jù)記錄與報(bào)告編寫的相關(guān)指導(dǎo)原則，旨在促進(jìn)信息交流的一致性與有效性。通過遵循這些指南，制造商可以更好地理解自身產(chǎn)品的性能特點(diǎn)，從而采取措施改進(jìn)生產(chǎn)工藝或調(diào)整原材料選擇，最終達(dá)到提高產(chǎn)品質(zhì)量的目的。


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  • 1993-01-01 實(shí)施
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H21Y5中華人民共和國(guó)有色金屬行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)YS/T26—92硅片邊緣輪廊檢驗(yàn)方法1992-03-09發(fā)布1993-01-01實(shí)施中國(guó)有色金屬工業(yè)總公司發(fā)布

中華人民共和國(guó)有色金屬行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)硅片邊緣輪廊檢驗(yàn)方法YS/T26-92主題內(nèi)容與適用范臣本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅片邊緣輪席的檢驗(yàn)方法。本檢驗(yàn)方法適用于檢驗(yàn)倒角硅片的邊緣輪廊。2方法提要將硅片沿徑向劃開形成部面，借助光學(xué)投影儀將其放大，聚焦使部面清晰地投影到顯示屏上,與標(biāo)淮模版相比較。硅片邊緣部面投影輪廊處在標(biāo)準(zhǔn)模版允許區(qū)域內(nèi)，則硅片邊緣輪廊為合格：否則為不合格3測(cè)量?jī)x器3.1光學(xué)投影儀：放大倍數(shù)為50×或100×，載物臺(tái)在。和y方向上可移動(dòng).3.2硅片夾具：應(yīng)能使硅片表面平行于光路，使硅片邊緣輪席清晰地投影在顯示屏上。3.3標(biāo)準(zhǔn)測(cè)微尺:長(zhǎng)度為0.5～1.0mm,絕對(duì)誤差小于5m。4抽樣與制樣“.1抽樣方案及試樣測(cè)量點(diǎn)的位置和數(shù)目由供需雙方商定。4.22在確定的測(cè)量點(diǎn)處沿徑向劃開硅片，制取試樣。5檢驗(yàn)步辣5.1檢驗(yàn)用的標(biāo)準(zhǔn)模版圖形如圖1,其特征點(diǎn)坐標(biāo)和基本尺寸應(yīng)符合圖2和表1的規(guī)定。標(biāo)準(zhǔn)模版的制作方法按圖1、圖2、表1的規(guī)定。九計(jì)區(qū)樓普面圖1標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)模版圖形中國(guó)有色金屬工業(yè)總

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