標準解讀

《yb 1603-1983 硅單晶切割片和研磨片》這一標準詳細規(guī)定了硅單晶材料在制備成切割片及研磨片過程中需要遵循的技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及包裝、標志、運輸和貯存等方面的要求。該標準適用于電子工業(yè)中作為半導體器件基底或進一步加工前使用的硅單晶制品。

根據標準內容，硅單晶切割片與研磨片按照其直徑大小分為多個規(guī)格等級，并且對每種規(guī)格的產品都設定了明確的尺寸公差范圍。此外，還定義了幾何形狀上的具體要求，比如平面度、厚度均勻性等指標，確保產品能夠滿足后續(xù)工藝流程的需求。

對于物理性能方面，《yb 1603-1983》規(guī)定了包括電阻率、少數載流子壽命在內的關鍵參數值域限制，這些參數直接關系到最終制成的半導體器件性能表現。同時，標準也涵蓋了外觀質量檢查項目，如表面缺陷（劃痕、裂紋）、邊緣狀況等，以保證產品的視覺一致性和機械強度。

在檢測方法上，本標準提供了多種測試手段來驗證上述各項技術指標是否達標，例如使用四探針法測定電阻率、通過光譜分析儀測量雜質含量等。另外，還制定了抽樣計劃與合格判定準則，指導生產單位如何有效地進行質量控制。


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  • 現行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 1983-08-18 頒布
  • 1984-10-01 實施
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YB中華人民共和國治金工業(yè)部部標準YB1603—83硅單晶切割片和研磨片1983-08-18發(fā)布1984-10-01實施中華人民共和國治金工業(yè)部批準

中華人民共和國治金工業(yè)部部標準YB1603-83硅單晶切割片和研磨片本標準適用于制造半導體器件（分立器件和集成電路）的三種等直徑硅單品切割片和雙面研磨片。用作其他器件的硅單晶切割片和研磨片，可參照本標準確定其相應的技術參數。本標準只列出硅片的外形幾何尺寸和品向參數，硅片所涉及的硅單晶物理參數應符合YB1602—83《硅單晶》所規(guī)定的技術要求。技術要求1.1術語1.1.1晶向：品體結品方向。1.1.2品向偏離：切割硅片時，使硅片法線與晶體結品方向偏離一定的角度。1.1.3正交取向偏差：（111）硅單晶片作品向偏離時，硅片法線與最近的<110>方向在（11）平面上投影之間的夾角（見圖I）11.4主參考面：硅單品鍵上磨制一確定方向的平面，用作硅片劃片方向的標志。1.1.5次參考面：硅單品片導電類型和品向的標志。1.1.6硅片厚度；硅單晶片中心點厚度值.1.1.7厚度偏差：硅單品片中心點厚度的測量值與公稱值之差。1.1.8總厚度變化：硅單晶片五點厚度（中心一點和距邊緣6mm處間隔90“的四點）間的最大值與最小值之差。1.1.9彎曲度：硅片處于自由無夾持狀態(tài)下相對于一理想平面的單純凹或凸的體形變，1.1.10缺口：；硅片周邊穿透兩面的缺損。1.1.11邊：：硅片邊緣不穿透兩面的破損，1.2技術要求1.2.1硅單品切割片和研磨片的技術參數應符合表1的規(guī)定，表1硅單晶切割片和研磨片技術參數直徑及共允許偏差,品名稱4050.8(50)mm76.2（975）允許偏差，不大于+0.3士0.4+0.5切235(翻片總厚度交化，世m(xù)彎曲度，1公老面長度，mm19~25沃參老面長度，mm10~1323002490厚度偏差總口醫(yī)賣化：mum

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