霍爾效應(yīng)的研究與應(yīng)用a.實驗報告格式不規(guī)范，漏實驗儀器、思考題；b.物理量不寫單位；c.直接得出結(jié)果，沒有代入數(shù)據(jù)的過程；d.漏算霍爾系數(shù)；e.有效數(shù)字不正確；F.作圖不規(guī)范：坐標軸上不標明物理量，漏單位，曲線太粗糙，不平滑，不用坐標紙…實驗報告中的問題++++寫單位UH~IS圖有效位數(shù)：倒數(shù)第2位對應(yīng)整數(shù)格自變量為橫坐標圖名用“×”或“+”表示數(shù)據(jù)點1.002.003.004.000.000.0012.08.04.016.0VH(mV)IS(mA)由斜率的求霍爾系數(shù)RH及霍爾靈敏度KH?記錄數(shù)據(jù)應(yīng)注意單位?數(shù)據(jù)處理時應(yīng)將所有單位轉(zhuǎn)化為國際單位制（SI）√1.如果沿被測磁場方向有一恒定的附加外磁場，在測量時應(yīng)如何消除它的影響？實際磁感強度為附加外磁場為第一次測量值為將勵磁電流反向，第二次測量值為將兩次測量值相減再除以2即可。如果沿被測磁場方向有一恒定的附加外磁場Ａ、在測量時加另一反向的磁場可抵消它的影響。B、在結(jié)果中減要去該附加外磁場。C、可利用“對稱測量法”消除它的影響。D、無法消除它的影響。對稱測量法在測量霍耳電勢差時，存在著各種附加電勢差，由于這些附加電勢差都是隨B

或I的換向而改變正負號的，因此可以利用對稱測量法加以消除?！?.為什么霍爾元件多采用N型半導體材料制作？因RH＝μ/σ，金屬導體的μ值很小而σ值很大，而不良導體σ值雖小但μ值極小，因此這兩種材料的霍爾系數(shù)RH都很小而不適于制造霍爾元件。半導體材料的μ值大，σ值適中，是制造霍爾元件較理想的材料。由于電子遷移率比空穴遷移率大，所以霍爾元件多采用N型材料。√2.在測量霍爾電勢差時應(yīng)如何消除附加電勢差的影響？*(2)在霍耳效應(yīng)實驗中，霍耳元件是工作在直流電流和均勻磁場中的。那么如果單獨改用交流電流或者單獨改用交變磁場，能測出霍耳電勢差，但需要交流電表測試交流的霍爾電壓。如果同時改用交流電流和交變磁場，不能測出霍耳電勢差。*(3)如果一臺特斯拉計的霍爾元件探頭損壞，不能更換另一探頭后馬上使用，因為霍爾系數(shù)和霍爾靈敏度不同。若已知霍爾靈敏度，則可以用。但實驗要重新做?！?.將導電板放在與板面垂直的均勻磁場中，當電流從導電板左右流過時，板的上下兩側(cè)會出現(xiàn)橫向電勢差，這種現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng)現(xiàn)象

，電勢差的方向與流過導體的電流和磁場有關(guān)。在實驗中，用對稱測量法消除附加電勢差。要掌握的基本知識2?霍爾系數(shù)、霍爾靈敏度的定義√A、打開以及關(guān)閉測試儀之前，測試儀的“Is調(diào)節(jié)”與