霍爾傳感器基本知識(shí)

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2011年10月霍爾效應(yīng)原理霍爾效應(yīng)： 在半導(dǎo)體薄片兩端通以控制電流I，并在薄片的垂直方向施加磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，則在垂直于電流和磁場(chǎng)的方向上，將產(chǎn)生電勢(shì)差為UH的霍爾電壓霍爾傳感器基本工作原理

利用霍爾效應(yīng)可以設(shè)計(jì)制成多種傳感器?；魻栯娢徊頤H的基本關(guān)系為

UH=RHIB/d（18）

RH=1/nq（金屬）（19）式中RH——霍爾系數(shù)：

n——單位體積內(nèi)載流子或自由電子的個(gè)數(shù)

q——電子電量；I——通過的電流；霍爾元件B——垂直于I的磁感應(yīng)強(qiáng)度；d——導(dǎo)體的厚度。相公式：UH=KH*I*B===》KH=RH/d=d/nqKH------霍爾元件的靈敏度，它與元件材料性質(zhì)幾何尺寸有關(guān)，元件材料與幾何尺寸一定KH常數(shù)就確定

UH=d/nq*I*B霍爾元件的特性

1、霍爾系數(shù)（又稱霍爾常數(shù)）RH

在磁場(chǎng)不太強(qiáng)時(shí)，霍爾電勢(shì)差UH與激勵(lì)電流I和磁感應(yīng)強(qiáng)度B的乘積成正比，與霍爾片的厚度δ成反比，即UH=RH*I*B/δ，式中的RH稱為霍爾系數(shù)，它表示霍爾效應(yīng)的強(qiáng)弱。另RH=μ*ρ即霍爾常數(shù)等于霍爾片材料的電阻率ρ與電子遷移率μ的乘積。2、霍爾靈敏度KH（又稱霍爾乘積靈敏度）：霍爾靈敏度與霍爾系數(shù)成正比而與霍爾片的厚度δ成反比，即KH=RH/δ，它通常可以表征霍爾常數(shù)。3、霍爾額定激勵(lì)電流：

當(dāng)霍爾元件自身溫升10℃時(shí)所流過的激勵(lì)電流稱為額定激勵(lì)電流。4、霍爾最大允許激勵(lì)電流：

以霍爾元件允許最大溫升為限制所對(duì)應(yīng)的激勵(lì)電流稱為最大允許激勵(lì)電流。5、霍爾輸入電阻

霍爾激勵(lì)電極間的電阻值稱為輸入電阻。6、霍爾輸出電阻

霍爾輸出電極間的電阻值稱為輸入電阻。7、霍爾元件的電阻溫度系數(shù)

在不施加磁場(chǎng)的條件下，環(huán)境溫度每變化1℃時(shí)，電阻的相對(duì)變化率，用α表示，單位為%/℃。8、霍爾不等位電勢(shì)（又稱霍爾偏移零點(diǎn)） 在沒有外加磁場(chǎng)和霍爾激勵(lì)電流為I的情況下，在輸出端空載測(cè)得的霍爾電勢(shì)差稱為不等位電勢(shì)。12、霍爾不等位電勢(shì)

在沒有外加磁場(chǎng)和霍爾激勵(lì)電流為I的情況下，環(huán)境溫度每變化1℃時(shí)，不等位電勢(shì)的相對(duì)變化率。13、霍爾電勢(shì)溫度系數(shù)

在外加磁場(chǎng)和霍爾激勵(lì)電流為I的情況下，環(huán)境溫度每變化1℃時(shí)，不等位電勢(shì)的相對(duì)變化率。它同時(shí)也是霍爾系數(shù)的溫度系數(shù)。14、熱阻Rth

霍爾元件工作時(shí)功耗每增加1W，霍爾元件升高的溫度值稱為它的熱阻，它反映了元件散熱的難易程度，單位為：攝氏度/w

基本霍爾電路霍爾開關(guān)電路： 一般霍爾開關(guān)電路又稱霍爾數(shù)字電路由穩(wěn)壓