緒論

高職微電子技術(shù)專業(yè)定位

集成電路發(fā)展歷史

課程簡(jiǎn)介及專業(yè)學(xué)習(xí)方法

微電子器件工藝發(fā)展歷程什么是微電子？電子微電子

50m100m頭發(fā)絲粗細(xì)

30m1m1m(晶體管的大小)30~50m(皮膚細(xì)胞的大小)什么是微電子？WaferPackageSingleICSMA/PCBAElectronicEquipment

電子整機(jī)制作流程課程簡(jiǎn)介與學(xué)習(xí)方法

微電子技術(shù)專業(yè)選修課，是學(xué)習(xí)相關(guān)專業(yè)理論和技能的組成部分。主要任務(wù)對(duì)集成電路制造工藝的相關(guān)理論和技術(shù)有一個(gè)較為系統(tǒng)地認(rèn)知和了解。

類比學(xué)習(xí)法

理解>>記憶

積極利用各種資源—網(wǎng)絡(luò)、圖書館專業(yè)學(xué)習(xí)方法

融“學(xué)會(huì)”與“會(huì)學(xué)”微電子發(fā)展歷程電子產(chǎn)業(yè)——1998年以來，超過了汽車和鋼鐵產(chǎn)業(yè)成為世界銷售額最大產(chǎn)業(yè)（>1萬億美元）半導(dǎo)體行業(yè)——電子產(chǎn)業(yè)的基石微電子器件=半導(dǎo)體器件，又稱集成電路元器件集成電路的戰(zhàn)略地位—當(dāng)代國(guó)民經(jīng)濟(jì)的“食物鏈”關(guān)系。據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)（SIA）預(yù)測(cè)

電子信息服務(wù)業(yè)30萬億美元相當(dāng)于1997年全世界GDP總和電子裝備6-8萬億元集成電路產(chǎn)值1萬億美元GDP≈50萬億美元2012年無源器件：不需外加電源條件下可顯示特性的電子元件。無源器件主要包括電阻類、電感類和電容類器件。有源器件：需外加電源顯示特性的器件，常用于信號(hào)放大、轉(zhuǎn)換等。集成電路定義及分類集成電路：IntegratedCircuit—IC，通過一系列特定的加工工藝，將晶體管、二極管等有源器件和電阻、電容等無源器件，按照一定的電路互連方式，“集成”在一塊半導(dǎo)體單晶片（如硅、砷化鎵）或陶瓷等基片上后封裝在一個(gè)外殼內(nèi)，執(zhí)行特定電路或系統(tǒng)功能。集成電路分類按集成電路規(guī)模分類SSI、MSI、LSI、VLSI、ULSI和GSI按電路功能分類數(shù)字集成電路模擬集成電路數(shù)字-模擬集成電路微電子器件工藝發(fā)展三階段一、生長(zhǎng)法：20世紀(jì)30、40年代，在半導(dǎo)體材料（硅、鍺等）單晶體拉制過程中，通過改變摻雜濃度（放入受主雜質(zhì)或施主雜質(zhì)），然后將混有P、N型晶體的單晶進(jìn)行切割，在交界面處形成p-N結(jié)。單晶硅的制備（晶圓）微電子器件工藝發(fā)展三階段（續(xù)）合金法：20世紀(jì)50年代起，在半導(dǎo)體材料（硅、鍺等）晶片表面放置施主雜質(zhì)（或受主雜質(zhì)）的小球，然后經(jīng)過高溫加熱過程使小球熔化，那么雜質(zhì)就以合金的形式與半導(dǎo)體晶片相融合。微電子器件工藝發(fā)展歷程（續(xù)）擴(kuò)散法：提高晶體管的電學(xué)特性，在硅平面工藝基礎(chǔ)上發(fā)展出了擴(kuò)散法。隨著氧化、蒸發(fā)、光刻和外延等技術(shù)的引入，硅平面工藝技術(shù)飛速發(fā)展，使擴(kuò)散法制造的硅晶體管性能大大提高。1958年：第一塊集成電路誕生-美國(guó)德克薩斯儀器公司

基爾比(ClairKilby)G.W.A.DummerClairKilby趨勢(shì)：集成度不斷增加20世紀(jì)60年代中期，MSI出現(xiàn)20世紀(jì)70年代前期，LSI出現(xiàn)20世紀(jì)70年代后期，VLSI出現(xiàn)20世紀(jì)90年代，ULSI出現(xiàn)……集成度變遷集成電路的發(fā)展趨勢(shì)1、集成電路制造工藝流程十分復(fù)雜，且隨集成電路種類、功能和結(jié)構(gòu)改變而大不相同。2、衡量集成電路制造工藝發(fā)展水平的標(biāo)