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文檔簡(jiǎn)介
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器第五章半導(dǎo)體存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器基本知識(shí)第4.1節(jié)存儲(chǔ)器基本知識(shí)存儲(chǔ)器是存儲(chǔ)信息的部件,正因?yàn)橛辛舜鎯?chǔ)器,計(jì)算機(jī)才有信息記憶功能一.存儲(chǔ)器按位置分類1.內(nèi)部存儲(chǔ)器——通常與系統(tǒng)總線相連,CPU可直接訪問(wèn),簡(jiǎn)稱內(nèi)存1)內(nèi)部CACHE:在CPU內(nèi)作為一個(gè)高速的指令或數(shù)據(jù)緩沖區(qū)2)外部CACHE:通常在主板上,介于內(nèi)部CACHE和主存之間的緩沖區(qū)3)主存儲(chǔ)器:內(nèi)部存儲(chǔ)器主要使用的空間內(nèi)存速度快,通常由半導(dǎo)體存儲(chǔ)器組成,工藝采用雙極性TTL或MOS技術(shù)內(nèi)存包括RAM和ROM兩部分,RAM占主要,通常說(shuō)內(nèi)存主要指RAM,而ROM主要用于存放BIOS2.外部存儲(chǔ)器——通常是通過(guò)專用驅(qū)動(dòng)設(shè)備才能訪問(wèn),簡(jiǎn)稱外存
速度比內(nèi)存慢,容量大、掉電信息不丟,如磁盤(軟盤、硬盤)、光盤存儲(chǔ)器基本知識(shí)二.內(nèi)存的行列結(jié)構(gòu)為區(qū)分不同存儲(chǔ)單元,每個(gè)單元都對(duì)應(yīng)一個(gè)地址,讀寫訪問(wèn)時(shí),應(yīng)給出相應(yīng)地址,經(jīng)過(guò)譯碼后,選中具體存儲(chǔ)單元。為簡(jiǎn)化譯碼電路,內(nèi)存中存儲(chǔ)單元按照多行多列的矩陣形式來(lái)排列。
例:組成1KB的內(nèi)存
1)若不按矩陣形式排列,而是一字排開(kāi),則需要1024根譯碼線
2)若按32×32的矩陣形式排列,則只需要5根行選擇線和5根列選擇線0-031-3131-00-31…………行譯碼列譯碼和I/O控制X0X31…Y0Y31A0A1A2A3A4A5A6A7A8A9…R/W/CE數(shù)據(jù)輸入數(shù)據(jù)輸出A4~A0行地址信號(hào)用RAS表示(RowAddressSignal)A9~A5列地址信號(hào)用CAS表示(ColumnAddressSignal)X31~X0行選擇信號(hào)Y31~Y0列選擇信號(hào)存儲(chǔ)器基本知識(shí)三.隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器——RAM(RandomAccessMemory)RAM既可讀又可寫,掉電信息丟失,按結(jié)構(gòu)又可分為SRAM和DRAM1.靜態(tài)RAM——SRAM(staticRAM)
使用雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器存儲(chǔ)信息,速度快,不需要刷新,但容量低、功耗大
計(jì)算機(jī)中CACHE常使用SDRAM如:62648k*86225664K*8D0D0YiXiVccT3T4T5T6T1T2T7T8T1,T2為開(kāi)關(guān)管,T3,T4為負(fù)載管,導(dǎo)通電阻r3,r4>>r1,r2。T1T3和T2T4構(gòu)成兩個(gè)反向器按正反饋連接,構(gòu)成觸發(fā)器Xi高電平,T5,T6及其他與Xi相聯(lián)的開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通,每一單元與數(shù)據(jù)線相連。Yi為高電平,T7,T8導(dǎo)通,此時(shí)僅有XiYi單元與外部數(shù)據(jù)線連通,可對(duì)該單元進(jìn)行讀寫存儲(chǔ)器基本知識(shí)2.動(dòng)態(tài)RAM——DRAM(dynamicRAM)
使用電容存儲(chǔ)信息,充電狀態(tài)和放電狀態(tài)分別表示1和0,因電容有漏電,因此需要對(duì)動(dòng)態(tài)RAM進(jìn)行定時(shí)刷新。計(jì)算機(jī)中的主存條多以DRAM為主。
DRAM的刷新
DRAM的一次刷新過(guò)程就是對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行一次讀取、放大和再寫入,通常按行進(jìn)行刷新,具體執(zhí)行時(shí),讓行地址信號(hào)/RAS有效,將該行所有存儲(chǔ)單元分別讀出,與放大電路接通,再寫回。然后再給出下一行的/RAS信號(hào),重復(fù)操作。通常每一行的刷新時(shí)間間隔不應(yīng)超過(guò)2ms,實(shí)際應(yīng)用時(shí),由專用的DRAM控制器(Intel8203、8207、8209)或DRAM本身自帶的的片內(nèi)刷新電路完成動(dòng)態(tài)RAM的刷新。存儲(chǔ)器基本知識(shí)四.只讀存儲(chǔ)器——ROM
(ReadOnlyMemory)ROM結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,位密度比RAM高,掉電信息不丟失,可分為:1.固定ROM(掩膜ROM)——由制造廠家固化內(nèi)容,不可修改2.可編程ROM(PROM)——由用戶固化內(nèi)容,但不可修改3.可擦除、可編程ROM(EPROM)——可多次擦除和重寫(紫外線擦除)
27**系列271627322764…270404.可電擦除、可編程ROM(EEPROM)——可多次擦除和重寫(電擦除)
281728C6428C2564種工作方式:讀方式、寫方式、字節(jié)擦除方式和整體擦除方式5.閃爍存儲(chǔ)器(FLASHROM)——屬于EEPROM類型,性能優(yōu)于EEPROM29F010、29F020,不加電時(shí),信息可保存10年以上,可反復(fù)擦寫幾十萬(wàn)次,且擦除速度較快;分為整體型、塊結(jié)構(gòu)型、帶自舉塊型
使用時(shí),往FlashROM中的命令寄存器寫入不同命令,即可實(shí)現(xiàn)不同操作
如:讀命令、擦除命令、編程命令、復(fù)位命令等存儲(chǔ)器基本知識(shí)五.半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的容量存儲(chǔ)器位容量=存儲(chǔ)單元數(shù)×位數(shù)存儲(chǔ)單元數(shù):存儲(chǔ)器所含存儲(chǔ)單元個(gè)數(shù),每個(gè)存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)一個(gè)地址,是一個(gè)獨(dú)立的信息單元位數(shù):每個(gè)存儲(chǔ)單元所含二進(jìn)制數(shù)長(zhǎng)度,通常為1位、4位、8位
例:一片62256為RAM存儲(chǔ)器,位容量=32K×8
說(shuō)明該存儲(chǔ)器芯片具有15根地址線,8根數(shù)據(jù)線,除此之外,RAM還應(yīng)具有/CE、/OE、/WE三根控制線(片選、讀控制、寫控制)
注:有時(shí)也以字節(jié)(Byte)為單位表示存儲(chǔ)器容量
1KB=1024B,1MB=1024KB,1GB=1024MB,1TB=1024GB=2^10B=2^20B=2^30B=2^40B存儲(chǔ)器基本知識(shí)六.典型存儲(chǔ)器芯片和譯碼芯片1.62256
-
32K*8的CMOS靜態(tài)RAM12345678910111213141516171819202122232425262728A14A12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GNDD3D4D5D6D7/CSA10/OEA11A9A8A13/WEVCC62256引腳圖輸入LLL高阻HHL輸入HLL輸出LHL高阻××HD7~D0OEWECS62256工作表A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0OECSWED7D6D5D4D3D2D1D062256邏輯圖存儲(chǔ)器基本知識(shí)2.27256
-
32K*8EPROM12345678910111213141516171819202122232425262728VppA12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GNDD3D4D5D6D7/CEA10/OEA11A9A8A13A14VCC27256引腳圖A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0CEOED7D6D5D4D3D2D1D027256邏輯圖3.74LS138-
3-8譯碼器12345678910111213141516ABC/G2A/G2BG1/Y7GND/Y0VCC74LS138引腳圖/Y1/Y2/Y3/Y4/Y5/Y6/Y0G1/G2A/G2BCBA74LS138原理圖/Y1/Y2/Y3/Y4/Y5/Y6/Y7引腳功能:
片選信號(hào):G1?/G2A?/G2BC、B、A譯碼/Y0到/Y7有效存儲(chǔ)器與CPU的連接第4.2節(jié)存儲(chǔ)器與CPU的連接存儲(chǔ)器與CPU通過(guò)地址線、數(shù)據(jù)線、控制線進(jìn)行連接,應(yīng)考慮三個(gè)問(wèn)題:1.高速CPU與低速存儲(chǔ)器之間的速度匹配——CPU插入Tw等待狀態(tài)2.CPU的總線負(fù)載能力——8282和8286增強(qiáng)了AB和DB的驅(qū)動(dòng)能力3.片選信號(hào)、行地址、列地址的產(chǎn)生機(jī)制多個(gè)存儲(chǔ)器芯片組成大容量存儲(chǔ)器,先通過(guò)片選信號(hào)/CS選擇具體芯片,再通過(guò)行列地址選擇該芯片內(nèi)的具體存儲(chǔ)單元
行地址、列地址由AB的低位地址線與存儲(chǔ)器連接來(lái)提供,然后由片內(nèi)譯碼電路自動(dòng)譯碼選擇具體存儲(chǔ)單元
例:訪問(wèn)4K存儲(chǔ)芯片,需要12根地址線連接到芯片,A11~A0
片選信號(hào)/CS由高位地址線譯碼得到,有三種方法:
全譯碼、部分譯碼、線譯碼存儲(chǔ)器與CPU的連接全譯碼:用所有高位地址通過(guò)譯碼器得到多個(gè)/CS部分譯碼:用部分高位地址通過(guò)譯碼器得到多個(gè)/CS線譯碼:無(wú)需譯碼器,將高位地址中的1根作為/CS例1由1片6116(2K*8RAM)和1片2716(2K*8ROM)組成8088存儲(chǔ)系統(tǒng),RAM起始地址為C0000H,ROM地址范圍緊隨RAM之后,試?yán)萌g碼方法將8088與存儲(chǔ)器進(jìn)行連接,畫出連接圖分析片內(nèi)存儲(chǔ)單元選擇低位地址線2K容量需11根ABA10~A0
芯片選擇全部高位地址譯碼產(chǎn)生/CSA19~A11芯片地址范圍A19A18A17A16A15A14A13A12A11A10…A06116C0000H~C07FFH1100
00000x…x1100
000002716C0800H~C0FFFH1100
00001x…x1100
00001808820根AB8根DB控制信號(hào)組合產(chǎn)生/MEMR/MEMW全譯碼/Y0G1/G2A/G2BCBA74LS138/Y1/Y2/Y3/Y4/Y5/Y6/Y7A19A18A16A17A15A14A13A12A11A10~A0D7~D02116/CSA10~A0D7~D0/RD6116/CSA10~A0D7~D0/RD/WE/MEMR/MEMW部分譯碼/Y0G1/G2A/G2BCBA74LS138/Y1/Y2/Y3/Y4/Y5/Y6/Y7A18A16A17A15A14A13A12A11A10~A0D7~D02116/CSA11~A0D7~D0/RD6116/CSA10~A0D7~D0/RD/WE/MEMR/MEMW地址范圍:A19=1A19=06116C0000H~C07FFH和40000H~407FFH2716C0800H~C0FFFH和40800H~40FFFH線譯碼A11=0訪問(wèn)6116;A11=1訪問(wèn)2116地址范圍:6116與2116隨A19~A12的組合不同,共有256個(gè)地址范圍A11A10~A0D7~D02116/CSA11~A0D7~D0/RD6116/CSA10~A0D7~D0/RD/WE/MEMR/MEMW存儲(chǔ)器與CPU的連接例2由1片62256(IC132K*8RAM)和1片27256(IC232K*8ROM)組成8088存儲(chǔ)系統(tǒng),RAM起始地址為00000H,ROM地址范圍緊隨RAM之后,試?yán)萌g碼方法將8088與存儲(chǔ)器進(jìn)行連接,畫出連接圖分析808820根AB8根DB控制信號(hào)組合產(chǎn)生/MEMR/MEMW
片內(nèi)存儲(chǔ)單元選擇低位地址線32K容量需15根ABA14~A0
芯片選擇全部高位地址譯碼產(chǎn)生/CSA19~A15芯片地址范圍A19A18A17A16A15A14A13……A0IC100000H~07FFFH0000
0xx……x0000
0低位地址用于片內(nèi)譯碼IC208000H~0FFFFH0000
1xx……x0000
1全譯碼/Y0G1/G2A/G2BCBA74LS138/Y1/Y2/Y3/Y4/Y5/Y6/Y7A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0/OE/CS/WED7D6D5D4D3D2D1D062256A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0/OED7D6D5D4D3D2D1D027256/CSA14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0+5VA19A18A17A16A15D7D6D5D4D3D2D1D0/MEMR/MEMW8086存儲(chǔ)器系統(tǒng)第4.3節(jié)8086存儲(chǔ)器系統(tǒng)8086系統(tǒng)內(nèi)存組織8086系統(tǒng)有20根地址線,16根數(shù)據(jù)線,尋址空間為1MB512KB空間分配給偶地址存儲(chǔ)器A0=0512KB空間分配給奇地址存儲(chǔ)器A0=1偶地址存儲(chǔ)器與數(shù)據(jù)線低8位相連,即由D7~D0傳送數(shù)據(jù)奇地址存儲(chǔ)器與數(shù)據(jù)線高8位相連,即由D15~D8傳送數(shù)據(jù)奇存儲(chǔ)器偶存儲(chǔ)器地址鎖存器A19~A1A0/BHEA0/BHEA19~A1地址總線D15~D0D15~D8D7~D0數(shù)據(jù)總線CPU8086
A19~A1與奇、偶存儲(chǔ)器相連,用于譯碼和/CS的產(chǎn)生,A0和/BHE則用于對(duì)二者訪問(wèn)的控制,分兩種情況:
1)按字節(jié)訪問(wèn)存儲(chǔ)器/BHEA0操作10按字節(jié)訪問(wèn)偶存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)在D7~D0上傳輸MOV[1000H],AL01按字節(jié)訪問(wèn)奇存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)在D15~D8上傳輸MOV[1001H],AL8086存儲(chǔ)器系統(tǒng)按字訪問(wèn)存儲(chǔ)器
對(duì)準(zhǔn)狀態(tài)——1個(gè)字的低8位在偶存儲(chǔ)器,高8位在奇存儲(chǔ)器
/BHE=0A0=0,用一個(gè)總線周期通過(guò)D15~D0完成16位數(shù)據(jù)傳送
如:MOVAX,[1000H];AL(1000H),AH(1001H)
非對(duì)準(zhǔn)狀態(tài)——1個(gè)字的低8位在奇存儲(chǔ)器,高8位在偶存儲(chǔ)器
此時(shí)需要兩個(gè)總線周期
第一個(gè)總線周期/BHE=0A0=1讀取奇存儲(chǔ)器,得到低8位數(shù)據(jù)
第二個(gè)總線周期/BHE=1A0=0讀取偶存儲(chǔ)器,得到高8位數(shù)據(jù)
如:MOVAX,[1003H] ;AL(1003H),AH(1004H)8086存儲(chǔ)器系統(tǒng)8086存儲(chǔ)系統(tǒng)應(yīng)用舉例例1由2片62256(32K*8RAM)組成64K*8RAM,地址范圍為0000H~FFFFH,試用全譯碼方式將8086與存儲(chǔ)器進(jìn)行連接分析:A15~A1與存儲(chǔ)器的A14~A0相連,選擇片內(nèi)32K個(gè)存儲(chǔ)單元A19~A16用于譯碼產(chǎn)生2個(gè)芯片的片選信號(hào)/CS,根據(jù)地址范圍,A19~A16應(yīng)總為0A0與/BHE只控制對(duì)存儲(chǔ)器的寫訪問(wèn)對(duì)存儲(chǔ)器讀訪問(wèn)時(shí),兩個(gè)芯片均輸出數(shù)據(jù),由CPU根據(jù)所執(zhí)行操作決定讀取D15~D8還是D7~D0,或者D15~D0均讀取
/Y0/Y1/Y2/Y3/Y4/Y5/Y6/Y7G1/G2A/G2BCBAA14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0/CS/OE/WED7D6D5D4D3D2D1D0+5VA19A18A17A16A15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1/MEMRA0/MEMW/BHED15D14D13D12D11D10D9D8D7D6D5D4D3D2D1D0D7~D0A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0/CS/OE/WED7D6D5D4D3D2D1D074LS1386225662256IC0IC1DBABD15~D8奇存儲(chǔ)偶存儲(chǔ)全譯碼例2用2片62256(32K*8RAM)和2片27256(32K*8EPROM)組成8086存儲(chǔ)器系統(tǒng)。要求EPROM的起始地址為F0000H,RAM的起始地址為00000H,使用全地址譯碼方式,試畫出計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器連接圖,并寫出地址范圍分析:A15~A1與芯片的A14~A0相連,用于32K個(gè)存儲(chǔ)單元的片內(nèi)譯碼
A19~A16用于產(chǎn)生片選信號(hào)/CSRAM與ROM之間通過(guò)不同/CS信號(hào)分別訪問(wèn)
RAM內(nèi)部2芯片,ROM內(nèi)部2芯片通過(guò)數(shù)據(jù)線高8位、低8位分別訪問(wèn)芯片A19A18A17A16A15…A1地址范圍62256IC0(偶)0000
x…x00000H~0FFFFHIC1(奇)
0000
x…x00000H~0FFFFH27256IC2(偶)
1111
x…xF0000H~FFFFFHIC3(奇)
1111
x…xF0000H~FFFFFHA15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1MEMRA0MEMWBHED15D14D13D12D11D10D9D8D7D6D5D4D3D2D1D0A19A18A17A16A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0CSOEWED7D6D5D4D3D2D1D0A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0
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