ICS77040

H21.

中華人民共和國國家標準

GB/T8760—2020

代替

GB/T8760—2006

砷化鎵單晶位錯密度的測試方法

Testmethodfordislocationdensityofmonocrystalgalliumarsenide

2020-09-29發(fā)布2021-08-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T8760—2020

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替砷化鎵單晶位錯密度的測量方法本標準與

GB/T8760—2006《》。GB/T8760—2006

相比除編輯性修改外主要技術變化如下

,:

修改了標準范圍中的規(guī)定內容和適用范圍見第章年版的第章

———(1,20061);

增加了規(guī)范性引用文件見第章

———(2);

刪除了位錯位錯密度的術語和定義增加了引導語界定的術語和定義適用于

———、,“GB/T14264

本文件見第章年版的

”(3,20062.1、2.2);

刪除了方法原理中采用擇優(yōu)化學腐蝕技術顯示位錯的內容見第章年版的第章

———“”(4,20063);

增加了除非另有說明測試分析中僅使用確認為分析純及以上的試劑所用水的電阻率不小

———“,,

于見第章

12MΩ·cm”(5);

修改了氫氧化鉀硫酸過氧化氫的要求見第章年版的第章

———、、(5,20064);

修改了拋光液的要求見年版的

———(5.4,20065.3);

儀器設備中增加鉑坩堝或銀坩堝見

———“”(6.3);

修改了試樣制備的要求見第章年版的第章

———(7,20065);

增加了使用帶數碼成像的金相顯微鏡測試時的視場面積和測試點選取的要求見

———(8.2.2、8.3.1);

增加了位錯腐蝕坑較多且有重疊時的計數方法以及形貌圖見

———(8.4.2);

試驗數據處理中的計算公式用S-1代替C見第章年版的第章

———(9,20068);

修改了章標題并增加精密度的技術要求見第章年版的第章

———,(10,20069)。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位有研光電新材料有限責任公司云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司國合通用測試

:、、

評價認證股份公司中國電子科技集團第四十六研究所廣東先導稀材股份有限公司雅波拓福建新

、、、()

材料有限公司

。

本標準主要起草人趙敬平林泉于洪國惠峰劉淑鳳姚康許所成許興馬英俊王彤涵

:、、、、、、、、、、

趙素曉韋圣林陳晶晶付萍

、、、。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T8760—1988、GB/T8760—2006。

Ⅰ

GB/T8760—2020

砷化鎵單晶位錯密度的測試方法

1范圍

本標準規(guī)定了砷化鎵單晶位錯密度的測試方法

。

本標準適用于面砷化鎵單晶位錯密度的測試測試范圍為-2-2

{100}、{111},0cm~100000cm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導體材料術語

GB/T14264

3術語和定義

界定的術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法原理

砷化鎵單晶中位錯周圍的晶格會發(fā)生畸變當用某些化學腐蝕劑腐蝕晶體表面時在晶體表面上的

,,

位錯露頭處腐蝕速度較快進而形成具有特定形狀的腐蝕坑在顯微鏡下觀察并按一定規(guī)則統(tǒng)計這些

,。

具有特定形狀的腐蝕坑單位視場面積內的腐蝕坑個數即為位錯密度

,。

5試劑

除非另有說明測試分析中僅使用確認為分析純及以上的試劑所用水的電阻率不小于

,,12MΩ·cm。

51氫氧化鉀質量分數不小于

.(KOH),85%。

52硫酸質量分數為

.(H2SO4),95%~98%。

53過氧化氫質量分數不小于

.(H2O2),30%。

54拋光液硫酸過氧化氫水的混合液體積比為現(xiàn)用現(xiàn)配