標準解讀

《GB/T 8756-1988 鍺晶體缺陷圖譜》是一項國家標準，該標準主要針對鍺單晶材料中可能存在的各種缺陷類型及其特征進行了詳細描述，并提供了相應的圖形表示方法。這項標準對于從事鍺單晶生長、加工以及相關研究工作的人員來說非常重要，因為它可以幫助他們識別鍺單晶中存在的不同類型缺陷，從而采取措施提高鍺單晶的質(zhì)量。

根據(jù)標準內(nèi)容，《GB/T 8756-1988 鍺晶體缺陷圖譜》首先定義了鍺晶體中可能出現(xiàn)的幾種典型缺陷類別，包括但不限于位錯、微孿晶、氣泡等。接著，標準對每種類型的缺陷給出了具體的形態(tài)特征描述，比如它們在光學顯微鏡或電子顯微鏡下的表現(xiàn)形式。此外，還通過一系列精心挑選的照片和示意圖來直觀展示這些缺陷的樣子，使得讀者能夠更容易地理解和區(qū)分不同種類的缺陷。


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  • 已被新標準代替，建議下載現(xiàn)行標準GB/T 8756-2018
  • 1988-02-25 頒布
  • 1989-02-01 實施
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文檔簡介

UDC.669.783：620.18訂24中華人民共和國國家標準GB8756-88緒晶體缺陷圖譜Collectionofmetallographsondefectsofcrystallinegermanium1988-02-25發(fā)布1989-02-01實施家標準國發(fā)布

中華人民共和國國家標準UDC669.783·620.18圖體缺GB8756-88Collectionofmetallographsondefectsofcrystaliinegermanium本標準規(guī)定了錯多晶、錯單晶制備和機械加工工藝過程中所產(chǎn)生的各類缺陷的形魏。本標準適用于錯多品、錯單品、錯研磨片和地光鏡片的生產(chǎn)和研究。錯二極管、品體管和紅外窗口的制造亦可參照使用。1錯多品缺陷1.1氧化物1.1.1特征晶體表面失去銀灰色金屬光澤，呈現(xiàn)不同顏色的表面膜(圖1)。1.1.2產(chǎn)生原因氧化物是由于品體生長時或長期暴露在空氣中，氧或水與錯反應以及在操作過程中引進的有機物在高溫下分解，而后與錯反應生成。1.2.浮渣1.2.1特征在晶體表面呈現(xiàn)無金屬光澤的灰色薄層(圖2)。11.2.2產(chǎn)生原因浮渣是由氧與錯和錯中的硅相互作用的生成物以及碳等漂浮在錯熔體表面，熔體凝固后形成。1.3孔洞和空洞1.3.1晶體表面孔洞1.3.1.1特征在區(qū)熔、還原以及熔鑄后，鋪晶體與容器相接觸的表面可見到大小不等的坑(圖3和圖4)。1.3.1.2產(chǎn)生原因在定向結(jié)品、區(qū)熔提純和熔鑄過程中，熔體凝固時，熔體中的氣體不能及時排出，致使與石墨容器（特別是沉碳容器)接觸的品體表面產(chǎn)生大小不等的坑。1.3.2晶體體內(nèi)空洞1.3.2.1特征在區(qū)熔錯和熔鑄錯鍵中有空洞時，在其切斷面上可見到大小不等、形狀各異的坑(圖5)1.3.2.2產(chǎn)生原因榕體凝固時，溶于其中的氣體呈過飽知狀態(tài)，冷卻速度過快，氣體不能及時排出，聚集于晶體內(nèi)而形成空洞。13.2.3消除方法采取降低冷卻速度、定向結(jié)品或抽真空等方法可消除品體內(nèi)的空洞。1.3.3空洞夾層1

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