犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜４０６１—２００９

代替ＧＢ４０６１—１９８３

硅多晶斷面夾層化學(xué)腐蝕檢驗(yàn)方法

犘狅犾狔犮狉狔狊狋犪犾犾犻狀犲狊犻犾犻犮狅狀犲狓犪犿犻狀犪狋犻狅狀犿犲狋犺狅犱犪狊狊犲狊狊犿犲狀狋狅犳

狊犪狀犱狑犻犮犺犲狊狅狀犮狉狅狊狊狊犲犮狋犻狅狀犫狔犮犺犲犿犻犮犪犾犮狅狉狉狅狊犻狅狀

２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

書

犌犅／犜４０６１—２００９

前言

本標(biāo)準(zhǔn)代替ＧＢ４０６１—１９８３《硅多晶斷面夾層化學(xué)腐蝕檢驗(yàn)方法》。

本標(biāo)準(zhǔn)與原標(biāo)準(zhǔn)相比，主要有如下改動：

———增加了“術(shù)語”、“試劑與器材”；

———增加了“檢驗(yàn)報(bào)告”內(nèi)容；

———對試樣尺寸的切取方向和試樣處理內(nèi)容增加了要求。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：洛陽中硅高科技有限公司。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：袁金滿。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ４０６１—１９８３。

Ⅰ

書

犌犅／犜４０６１—２００９

硅多晶斷面夾層化學(xué)腐蝕檢驗(yàn)方法

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了以三氯氫硅和四氯化硅為原料在還原爐內(nèi)用氫氣還原出的硅多晶棒的斷面夾層化學(xué)

腐蝕檢驗(yàn)方法。

本標(biāo)準(zhǔn)關(guān)于斷面夾層的檢驗(yàn)適用于以三氯氫硅和四氯化硅為原料，以細(xì)硅芯為發(fā)熱體，在還原爐內(nèi)

用氫氣還原沉積生長出來的硅多晶棒。

２方法原理

本方法采用化學(xué)腐蝕法，根據(jù)氫氟酸硝酸混合液對硅多晶斷面氧化夾層及溫度夾層腐蝕速率的差

別進(jìn)行檢驗(yàn)。

３術(shù)語

３．１

氧化夾層狅狓犻犱犲犾犪犿犲犾犾犪

硅多晶橫斷面上呈同心圓狀結(jié)構(gòu)的氧化硅夾雜。

３．２

溫度夾層狋犲犿狆犲狉犪狋狌狉犲犾犪犿犲犾犾犪

由于溫度起伏，在硅多晶的橫斷面上引起結(jié)晶致密度、晶粒大小或顏色的差異，晶粒呈現(xiàn)出以硅芯

為中心的年輪狀結(jié)構(gòu)，也叫溫度圈（ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｃｉｒｃｌｅ）。

４試劑與器材

４．１試劑

４．１．１純水：大于２ＭΩ·ｃｍ純水（２５℃）。

４．１．２氫氟酸（ＨＦ）：化學(xué)純。

４．１．３硝酸（ＨＮＯ３）：化學(xué)純。

４．２器材

４．２．１器皿：采用耐氫氟酸腐蝕材料。

４．２．２排風(fēng)櫥：采用耐酸氣腐蝕材料。

５試樣制備

５．１取樣部位

除在橋形硅多晶棒硅芯搭接處或者直的硅多晶棒離石墨卡頭１０ｃｍ