T/SZUAVIA

009.10—2019 前言

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II1

范圍

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12

規(guī)范性引用文件

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13

鹽霧試驗條件

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14

試驗設(shè)備要求

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2IT/SZUAVIA

009.10—2019

部分：鹽霧試驗1 范圍工作的能力。2 規(guī)范性引用文件件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GJB

150.11A-2009

軍用裝備實(shí)驗室環(huán)境試驗方法

第11部分：鹽霧試驗RTCA/DO-160F

機(jī)載設(shè)備環(huán)境條件和試驗程序

第14章：鹽霧3 鹽霧試驗條件鹽霧試驗條件主要要素包括：鹽溶液濃度、相對濕度、溫度、鹽霧時間、貯存時間、試驗周期。a) 鹽溶液。鹽溶液是鹽霧試驗的關(guān)鍵要素，直接影響試驗結(jié)果，對于鹽溶液，主要的要求包括：濃度、pH、制備用材。對于中性鹽霧，各標(biāo)準(zhǔn)中對鹽溶液的要求如表

11

1

所示。在本標(biāo)準(zhǔn)中采用

中的鹽溶液。表1 鹽溶液要求項目

—86

—2009

GB/T2423.7—2008

GB/T2423.18—2000

GB/T10125—1997

GB/T1771—2007

ASTM—2007濃度 5%±1%（質(zhì)量百分比） （50±5）5%±1%pH

6.5~7.2(35±2)℃

6.5~7.2(35±2)℃

6.5~7.2(35±2)℃

6.5~7.2(20±2)℃

6.5~7.2

6.5~7.2(35±2)℃

6.5~7.2(35±2)℃水

電阻率不低于

Ω的蒸餾水或去離子水

電阻率為1500~2500Ω·m

蒸餾水或去離子水

蒸餾水或去離子水

電導(dǎo)率為20μS/cm蒸餾水或去離子水

GB/T6682導(dǎo)率≤0.5mS/m）

ASTM

四級水（電導(dǎo)率≤0.5μS/cm）ω（NaCI）

除CI以外的氯化鈉

化學(xué)純

ω（NaI）≤0.1%

總雜質(zhì)≤0.5%

ω（NaI）≤0.1%

總雜質(zhì)≤0.3%

化學(xué)純

≥99.5%ω（NaI）≤0.1%基本不含

鹵化物≤0.1%質(zhì)≤0.3%，ω（NaCI）Cu，Ni

<3×101T/SZUAVIA

009.10—2019注1：①條件試驗時，pH

pH。②每一批新配置的溶液都應(yīng)該測量

pH。4 試驗設(shè)備要求4.1 試驗箱試驗箱所用的材料應(yīng)不會影響鹽霧的腐蝕效果。a) 使用對鹽霧特性沒有影響的支撐架。b) 與無人機(jī)樣品接觸的所有部件都不能引起電化學(xué)腐蝕。c) 冷凝液不能滴落在無人機(jī)樣品上。d) 任何與試驗箱或無人機(jī)樣品接觸過的試驗溶液都不能返回到鹽溶液槽中。e) 試驗箱應(yīng)有排風(fēng)口以防止試驗空間內(nèi)壓力升高。f) 應(yīng)根據(jù)我國有關(guān)法規(guī)對廢液進(jìn)行處理。4.2 鹽溶液槽使用不與鹽溶液發(fā)生反應(yīng)的材料制備鹽溶液槽。4.3 鹽溶液注入系統(tǒng)a) 和管路系統(tǒng)應(yīng)使用不與鹽溶液發(fā)生反應(yīng)的材料制成；防止鹽沉積堵塞噴嘴。b) 在下列條件下，在體積小于

0.34m3的試驗箱內(nèi)能獲得合適的鹽霧：1) 噴嘴壓力應(yīng)盡可能低到按所要求的速率噴霧；2) 噴嘴的孔徑在

之間；3) 在每

24h

大約霧化

2.8L

當(dāng)采用容積遠(yuǎn)大于0.34m3的試驗箱時，上述條件需要修改。4.4 鹽霧收集器用至少2個鹽霧收集器來收集鹽溶液樣品。一個放置在樣品的邊緣最靠近噴嘴處，另一個也放置在樣品的邊緣但應(yīng)離噴嘴最遠(yuǎn)。若使用多個噴嘴，此原則同樣適用。收集器的安放位置不應(yīng)被樣品遮蔽，也不能讓收集器收集到從樣品或其他地方滴落的鹽水。4.5 鹽霧試驗程序24期內(nèi)，至少每間隔就應(yīng)測量鹽霧沉降率和沉降溶液的值，以保證沉降率在。步驟2：試驗樣品在標(biāo)準(zhǔn)大氣環(huán)境溫度和相對濕度不大于50%條件下干燥24h。在干燥期間不應(yīng)觸動試驗樣品或?qū)ζ錂C(jī)械特性進(jìn)行任何調(diào)整。步驟3：干燥結(jié)束后如無其它規(guī)定，應(yīng)將樣品放回鹽霧箱內(nèi)并按步驟1和步驟2再進(jìn)行一次重復(fù)。步驟4：干燥結(jié)束后，啟動試驗樣品工作，確定其